YS/T 935-2013由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2013-10-17,并于 2014-03-01 实施。
YS/T 935-2013 在中国标准分类中归属于: H68 贵金属及其合金,在国际标准分类中归属于: 77.150.99 其他有色金属产品。
YS/T 935-2013 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南的最新版本是哪一版?
最新版本是 YS/T 935-2013 。
* 在 YS/T 935-2013 发布之后有更新,请注意新发布标准的变化。
本标准规定了电子薄膜制备用高纯金属建设靶材的纯度等级的定义方法、杂质含量分析方法、抽样规则及靶材纯度等级报告标准规范等内容。本标准适用于电子薄膜用各类高纯金属溅射靶材(以下简称靶材)。其他对纯度有较高要求的靶材纯度等级、杂质含量分析及报告规范也可参照使用。
而溅射属于物理气相沉积技术的一种,是制备电子薄膜材料的主要技术之一。 它利用离子源产生的离子,在高真空中经过加速聚集,而形成高动能的离子束流,轰击固体表面,离子和固体表面原子发生动能交换,使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面,被轰击的固体是用溅射法沉积薄膜的原材料,称为溅射靶材。 ...
针对半导体行业需求,可实现高纯(≥5N)铜、铝、钛、钽、钼等高纯溅射靶材中70种以上杂质元素快速检测;硅、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等基材从原料至晶圆的全元素杂质检测;SiC等外延片镀层化学成分及杂质含量分布。...
半导体领域,分立器领域等级要就G2.集成电路用超净高纯试剂的纯度要求最高,中低端领域(8寸及以下晶圆制程)要求达到G3、G4水平,部分高端领域(大硅片、12英寸晶圆制程)要求达到G5等级(10ppt)。2. 优势及解决方案电子级化学品应用于晶圆的清洗,光阻剂的移除中,若有杂质残留在晶圆表面,会影响晶片的良导率,尤其是先进制样(20nm以下)影响较大。...
11YSFFZT3935-2010采用高质量分辨率辉光放电质谱仪测定高纯铋中杂质含量推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会峨嵋半导体材料研究所 23YSJCZT3947-2010电子薄膜用高纯金属溅射靶材的纯度等级及杂质含量分析推荐制定 2011原材料工业司全国有色金属标准化技术委员会有研亿金新材料股份有限公司 30YSFFZT3955-2010氟化铝-元素分析 波长色散X射线荧光光谱法...
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