界面态
本专题涉及界面态的标准有12条。
国际标准分类中，界面态涉及到半导体分立器件、有色金属产品、信息技术应用。
在中国标准分类中，界面态涉及到半导体三极管、稀有分散金属及其合金、、半导体分立器件综合。
UY-UNIT，关于界面态的标准
- UNIT 142-1960 对地面液态界限的测量
美国材料与试验协会，关于界面态的标准
- ASTM F996-98 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-98(2003) 利用亚阈值安伏特性测定由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移分量的标准试验方法
- ASTM F996-10 利用亚阈值安伏特性分离由于氧化空穴和界面态产生的电离辐射感应金属氧化物半导体场效应晶体管阈电压偏移的标准试验方法
- ASTM F996-11(2018) 用亚阈电流–将电离辐射引起的MOSFET阈值电压偏移分离为由于氧化物陷阱空穴和界面状态引起的元件的标准试验方法；电压特性
国家质检总局，关于界面态的标准
- GB/T 43611-2023 镓基液态金属热界面材料
中国团体标准，关于界面态的标准
- T/CIDADS 00013-2023 物联网云组态应用界面设计指南
- T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法
ES-AENOR，关于界面态的标准
- UNE 55-708-1984 液态薄膜的拉伸界面张力的测定
(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于界面态的标准
- JEDEC JESD51-14-2010 单通道热流半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试方法
美国国防后勤局，关于界面态的标准
- DLA SMD-5962-90695-1991 硅单块 带三态输出8比特总线界面双稳态多谐振荡器触发器,晶体管-晶体管逻辑电路,高级低功率肖脱基,双极数字微型电路
未注明发布机构，关于界面态的标准
- ASTM RR-F01-1014 1997 F0096- 使用亚阈值电流-电压特性将电离辐射引起的 MOSFET 阈值电压偏移分离为由于氧化物捕获空穴和界面状态而引起的组件的测试方法
