GB/T 30868-2014由国家质检总局 CN-GB 发布于 2014-07-24,并于 2015-02-01 实施。
GB/T 30868-2014 在中国标准分类中归属于: H83 化合物半导体材料,在国际标准分类中归属于: 29.045 半导体材料。
GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法的最新版本是哪一版?
最新版本是 GB/T 30868-2014 。
本标准规定了利用熔融氢氧化钾腐蚀法测定碳化硅单晶微管密度的方法。 本标准适用于碳化硅单晶微管密度的测定。
6、晶片抛光:通过机械抛光和化学机械抛光方法得到表面无损伤的碳化硅抛光片。7、晶片检测:使用光学显微镜、X射线衍射仪、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设备,检测碳化硅晶片的微管密度、表面粗糙度、电阻率、弯曲度、厚度变化、表面划痕等各项参数指标。8、晶片清洗:以清洗药剂和纯水对碳化硅抛光片进行清洗处理,去除抛光片上残留的抛光液等表面沾污物,再通过超高纯氮气和甩干机将晶片吹干、甩干。...
微管是一种肉眼都可以看得见的宏观缺陷,在碳化硅晶体生长技术发展到能彻底消除微管缺陷之前,大功率电力电子器件就难以用碳化硅来制造。尽管优质晶片的微管密度已达到不超过15cm-2 的水平。但器件制造要求直径超过100mm的碳化硅晶体,微管密度低于0.5cm-2 。 2,外延工艺效率低。碳化硅的气相同质外延一般要在1500℃以上的高温下进行。...
它具有高密度、超硬度、润滑性、耐磨损、耐腐蚀和耐高温且不易传热等优点,可用于制造轴承、气轮机叶片、永久性模、陶瓷密封环、等机械构件以及热电偶管、火箭喷嘴、熔解金属的坩埚等高温零部件。由于氮化硅中阴离子杂质尤其是卤素会对相关接触部件造成严重腐蚀,从而影响构件的机械强度和密封环的密封效果,所以对氮化硅中阴离子杂质的准确测定具有重要意义。...
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