EN

KR

JP

ES

RU

DE

击穿电压 测试 方法

本专题涉及击穿电压 测试 方法的标准有11条。

国际标准分类中,击穿电压 测试 方法涉及到绝缘材料、电线和电缆、半导体分立器件、光电子学、激光设备、绝缘流体。

在中国标准分类中,击穿电压 测试 方法涉及到航空与航天用金属铸锻材料、半导体二极管、半导体发光器件、半导体光敏器件、电工绝缘材料及其制品。


RU-GOST R,关于击穿电压 测试 方法的标准

AENOR,关于击穿电压 测试 方法的标准

行业标准-航天,关于击穿电压 测试 方法的标准

  • QJ 483-1990 铝及铝合金绝缘阳极氧化膜层击穿电压测试方法

行业标准-电子,关于击穿电压 测试 方法的标准

  • SJ 2141-1982 硅稳流二极管击穿电压的测试方法
  • SJ 966-1975 硅开关二极管反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2354.2-1983 PIN、雪崩光电二极管反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2214.4-1982 半导体光敏二极管反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.5-1982 半导体光耦合器(二极管)反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2215.7-1982 半导体光耦合器集电极-发射极反向击穿电压的测试方法
  • SJ 2214.6-1982 半导体光敏三极管集电极.发射极反向击穿电压的测试方法

德国标准化学会,关于击穿电压 测试 方法的标准





Copyright ©2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP备07018254号 京公网安备1101085018 电信与信息服务业务经营许可证:京ICP证110310号