ASTM E2245-05
用光学干涉仪测量反射薄膜残余应力的标准试验方法

Standard Test Method for Residual Strain Measurements of Thin, Reflecting Films Using an Optical Interferometer


 

 

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标准号
ASTM E2245-05
发布
2005年
发布单位
美国材料与试验协会
替代标准
ASTM E2245-11
当前最新
ASTM E2245-11(2018)
 
 
适用范围
残余应变测量有助于 MEMS 器件的设计和制造。残余应变值用于杨氏模量计算。
1.1 该测试方法涵盖了测量薄膜中压缩残余应变的程序。它仅适用于薄膜,例如微机电系统 (MEMS) 材料中的薄膜,可以使用干涉仪对其进行成像。不接受接触底层的固定光束的测量。
1.2 本测试方法使用非接触式光学干涉仪,能够获取地形 3-D 数据集。它是在实验室中进行的。
1.3 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。

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