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Materialien Halbleiter-Dünnschicht

Für die Materialien Halbleiter-Dünnschicht gibt es insgesamt 401 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Materialien Halbleiter-Dünnschicht die folgenden Kategorien: Diskrete Halbleitergeräte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Prüfung von Metallmaterialien, Isolierflüssigkeit, Halbleitermaterial, Umfangreiche Testbedingungen und -verfahren, Kondensator, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Schneidewerkzeuge, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Vakuumtechnik, Isoliermaterialien, Soziologie, Demographie, Anwendungen der Informationstechnologie, grafische Symbole, Umfangreiche elektronische Komponenten, Dichtungen, Dichtungsgeräte, Gummi- und Kunststoffprodukte, Umfassende Verpackung und Transport von Waren, Materialien für die Luft- und Raumfahrtfertigung, Wortschatz, analytische Chemie, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Drähte und Kabel, Keramik, Optik und optische Messungen, Bauteile, Umweltschutz, Oberflächenbehandlung und Beschichtung, Verpackungsmaterialien und Hilfsstoffe.


British Standards Institution (BSI), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien
  • BS EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • BS IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
  • BS EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • BS EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • BS EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Methode zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • BS IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
  • BS IEC 62951-7:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Testverfahren zur Charakterisierung der Barriereleistung der Dünnschichtverkapselung für flexible organische Halbleiter
  • BS IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • BS EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
  • BS EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Bauelemente. Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • BS EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
  • BS IEC 62951-3:2018 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Bewertung der Eigenschaften von Dünnschichttransistoren auf flexiblen Substraten unter Wölbung
  • 21/30434810 DC BS EN IEC 62899-202-8. Gedruckte Elektronik – Teil 202-8. Materialien. Leitfähiger Film. Messung des Widerstandsunterschieds in Druckrichtung einer leitfähigen Folie aus drahtförmigen Materialien
  • BS IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik. Materialien. Halbleitertinte
  • BS EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • BS IEC 62047-29:2017 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Elektromechanische Entspannungstestmethode für freistehende leitfähige Dünnfilme bei Raumtemperatur
  • BS EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente. Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für dielektrische Gate-Filme
  • BS EN 62374:2007 Halbleiterbauelemente – Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für dielektrische Gate-Filme
  • BS IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für die thermischen Eigenschaften flexibler Materialien
  • BS IEC 62047-37:2020 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Umwelttestmethoden für piezoelektrische MEMS-Dünnfilme für Sensoranwendungen
  • BS IEC 62047-30:2017 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Messmethoden für elektromechanische Umwandlungseigenschaften von piezoelektrischen MEMS-Dünnfilmen
  • BS ISO 15105-2:2003 Kunststoffe - Folien und Folien - Bestimmung der Gasdurchlässigkeit - Gleichdruckverfahren
  • 19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Halbleiterbauelemente. Die Klassifizierung von Defekten im epitaktischen Galliumnitridfilm auf einem Siliziumkarbidsubstrat
  • BS IEC 62047-36:2019 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Methoden zur Prüfung der Umweltverträglichkeit und der dielektrischen Beständigkeit für piezoelektrische MEMS-Dünnfilme
  • BS IEC 60748-23-1:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung von Fertigungslinien – Allgemeine Spezifikation
  • BS EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
  • BS IEC 62899-202-3:2019 Gedruckte Elektronik – Materialien. Leitfähige Tinte. Messung des Schichtwiderstands leitfähiger Filme. Kontaktlose Methode
  • BS EN 60371-3-7:1996 Spezifikation für Dämmstoffe auf Glimmerbasis. Spezifikationen für einzelne Materialien. Glimmerpapier aus Polyesterfolie mit einem Epoxidharz-Bindemittel für die Einzelleiterbandierung
  • BS EN 61249-8-7:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen. Abschnittsspezifikationssatz für nichtleitende Folien und Beschichtungen. Beschriftungstinten
  • BS IEC 60748-23-4:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung von Fertigungslinien – Blanko-Bauartspezifikation
  • BS IEC 60748-23-5:2003 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen. Zertifizierung der Fertigungslinie. Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
  • BS EN 61249-5-4:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen. Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit und ohne Beschichtung. Leitfähige Tinten
  • BS EN 61249-8-8:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen. Abschnittsspezifikationssatz für nichtleitende Folien und Beschichtungen. Temporäre Polymerbeschichtungen
  • BS QC 760200:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf Basis der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
  • BS QC 760100:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage der Qualifikationsgenehmigungsverfahren
  • BS EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
  • BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • BS QC 760201:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf Basis der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
  • BS QC 760101:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage von Qualifikationsgenehmigungsverfahren
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Gedruckte Elektronik. Teil 203. Materialien. Halbleitertinte
  • BS IEC 60748-23-3:2002 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen. Zertifizierung der Fertigungslinie. Checkliste und Bericht zur Selbstprüfung der Hersteller
  • BS EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • BS IEC 60748-23-2:2002 Halbleiterbauelemente - Integrierte Schaltkreise - Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen - Zertifizierung von Fertigungslinien - Interne Sichtprüfung und Sonderprüfungen
  • BS IEC 60748-23-5:2004 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung von Fertigungslinien – Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
  • 18/30383935 DC BS EN IEC 62047-37. Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Teil 37. Umwelttestmethoden für MEMS-piezoelektrische Dünnfilme für Sensoranwendungen
  • BS EN 61249-5-1:1996 Materialien für Verbindungsstrukturen. Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit und ohne Beschichtung. Kupferfolien (zur Herstellung von kupferkaschierten Grundmaterialien)
  • BS EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethoden zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen. Waferkrümmungs- und Cantilever-Beam-Ablenkungsmethoden
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Teil 39. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • 18/30366168 DC BS EN 62899-202-6. Gedruckte Elektronik. Teil 202-6. Materialien. Leitfähiger Film. Umwelttest einer gedruckten leitfähigen Schicht auf Metallbasis auf einem flexiblen Substrat
  • BS PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse. Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • BS IEC 62047-31:2019 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Vierpunkt-Biegetestmethode für die Grenzflächenadhäsionsenergie von geschichteten MEMS-Materialien
  • BS ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, technische Hochleistungskeramik). Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
  • GB/T 14264-1993 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 14264-2009 Halbleitermaterialien – Begriffe und Definitionen
  • GB/T 31469-2015 Schneidflüssigkeit für Halbleitermaterialien
  • GB/T 6616-1995 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleitersilizium oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
  • GB/T 14844-1993 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 6616-2009 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
  • GB/T 1550-1997 Standardmethoden zur Messung der Leitfähigkeit von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 28765-2012 Verpackungsmaterial. Testmethoden für die Durchlässigkeit organischer Dämpfe für Kunststofffolien, -platten und -verpackungen
  • GB/T 3048.3-1994 Prüfverfahren zur Bestimmung der elektrischen Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Messung des Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen
  • GB/T 5019.9-2009 Isoliermaterialien auf Glimmerbasis. Teil 9: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • GB/T 3048.3-2007 Prüfverfahren für elektrische Eigenschaften elektrischer Kabel und Leitungen. Teil 3: Prüfung des spezifischen Volumenwiderstands von halbleitenden Gummis und Kunststoffen

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • KS C IEC 62047-18:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62951-1:2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • KS C IEC 61249-5-4-2003(2019) Verbindungsstrukturmaterialien Teil 5: Detaillierte Spezifikationen für leitfähige Dünnfilme sowie beschichtete und unbeschichtete Filme Kapitel 4: Leitfähige Tinten
  • KS C IEC 60748-20:2021 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C IEC 60748-20-1:2003 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise – Abschnitt 1: Anforderungen an die interne visuelle Prüfung
  • KS C IEC 60748-20:2003 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C IEC 60748-20:2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C IEC 60748-2-20:2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C 6520-2021 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
  • KS C IEC 62047-8:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Streifenbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • KS C IEC 60748-20-1-2003(2019) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise – Abschnitt 1: Anforderungen an die interne visuelle Prüfung
  • KS M ISO 15105-1-2013(2018) Kunststoffe – Folien und Folien – Bestimmung der Gasdurchlässigkeit – Teil 1: Differenzdruckverfahren
  • KS C IEC 62047-8-2015(2020) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Streifenbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • KS C IEC 60748-23-1:2004 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-1: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Allgemeine Spezifikation
  • KS C IEC 60748-23-1-2004(2019) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23 – 1: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Allgemeine Spezifikation
  • KS C 6520-2019 Komponenten und Materialien von Halbleiterprozessen – Messung der Verschleißeigenschaften mittels Plasma
  • KS C IEC 61249-5-4:2003 Material für Verbindungsstrukturen – Teil 5: Abschnittsspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit oder ohne Beschichtung – Abschnitt 4: Leitfähige Tinten
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • KS C IEC 60748-23-3:2004 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-3: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Checkliste und Bericht zur Selbstprüfung der Hersteller
  • KS C IEC 60748-23-3-2004(2019) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23 – 3: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Selbstprüfung der Hersteller – Checkliste und Bericht
  • KS C IEC 60371-3-7-2014(2019) Isolierstoffe auf Glimmerbasis – Teil 3: Spezifikationen für einzelne Werkstoffe – Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung

KR-KS, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • KS C IEC 62047-18-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62047-22-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • KS C IEC 62951-1-2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • KS C IEC 60748-20-2021 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C IEC 60748-2-20-2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C IEC 60748-20-2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
  • KS C IEC 62899-203-2023 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
  • KS L ISO 10677-2023 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien

Association Francaise de Normalisation, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien.
  • NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
  • NF DTU 59.1 P1-2:2013 Bauarbeiten – Farbbeschichtungen in dünner, halbdicker oder dicker Schicht – Teil 1-2: Allgemeine Kriterien für die Materialauswahl
  • NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.
  • NF EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time-Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme
  • NF EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Verfahren zur Prüfung der Streifenbiegung zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • NF C86-411:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 100).
  • NF C96-017*NF EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme
  • NF EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Standardisierte Dünnschichtprüfkörper für Zugversuche
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche
  • NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • NF EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • NF C86-412:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. LEERE DETAILSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 101).
  • NF C86-433:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILMWIDERSTÄNDENETZE (GENEHMIGUNGSVERFAHREN). ABSCHNITTSPEZIFIKATION. SPEZIFIKATION CECC 64 200.
  • NF C86-413:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM-HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. FÄHIGKEITSGENEHMIGUNG. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 200).
  • NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
  • NF EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
  • NF C86-434:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILMWIDERSTÄNDENETZE (GENEHMIGUNGSVERFAHREN). (SPEZIFIKATION CECC 64 201).
  • NF C96-050-8*NF EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme.
  • NF C86-430:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. Netzwerke mit festen Filmwiderständen. ALLGEMEINE SPEZIFIKATION. SPEZIFIKATION CECC 64 000.
  • NF C86-414:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. FÄHIGKEITSGENEHMIGUNG. LEERE DETAILSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 201).
  • NF C86-431:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. Netzwerke mit festen Filmwiderständen. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. SPEZIFIKATION CECC 64 100.
  • NF C86-432:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILMWIDERSTÄNDENETZE. LEERE DETAILSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 64 101).
  • NF ISO 10677:2011 Technische Keramik – UV-Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien
  • NF C26-251:1980 Methoden zur Messung isolierter Materialien – Methode zur Messung der Frottierungskoeffizienten von Filmen und Kunststofffeuilles, die als elektrische Isolierungen verwendet werden.
  • NF C26-113-7*NF EN 60371-3-7:1996 Isolierstoffe auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikation einzelner Werkstoffe - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • NF C26-113-7/A1*NF EN 60371-3-7/A1:2007 Spezifikation für Isoliermaterialien auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für einzelne Materialien - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • NF EN 60371-3-7/A1:2007 Isoliermaterialien auf Glimmerbasis – Teil 3: Spezifikationen für bestimmte Materialien – Blatt 7: Band auf Glimmerpapierbasis, Polyesterfolie und Epoxidbindemittel für die Isolierung von Elementarleitern
  • XP CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestimmung der Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften von Halbleitermaterialien
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • NF EN 60371-3-7:1996 Isoliermaterialien auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für bestimmte Materialien - Blatt 7: Band auf Basis von Glimmerpapier, Polyesterfolie und Epoxidbindemittel zur Isolierung von Elementarleitern - (Ergänzt durch RECTIFICA...
  • NF C93-784*NF EN 61249-5-4:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen. Teil 5: Abschnittsspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit oder ohne Beschichtung. Abschnitt 4: Leitfähige Tinten.
  • NF EN 61249-5-4:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 5: Sammlung von Zwischenspezifikationen für leitfähige Folien und Folien mit oder ohne Beschichtung – Abschnitt 4: Leitfähige Tinten.
  • NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • NF ISO 14605:2013 Technische Keramik – Lichtquellen zum Testen photokatalytischer Halbleitermaterialien in einer Innenbeleuchtungsumgebung
  • NF EN 61249-8-7:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Sammlung von Zwischenspezifikationen für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 7: Markierungstinten.
  • NF C93-747*NF EN 61249-8-7:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen. Teil 8: Abschnittsspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen. Abschnitt 7: Markierung von Legendenlinks.
  • NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren
  • NF EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren
  • NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenzen von Metallschichtmaterialien
  • NF C93-748*NF EN 61249-8-8:1998 Materialien für Verbindungsstrukturen. Teil 8: Abschnittsspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen. Abschnitt 8: Temporäre Polymerbeschichtungen.
  • NF EN ISO 7765-1:2005 Kunststofffolien und -platten - Bestimmung der Schlagfestigkeit mit der Freifall-Projektilmethode - „Teil 1: sogenannte „Treppen“-Methoden“
  • NF EN 61249-8-8:1998 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Sammlung von Zwischenspezifikationen für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 8: Entfernbare Polymerbeschichtungen.
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, Hochleistungskeramik) – Ultraviolette Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien

German Institute for Standardization, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
  • DIN EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
  • DIN EN 62047-14:2012-10 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012); Deutsche Fassung EN 62047-14:2012
  • DIN EN 62047-21:2015-04 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
  • DIN EN 62047-12:2012-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011
  • DIN EN 62374:2008-02 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme (IEC 62374:2007); Deutsche Fassung EN 62374:2007
  • DIN EN 62047-21:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
  • DIN EN 62047-8:2011-12 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 8: Bandbiegeprüfverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011); Deutsche Fassung EN 62047-8:2011
  • DIN EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
  • DIN EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme (IEC 62374:2007); Deutsche Fassung EN 62374:2007
  • DIN EN 62047-3:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Zugversuche (IEC 62047-3:2006); Deutsche Fassung EN 62047-3:2006
  • DIN EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
  • DIN 50447:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Schichtwiderstands von Halbleiterschichten mit der Wirbelstrommethode
  • DIN EN 62047-3:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Zugversuche (IEC 62047-3:2006); Deutsche Fassung EN 62047-3:2006
  • DIN EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012); Deutsche Fassung EN 62047-14:2012
  • DIN 50441-1:1996 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 1: Dicke und Dickenschwankung
  • DIN 50448:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Berührungslose Bestimmung des elektrischen Widerstands von halbisolierenden Halbleiterscheiben mittels einer kapazitiven Sonde
  • DIN EN 62047-17:2015-12 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Schichten (IEC 62047-17:2015); Deutsche Fassung EN 62047-17:2015
  • DIN 50441-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 2: Prüfung des Kantenprofils
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
  • DIN EN 62047-22:2015-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten (IEC 62047-22:2014); Deutsche Fassung EN 62047-22:2014
  • DIN 41850-2:1985 Integrierte Film- und Hybridschaltkreise; Materialien, Methoden zur Beurteilung leitfähiger Pasten
  • DIN EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011
  • DIN 50449-2:1998 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 2: Bor in Galliumarsenid
  • DIN 50454-2:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 2: Indiumphosphid
  • DIN 50454-3:1994 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der Versetzungsätzgrubendichte in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 3: Galliumphosphid
  • DIN EN 61249-5-4:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen - Teil 5: Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit oder ohne Beschichtung; Abschnitt 4: Leitfähige Tinten (IEC 61249-5-4:1996); Deutsche Fassung EN 61249-5-4:1996
  • DIN 50443-1:1988 Prüfung von Materialien zur Verwendung in der Halbleitertechnologie; Erkennung von Kristalldefekten und Inhomogenitäten in Silizium-Einkristallen mittels Röntgentopographie
  • DIN EN 61249-8-7:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen - Teil 8: Rahmenspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen; Abschnitt 7: Beschriftungstinten (IEC 61249-8-7:1996); Deutsche Fassung EN 61249-8-7:1996
  • DIN EN 62047-22:2015 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten (IEC 62047-22:2014); Deutsche Fassung EN 62047-22:2014
  • DIN 50449-1:1997 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Halbleitern durch Infrarotabsorption – Teil 1: Kohlenstoff in Galliumarsenid
  • DIN EN 60749-39:2007 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006); Deutsche Fassung EN 60749-39:2006 / Hinweis: Zu beachten...
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011); Deutsche Fassung EN 62047-10:2011
  • DIN 50446:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Defektarten und Defektdichten von Silizium-Epitaxieschichten
  • DIN 50454-1:2000 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Versetzungen in Einkristallen von III-V-Verbindungshalbleitern – Teil 1: Galliumarsenid
  • DIN 50433-3:1982 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Bestimmung der Orientierung von Einkristallen mittels Laue-Rückstreuung
  • DIN EN 60371-3-7:2007 Spezifikation für Isolierstoffe auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für einzelne Materialien - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterabgriffe (IEC 60371-3-7:1995 + A1:2006); Deutsche Fassung EN 60371-3-7:
  • DIN EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 8: Bandbiegeprüfverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011); Deutsche Fassung EN 62047-8:2011
  • DIN EN 62047-16:2015-12 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Verfahren zur Waferkrümmung und Auslenkung des Auslegerbalkens (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015
  • DIN EN 61249-5-4:1997-02 Materialien für Verbindungsstrukturen - Teil 5: Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit oder ohne Beschichtung; Abschnitt 4: Leitfähige Tinten (IEC 61249-5-4:1996); Deutsche Fassung EN 61249-5-4:1996
  • DIN 55533:2005 Verpackungsprüfung – Integrale Prüfmethode für Verpackungen aus Filmen oder Folien auf Dichtheit mittels einer flexiblen Prüfkammer mit Prüfgas
  • DIN EN 61249-5-1:1996 Materialien für Verbindungsstrukturen - Teil 5: Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit und ohne Beschichtung; Abschnitt 1: Kupferfolien (für den Hersteller kupferkaschierter Grundmaterialien) (IEC 61249-5-1:1995); Deutsche Version EN 6
  • DIN 50441-4:1999 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben – Teil 4: Scheibendurchmesser, Durchmesservariation, Flachdurchmesser, Flachlänge, Flachtiefe
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
  • DIN 50441-3:1985 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik; Messung der geometrischen Abmessungen von Halbleiterscheiben; Bestimmung der Ebenheitsabweichung polierter Scheiben mittels Mehrstrahlinterferenz
  • DIN 50438-1:1995 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung des Verunreinigungsgehalts in Silizium durch Infrarotabsorption – Teil 1: Sauerstoff
  • DIN EN 61249-8-8:1998 Materialien für Verbindungsstrukturen - Teil 8: Rahmenspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen; Abschnitt 8: Temporäre Polymerbeschichtungen (IEC 61249-8-8:1997); Deutsche Fassung EN 61249-8-8:1997
  • DIN 50452-1:1995-11 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Prüfverfahren zur Partikelanalyse in Flüssigkeiten – Teil 1: Mikroskopische Bestimmung von Partikeln
  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen; Deutsche Fassung CEN/TS 16599:2014

ECIA - Electronic Components Industry Association, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • 401-1973 Dielektrische Papier-/Film-Folienkondensatoren für Leistungshalbleiteranwendungen

Danish Standards Foundation, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • DS/EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • DS/EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • DS/IEC 748-20:1990 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise
  • DS/EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen
  • DS/EN 62047-3:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardprüfkörper für Zugversuche
  • DS/IEC 748-21:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 21: Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage des Qualifikationsgenehmigungsverfahrens
  • DS/EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • DS/IEC 748-21-1:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 21: Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage des Qualifikationsgenehmigungsverfahrens
  • DS/IEC 748-22-1:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 22: Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
  • DS/EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
  • DS/EN 60371-3-7:1996 Isolierstoffe auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für einzelne Werkstoffe - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • DS/EN 61249-5-4:1998 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 5: Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit oder ohne Beschichtung – Abschnitt 4: Leitfähige Tinten
  • DS/EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien
  • DS/EN 60371-3-7/A1:2007 Spezifikation für Isolierstoffe auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für einzelne Materialien - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • DS/EN 61249-8-7:1998 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Rahmenspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 7: Markierungstinten
  • DS/EN 61249-8-8:1998 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Rahmenspezifikation für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 8: Temporäre Polymerbeschichtungen

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
  • EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • EN 62374:2007 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme
  • EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche
  • EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen
  • EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
  • EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • EN 60371-3-7:1995 Isolierstoffe auf Glimmerbasis Teil 3: Spezifikationen für einzelne Werkstoffe Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung (Enthält Änderung A1: 2006)
  • EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden
  • EN 61249-5-4:1996 Materialien für Verbindungsstrukturen Teil 5: Abschnittsspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit und ohne Beschichtung Abschnitt 4: Leitfähige Tinten
  • EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmung und Auslegerablenkungsverfahren
  • EN 61249-8-7:1996 Materialien für Verbindungsstrukturen, Teil 8: Abschnittsspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen, Abschnitt 7: Beschriftungstinten

ES-UNE, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • UNE-EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im November 2013.)
  • UNE-EN 62047-6:2010 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 6: Axiale Ermüdungstestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im Juni 2010.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnfilm-MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im November 2014.)
  • UNE-EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Methode zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (Genehmigt von AENOR im Juni 2012.)
  • UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (Befürwortet von AENOR im Februar 2012.)
  • UNE-EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche (IEC 62047-3:2006) (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten (Befürwortet von AENOR im November 2014.)
  • UNE-EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme (Befürwortet von AENOR im August 2015.)
  • UNE-EN 60371-3-7:1995/A1:2006 Spezifikation für Isoliermaterialien auf Glimmerbasis – Teil 3: Spezifikationen für einzelne Materialien – Blatt 7: Polyesterfilm-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung (IEC 60371-3-7:1995/A1:2006). (Genehmigt von AENOR im März...
  • UNE-EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (Befürwortung durch AENOR im September 2011.)
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
  • UNE-EN 62047-10:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im Dezember 2011.)
  • UNE-EN 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2006). (Von AENOR im November 2006 gebilligt.)
  • UNE-EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren (Befürwortet von AENOR im August 2015.)

International Electrotechnical Commission (IEC), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

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  • IEC 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-6:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • IEC 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
  • IEC 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
  • IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 4: Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
  • IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 6: Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
  • IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • IEC 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen
  • IEC 62951-3:2018 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 3: Bewertung der Eigenschaften von Dünnschichttransistoren auf flexiblen Substraten unter Wölbung
  • IEC 60748-20:1988/AMD1:1995 Änderung 1 – Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise
  • IEC 62374:2007 Halbleiterbauelemente – Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für dielektrische Gate-Filme
  • IEC 62899-203:2018 Gedruckte Elektronik – Teil 203: Materialien – Halbleitertinte
  • IEC 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardprüfkörper für Zugversuche
  • IEC 62047-29:2017 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 29: Elektromechanisches Entspannungstestverfahren für freistehende leitfähige Dünnfilme bei Raumtemperatur
  • IEC 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • IEC 62951-5:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 5: Prüfverfahren für thermische Eigenschaften flexibler Materialien
  • IEC 62047-37:2020 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 37: Umwelttestmethoden für piezoelektrische MEMS-Dünnfilme für Sensoranwendungen
  • IEC 62047-30:2017 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 30: Messmethoden für elektromechanische Umwandlungseigenschaften von piezoelektrischen MEMS-Dünnfilmen
  • IEC 62047-36:2019 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 36: Prüfverfahren für die Umwelt und die dielektrische Beständigkeit von piezoelektrischen MEMS-Dünnfilmen
  • IEC 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
  • IEC 60748-22-1:1991 Halbleiterbauelemente; integrierte Schaltkreise; Teil 22: Abschnitt 1: Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
  • IEC 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
  • IEC 60748-23-1:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-1: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Allgemeine Spezifikation
  • IEC 60748-23-5:2003 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-5: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung von Fertigungslinien; Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
  • IEC 61249-5-4:1996 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 5: Abschnittsspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit oder ohne Beschichtung – Abschnitt 4: Leitfähige Tinten
  • IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 60748-23-4:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-4: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Leere Detailspezifikation
  • IEC 61249-8-7:1996 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Rahmenspezifikationssatz für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 7: Markierungstinten
  • IEC 60371-3-7:1995/AMD1:2006 Änderung 1 – Isolierstoffe auf Glimmerbasis – Teil 3: Spezifikationen für einzelne Werkstoffe – Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
  • IEC 60371-3-7:1995/COR1:1995 Isolierstoffe auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für einzelne Werkstoffe - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • IEC 60371-3-7:1995 Isolierstoffe auf Glimmerbasis - Teil 3: Spezifikationen für einzelne Werkstoffe - Blatt 7: Polyesterfolien-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung
  • IEC 60748-23-2:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-2: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Interne Sichtkontrolle und Sonderprüfungen
  • IEC 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren
  • IEC 60748-23-3:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-3: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Checkliste und Bericht zur Selbstprüfung der Hersteller
  • IEC 61249-8-8:1997 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Rahmenspezifikation für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 8: Temporäre Polymerbeschichtungen
  • IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien; Berichtigung 1
  • IEC 61249-5-1:1995 Materialien für Verbindungsstrukturen - Teil 5: Rahmenspezifikationssatz für leitfähige Folien und Filme mit und ohne Beschichtung - Abschnitt 1: Kupferfolien (zur Herstellung kupferkaschierter Basismaterialien)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • JIS C 5630-2:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS C 5630-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS C 5630-6:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
  • JIS C 5630-12:2014 Halbleiterbauelemente.Mikroelektromechanische Bauelemente.Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
  • JIS C 5630-3:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
  • JIS R 1750:2012 Feinkeramik – Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die unter Innenbeleuchtung verwendet werden

未注明发布机构, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

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  • DIN EN 62047-22 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
  • DIN SPEC 1994 E:2016-07 Prüfung von Materialien für die Halbleitertechnik – Bestimmung von Anionen in schwachen Säuren
  • DIN EN 62047-17 E:2011-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
  • BS IEC 60748-23-5:2003(2004) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23 – 5: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
  • DIN EN 62047-16 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren

Lithuanian Standards Office , Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • LST EN 62047-2-2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006)
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  • LST EN 62047-14-2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012)
  • LST EN 62047-12-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011)
  • LST EN 62374-2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme (IEC 62374:2007)
  • LST EN 62047-3-2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Zugversuche (IEC 62047-3:2006)
  • LST EN 62047-8-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Streifenbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011)
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  • LST EN 60371-3-7-2001/A1-2007 Spezifikation für Isoliermaterialien auf Glimmerbasis – Teil 3: Spezifikationen für einzelne Materialien – Blatt 7: Polyesterfilm-Glimmerpapier mit Epoxidharzbindemittel für Einzelleiterbandierung (IEC 60371-3-7:1995/A1:2006)
  • LST EN 62047-10-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 10: Mikrosäulen-Kompressionstest für MEMS-Materialien (IEC 62047-10:2011)

RO-ASRO, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

Professional Standard - Electron, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

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HU-MSZT, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

Indonesia Standards, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

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American National Standards Institute (ANSI), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

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  • ANSI/ASTM D3004:2008 Spezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ANSI/ASTM D6343:2010 Prüfmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ANSI/ASTM D6095:2012 Testverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • GB/T 14844-2018 Bezeichnungen von Halbleitermaterialien
  • GB/T 1550-2018 Prüfverfahren für den Leitfähigkeitstyp von extrinsischen Halbleitermaterialien
  • GB/T 36646-2018 Ausrüstung zur Herstellung von Nitrid-Halbleitermaterialien durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie
  • GB/T 37131-2018 Nanotechnologien – Testmethode für Halbleiter-Nanopulver mittels UV-Vis-Diffusreflexionsspektroskopie

Group Standards of the People's Republic of China, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • T/CASME 798-2023 Spezialisierte Bearbeitungswerkzeuge für Halbleitermaterialien
  • T/SHDSGY 135-2023 Neue Energiehalbleiter-Siliziumwafer-Materialtechnologie
  • T/CSTM 00591-2022 Messung der Leitfähigkeit von Graphen-Kupfer-Filmmaterialien – Van-der-Pauw-Methode
  • T/GVS 005-2022 Prüfspezifikation für die Kontrastmethode des Absolutdruck-Kapazitäts-Membran-Vakuummeters in der Halbleiterausrüstung
  • T/ICMTIA CM0035-2023 Dichtung für eine Vorrichtung zur Verarbeitung von Halbleitersiliziummaterial
  • T/CNIA 0143-2022 Hochreine Harzgefäße für die Spurenverunreinigungsanalyse von Halbleitermaterialien
  • T/ZJATA 0017-2023 Epitaxieausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien
  • T/CGIA 004.1-2022 Richtlinien für die umweltfreundliche Produktion von Graphenmaterialien und die Bilanzierung von Treibhausgasemissionen – Teil 1: Graphenfolien

CZ-CSN, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • CSN IEC 748-20:1993 Halbleitergeräte. Integrierte Schaltkreise. Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise

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  • ASTM D6343-14 Standardtestmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ASTM D3004-02 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D3004-97 Standardspezifikation für extrudierte vernetzte und thermoplastische Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D3004-08(2020) Standardspezifikation für vernetzte und thermoplastische extrudierte Halbleiter-, Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D1389-06 Standardprüfverfahren zur Prüfspannungsprüfung dünner, fester elektrischer Isoliermaterialien
  • ASTM D6343-99(2004) Prüfmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ASTM D6343-99 Prüfmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ASTM D6095-99 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-05 Standardtestverfahren für den Volumenwiderstand von extrudierten vernetzten und thermoplastischen halbleitenden Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-06 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-12 Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM D6095-12(2023) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien
  • ASTM C1127-01(2009) Standardhandbuch für die Verwendung von Elastomer-Abdichtungsmembranen mit hohem Feststoffgehalt und kalter Flüssigkeitsapplikation und integrierter Verschleißoberfläche
  • ASTM D5470-01 Standardtestverfahren für die Wärmeübertragungseigenschaften dünner wärmeleitender fester elektrischer Isoliermaterialien
  • ASTM D5470-95 Standardtestmethoden für die Wärmeübertragungseigenschaften dünner wärmeleitender fester elektrischer Isoliermaterialien
  • ASTM D6343-14(2018) Standardtestmethoden für dünne wärmeleitende Feststoffmaterialien für elektrische Isolierung und dielektrische Anwendungen
  • ASTM C1127-95 Standardhandbuch für die Verwendung von Elastomer-Abdichtungsmembranen mit hohem Feststoffgehalt und kalter Flüssigkeitsapplikation und integrierter Verschleißoberfläche
  • ASTM D6095-12(2018) Standardtestverfahren zur Längsmessung des spezifischen Volumenwiderstands für extrudierte vernetzte und thermoplastische halbleitende Leiter- und Isolationsabschirmmaterialien

Professional Standard - Public Safety Standards, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • GA 460.5-2004 Technische Spezifikation für Material des Bewohnerausweiskörpers und Druckfolie, Teil 5: Druckfolie
  • GA/T 460.5-2020 Technische Spezifikation für Material des Bewohnerausweiskörpers und Druckfolie, Teil 5: Druckfolie
  • GA 460.3-2004 Technische Spezifikationen für Körpermaterial und Druckfolie für Bewohnerausweise, Teil 3: Schutzschicht aus PETG-Folie für die Kartenherstellung
  • GA/T 460.3-2020 Technische Spezifikationen für Körpermaterial und Druckfolie für Bewohnerausweise, Teil 3: Schutzschicht aus PETG-Folie für die Kartenherstellung
  • GA 460.2-2004 Technische Spezifikationen für Körpermaterial und Druckfolie für Bewohnerausweise, Teil 2: Drucken von weißer PETG-Folie für die Kartenherstellung
  • GA 460.1-2004 Technische Spezifikationen für Körpermaterial und Druckfolie für Bewohnerausweise, Teil 1: Weiße PETG-Folie für die Kartenherstellung
  • GA/T 460.1-2020 Technische Spezifikationen für Körpermaterial und Druckfolie für Bewohnerausweise, Teil 1: Weiße PETG-Folie für die Kartenherstellung
  • GA/T 460.2-2020 Technische Spezifikationen für Körpermaterial und Druckfolie für Bewohnerausweise, Teil 2: Drucken von weißer PETG-Folie für die Kartenherstellung
  • GA 460.4-2004 Technische Spezifikationen für Körpermaterialien und Druckfolien für Resident-ID-Karten Teil 4: Weiße PETG-Folie für das Kartenherstellungsmodul und die Spulenlagerschicht
  • GA/T 460.4-2020 Technische Spezifikationen für Körpermaterialien und Druckfolien für Resident-ID-Karten Teil 4: Weiße PETG-Folie für das Kartenherstellungsmodul und die Spulenlagerschicht

Defense Logistics Agency, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • QC 760000-1988 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridschaltkreise (IEC 748-20 ED 1)
  • QC 760200-1992 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente Teil 22: Abschnittsspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren (IEC 748-22 ED 1)
  • QC 760000-1990 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Filmschaltkreise (IEC 748-20: 1988; AMD 6754; September 1991; AMD 9331, 15. Januar 1997)
  • QC 763000-1994 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybride filmintegrierte Schaltkreise – Abschnitt 1: Anforderungen an die interne visuelle Prüfung (IEC 748-20-1 ED 1)
  • QC 760101-1991 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise Teil 21: Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage des Qualifizierungsgenehmigungsverfahrens (IEC 748-21-1 ED 1)
  • QC 760201-1991 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente, Teil 22: Abschnitt 1: Blanko-Detailspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren (IEC 748-22-1 ED l)
  • QC 760100-1997 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 21: Abschnittsspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage von Qualifizierungsgenehmigungsverfahren (ED 2; IEC 60748-21: 1997 ED 2)

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • DB61/T 1250-2019 Allgemeine Spezifikation für diskrete Halbleiterbauelemente aus Sic-Material (Siliziumkarbid).

Society of Automotive Engineers (SAE), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • SAE AMS3898/2B-1994 Zwischenblatt-Trägermaterial, Verbundband aus Polyethylenfolie, 0,0018 Zoll (0,046 mm), unperforiert
  • SAE AMS3898/5B-1994 Zwischenblatt-Trägermaterial, Verbundband, Polyethylen-beschichtetes Papier, perforiert 0,0035 Zoll (0,089 mm)
  • SAE AMS3898/2A-2011 ZWISCHENLAGE-TRÄGERMATERIAL, VERBUNDBAND Polyethylenfolie, unperforiert 0,0018 Zoll (0,046 mm)
  • SAE AMS3898/2-1975 ZWISCHENLAGE-TRÄGERMATERIAL, VERBUNDBAND Polyethylenfolie, unperforiert 0,0018 Zoll (0,046 mm)
  • SAE AMS3898/2B-2022 Zwischenblatt-Trägermaterial, Verbundband aus Polyethylenfolie, 0,0018 Zoll (0,046 mm), unperforiert

RU-GOST R, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

AENOR, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • UNE-EN 61249-5-4:1997 MATERIALIEN FÜR VERBINDUNGSSTRUKTUREN. TEIL 5: ABSCHNITTSPEZIFIKATIONSSATZ FÜR LEITFÄHIGE FOLIEN UND FILMEN MIT ODER OHNE BESCHICHTUNG. ABSCHNITT 4: LEITFÄHIGE TINTEN.
  • UNE-EN 60371-3-7:1996 SPEZIFIKATION FÜR ISOLIERMATERIALIEN AUF GLIMMERBASIS. TEIL 3: SPEZIFIKATIONEN FÜR EINZELNE MATERIALIEN. BLATT 7: POLYESTERFILM-GLIMMERPAPIER MIT EINEM EPOXIDHARZ-BINDER FÜR EINZELLEITERBAND.
  • UNE-EN 61249-8-7:1997 MATERIALIEN FÜR VERBINDUNGSSTRUKTUREN. TEIL 8: ABSCHNITTSPEZIFIKATIONSSATZ FÜR NICHTLEITENDE FOLIEN UND BESCHICHTUNGEN. ABSCHNITT 7: MARKIERUNG VON LEGEND-TINTEN.
  • UNE-EN 61249-8-8:2000 Materialien für Verbindungsstrukturen – Teil 8: Rahmenspezifikation für nichtleitende Filme und Beschichtungen – Abschnitt 8: Temporäre Polymerbeschichtungen.

PT-IPQ, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • NP EN 1013-2-2000 Lichtdurchlässige profilierte Kunststoffbahnen für einschalige Dächer Teil 2: Spezifische Anforderungen und Prüfverfahren für Bahnen aus glasfaserverstärktem Polyesterharz (GFK)

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • T-32-645-2012 Testverfahren zur Feststellung der Volumenwiderstandskompatibilität wasserblockierender Komponenten mit extrudierten halbleitenden Abschirmmaterialien

Insulated Cable Engineers Association (ICEA), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • ICEA T-32-645-2012 TESTVERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER VOLUMENWIDERSTANDSKOMPATIBILITÄT VON WASSERSPERRENDEM KOMPONENTEN MIT EXTRUDIERTEN HALBLEITENDEM ABSCHIRMMATERIALIEN

European Committee for Standardization (CEN), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • PD CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen
  • CEN/TS 16599:2014 Photokatalyse – Bestrahlungsbedingungen zur Prüfung der photokatalytischen Eigenschaften halbleitender Materialien und Messung dieser Bedingungen

Standard Association of Australia (SAA), Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • AS/NZS 1660.2.3:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für PVC und halogenfreie thermoplastische Materialien
  • AS/NZS 1660.2.2:1998 Prüfverfahren für elektrische Kabel, Leitungen und Leiter – Isolierung, extrudierte halbleitende Schirme und nichtmetallische Ummantelungen – Verfahren speziell für Elastomer-, XLPE- und XLPVC-Materialien

AT-OVE/ON, Materialien Halbleiter-Dünnschicht

  • OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)




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