IEC60749

Für die IEC60749 gibt es insgesamt 309 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst IEC60749 die folgenden Kategorien: Diskrete Halbleitergeräte, Mechanische Komponenten für elektronische Geräte.

International Electrotechnical Commission (IEC), IEC60749

IEC 60749:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
IEC 60749:1984 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden
IEC 60749:1996 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden
IEC 60749-15:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente
IEC 60749-28:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene
IEC 60749-10:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock
IEC 60749-7:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 60749-3:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
IEC 60749-4:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)
IEC 60749-13:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
IEC 60749-12:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz
IEC 60749-11:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Schnelle Temperaturänderung; Zwei-Flüssigkeitsbad-Methode
IEC 60749-9:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
IEC 60749-6:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
IEC 60749-32:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
IEC 60749-20:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
IEC 60749-18:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
IEC 60749-5:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 5: Lebensdauertest bei stationärer Temperatur und Luftfeuchtigkeit
IEC 60749-17:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
IEC 60749-5:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 5: Lebensdauertest bei stationärer Temperatur und Luftfeuchtigkeit
IEC 60749-37:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene unter Verwendung eines Beschleunigungsmessers
IEC 60749-34:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
IEC 60749-33:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 33: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommener Autoklav
IEC 60749-24:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommener HAST
IEC 60749-30:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
IEC 60749-23:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
IEC 60749-20:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
IEC 60749-25:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 25: Temperaturwechsel
IEC 60749-27:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD); Maschinenmodell (MM)
IEC 60749-26:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD); Menschliches Körpermodell (HBM)
IEC 60749-23:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
IEC 60749-21:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
IEC 60749-34:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
IEC 60749-30:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
IEC 60749-21:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-27:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Maschinenmodell (MM)
IEC 60749-26:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
IEC 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
IEC 60749-26:2013 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
IEC 60749-40:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 40: Fallprüfverfahren auf Platinenebene unter Verwendung eines Dehnungsmessstreifens
IEC 60749-1:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 1: Allgemeines
IEC 60749-37:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene unter Verwendung eines Beschleunigungsmessers
IEC 60749-41:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardverfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen
IEC 60749-29:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 29: Latch-Up-Test
IEC 60749-21:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
IEC 60749-33:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 33: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommener Autoklav (Ausgabe 1.0; ersetzt IEC PAS 62172:2000)
IEC 60749-36:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 36: Beschleunigung, stationärer Zustand
IEC 60749-19:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Scherfestigkeitsprüfung
IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
IEC 60749-32:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
IEC 60749-28:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene
IEC 60749-3:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
IEC 60749-31:2002 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
IEC 60749-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
IEC 60749-12:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz
IEC 60749-6:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
IEC 60749-15:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente
IEC 60749-42:2014 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 42: Lagerung bei Temperatur und Luftfeuchtigkeit
IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
IEC 60749-35:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 35: Akustische Mikroskopie für kunststoffverkapselte elektronische Komponenten
IEC 60749-2:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
IEC 60749-24:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommenes HAST (Ausgabe 1.0; ersetzt IEC PAS 62336:2002)
IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
IEC 60749-4:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)
IEC 60749-22:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
IEC 60749-10:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe
IEC 60749-9:2017 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
IEC 60749-38:2008 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 38: Soft-Error-Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente mit Speicher
IEC 60749-16:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 16: Partikelstoßgeräuscherkennung (PIND)
IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
IEC 60749-8:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
IEC 60749-14:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 14: Robustheit von Anschlüssen (Leiterintegrität)
IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-27:2012 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Maschinenmodell (MM)
IEC 60749-5:2023 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 5: Lebensdauertest bei stationärer Temperatur und Luftfeuchtigkeit
IEC 60749/AMD1:2000 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 1
IEC 60749/AMD2:2001 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren; Änderung 2
IEC 60749-20-1:2009 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Versand von oberflächenmontierten Bauelementen, die empfindlich auf die kombinierte Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme reagieren
IEC 60749-30:2020 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
IEC 60749-18:2019 RLV Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
IEC 60749-20:2020 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
IEC 60749-15:2020 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente
IEC 60749-28:2022 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene
IEC 60749-37:2022 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene unter Verwendung eines Beschleunigungsmessers
IEC 60749-39:2021 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
IEC 60749-20-1:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Versand von oberflächenmontierten Bauelementen, die empfindlich auf die kombinierte Wirkung von Feuchtigkeit und Löten reagieren
IEC 60749/AMD2:1993 Halbleiterbauelemente; mechanische und klimatische Prüfmethoden; Änderung 2
IEC 60749/AMD1:1991 Halbleiterbauelemente; mechanische und klimatische Prüfmethoden; Änderung 1
IEC 60749-5:2023 PRV
IEC 60749-5:2023 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 5: Lebensdauertest bei stationärer Temperatur und Luftfeuchtigkeit
IEC 60749-20-1:2019 RLV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Versand von oberflächenmontierten Bauelementen, die empfindlich auf die kombinierte Wirkung von Feuchtigkeit und Löten reagieren
IEC 60749-20/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
IEC 60749-7/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des Innenfeuchtegehalts und Analyse anderer Restgase
IEC 60749-32:2002/AMD1:2010 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
IEC 60749-23:2004/AMD1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
IEC 60749-9:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
IEC 60749-3:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
IEC 60749-12:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz
IEC 60749-13:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
IEC 60749-32:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
IEC 60749-10:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock
IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Scherfestigkeitsprüfung
IEC 60749-30:2005/AMD1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
IEC 60749-27:2006/AMD1:2012 Änderung 1 – Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Maschinenmodell (MM)
IEC 60749-11:2002/COR2:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 11: Schnelle Temperaturänderung; Zweiflüssigkeitsbadverfahren; Berichtigung 2
IEC 60749-1:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 1: Allgemeines
IEC 60749-8:2002/COR2:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
IEC 60749-8:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
IEC 60749-2:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
IEC 60749-22:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
IEC 60749-11:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 11: Schnelle Temperaturänderung; Zweiflüssigkeitsbadverfahren
IEC 60749-31:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
IEC 60749-30:2005+AMD1:2011 CSV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
IEC 60749-23:2004+AMD1:2011 CSV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
IEC 60749-19:2003+AMD1:2010 CSV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
IEC 60749-32:2002+AMD1:2010 CSV Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 27: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Maschinenmodell (MM)

IEC - International Electrotechnical Commission, IEC60749

IEC 60749-29:2003 Halbleitergeräte, Methoden für mechanische und klimatische Messungen, Abschnitt 29: Verrouillage-Test (Ausgabe 1.0; ersetzt IEC PAS 62181)
IEC 60749-15:2003 Mechanische und klimatische Prüfverfahren für Halbleiterbauelemente Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente (Ausgabe 1.0; ersetzt IEC/PAS 62174: 2000; zusammen mit IEC 60749-14:2003 @ IEC 60749-3:2002 und IEC 60749 -31:200
IEC 60749-19:2003 Halbleiter-Geräte, mechanische und klimatische Methoden, Teil 19: Widerstandsfähigkeit gegen Ausbrechen (Ausgabe 1.0)
IEC 60749-43:2017 Halbleitergeräte - Mechanik- und Klimastudien - Abschnitt 43: Leitungslinien für CI-Qualifizierungspläne (Ausgabe 1.0)
IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung (Ausgabe 2.0)
IEC 60749-4:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 4: Feuchte Hitze@ Steady State@ Hochbeschleunigter Stresstest (HAST) KORRIGENDUM 1 (Ausgabe 1.0)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), IEC60749

KS C IEC 60749:2004 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Testmethoden
KS C IEC 60749-1:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 1: Allgemeines
KS C IEC 60749-12:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 12: Vibration, variable Frequenz
KS C IEC 60749-13:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 60749-14:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 14: Robustheit von Anschlüssen (Leiterintegrität)
KS C IEC 60749-18:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
KS C IEC 60749-22:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-23:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-24:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommener HAST
KS C IEC 60749-31:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
KS C IEC 60749-34:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Leistungswechsel
KS C IEC 60749-39:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-6:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-8:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 8: Versiegelung
KS C IEC 60749-9:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
KS C IEC 60749-7:2004 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C IEC 60749-2:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-10:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 10: Mechanischer Schock
KS C IEC 60749-11:2002 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 11: Schnelle Temperaturänderung – Zwei-Flüssigkeits-Bad-Methode
KS C IEC 60749-3:2002 Diskrete Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
KS C IEC 60749-19:2005 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Scherfestigkeit der Chips
KS C IEC 60749-20:2005 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze
KS C IEC 60749-21:2005 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-16:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 16: Erkennung von Partikelaufprallgeräuschen (PIND)
KS C IEC 60749-17:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
KS C IEC 60749-32:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
KS C IEC 60749-4:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)
KS C IEC 60749-42:2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 42: Lagerung bei Temperatur und Luftfeuchtigkeit
KS C IEC 60749-23:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-6:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-3:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
KS C IEC 60749-32:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
KS C IEC 60749-4:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)
KS C IEC 60749-11:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 11: Schnelle Temperaturänderung – Zweiflüssigkeitsbadverfahren
KS C IEC 60749-10:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock
KS C IEC 60749-3:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
KS C IEC 60749-7:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C IEC 60749-19:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
KS C IEC 60749-2004(2020) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Testmethoden
KS C IEC 60749-17:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
KS C IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
KS C IEC 60749-22:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-21:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-34:2017 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Ein- und Ausschalten
KS C IEC 60749-18:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
KS C IEC 60749-9:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
KS C IEC 60749-12:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz
KS C IEC 60749-2:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-13:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 60749-8-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 8: Versiegelung
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-16-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 16: Erkennung von Partikelaufprallgeräuschen (PIND)
KS C IEC 60749-31-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induzierte)
KS C IEC 60749-14-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 14: Robustheit von Anschlüssen (Leiterintegrität)
KS C IEC 60749-32-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
KS C IEC 60749-1-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 1: Allgemeines
KS C IEC 60749-1-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 1: Allgemeines
KS C IEC 60749-8-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 8: Versiegelung
KS C IEC 60749-24-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommener HAST
KS C IEC 60749-17-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
KS C IEC 60749-23-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-14-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 14: Robustheit von Anschlüssen (Leiterintegrität)
KS C IEC 60749-18-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
KS C IEC 60749-16-2006(2016) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 16: Erkennung von Partikelaufprallgeräuschen (PIND)
KS C IEC 60749-31-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induzierte)
KS C IEC 60749-24-2006(2021) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 24: Beschleunigte Feuchtigkeitsbeständigkeit – Unvoreingenommener HAST
KS C IEC 60749-42-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 42: Lagerung bei Temperatur und Luftfeuchtigkeit
KS C IEC 60749-34-2017(2022) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Ein- und Ausschalten

PH-BPS, IEC60749

PNS IEC 60749-17:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
PNS IEC 60749-28:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene
PNS IEC 60749-30:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
PNS IEC 60749-41:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardverfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen
PNS IEC 60749-42:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 42: Lagerung bei Temperatur und Luftfeuchtigkeit
PNS IEC 60749-43:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 43: Richtlinien für IC-Zuverlässigkeitsqualifizierungspläne
PNS IEC 60749-44:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 44: Neutronenstrahlbestrahltes Einzelereigniseffekt-Prüfverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, IEC60749

EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration bei variabler Frequenz
EN IEC 60749-15:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente
EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
EN IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauteile verwendet werden
EN IEC 60749-10:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe
EN IEC 60749-37:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene unter Verwendung eines Beschleunigungsmessers
EN IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
EN IEC 60749-28:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene
prEN IEC 60749-20-1 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Versand von oberflächenmontierten Bauelementen, die empfindlich auf die kombinierte Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme reagieren
EN IEC 60749-41:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardverfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen
EN IEC 60749-5:2024 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 5: Lebensdauertest bei stationärer Temperatur und Luftfeuchtigkeit

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, IEC60749

EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung

AT-OVE/ON, IEC60749

OVE EN IEC 60749-10:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe (IEC 47/2692/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 60749-39:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterbauelemente verwendet werden (IEC 47/2652/CDV) (englische Version)
OVE EN IEC 60749-37:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (IEC 47/2651/CDV) (englische Version)

Lithuanian Standards Office , IEC60749

LST EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung (IEC 60749-30:2020)
LST EN IEC 60749-15:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente (IEC 60749-15:2020)
LST EN IEC 60749-41:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardverfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen (IEC 60749-41:2020)
LST EN IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze (IEC 60749-20:2020)

KR-KS, IEC60749

KS C IEC 60749-20-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Lötwärme
KS C IEC 60749-22-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 22: Haftfestigkeit
KS C IEC 60749-7-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 7: Messung des internen Feuchtigkeitsgehalts und Analyse anderer Restgase
KS C IEC 60749-23-2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 23: Betriebslebensdauer bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-18-2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
KS C IEC 60749-11-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 11: Schnelle Temperaturänderung – Zweiflüssigkeitsbadverfahren
KS C IEC 60749-2-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 2: Niedriger Luftdruck
KS C IEC 60749-42-2016 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 42: Lagerung bei Temperatur und Luftfeuchtigkeit
KS C IEC 60749-19-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 19: Die Scherfestigkeit
KS C IEC 60749-9-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 9: Dauerhaftigkeit der Markierung
KS C IEC 60749-6-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 6: Lagerung bei hohen Temperaturen
KS C IEC 60749-17-2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
KS C IEC 60749-10-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock
KS C IEC 60749-4-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 4: Feuchte Hitze, stationärer, hochbeschleunigter Stresstest (HAST)
KS C IEC 60749-3-2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
KS C IEC 60749-21-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 21: Lötbarkeit
KS C IEC 60749-3-2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 3: Äußere visuelle Prüfung
KS C IEC 60749-34-2017 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 34: Ein- und Ausschalten
KS C IEC 60749-13-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
KS C IEC 60749-32-2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
KS C IEC 60749-12-2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz

British Standards Institution (BSI), IEC60749

BS EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Vibration, variable Frequenz
BS EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Salzige Atmosphäre
BS EN IEC 60749-15:2020 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente
BS EN IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Einwirkung von Feuchtigkeit und Löthitze
BS EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Testmethoden – Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Geräte vor der Zuverlässigkeitsprüfung
BS EN IEC 60749-41:2020 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Standardmethoden zur Zuverlässigkeitsprüfung nichtflüchtiger Speichergeräte
BS EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Neutronenbestrahlung
BS EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Menschliches Körpermodell (HBM)
BS EN IEC 60749-10:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Mechanischer Schock. Gerät und Baugruppe
BS EN IEC 60749-37:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Falltestmethode auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser
BS EN IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
BS EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden
BS EN IEC 60749-28:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Aufgeladenes Gerätemodell (CDM). Geräteebene

German Institute for Standardization, IEC60749

DIN EN IEC 60749-20:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze (IEC 47/2563/CDV:2019); Deutsche und englische Version prEN IEC 60749-20:2019
DIN EN IEC 60749-39:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-37:2023 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (IEC 47/2651/CDV:2020); Deutsche und englische Version prEN IEC 60749-37:2020
DIN EN IEC 60749-20-1:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Versand von oberflächenmontierten Bauelementen, die gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze empfindlich sind (IEC 47/2488/CDV:2018); Deutsche und englische Version
DIN EN IEC 60749-18:2020-02 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (IEC 60749-18:2019); Deutsche Fassung EN IEC 60749-18:2019 / Hinweis: DIN EN 60749-18 (2003-09) bleibt neben dieser Norm bis zum 15.05.2022 gültig.
DIN EN IEC 60749-41:2023-03 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardverfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen (IEC 60749-41:2020); Deutsche Fassung EN IEC 60749-41:2020
DIN EN IEC 60749-15:2022-05 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente (IEC 60749-15:2020); Deutsche Fassung EN IEC 60749-15:2020 / Hinweis: DIN EN 60749-15 (2011-06) bleibt weiterhin gültig...
DIN EN IEC 60749-30:2023-02 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung (IEC 60749-30:2020); Deutsche Fassung EN IEC 60749-30:2020 / Hinweis: DIN EN 60749-30 (2011-12) bleibt bestehen...
DIN EN IEC 60749-37:2023-02 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (IEC 47/2651/CDV:2020); Deutsche und englische Version prEN IEC 60749-37:2020 / Hinweis: Ausgabedatum 20.01.2023*Als Ersatz gedacht...
DIN EN IEC 60749-13:2018-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 13: Salzatmosphäre (IEC 60749-13:2018); Deutsche Fassung EN IEC 60749-13:2018 / Hinweis: DIN EN 60749-13 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 22.03.2021 gültig.
DIN EN IEC 60749-12:2018-07 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 12: Vibration, variable Frequenz (IEC 60749-12:2017); Deutsche Fassung EN IEC 60749-12:2018 / Hinweis: DIN EN 60749-12 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis zum 17.01.2021 gültig.
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 60749-39:2021); Deutsche Fassung EN IEC 60749-39:2022 / Hinweis: DIN...
DIN EN IEC 60749-20:2023-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze (IEC 60749-20:2020); Deutsche Fassung EN IEC 60749-20:2020 / Hinweis: DIN EN 60749-20 (2010...)
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (IEC 47/2652/CDV:2020); Englische Version prEN IEC 60749-39:2020 / Nicht...
DIN EN IEC 60749-10:2023-06 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 10: Mechanischer Schock - Gerät und Unterbaugruppe (IEC 60749-10:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-10:2022 / Hinweis: Ausgabedatum 19.05.2023*Gedacht als Ersatz für DIN EN 60749-10 (200...
DIN EN IEC 60749-10:2023-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 10: Mechanischer Schock - Gerät und Unterbaugruppe (IEC 60749-10:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-10:2022 / Hinweis: DIN EN 60749-10 (2003-04) bleibt neben dieser Norm bis 2022 gültig...
DIN EN IEC 60749-37:2023-12 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 37: Fallprüfverfahren auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (IEC 60749-37:2022); Deutsche Fassung EN IEC 60749-37:2022 / Hinweis: DIN EN 60749-37 (2008-08) bleibt neben dieser Norm weiterhin gültig...
DIN EN IEC 60749-20-1:2018-11 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20-1: Handhabung, Verpackung, Kennzeichnung und Versand von oberflächenmontierten Bauelementen, die gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze empfindlich sind (IEC 47/2488/CDV:2018); Deutsche und englische Version...

Association Francaise de Normalisation, IEC60749

NF EN IEC 60749-37:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 37: Falltestverfahren auf Platinenebene unter Verwendung eines Beschleunigungsmessers
NF EN IEC 60749-41:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardprüfverfahren für die Zuverlässigkeit nichtflüchtiger Speicherbauelemente
NF EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Komponenten vor der Zuverlässigkeitsprüfung
NF EN IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von SMTs im Kunststoffgehäuse gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze
NF EN IEC 60749-10:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe
NF EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 13: Salzatmosphäre
NF EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 17: Neutronenbestrahlung
NF EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibrationen, variable Frequenzen
NF EN IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente - Mechanische und klimatische Prüfverfahren - Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis)
NF EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 26: Prüfung der Anfälligkeit für elektrostatische Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM)
NF EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die in Halbleiterbauelementen verwendet werden
NF EN IEC 60749-28:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Anfälligkeit für elektrostatische Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene
NF EN IEC 60749-15:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für Durchgangslochbauelemente

ES-UNE, IEC60749

UNE-EN IEC 60749-17:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 17: Neutronenbestrahlung (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Juni 2019.)
UNE-EN IEC 60749-28:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 28: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell geladener Bauelemente (CDM) – Geräteebene (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2022.)
UNE-EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im November 2020.)
UNE-EN IEC 60749-13:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 13: Salzatmosphäre (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2018.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 39: Messung der Feuchtigkeitsdiffusionsfähigkeit und Wasserlöslichkeit in organischen Materialien, die für Halbleiterkomponenten verwendet werden (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im März 2022.)
UNE-EN IEC 60749-20:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffgekapselten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im November 2020.)
UNE-EN IEC 60749-37:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 37: Falltestmethode auf Platinenebene mit einem Beschleunigungsmesser (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Januar 2023.)
UNE-EN IEC 60749-26:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 26: Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD) – Modell des menschlichen Körpers (HBM) (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Mai 2018.)
UNE-EN IEC 60749-12:2018 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 12: Vibration, variable Frequenz (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im April 2018.)
UNE-EN IEC 60749-10:2022 Halbleitergeräte – Mechanische und klimatische Testmethoden – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im Juli 2022.)
UNE-EN IEC 60749-15:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im November 2020.)
UNE-EN IEC 60749-18:2019 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 18: Ionisierende Strahlung (Gesamtdosis) (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im Juli 2019.)
UNE-EN IEC 60749-41:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standardverfahren zur Zuverlässigkeitsprüfung von nichtflüchtigen Speicherbauelementen (Befürwortet von der Asociación Española de Normalización im Oktober 2020.)

PL-PKN, IEC60749

PN-EN IEC 60749-15-2021-04 E Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente (IEC 60749-15:2020)
PN-EN IEC 60749-41-2021-04 E Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 41: Standard-Zuverlässigkeitsprüfverfahren für nichtflüchtige Speicherbauelemente (IEC 60749-41:2020)
PN-EN IEC 60749-20-2021-06 E Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 20: Beständigkeit von kunststoffummantelten SMDs gegenüber der kombinierten Wirkung von Feuchtigkeit und Löthitze (IEC 60749-20:2020)
PN-EN IEC 60749-30-2021-05 E Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung (IEC 60749-30:2020)

未注明发布机构, IEC60749

DIN EN IEC 60749-15 E:2019-12 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente
DIN EN IEC 60749-30 E:2019-09 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung