SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

Test methods for oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

SJT10627-1995, SJ10627-1995

2010-02

SJ/T 10627-1995 中，可能用到以下仪器设备

 

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SJ/T 10627-1995
标准号
SJ/T 10627-1995
别名
SJT10627-1995
SJ10627-1995
发布
1995年
发布单位
行业标准-电子
当前最新
SJ/T 10627-1995
 
 
本标准适用于室温电阻率大于0．1Ω．cm的N型或P型直拉硅晶片，其热循环可为单一温度或双温度。

SJ/T 10627-1995相似标准

GB/T 19444-2004 硅片氧沉淀特性的测定-间隙氧含量减少法 ASTM F1239-94 通过测量晶隙氧还原表征硅片氧沉淀的标准试验方法 GB/T 14144-2009 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法 GB/T 14264-2009 半导体材料术语 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法

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SJ/T 10627-1995 中可能用到的仪器设备

红外光谱仪 氧/CO2分析仪 测油仪/油分浓度仪 其他包装业专用


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