YS/T 679-2008
非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
Test methods for minority carrier diffusion length in extrinsic semiconductors by measurement of steady-state surface photovoltage
YS/T 679-2008 发布历史
1.1 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于 4 倍的扩散长度。 1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。 1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.l～50）Ω·cm 、载流子寿命短至 2ns 的 p 和 n 型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。
YS/T 679-2008由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2008-03-12，并于 2008-09-01 实施。
YS/T 679-2008 在中国标准分类中归属于: H80 半金属与半导体材料综合，在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
YS/T 679-2008 发布之时，引用了标准
- GB/T 1552 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法
- GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法*， 2009-10-30 更新
- GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法*， 2009-10-30 更新
- GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法*， 2009-10-30 更新
- GB/T 11446.1 电子级水*， 2013-12-31 更新
- GB/T 14264 半导体材料术语*， 2009-10-30 更新
- GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法*， 2011-01-10 更新
* 在 YS/T 679-2008 发布之后有更新，请注意新发布标准的变化。
YS/T 679-2008的历代版本如下：
- 2008年03月12日 YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
- 2018年10月22日 YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法
YS/T 679-2008 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 于 2018-10-22 变更为 YS/T 679-2018 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法。
- 标准号
- YS/T 679-2008
- 发布日期
- 2008年03月12日
- 实施日期
- 2008年09月01日
- 废止日期
- 无
- 中国标准分类号
- H80
- 国际标准分类号
- 29.045
- 发布单位
- CN-YS
- 引用标准
- GB/T 1552 GB/T 1553 GB/T 6616 GB/T 6618 GB/T 11446.1 GB/T 14264 GB/T 14847
- 代替标准
- YS/T 679-2018
- 适用范围
- 1.1 本标准适用于非本征单晶半导体材料样品或相同导电类型重掺衬底上沉积已知电阻率的同质外延层中的少数载流子扩散长度的测量。要求样品或外延层厚度大于 4 倍的扩散长度。 1.2 本标准是为单晶硅样品的应用而开发的，可用于测量其他半导体，如砷化镓（同时调整相应的光照波长（能量）范围和样品的制备工艺）上的有效扩散长度和评价晶粒间界垂直于表面的多晶硅样品上有效扩散长度。本标准也可用于硅片的洁净区的宽度测定。 1.3 本标准对样品的电阻率和寿命的应用极限尚未确定，但已经成功的对电阻率（0.l～50）Ω·cm 、载流子寿命短至 2ns 的 p 和 n 型硅样品进行了测量。本标准测量的扩散长度仅在室温22℃±0.5℃下进行，寿命和扩散长度是温度的函数。