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二极管测量

本专题涉及二极管测量的标准有46条。

国际标准分类中,二极管测量涉及到光电子学、激光设备、半导体分立器件、光纤通信、电工和电子试验、电子显示器件。

在中国标准分类中,二极管测量涉及到半导体发光器件、半导体二极管、光电子器件综合、电气照明综合。


YU-JUS,关于二极管测量的标准

PL-PKN,关于二极管测量的标准

日本工业标准调查会,关于二极管测量的标准

韩国科技标准局,关于二极管测量的标准

(美国)固态技术协会,隶属EIA,关于二极管测量的标准

行业标准-电子,关于二极管测量的标准

  • SJ/T 2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
  • SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容
  • SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
  • SJ/T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分:正向电压
  • SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
  • SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
  • SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
  • SJ/T 2658.10-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分:调制带宽
  • SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分:响应时间
  • SJ/T 2658.16-2016 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分:光电转换效率
  • SJ/T 2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
  • SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法.第3部分:反向电压和反向电流
  • SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角
  • SJ/T 2658.12-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分:峰值发射波长和光谱辐射带宽

工业和信息化部,关于二极管测量的标准

RO-ASRO,关于二极管测量的标准

美国电气电子工程师学会,关于二极管测量的标准

  • IEEE 351-1972 IEEE 固态器件试用标准指南:变容二极管测量第二部分 大信号器件的表征
  • IEEE Std 351-1972 IEEE 固态器件试用标准指南:变容二极管测量第二部分 大信号器件的表征
  • IEEE No 318-1971 IEEE 固态器件试用标准指南:变容二极管测量第1部分 小信号测量
  • IEEE 318-1971 IEEE 固态器件试用标准指南:变容二极管测量第1部分 小信号测量

国际照明委员会,关于二极管测量的标准

台湾地方标准,关于二极管测量的标准

RU-GOST R,关于二极管测量的标准

GSO,关于二极管测量的标准





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