国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2018 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 国家质检总局,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 GB/T 1557-2006 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 德国标准化学会,关于硅氧硅的红外吸收峰的标准 DIN 50438...
直拉晶体硅中掺氮可用来调控原生氧沉淀和空洞型缺陷,从而提高硅晶体的质量,已经在产业界广泛应用,除了间隙氧、代位碳、III-V族元素检测以外,氮的测量也是硅材料界的一个热点课题。众所周知,直拉单晶硅中含有较高浓度(浓度范围1017-1018cm-3)的间隙氧(Oi),当氮掺入直拉硅单晶中时,除了以氮-氮对(N-N)形式存在以外,氮还会和氧作用形成氮氧复合体(N-O complexes)。...
依据G B/T 1558-2009和G B/T 1557-2006,红外光谱法可以在对单晶硅中代位碳和间隙氧进行定性的同时进行定量测定,具有快速、方便、准确的优点。 关键词: 红外光谱法 单晶硅 碳氧含量 定量测定 · 原理利用硅中代位碳原子和间隙氧原子分别在波数607.2cm -1和1107cm -1 有特征吸收,根据吸收峰的吸收系数来确定代位碳原子浓度和间隙氧原子的浓度。 ...
;声子光谱、半导体材料带隙,低维异质结构厚度以及电子特性研究;外延层厚度分析:同质外延,异质外延,单层,多层;红外光电探测器器件光谱响应表征:光电流谱;红外发光器件、激光器等电致发光器件中心波长、线宽、带宽表征:ICL,QCL,VCSEL;工业高纯晶体硅质量控制:间隙氧,代位碳,III_VI族杂质元素分析;光伏硅晶体质量控制:间隙氧,代位碳,施主,受主元素含量;切割前硅晶棒、硅锭中氧含量轴向分布分析...
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