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Halbleitermaterialdichte

Für die Halbleitermaterialdichte gibt es insgesamt 374 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleitermaterialdichte die folgenden Kategorien: Dichtungen, Dichtungsgeräte, Isolierflüssigkeit, Halbleitermaterial, Paraffin, bituminöse Materialien und andere Erdölprodukte, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Schneidewerkzeuge, Feuerfeste Materialien, Diskrete Halbleitergeräte, Prüfung von Metallmaterialien, Baumaterial, Umfangreiche elektronische Komponenten, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Elektrische und elektronische Prüfung, Verbundverstärkte Materialien, Leitermaterial, Drähte und Kabel, Wortschatz, analytische Chemie, Anorganische Chemie, Keramik, Kraftstoff, Glas, Integrierter Schiffbau und Offshore-Strukturen, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Klebstoffe und Klebeprodukte, Plastik, Gebäudeschutz, Optik und optische Messungen, Chemikalien, Feuer bekämpfen, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Straßenfahrzeuggerät, Gummi- und Kunststoffprodukte, Erdarbeiten, Aushubarbeiten, Fundamentbau, Tiefbauarbeiten, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Längen- und Winkelmessungen, Elektrotechnik umfassend, Metrologie und Messsynthese, Thermodynamik und Temperaturmessung.


Group Standards of the People's Republic of China, Halbleitermaterialdichte

  • T/ICMTIA CM0035-2023 Dichtung für eine Vorrichtung zur Verarbeitung von Halbleitersiliziummaterial
  • T/CASME 798-2023 Spezialisierte Bearbeitungswerkzeuge für Halbleitermaterialien
  • T/SHDSGY 135-2023 Neue Energiehalbleiter-Siliziumwafer-Materialtechnologie
  • T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien
  • T/ZJATA 0017-2023 Epitaxieausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleitermaterialdichte

  • GB/T 14264-1993 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14264-2009 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 31469-2015 Schneidflüssigkeit für Halbleitermaterialien
  • GB/T 14844-1993 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 43136-2023 Superabrasive Produkte: Schleifscheiben zum präzisen Ritzen von Halbleiterchips
  • GB/T 24528-2009 Kohlenstoffmaterialien – Methode zur Bestimmung der Schüttdichte
  • GB/T 2413-1980 Piezoelektrische Keramikmaterialien – Messmethoden zur Bestimmung der Volumendichte
  • GB/T 2413-1981 Piezoelektrische Keramikmaterialien – Messmethoden zur Bestimmung von Volumen und Dichte
  • GB/T 2999-2016 Prüfverfahren für die Schüttdichte feuerfester Partikel
  • GB 2413-1981 Messmethode der Schüttdichte piezoelektrischer Keramikmaterialien
  • GB 2413-1980 Messmethode der Schüttdichte piezoelektrischer Keramikmaterialien
  • GB/T 2999-2002 Feuerfeste Materialien – Bestimmung der Schüttdichte körniger Materialien
  • GB/T 10671-2023 Spezifisches Prüfverfahren für die optische Dichte zur Raucherzeugung aus festen Materialien
  • GB/T 10671-2008 Prüfverfahren für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • GB/T 3048.3-1994 Prüfverfahren zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Messung des Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen
  • GB/T 3048.3-2007 Prüfverfahren für elektrische Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Teil 3: Prüfung des spezifischen Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen

RU-GOST R, Halbleitermaterialdichte

  • GOST 32183-2013 Halbfeste bituminöse Materialien. Bestimmung der Dichte mittels Pyknometer
  • GOST ISO 8840-2014 Feuerfeste Materialien. Bestimmung der Schüttdichte körniger Materialien (Korndichte)
  • GOST 18986.23-1980 Zener-Dioden. Methoden zur Messung der spektralen Rauschdichte
  • GOST 22622-1977 Halbleitermaterialien. Begriffe und Definitionen
  • GOST 9553-1974 Quarzglas- und Glaskristallmaterialien. Bestimmung der Dichte
  • GOST R ISO 21687-2014 Kohlenstoffhaltige Materialien zur Herstellung von Aluminium. Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas. Solide Materialien
  • GOST 8.588-2006 Staatliches System zur Gewährleistung der Einheitlichkeit der Messungen. Staatliches Verifizierungssystem für Mittel zur Messung der optischen Dichte von Materialien

German Institute for Standardization, Halbleitermaterialdichte

  • DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
  • DIN 50454-2:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 2: Indiumphosphid
  • DIN 50454-3:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 3: Galliumphosphid
  • DIN 50446:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Defektarten und Defektdichten von Silizium-Epitaxieschichten
  • DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
  • DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
  • DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
  • DIN 51901:2006 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien - Bestimmung der Dichte nach der Xylol-Methode - Feste Materialien
  • DIN 51901:2006-11 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien - Bestimmung der Dichte nach der Xylol-Methode - Feste Materialien
  • DIN 50441-4:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 4: Scheibendurchmesser, Durchmesservariation, Flachdurchmesser, Flachlänge, Flachtiefe
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
  • DIN 51916:2013 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Rohdichte nach dem Stampfen – Feste Materialien
  • DIN 51913:2001 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien - Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometer (volumetrisch) mit Helium als Messgas - Feste Materialien
  • DIN 51916:2012 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Rohdichte nach dem Stampfen – Feste Materialien
  • DIN 51916:1987 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien; Bestimmung der Rohdichte nach dem Stampfen; feste Materialien
  • DIN 51916:2013-12 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Rohdichte nach dem Stampfen – Feste Materialien
  • DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
  • DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
  • DIN 51918:2012 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Schüttdichte und der offenen Porosität
  • DIN 51918:2018 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien – Bestimmung der Schüttdichte und der offenen Porosität
  • DIN 51907:2013-12 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien - Bestimmung der Dichte mit Flüssigkeitspyknometer - Binde- und Imprägniermaterialien
  • DIN 51913:2013-05 Prüfung von kohlenstoffhaltigen Materialien - Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometer (volumetrisch) mit Helium als Messgas - Feste Materialien
  • DIN 50455-1:2009-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Methoden
  • DIN 50455-1:2009 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 1: Bestimmung der Schichtdicke mit optischen Methoden
  • DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
  • DIN EN 60749-39:2007 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
  • DIN 51907:2013 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien - Bestimmung der Dichte mit Flüssigkeitspyknometer - Binde- und Imprägniermaterialien
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
  • DIN 50454-1:2000 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Versetzungen in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 1: Galliumarsenid
  • DIN 50433-3:1982 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Bestimmung der Orientierung von Einkristallen mittels Laue-Rückstreuung
  • DIN EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
  • DIN 51932:2010 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien - Bestimmung der Schüttdichte zylindrisch bearbeiteter Elektroden
  • DIN 51925:1996 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien - Probenvorbereitung von kohlenstoffhaltigen Stampfmaterialien und Bestimmung ihrer Schüttdichte - Feste Bindemittel und Imprägniermittel
  • DIN 51913:2013 Prüfung von kohlenstoffhaltigen Materialien - Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometer (volumetrisch) mit Helium als Messgas - Feste Materialien
  • DIN 50441-3:1985 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Messung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben; Bestimmung der Ebenheitsabweichung polierter Scheiben mittels Mehrstrahlinterferenz
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
  • DIN 51932:1998 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien - Bestimmung der Schüttdichte zylindrisch bearbeiteter Elektroden
  • DIN 50438-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption – Teil 1: Sauerstoff
  • DIN 50452-1:1995-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
  • DIN 51907:1997 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien - Bestimmung der Dichte mit Flüssigkeitspyknometer - Binde- und Imprägniermaterialien
  • DIN 51907:2012 Prüfung kohlenstoffhaltiger Materialien - Bestimmung der Dichte mit Flüssigkeitspyknometer - Binde- und Imprägniermaterialien
  • DIN 52275-2:1978 Prüfung mineralischer Faserdämmstoffe; Bestimmung linearer Abmessungen und Schüttdichte, Hüllen
  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen; Deutsche Fassung CEN/TS 16599:2014
  • DIN EN 62047-14:2012-10 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012); Deutsche Fassung EN 62047-14:2012
  • DIN 50455-2:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von positiven Fotolacken
  • DIN 50435:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Bestimmung der radialen Widerstandsschwankung von Silizium- oder Germaniumscheiben mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrom-Methode
  • DIN 50452-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
  • DIN 50452-3:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 3: Kalibrierung optischer Partikelzähler
  • DIN 50455-2:1999-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Methoden zur Charakterisierung von Fotolacken – Teil 2: Bestimmung der Lichtempfindlichkeit von positiven Fotolacken
  • DIN EN 62047-21:2015-04 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
  • DIN 50452-3:1995-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 3: Kalibrierung optischer Partikelzähler
  • DIN 50431:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Messung des spezifischen Widerstands von Silizium- oder Germanium-Einkristallen mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrommethode mit kollinearem Array
  • DIN 50434:1986 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Erkennung von Kristalldefekten in monokristallinem Silizium mittels Ätztechniken auf {111}- und {100}-Oberflächen
  • DIN 50451-3:2014 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten – Teil 3: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salpetersäure mittels ICP-MS
  • DIN 50456-3:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Verfahren zur Charakterisierung von Formmassen für elektronische Bauteile – Teil 3: Bestimmung kationischer Verunreinigungen
  • DIN 50453-1:2023-08 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Ätzraten von Ätzmischungen – Teil 1: Silizium-Einkristalle, gravimetrische Methode
  • DIN EN IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020
  • DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2021); Deutsche Fassung EN IEC 60749-39:2022 / Hinweis: DIN...
  • DIN 50452-2:2009-10 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 2: Bestimmung von Partikeln durch optische Partikelzähler
  • DIN 50451-3:2014-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Elementspuren in Flüssigkeiten – Teil 3: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salpetersäure mittels ICP-MS
  • DIN 50451-7:2018-04 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Spuren von Elementen in Flüssigkeiten – Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS
  • DIN 50451-6:2014-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik - Bestimmung von Spuren von Elementen in Flüssigkeiten - Teil 6: Bestimmung von 36 Elementen in einer hochreinen Ammoniumfluoridlösung (NH<(Index)4>F) und in Ätzmischungen aus hochreinem Ammonium. ..
  • DIN EN 62047-12:2012-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011
  • DIN 54385:2016 Feste Ersatzbrennstoffe - Sammlung repräsentativer Analyseproben aus heterogenen Materialien geringer Schüttdichte mittels Pressbohrverfahren
  • DIN 54385:2016-08 Feste Ersatzbrennstoffe - Sammlung repräsentativer Analyseproben aus heterogenen Materialien geringer Schüttdichte mittels Pressbohrverfahren
  • DIN 50440:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnologie – Messung der Ladungsträgerlebensdauer in Silizium-Einkristallen – Rekombinationsladungsträgerlebensdauer bei geringer Injektion durch Photoleitfähigkeitsmethode

RO-ASRO, Halbleitermaterialdichte

Professional Standard - Electron, Halbleitermaterialdichte

  • SJ/T 11775-2021 Mehrdrahtsäge für Halbleitermaterialien
  • SJ/Z 3206.13-1989 Allgemeine Regeln für die Emissionsspektrumanalyse von Halbleitermaterialien
  • SJ/T 11067-1996 Häufig verwendete Terminologie für fotoelektrische Halbleitermaterialien und pyroelektrische Materialien in Materialien zur Infraroterkennung
  • SJ 20744-1999 Allgemeine Regel der Infrarot-Absorptionsspektralanalyse für die Verunreinigungskonzentration in Halbleitermaterialien

HU-MSZT, Halbleitermaterialdichte

Indonesia Standards, Halbleitermaterialdichte

  • SNI 19-0429-1989 Leitfaden zur Probenahme von flüssigen und halbfesten Materialien

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleitermaterialdichte

  • GB/T 14844-2018 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 36646-2018 Ausrüstung zur Herstellung von Nitrid-Halbleitermaterialien durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie
  • GB/T 37131-2018 Nanotechnologien – Testmethode für Halbleiter-Nanopulver mittels UV-Vis-Diffusreflexionsspektroskopie

British Standards Institution (BSI), Halbleitermaterialdichte

  • BS IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik. Materialien. Halbleitertinte
  • BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
  • BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
  • BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien
  • BS EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Gedruckte Elektronik. Teil 203. Materialien. Halbleitertinte
  • BS EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • BS EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • BS EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • BS EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
  • BS EN 60749-32:2003+A1:2010 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Entflammbarkeit von kunststoffummantelten Geräten (extern induziert)
  • BS ISO 21687:2007 Kohlenstoffhaltige Materialien zur Herstellung von Aluminium - Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas - Feste Materialien
  • BS EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Methode zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 39. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • BS EN 993-18:2002 Prüfverfahren für dicht geformte feuerfeste Produkte – Bestimmung der Schüttdichte körniger Materialien nach der Wassermethode unter Vakuum
  • BS PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse. Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • BS IEC 62047-31:2019 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Vierpunkt-Biegetestmethode für die Grenzflächenadhäsionsenergie von geschichteten MEMS-Materialien
  • BS ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS ISO 27448:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die Selbstreinigungsleistung halbleitender photokatalytischer Materialien – Messung des Wasserkontaktwinkels
  • BS EN 993-17:1999 Prüfverfahren für dicht geformte feuerfeste Produkte – Bestimmung der Schüttdichte körniger Materialien nach der Quecksilbermethode mit Vakuum
  • BS ISO 27447:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS ISO 13125:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antimykotische Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • BS ISO 19635:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Testverfahren für die antigale Aktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
  • BS IEC 62047-38:2021 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Haftfestigkeit von Metallpulverpaste in MEMS-Verbindungen
  • BS 1902-3.17:1990 Methoden zur Prüfung feuerfester Materialien – Allgemeine und strukturelle Eigenschaften – Bestimmung des Volumens und der Schüttdichte dicht geformter Produkte (Methoden 1902–317)
  • BS EN 60749-20:2010 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze
  • BS EN 60749-20:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Beständigkeit kunststoffummantelter SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
  • BS EN 60749-20:2009 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Löthitze

American Society for Testing and Materials (ASTM), Halbleitermaterialdichte

  • ASTM D3289-17(2022) Standardtestmethode für die Dichte von halbfesten und festen Asphaltmaterialien (Nickeltiegelmethode)
  • ASTM D3289-17 Standardtestmethode für die Dichte von halbfesten und festen Asphaltmaterialien (Nickeltiegelmethode)
  • ASTM D70-97 Standardtestmethode für das spezifische Gewicht und die Dichte halbfester bituminöser Materialien (Pyknometermethode)
  • ASTM D8188-18 Standardtestmethode zur Bestimmung der Dichte und relativen Dichte von Asphalt, halbfesten bituminösen Materialien und weichem Teerpech unter Verwendung eines digitalen Dichtemessgeräts (U-Rohr)
  • ASTM D70-09e1 Standardtestverfahren für die Dichte halbfester bituminöser Materialien (Pyknometerverfahren)
  • ASTM D3004-02 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D3004-97 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D3004-08(2020) Standardspezifikation für vernetzte und thermoplastische extrudierte Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-06 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-12 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D8188-23 Standardtestmethode zur Bestimmung der Dichte und relativen Dichte von Asphalt, halbfesten bituminösen Materialien und weichem Teerpech unter Verwendung eines digitalen Dichtemessgeräts (U-Rohr)
  • ASTM D70-17 Standardtestverfahren für die Dichte halbfester bituminöser Materialien (Pyknometerverfahren)
  • ASTM F77-69(1996) Prüfverfahren für die scheinbare Dichte von Keramik für Anwendungen in Elektronenbauelementen und Halbleitern (zurückgezogen 2001)
  • ASTM D6095-99 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-05 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM C357-07(2022) Standardtestverfahren für die Schüttdichte körniger feuerfester Materialien
  • ASTM C357-07(2022)e1 Standardtestverfahren für die Schüttdichte körniger feuerfester Materialien
  • ASTM C357-07 Standardtestverfahren für die Schüttdichte körniger feuerfester Materialien
  • ASTM D70-03 Standardtestmethode für das spezifische Gewicht und die Dichte halbfester bituminöser Materialien (Pyknometermethode)
  • ASTM C914-09(2022) Standardtestmethode für Schüttdichte und Volumen fester feuerfester Materialien durch Eintauchen in Wachs
  • ASTM C914-09(2022)e1 Standardtestmethode für Schüttdichte und Volumen fester feuerfester Materialien durch Eintauchen in Wachs
  • ASTM D6095-12(2023) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM E662-13 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-12 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-21ae1 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-14 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-15a Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-13a Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-13b Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-12a Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM C914-95(1999) Standardtestmethode für Schüttdichte und Volumen fester feuerfester Materialien durch Eintauchen in Wachs
  • ASTM D6095-12(2018) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM E662-03e2 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-03e1 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-03 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-01 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-97 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-21 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-06e1 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM D1895-17 Standardtestmethoden für die scheinbare Dichte, den Füllfaktor und die Fließfähigkeit von Kunststoffmaterialien
  • ASTM D6111-03 Standardtestverfahren für die Schüttdichte und das spezifische Gewicht von Kunststoffholz und -formen durch Verdrängung
  • ASTM E662-06 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-15 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-13c Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-13d Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM C914-09(2015) Standardtestmethode für Schüttdichte und Volumen fester feuerfester Materialien durch Eintauchen in Wachs
  • ASTM C914-95(2004) Standardtestmethode für Schüttdichte und Volumen fester feuerfester Materialien durch Eintauchen in Wachs
  • ASTM C914-09 Standardtestmethode für Schüttdichte und Volumen fester feuerfester Materialien durch Eintauchen in Wachs
  • ASTM D6111-97 Standardtestverfahren für die Schüttdichte und das spezifische Gewicht von Kunststoffholz und -formen durch Verdrängung
  • ASTM E662-18 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-21a Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-05 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-09 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-17a Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-17 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E662-19 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ASTM E2251-11 Standardspezifikation für Flüssigkeit-in-Glas-ASTM-Thermometer mit risikoarmen Präzisionsflüssigkeiten
  • ASTM C830-00 Standardtestmethoden für scheinbare Porosität, Flüssigkeitsaufnahme, scheinbares spezifisches Gewicht und Schüttdichte feuerfester Formen durch Vakuumdruck
  • ASTM C830-00(2016) Standardtestmethoden für scheinbare Porosität, Flüssigkeitsaufnahme, scheinbares spezifisches Gewicht und Schüttdichte feuerfester Formen durch Vakuumdruck
  • ASTM C830-00(2006) Standardtestmethoden für scheinbare Porosität, Flüssigkeitsaufnahme, scheinbares spezifisches Gewicht und Schüttdichte feuerfester Formen durch Vakuumdruck

International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleitermaterialdichte

  • IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
  • IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 5: Prüfverfahren für thermische Eigenschaften flexibler Materialien
  • IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-6:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien; Berichtigung 1
  • IEC 60749-32:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
  • IEC 60749-32:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
  • IEC 60749-31:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
  • IEC 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
  • IEC 60749-32:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
  • IEC 60749-31:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
  • IEC 62047-31:2019 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 31: Vierpunkt-Biegetestverfahren für die Grenzflächenadhäsionsenergie von geschichteten MEMS-Materialien
  • IEC 62047-38:2021 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 38: Prüfverfahren für die Haftfestigkeit von Metallpulverpaste in MEMS-Verbindungen

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitermaterialdichte

  • CNS 5751-1980 Prüfmethode für die scheinbare Dichte von Keramik für Anwendungen in Elektronenbauelementen und Halbleitern
  • CNS 14818-2004 Methode zur Prüfung der Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird – Spezifische optische Methode des vertikalen Typs

GOSTR, Halbleitermaterialdichte

  • GOST R 57844-2017 Verbundwerkstoffe. Bestimmung der Dichte durch volumetrische Verschiebung – Skelettdichte durch Gaspyknometrie
  • GOST 9553-2017 Glas und Glasprodukte. Methode zur Dichtebestimmung

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Halbleitermaterialdichte

  • YB/T 119-1997 Kohlenstoffmaterialien. Bestimmungsmethode der Schüttdichte

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Halbleitermaterialdichte

  • DB61/T 1250-2019 Allgemeine Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente aus Sic-Material (Siliziumkarbid).

KR-KS, Halbleitermaterialdichte

  • KS C IEC 62899-203-2023 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
  • KS F 2371-2022 Standardprüfverfahren für die Schüttdichte von körnigen Isolierungen
  • KS C IEC 62047-18-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS M ISO 21687-2016 Kohlenstoffhaltige Materialien, die bei der Herstellung von Aluminium verwendet werden – Bestimmung der Dichte durch Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas – Feste Materialien
  • KS L ISO 10677-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS L ISO 27447-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS L ISO 14605-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden

FI-SFS, Halbleitermaterialdichte

American National Standards Institute (ANSI), Halbleitermaterialdichte

  • ANSI/ASTM D3004:2008 Spezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ANSI/ASTM D6095:2012 Testverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ANSI/ASTM E662a:2013 Prüfverfahren für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ANSI/ASTM E662b:2013 Prüfverfahren für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ANSI/ASTM E662c:2013 Prüfverfahren für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird
  • ANSI/ASTM E662 REV A:2021 Standardtestmethode für die spezifische optische Dichte von Rauch, der von festen Materialien erzeugt wird

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Halbleitermaterialdichte

  • T-32-645-1993 Feststellung der Kompatibilität versiegelter Leiterfüllstoffe mit leitenden Spannungskontrollmaterialien
  • T-32-645-2012 Testverfahren zur Feststellung der Volumenwiderstandskompatibilität wasserblockierender Komponenten mit extrudierten halbleitenden Abschirmmaterialien

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Halbleitermaterialdichte

  • KS C 6520-2021 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
  • KS C 6520-2019 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
  • KS L 6529-2003 Prüfverfahren für die Schüttdichte von künstlichen Schleifmikrokörnern
  • KS L 6528-2003 Prüfverfahren für die Schüttdichte von künstlichen Schleifmakrokörnern
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 62047-18:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS M ISO 21687:2011 Kohlenstoffhaltige Materialien, die bei der Herstellung von Aluminium verwendet werden – Bestimmung der Dichte durch Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas – Feste Materialien
  • KS M ISO 21687:2016 Kohlenstoffhaltige Materialien, die bei der Herstellung von Aluminium verwendet werden – Bestimmung der Dichte durch Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas – Feste Materialien
  • KS M ISO 21687-2016(2021) Kohlenstoffhaltige Materialien, die bei der Herstellung von Aluminium verwendet werden – Bestimmung der Dichte durch Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas – Feste Materialien
  • KS C IEC 60749-31:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
  • KS C IEC 60749-32:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
  • KS L ISO 27447-2011(2016) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS L ISO 27447-2011(2021) Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS L ISO 27447:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Testmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • KS M ISO 10236-2004(2019) Kohlenstoffhaltige Materialien zur Herstellung von Aluminium – Grünkoks und kalzinierter Koks für Elektroden – Bestimmung der Schüttdichte (abgezapft)

未注明发布机构, Halbleitermaterialdichte

  • DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
  • DIN 51913 E:2012-04 Prüfung von kohlenstoffhaltigen Materialien - Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometer (volumetrisch) mit Helium als Messgas - Feste Materialien
  • DIN 51932 E:2009-02 Prüfung von Kohlenstoffmaterialien - Bestimmung der Schüttdichte zylindrisch bearbeiteter Elektroden
  • DIN EN 62047-21 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • DIN EN 62047-18 E:2011-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DIN EN 12317-2:2001 Abdichtungsbahnen Bestimmung der Scherfestigkeit der Fugennähte Teil 2: Kunststoff- und Elastomerbahnen zur Dachabdichtung
  • DIN 50451-7 E:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Spuren von Elementen in Flüssigkeiten – Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS
  • DIN 50451-7 E:2017-09 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Spuren von Elementen in Flüssigkeiten – Teil 7: Bestimmung von 31 Elementen in hochreiner Salzsäure mittels ICP-MS
  • DIN 54385 E:2015-01 Feste Ersatzbrennstoffe - Sammlung repräsentativer Analyseproben aus heterogenen Materialien geringer Schüttdichte mittels Pressbohrverfahren

Association Francaise de Normalisation, Halbleitermaterialdichte

  • NF ISO 10677:2011 Technische Keramik – UV-Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien
  • XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestimmung der Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF ISO 14605:2013 Technische Keramik – Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien in einer Innenbeleuchtungsumgebung
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien.
  • NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenzen von Metallschichtmaterialien
  • NF C96-022-32/A1*NF EN 60749-32/A1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
  • NF B40-344*NF EN 1094-4:1995 Isolierende feuerfeste Produkte. Teil 4: Bestimmung der Schüttdichte und der wahren Porosität.
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
  • NF C96-022-31*NF EN 60749-31:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induzierte)
  • XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Kompressionsprüfung mit der Mikrosäulentechnik für MEMS-Materialien
  • NF ISO 22197-4:2021 Technische Keramik – Prüfverfahren für die Leistung von fotokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung – Teil 4: Formaldehydentfernung
  • NF Q61-501:1988 Grafische Technologie – Imprimabilité des matériaux – Methode zur Bestimmung der Dichte von Aplats auf autokopierten Papieren.
  • NF P94-061-2:1996 Böden: Erkennung und Tests – Bestimmung der Dichte eines Materials vor Ort – Teil 2: Membrandensitometer-Methode.
  • NF A91-113:2004 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen elektrisch leitfähigen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren.
  • NF C32-074:1993 TEST DER GASE, DIE BEI DER VERBRENNUNG VON MATERIALIEN AUS KABELN ENTSTEHEN. BESTIMMUNG DES SÄUREGRADES (KORROSIVITÄT) VON GASEN DURCH MESSUNG DES PH-WERTS UND DER LEITFÄHIGKEIT.
  • NF ISO 22197-5:2021 Technische Keramik – Testmethoden für die Leistung von photokatalytischen Halbleitermaterialien zur Luftreinigung – Teil 5: Entfernung von Methylmercaptan

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), Halbleitermaterialdichte

  • IPC TM-650 2.5.17.2-1998 Volumenwiderstand von leitfähigen Materialien, die in High Density Interconnection (HDI) und Microvias verwendet werden, Zweidrahtmethode

工业和信息化部, Halbleitermaterialdichte

  • HG/T 6039-2022 Modifiziertes Polyethylen hoher Dichte (PE-HD) für Wasserschwimmer aus Kunststoff

International Organization for Standardization (ISO), Halbleitermaterialdichte

  • ISO 8840:2021 Feuerfeste Materialien - Bestimmung der Schüttdichte körniger Materialien (Korndichte)
  • ISO 8840:1987 Feuerfeste Materialien; Bestimmung der Schüttdichte körniger Materialien (Korndichte)
  • ISO 21687:2007 Kohlenstoffhaltige Materialien zur Herstellung von Aluminium - Bestimmung der Dichte mittels Gaspyknometrie (volumetrisch) unter Verwendung von Helium als Analysegas - Feste Materialien
  • ISO 13125:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antimykotische Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • ISO 19635:2016 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Antialgalaktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien
  • ISO 27447:2019 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfverfahren für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien
  • ISO 14605:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik). Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
  • ISO 27447:2009 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik) – Prüfmethode für die antibakterielle Aktivität halbleitender photokatalytischer Materialien

Insulated Cable Engineers Association (ICEA), Halbleitermaterialdichte

  • ICEA T-32-645-1993 Feststellung der Kompatibilität versiegelter Leiterfüllstoffe mit leitenden Spannungskontrollmaterialien
  • ICEA T-32-645-2012 TESTVERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER VOLUMENWIDERSTANDSKOMPATIBILITÄT VON WASSERSPERRENDEM KOMPONENTEN MIT EXTRUDIERTEN HALBLEITENDEM ABSCHIRMMATERIALIEN

CZ-CSN, Halbleitermaterialdichte

  • CSN 72 5010-1988 Bestimmung des Wasseraufnahmevermögens, der scheinbaren und tatsächlichen Porosität, der Schüttdichte und der scheinbaren Feststoffdichte von gebrannten Keramikmaterialien und -produkten

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Halbleitermaterialdichte

  • JIS R 1750:2012 Feinkeramik – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die unter Innenbeleuchtung verwendet werden
  • JIS C 5630-2:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS C 5630-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS C 5630-6:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS R 2655:2005 Prüfverfahren für die Schüttdichte leichter gießbarer feuerfester Materialien (Verfahren für Formwaren)
  • JIS R 1712:2022 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik) – Prüfverfahren für die Antialgalaktivität von halbleitenden photokatalytischen Materialien

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleitermaterialdichte

  • GB/T 35463-2017 Prüfverfahren für die Schüttdichte von Holz-Kunststoff-Verbundwerkstoffen und -Produkten

Danish Standards Foundation, Halbleitermaterialdichte

  • DS/EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • DS/EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • DS/CEN/TS 15418:2006 Prüfmethoden für dichte feuerfeste Produkte – Richtlinien zur Prüfung der durch Flüssigkeiten verursachten Korrosion von feuerfesten Materialien
  • DS/EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • DS/EN ISO 2360:2004 Nichtleitende Beschichtungen auf nichtmagnetischen elektrisch leitfähigen Basismaterialien - Messung der Schichtdicke - Amplitudenempfindliches Wirbelstromverfahren
  • DS/EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Halbleitermaterialdichte

  • EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
  • EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • EN 60749-32:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert) (Enthält Änderung A1: 2010)
  • EN 60749-31:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)

ES-UNE, Halbleitermaterialdichte

  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
  • UNE-EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im Dezember 2011.)
  • UNE-EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im November 2013.)
  • UNE-EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-6:2010 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 6: Axiale Ermüdungstestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im Juni 2010.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnfilm-MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im November 2014.)
  • UNE-EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Methode zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (Genehmigt von AENOR im Juni 2012.)
  • UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (Befürwortet von AENOR im Februar 2012.)

European Committee for Standardization (CEN), Halbleitermaterialdichte

  • PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen

Lithuanian Standards Office , Halbleitermaterialdichte

  • LST EN 60749-39-2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 60749-39:2006)
  • LST EN 62047-10-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011)
  • LST EN 62047-2-2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006)
  • LST EN 62047-6-2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009)
  • LST EN 62047-14-2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012)

Society of Automotive Engineers (SAE), Halbleitermaterialdichte

  • SAE J1836-1988 Überlappungsschertest für die Dichtstoff-Klebeverbindung von Autoglas-Einkapselungsmaterial mit Karosserieöffnungen

SAE - SAE International, Halbleitermaterialdichte

  • SAE J1836-2021 Überlappungsschertest für die Dichtstoff-Klebeverbindung von Autoglas-Einkapselungsmaterial mit der Karosserieöffnung@ Empfohlene Praxis

Standard Association of Australia (SAA), Halbleitermaterialdichte

  • AS/NZS 1660.2.3:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für PVC und halogenfreie thermoplastische Materialien
  • AS/NZS 1660.2.2:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für Elastomer-, XLPE- und XLPVC-Materialien

PL-PKN, Halbleitermaterialdichte

  • PN H04172-1993 Feuerfeste Materialien. Bestimmung der Schüttdichte und der wahren Porosität von Isolierprodukten

Professional Standard - Aerospace, Halbleitermaterialdichte

  • QJ 917-1985 固体发动机
  • QJ 917A-1997 Verfahren zur Bestimmung der Dichte von zusammengesetzten Festtreibstoffen sowie Auskleidungs- und Isoliermaterialien

AT-OVE/ON, Halbleitermaterialdichte

  • OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)

Defense Logistics Agency, Halbleitermaterialdichte

  • DLA SMD-5962-93159 REV A-2005 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HCMOS, VLSI, INTEGRIERTER MULTIPROTOKOLLPROZESSOR, MONOLITHISCHES SILIKON
  • DLA DSCC-DWG-04034-2004 DRAHT, ELEKTRISCH, VERBUND, POLYTETRAFLUOROETHYLEN/POLYIMID ISOLIERT, LEICHT, KUPFERLEITER, VERZINNT, 150 GRAD. C, 600 VOLT

AENOR, Halbleitermaterialdichte

  • UNE 104425:2001 Synthetische Materialien. Anwendung. Entsorgung fester Abfälle für Abdichtungssysteme aus hochdichten Polyethylenplatten (HDPE).

Underwriters Laboratories (UL), Halbleitermaterialdichte

  • UL 2885 BULLETIN-2013 UL-Standard für Sicherheit, Übersicht über die Untersuchung von Sauergas, Säuregehalt und Leitfähigkeit verbrannter Materialien
  • UL 1893 BULLETIN-2013 UL-Standard für Sicherheit, Übersicht über die Untersuchung von Sauergas, Säuregehalt und Leitfähigkeit verbrannter Materialien
  • UL 1893 BULLETIN-2015 UL-Standard für Sicherheit, Übersicht über die Untersuchung von Sauergas, Säuregehalt und Leitfähigkeit verbrannter Materialien
  • UL 2885 BULLETIN-2015 UL-Untersuchungsentwurf für Sauergas@ Säuregehalt und Leitfähigkeit verbrannter Materialien und Bewertung von Halogenen
  • UL SUBJECT 2885-2013 UL-Standard für Sicherheit – Übersicht über die Untersuchung von Sauergas, Säuregehalt und Leitfähigkeit verbrannter Materialien (Ausgabe 1)

GM Global, Halbleitermaterialdichte

  • GMW 16564-2011 Struktureller, flüssiggeformter Kohlefaser-Verbundwerkstoff mit geringer Dichte, Ausgabe 1; Englisch

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization, Halbleitermaterialdichte

  • PREN 2825-1990 Luft- und Raumfahrtserien-Brennverhalten@ Bestimmung der Rauchdichte und der Gasbestandteile im Rauch von Materialien unter dem Einfluss von Strahlungswärme und Flammen – Bestimmung der Rauchdichte

IEC - International Electrotechnical Commission, Halbleitermaterialdichte

  • IEC 62047-31:2017 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 31: Vierpunkt-Biegetestverfahren für die Grenzflächenadhäsionsenergie geschichteter MEMS-Materialien (Ausgabe 1.0)




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