GB/T 26070-2010
化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method
GBT26070-2010, GB26070-2010
GB/T 26070-2010 中，可能用到以下仪器设备
- 标准号
- GB/T 26070-2010
- 别名
- GBT26070-2010
GB26070-2010 - 发布
- 2011年
- 发布单位
- 国家质检总局
- 当前最新
- GB/T 26070-2010
- 1.1 本标准规定了亚-V族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb 可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。 2 定義
GB/T 26070-2010相似标准
推荐
窦唯发新专辑 然而他的吉他手却是位材料科学家
取得的主要学术成绩：1）在半导体低维结构的光学各向异性研究方面，将反射差分谱应用于半导体界面性质研究，揭示了界面原子偏析、界面结构和应变对量子阱光学偏振性质的重要影响；基于反射差分谱技术， 提出了一种测量量子阱激子各向异性交换分裂的方法，并演示了应变对激子精细分裂的调控作用；基于RDS技术，建立了半导体衬底材料表面亚损伤和内应力分布的新型表征技术，可用于我国 晶片材料相关高技术企业的产品检测。...
半导体专业术语含义
197. wafer flat: 从晶片的一面直接切下去，用于表明自由载流子的导电类型和晶体表面的晶向，也可用于在处理和雕合过程中的排列晶片。198. wafer process chamber(WPC): 对晶片进行工艺的腔体。199. well: 阱。200. wet chemical etch: 湿法化学腐蚀。...
干货|红外光谱操作常见的问题及注意事项
举个例子，轮胎橡胶制品无法研磨，一般压片法很难制样： ①普通制样方法得到的谱图透过率差，看不到特征吸收; ②使用全反射方法测全反射红外谱，不仅需要附件，而且由于橡胶制品是黑色的，得到的谱图效果也差，即使，放大以后的谱图，吸收峰透过率仍然在98%～100%，而且样品的平坦度不够，不成形，不平整就无法做; ③采用普通的压片方法，利用溶剂溶解加研磨混合制样的方法，对比了不同几种溶剂，达到了较为满意的效果...
奥林巴斯半导体显微镜，独有的MIX照明功能让图像更清晰！
硬盘（左：明场 / 右：DIC) 微分干涉差(DIC)用于帮助观察具有细微高度差异的样品。该技术非常适合用于检测诸如磁头、硬盘介质、以及抛光晶片等具有很小高度差的样品。半导体晶圆上的集成电路图形（左：暗场 / 右：MIX（明场 + 暗场）暗场是检测标本上细微划痕或缺陷以及晶片等镜面样品的理想工具。MIX照明可让使用者即可观察图形也可观察色彩。...