GB/T 1553-1997
硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

Standard test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconductivity decay


GB/T 1553-1997 发布历史

本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

GB/T 1553-1997由国家质检总局 CN-GB 发布于 1997-06-03,并于 1997-12-01 实施,于 2010-06-01 废止。

GB/T 1553-1997 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法,在国际标准分类中归属于: 77.040.01 金属材料试验综合。

GB/T 1553-1997的历代版本如下:

  • 1997年06月03日 GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
  • 2009年10月30日 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法

GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 于 2009-10-30 变更为 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法。

GB/T 1553-1997



标准号
GB/T 1553-1997
发布日期
1997年06月03日
实施日期
1997年12月01日
废止日期
2010-06-01
中国标准分类号
H21
国际标准分类号
77.040.01
发布单位
CN-GB
代替标准
GB/T 1553-2009
适用范围
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。 本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。

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