5、晶片研磨:通过不同颗粒粒径的金刚石研磨液将晶片研磨到所需的平整度和粗糙度。6、晶片抛光:通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。7、晶片检测:使用光学显微镜、X射线衍射仪、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设备,检测碳化硅晶片的微管密度、表面粗糙度、电阻率、弯曲度、厚度变化、表面划痕等各项参数指标。...
产品特点:可测量太阳能多晶硅块、单晶硅棒少数载流子体寿命。表面无需抛光,直接对切割面或研磨面进行测量,仪器可按需方提供的有标称值的校准样品调试寿命值。可测量太阳能单晶及多晶硅片少数载流子的相对寿命,表面无需抛光、钝化。液晶屏上直接显示少子寿命值,同时在线显示光电导衰退波形。...
测量范围宽广测试仪可直接测量: a、研磨或切割面:电阻率≥0.5Ω?cm的单晶硅棒、定向结晶多晶硅块少子体寿命,切割片的少子相对寿命。 b、抛光面:电阻率在0.5~0.01Ω?cm范围内的硅单晶、锗单晶抛光片。...
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