ASTM F1366-92(1997)e1
用次级离子质谱仪测量重掺杂硅基底中氧含量的测试方法
Standard Test Method for Measuring Oxygen Concentration in Heavily Doped Silicon Substrates by Secondary Ion Mass Spectrometry
说明：
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- 标准号
- ASTM F1366-92(1997)e1
- 发布
- 1992年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F1366-92(2002)
- 当前最新
- ASTM F1366-92(2002)
- 引用标准
- ASTM E122 ASTM F1188 ASTM F43 ASTM F723
- 1.1 本测试方法涵盖使用二次离子质谱法（SIMS）测定单晶硅基板主体中的总氧浓度。 1.2 本试验方法适用于硼、锑、砷、磷掺杂浓度小于0.2%（1 X 10 20 原子/cm 3 ）的硅。该测试方法特别适用于电阻率在0.0012和1.0Ω-cm之间(对于β型硅)和在0.008和0.2Ω-cm(对于β型硅)之间的硅。 1.3 该测试方法可用于氧含量大于 SI...