YS/T 23-2016
硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

Test method for thickness of epitaxial layers.Stacking fault size

YS/T 23-2016 发布历史

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。 本标准适用于在〈111〉、〈100〉和〈110〉晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm~120 μm硅外延层厚度的测量。

YS/T 23-2016由行业标准-有色金属 CN-YS 发布于 2016-04-05，并于 2016-09-01 实施。

YS/T 23-2016 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法，在国际标准分类中归属于: 77.040 金属材料试验。

YS/T 23-2016 发布之时，引用了标准

• GB/T 14264 半导体材料术语
• GB/T 14847 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法

YS/T 23-2016的历代版本如下：

• 1992年03月09日 YS/T 23-1992 硅外延层厚度测定.堆垛层错尺寸法
• 2016年04月05日 YS/T 23-2016 硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法

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标准号

YS/T 23-2016

发布日期

2016年04月05日

实施日期

2016年09月01日

废止日期

无

中国标准分类号

H21

国际标准分类号

77.040

发布单位

CN-YS

引用标准

GB/T 14264 GB/T 14847

被代替标准

YS/T 23-1992

适用范围

本标准规定了利用堆垛层错尺寸法测量硅外延层厚度的方法。 本标准适用于在〈111〉、〈100〉和〈110〉晶向的硅单晶衬底上生长的2 μm~120 μm硅外延层厚度的测量。