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Densidad del material semiconductor

Densidad del material semiconductor, Total: 389 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Densidad del material semiconductor son: Fluidos aislantes, Materiales semiconductores, Ceras, materias bituminosas y otros productos petrolíferos, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, Refractarios, Dispositivos semiconductores, pruebas de metales, Materiales de construcción, Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Pruebas eléctricas y electrónicas., Materiales para el refuerzo de composites., Materiales conductores, Alambres y cables eléctricos., Vocabularios, Química analítica, químicos inorgánicos, Cerámica, Combustibles, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Construcción naval y estructuras marinas en general, Vaso, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Adhesivos, Plástica, Protección de y en edificios, Óptica y medidas ópticas., Productos de la industria química., Protección contra el fuego, Tratamiento superficial y revestimiento., Sistemas de vehículos de carretera, Productos de caucho y plástico., Circuitos integrados. Microelectrónica, Fibras textiles, Movimientos de tierras. Excavaciones. Construcción de cimientos. Obras subterráneas, Medidas lineales y angulares., ingenieria electrica en general, Metrología y medición en general., Termodinámica y mediciones de temperatura., Componentes de tuberías y tuberías..


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Densidad del material semiconductor

  • GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
  • GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 43136-2023 Productos superabrasivos: muelas abrasivas para trazar con precisión chips semiconductores
  • GB/T 6154-1985 Materiales de carbono. Determinación de la densidad aparente.
  • GB/T 24528-2009 Materiales de carbono-Método de determinación de la densidad aparente.
  • GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
  • GB/T 2413-1980 Materiales cerámicos piezoeléctricos. Métodos de medición para la determinación de la densidad volumétrica.
  • GB/T 2413-1981 Materiales cerámicos piezoeléctricos. Métodos de medición para la determinación del volumen y la densidad.
  • GB/T 2999-2016 Método de prueba para la densidad aparente de partículas refractarias.
  • GB 2413-1981 Método de medición de la densidad aparente de materiales cerámicos piezoeléctricos.
  • GB 2413-1980 Método de medición de la densidad aparente de materiales cerámicos piezoeléctricos.
  • GB/T 2999-2002 Materiales refractarios. Determinación de la densidad aparente de materiales granulares.
  • GB/T 10671-1989 Método de prueba para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos.
  • GB/T 10671-2023 Método de prueba de densidad óptica específico para la producción de humo a partir de materiales sólidos.
  • GB/T 10671-2008 Método de prueba para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos.
  • GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
  • GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

RU-GOST R, Densidad del material semiconductor

  • GOST 32183-2013 Materiales bituminosos semisólidos. Determinación de densidad por picnómetro.
  • GOST ISO 8840-2014 Materiales refractarios. Determinación de la densidad aparente de materiales granulares (densidad de grano)
  • GOST 18986.23-1980 Diodos Zener. Métodos para medir la densidad del ruido espectral.
  • GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones
  • GOST 9553-1974 Materiales de vidrio de sílice y cristal de vidrio. Determinación de densidad
  • GOST R ISO 21687-2014 Materiales carbonosos para la producción de aluminio. Determinación de la densidad mediante picnometría de gases (volumétrica) utilizando helio como gas de análisis. Materiales sólidos
  • GOST 8.588-2006 Sistema estatal para garantizar la uniformidad de las mediciones. Esquema de verificación estatal para medios de medición de la densidad óptica del material.

German Institute for Standardization, Densidad del material semiconductor

  • DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
  • DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
  • DIN 50454-3:1994
  • DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
  • DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
  • DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
  • DIN 50448:1998
  • DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
  • DIN 51901:2006 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de densidad por el método del xileno - Materiales sólidos
  • DIN 51901:2006-11 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de densidad por el método del xileno - Materiales sólidos
  • DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
  • DIN 51916:2013 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de la densidad aparente tras el apisonamiento - Materiales sólidos
  • DIN 51916:1987 Ensayos de materiales de carbono; determinación de la densidad aparente después del apisonamiento; materiales solidos
  • DIN 51913:2001 Ensayos de materiales de carbono - Determinación de la densidad mediante picnómetro de gas (volumétrico) utilizando helio como gas de medición - Materiales sólidos
  • DIN 51916:2012 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de la densidad aparente tras el apisonamiento - Materiales sólidos
  • DIN 51916:2013-12 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de la densidad aparente tras el apisonamiento - Materiales sólidos
  • DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
  • DIN 50449-2:1998
  • DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
  • DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
  • DIN 51901:1980 Ensayos de materiales de carbono; determinación de la densidad por el método del xileno, materias sólidas
  • DIN 51918:2012 Ensayos de materiales carbonosos: determinación de la densidad aparente y la porosidad abierta.
  • DIN 51918:2018 Ensayos de materiales carbonosos: determinación de la densidad aparente y la porosidad abierta.
  • DIN 51907:2013-12 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de densidad con picnómetro de líquidos - Materiales aglutinantes e impregnantes
  • DIN 51913:2013-05 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de la densidad mediante picnómetro de gas (volumétrico) utilizando helio como gas de medición - Materiales sólidos
  • DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
  • DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
  • DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
  • DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
  • DIN 51907:2013 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de densidad con picnómetro de líquidos - Materiales aglutinantes e impregnantes
  • DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
  • DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
  • DIN 50433-3:1982
  • DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
  • DIN 51925:1996 Ensayos de materiales carbonados - Preparación de muestras de materiales carbonosos para apisonamiento y determinación de su densidad aparente - Aglutinantes sólidos e impregnantes
  • DIN 51932:2010 Ensayos de materiales de carbono: determinación de la densidad aparente de electrodos mecanizados cilíndricamente
  • DIN 51913:2013 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de la densidad mediante picnómetro de gas (volumétrico) utilizando helio como gas de medición - Materiales sólidos
  • DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
  • DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X
  • DIN 51932:1998 Ensayos de materiales de carbono: determinación de la densidad aparente de electrodos mecanizados cilíndricamente
  • DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
  • DIN 51907:1997 Ensayos de materiales carbonados - Determinación de densidad con picnómetro de líquidos - Materiales aglutinantes e impregnantes
  • DIN 52275-2:1978 Ensayos de materiales aislantes fibrosos minerales; determinación de dimensiones lineales y densidad aparente, carcasas
  • DIN 51907:2012 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de densidad con picnómetro de líquidos - Materiales aglutinantes e impregnantes
  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
  • DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
  • DIN 50455-2:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
  • DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
  • DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
  • DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
  • DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
  • DIN 50455-1:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; métodos para caracterizar fotorresistentes; determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos
  • DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
  • DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
  • DIN EN 62047-21:2015-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
  • DIN 50451-3:2014 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 3: Determinación de 31 elementos en ácido nítrico de alta pureza mediante ICP-MS.
  • DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
  • DIN 50431:1988 Pruebas de materiales semiconductores; Medición de la resistividad de monocristales de silicio o germanio mediante el método de cuatro sondas/corriente continua con matriz colineal.
  • DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
  • DIN 50456-3:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método para la caracterización de compuestos de moldeo para componentes electrónicos. Parte 3: Determinación de impurezas catiónicas.
  • DIN 50453-1:2023-08 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las tasas de grabado de mezclas de grabado. Parte 1: Monocristales de silicio, método gravimétrico.
  • DIN EN IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020
  • DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2021); Versión alemana EN IEC 60749-39:2022 / Nota: DIN...
  • DIN 50452-2:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
  • DIN 50451-3:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 3: Determinación de 31 elementos en ácido nítrico de alta pureza mediante ICP-MS.
  • DIN 50451-7:2018-04 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 7: Determinación de 31 elementos en ácido clorhídrico de alta pureza mediante ICP-MS.
  • DIN 50451-6:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de trazas de elementos en líquidos - Parte 6: Determinación de 36 elementos en una solución de fluoruro de amonio de alta pureza (NH<(Index)4>F) y en mezclas de grabado de amonio de alta pureza. ..
  • DIN 50453-2:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; revestimiento de dióxido de silicio; método óptico
  • DIN EN 62047-12:2012-06 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011); Versión alemana EN 62047-12:2011
  • DIN 54385:2016 Combustibles sólidos recuperados - Recolección de muestras analíticas representativas de materiales heterogéneos de baja densidad aparente mediante el método de taladro-prensa
  • DIN 54385:2016-08 Combustibles sólidos recuperados - Recolección de muestras analíticas representativas de materiales heterogéneos de baja densidad aparente mediante el método de taladro-prensa
  • DIN 50440:1998 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Medición de la vida útil del portador en monocristales de silicio - Vida útil del portador de recombinación con baja inyección mediante el método de fotoconductividad
  • DIN 50452-2:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
  • DIN 50452-2:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; método de prueba para análisis de partículas en líquidos; determinación de partículas con contadores ópticos de partículas
  • DIN 50451-4:2007 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 4: Determinación de 34 elementos en agua ultrapura mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)
  • DIN 50450-4:1993 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes; determinación de hidrocarburos CC en nitrógeno mediante cromatografía de gases

RO-ASRO, Densidad del material semiconductor

  • STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

HU-MSZT, Densidad del material semiconductor

  • MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

Professional Standard - Electron, Densidad del material semiconductor

  • SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
  • SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
  • SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
  • SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.

Indonesia Standards, Densidad del material semiconductor

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Densidad del material semiconductor

  • GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
  • GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

Group Standards of the People's Republic of China, Densidad del material semiconductor

  • T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
  • T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
  • T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
  • T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio

American Society for Testing and Materials (ASTM), Densidad del material semiconductor

  • ASTM D3289-17(2022) Método de prueba estándar para la densidad de materiales asfálticos sólidos y semisólidos (método del crisol de níquel)
  • ASTM D3289-17 Método de prueba estándar para la densidad de materiales asfálticos sólidos y semisólidos (método del crisol de níquel)
  • ASTM D70-97 Método de prueba estándar para la gravedad específica y la densidad de materiales bituminosos semisólidos (método del picnómetro)
  • ASTM D8188-18 Método de prueba estándar para la determinación de la densidad y la densidad relativa de asfalto, materiales bituminosos semisólidos y brea de alquitrán blando mediante el uso de un medidor de densidad digital (tubo en U)
  • ASTM D70-09e1 Método de prueba estándar para la densidad de materiales bituminosos semisólidos (método del picnómetro)
  • ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
  • ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D8188-23 Método de prueba estándar para la determinación de la densidad y la densidad relativa de asfalto, materiales bituminosos semisólidos y brea de alquitrán blando mediante el uso de un medidor de densidad digital (tubo en U)
  • ASTM D70-17 Método de prueba estándar para la densidad de materiales bituminosos semisólidos (método del picnómetro)
  • ASTM F77-69(1996) Método de prueba para determinar la densidad aparente de cerámicas para dispositivos electrónicos y aplicaciones de semiconductores (retirado en 2001)
  • ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-05 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D70-03 Método de prueba estándar para la gravedad específica y la densidad de materiales bituminosos semisólidos (método del picnómetro)
  • ASTM C357-07 Método de prueba estándar para la densidad aparente de materiales refractarios granulares
  • ASTM C357-07(2022) Método de prueba estándar para la densidad aparente de materiales refractarios granulares
  • ASTM C357-07(2022)e1 Método de prueba estándar para la densidad aparente de materiales refractarios granulares
  • ASTM C914-09(2022) Método de prueba estándar para densidad aparente y volumen de refractarios sólidos mediante inmersión en cera
  • ASTM C914-09(2022)e1 Método de prueba estándar para densidad aparente y volumen de refractarios sólidos mediante inmersión en cera
  • ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM E662-13 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-12 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-21ae1 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-14 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-15a Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-13a Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-13b Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-12a Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM C914-95(1999) Método de prueba estándar para densidad aparente y volumen de refractarios sólidos mediante inmersión en cera
  • ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM E662-03e2 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-03e1 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-03 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-01 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-97 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-21 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-06e1 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM D1895-17 Métodos de prueba estándar para densidad aparente, factor de volumen y capacidad de vertido de materiales plásticos
  • ASTM D6111-03 Método de prueba estándar para densidad aparente y gravedad específica de madera plástica y formas por desplazamiento
  • ASTM E662-06 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-15
  • ASTM E662-13c Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-13d Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM C914-95(2004) Método de prueba estándar para densidad aparente y volumen de refractarios sólidos mediante inmersión en cera
  • ASTM C914-09 Método de prueba estándar para densidad aparente y volumen de refractarios sólidos mediante inmersión en cera
  • ASTM C914-09(2015) Método de prueba estándar para densidad aparente y volumen de refractarios sólidos mediante inmersión en cera
  • ASTM D6111-97 Método de prueba estándar para densidad aparente y gravedad específica de madera plástica y formas por desplazamiento
  • ASTM E662-18 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-21a Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-05 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-09 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-17a Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-17 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
  • ASTM E662-19 Método de prueba estándar para la densidad óptica específica del humo generado por materiales sólidos
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  • IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
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  • IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS; Corrección 1
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  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores -Métodos de prueba mecánicos y climáticos -Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
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  • KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
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  • KS M ISO 21687-2016(2021) Materiales carbonosos utilizados en la producción de aluminio-Determinación de densidad mediante picnometría de gas (volumétrica) utilizando helio como gas de análisis-Materiales sólidos
  • KS C IEC 60749-31:2006 Dispositivos semiconductores-Métodos de prueba mecánicos y climáticos-Parte 31: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos internamente)
  • KS C IEC 60749-32:2006 Dispositivos semiconductores -Métodos de prueba mecánicos y climáticos -Parte 32: Inflamabilidad de dispositivos encapsulados en plástico (inducidos externamente)
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  • KS L ISO 27447-2011(2021) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) -Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
  • KS L ISO 27447:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) -Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
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  • NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales autónomos para sistemas microelectromecánicos
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  • ISO 21687:2007 Materiales carbonosos utilizados en la producción de aluminio - Determinación de la densidad mediante picnometría de gases (volumétrica) utilizando helio como gas de análisis - Materiales sólidos
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  • ISO 27447:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
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  • KS M ISO 21687-2016 Materiales carbonosos utilizados en la producción de aluminio-Determinación de densidad mediante picnometría de gas (volumétrica) utilizando helio como gas de análisis-Materiales sólidos
  • KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
  • KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
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  • ICEA T-32-645-1993 Establecimiento de la compatibilidad de los compuestos de relleno de conductores sellados con materiales conductores de control de tensiones
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