找不到引用ASTM F76-08(2016) 测量电阻率和霍尔系数和测定单晶半导体中霍尔迁移率的标准试验方法 的标准
通过修正的Kohler模型对磁电阻数据进行拟合,发现A17相的载流子迁移率非常高(~104cm2V-1S-1),这可能是其具有巨大正磁阻的起源,在经历A7和SC相转变后迁移率逐步减小,同时对霍尔电阻率分析显示,有效载流子浓度逐步得到提升,但在A17和A7相中霍尔电阻随磁场均出现正负号变化(图4),表明黑磷在这两个相都具有补偿半金属特征。图4....
产品功能:1·电阻率、霍尔系数及霍尔迁移率测试遵从美国材料与试验协会ASTM-F76标准2·电阻测量范围宽:100nΩ(低电阻选件)~ 100GΩ(高阻系统);3·使用插入式样品卡,样品安装方便,同时提供四探针卡,免去制作电极的麻烦4·标准系统一次可以同时测量2个样品,增加选件可同时测量4个样品;5·测量和计算过程由软件自动执行,3分钟即可得到一个霍尔效应数据;6·提供长时间高稳定性的磁场,24小时稳定性...
FeSe单晶的温度-压力相图和霍尔系数电子相图。Ts:四方-正交结构相变(电子向列序Nematic)转变温度;Tm:长程磁有序转变温度;Tc:超导(SC)转变温度。图2. FeSe单晶不同压力、不同温度下的霍尔电阻数据。图3. FeSe单晶在不用压力下的电阻率和霍尔系数随温度的变化关系。...
【小结】在该项研究中,研究人员通过CVD法实现了大尺寸层状Bi2O2Se单晶薄膜的生长,这是保证其应用于微纳电子器件的前提;以该材料为沟道的FETs电流开关比可高达到106,而之前基于石墨和过渡金属硫族化合物的FETs开关比仅为104,其优异的亚阀值特性也接近传统的金属氧化物半导体,同时还具有较高的载流子迁移率,这些都是实现高速低能逻辑器件设计的关键;而Bi2O2Se薄膜中较长的平均自由程也使其在霍尔测试中表现出了...
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