GB/T 14141-1993
硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
GB/T 14141-1993 发布历史
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2～3μm的薄层，测量范围为250～5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。
GB/T 14141-1993由国家质检总局 CN-GB 发布于 1993-02-06，并于 1993-10-01 实施，于 2010-06-01 废止。
GB/T 14141-1993 在中国标准分类中归属于: H21 金属物理性能试验方法。
GB/T 14141-1993的历代版本如下：
- 1993年02月06日 GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定
- 2009年10月30日 GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法
GB/T 14141-1993 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 于 2009-10-30 变更为 GB/T 14141-2009 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定.直排四探针法。
- 标准号
- GB/T 14141-1993
- 发布日期
- 1993年02月06日
- 实施日期
- 1993年10月01日
- 废止日期
- 2010-06-01
- 中国标准分类号
- H21
- 国际标准分类号
- 29.040.30
- 发布单位
- CN-GB
- 代替标准
- GB/T 14141-2009
- 适用范围
- 本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。 本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。对于厚度为0.2～3μm的薄层，测量范围为250～5000Ω；对于厚度不小于3μm的薄层，薄层电阻的测量下限可达10Ω。