然后150nm厚的Si3N4低压化学气相淀积(LPCVD)在硅片表面,形成第二层掩膜。第一次光刻,RIE刻蚀反应室及其流道上的Si3N4;采用掩膜板2光刻反应室的图形,RIE和BHF刻蚀反应室表面的SiO2。KOH腐蚀反应室的硅至150um,此时流道上的硅由于有足够厚的SiO2作为保护层,没有开始腐蚀。...
硅片常规清洗后,在10-50°C下生长800nm厚的湿氧热氧化层,作为第一层掩膜层。然后150nm厚的Si3N4低压化学气相淀积(LPCVD)在硅片表面,形成第二层掩膜。第一次光刻,RIE刻蚀反应室及其流道上的Si3N4;采用掩膜板2光刻反应室的图形,RIE和BHF刻蚀反应室表面的SiO2。KOH腐蚀反应室的硅至150 um,此时流道上的硅由于有足够厚的SiO2作为保护层,没有开始腐蚀。...
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