GB/T 43315-2023由国家质检总局 CN-GB 发布于 2023-11-27,并于 2024-06-01 实施。
GB/T 43315-2023 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法,在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。
GB/T 43315-2023 硅片流动图形缺陷的检测 腐蚀法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 43315-2023 。
66. drive-in:推阱,指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。67. dry etch:干刻,指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域的混合了物理腐蚀及化学腐蚀的工艺过程。68. effective layer thickness:有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内的硅锭前端的深度。69....
并使原先的SiO2膜厚度增加,达到阻止下一步中n型杂质注入P型阱中。 1 扩散技术 向半导体中掺杂的方法有扩散和离子注入法。扩散法是将掺杂气体导入放有硅片的高温炉,将杂质扩散到硅片内一种方法。优点是批量生产,获得高浓度掺杂。杂质扩散有两道工序:预扩散( 又称预淀积 Predeposition ) 和主扩散 ( drive in )。 ...
材料介绍:原图中材料是熔盐辅助化学气相沉积法(CVD)法生长MoTe2时,在盐(NaCl)加多的情况下,硅片上盐颗粒熔化流动所形成的。仪器:光学显微镜。...
然后150nm厚的Si3N4低压化学气相淀积(LPCVD)在硅片表面,形成第二层掩膜。第一次光刻,RIE刻蚀反应室及其流道上的Si3N4;采用掩膜板2光刻反应室的图形,RIE和BHF刻蚀反应室表面的SiO2。KOH腐蚀反应室的硅至150um,此时流道上的硅由于有足够厚的SiO2作为保护层,没有开始腐蚀。...
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