GB/T 26070-2010
化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method

GBT26070-2010, GB26070-2010


GB/T 26070-2010 发布历史

GB/T 26070-2010由国家质检总局 CN-GB 发布于 2011-01-10,并于 2011-10-01 实施。

GB/T 26070-2010 在中国标准分类中归属于: H17 半金属及半导体材料分析方法,在国际标准分类中归属于: 77.040.99 金属材料的其他试验方法。

GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法的最新版本是哪一版?

最新版本是 GB/T 26070-2010

GB/T 26070-2010的历代版本如下:

  • 2011年 GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法

 

1.1 本标准规定了亚-V族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 1.2 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb 可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。 2 定義

GB/T 26070-2010

标准号
GB/T 26070-2010
别名
GBT26070-2010
GB26070-2010
发布
2011年
发布单位
国家质检总局
当前最新
GB/T 26070-2010
 
 

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