Remote-Halbleiter-Dünnschicht

Für die Remote-Halbleiter-Dünnschicht gibt es insgesamt 221 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Remote-Halbleiter-Dünnschicht die folgenden Kategorien: Prüfung von Metallmaterialien, Diskrete Halbleitergeräte, Isolierflüssigkeit, Kondensator, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Halbleitermaterial, Vakuumtechnik, grafische Symbole, Ventil, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Elektronische Anzeigegeräte.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

GB/T 6616-2023 Berührungsloses Wirbelstromverfahren zum Testen des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern und des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen
GB/T 6616-1995 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleitersilizium oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
GB/T 6616-2009 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät

ECIA - Electronic Components Industry Association, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

401-1973 Dielektrische Papier-/Film-Folienkondensatoren für Leistungshalbleiteranwendungen

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

JJG(核工) 4-1991 Verifizierungsvorschriften für Halbleiterteleskope (Arbeiterklasse)

British Standards Institution (BSI), Remote-Halbleiter-Dünnschicht

BS IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
BS IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
BS IEC 62951-7:2019 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Testverfahren zur Charakterisierung der Barriereleistung der Dünnschichtverkapselung für flexible organische Halbleiter
BS IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
BS EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
BS IEC 62951-3:2018 Halbleiterbauelemente. Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Bewertung der Eigenschaften von Dünnschichttransistoren auf flexiblen Substraten unter Wölbung
BS EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethode für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
BS EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
BS EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
BS IEC 62047-29:2017 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Elektromechanische Entspannungstestmethode für freistehende leitfähige Dünnfilme bei Raumtemperatur
BS EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente. Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für dielektrische Gate-Filme
BS EN 62374:2007 Halbleiterbauelemente – Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für dielektrische Gate-Filme
BS IEC 60748-23-5:2003 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen. Zertifizierung der Fertigungslinie. Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
BS IEC 62047-37:2020 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Umwelttestmethoden für piezoelektrische MEMS-Dünnfilme für Sensoranwendungen
BS IEC 62047-30:2017 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Messmethoden für elektromechanische Umwandlungseigenschaften von piezoelektrischen MEMS-Dünnfilmen
BS EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Methode zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
19/30404655 DC BS EN IEC 63229. Halbleiterbauelemente. Die Klassifizierung von Defekten im epitaktischen Galliumnitridfilm auf einem Siliziumkarbidsubstrat
BS EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Bauelemente. Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
BS IEC 62047-36:2019 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte – Methoden zur Prüfung der Umweltverträglichkeit und der dielektrischen Beständigkeit für piezoelektrische MEMS-Dünnfilme
BS QC 760200:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf Basis der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
BS QC 760100:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage der Qualifikationsgenehmigungsverfahren
BS IEC 60748-23-1:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung von Fertigungslinien – Allgemeine Spezifikation
BS EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
BS QC 760201:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf Basis der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
BS QC 760101:1997 Harmonisiertes System zur Qualitätsbewertung elektronischer Komponenten. Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage von Qualifikationsgenehmigungsverfahren
BS IEC 60748-23-5:2004 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung von Fertigungslinien – Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
BS IEC 60748-23-4:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung von Fertigungslinien – Blanko-Bauartspezifikation
BS EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen
BS IEC 60748-23-3:2002 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen. Zertifizierung der Fertigungslinie. Checkliste und Bericht zur Selbstprüfung der Hersteller
BS IEC 60748-23-2:2002 Halbleiterbauelemente - Integrierte Schaltkreise - Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen - Zertifizierung von Fertigungslinien - Interne Sichtprüfung und Sonderprüfungen
18/30383935 DC BS EN IEC 62047-37. Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Teil 37. Umwelttestmethoden für MEMS-piezoelektrische Dünnfilme für Sensoranwendungen
BS EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethoden zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen. Waferkrümmungs- und Cantilever-Beam-Ablenkungsmethoden

International Electrotechnical Commission (IEC), Remote-Halbleiter-Dünnschicht

IEC 62951-4:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 4: Ermüdungsbewertung für flexible leitfähige Dünnfilme auf dem Substrat für flexible Halbleiterbauelemente
IEC 62951-6:2019 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 6: Prüfverfahren für den Schichtwiderstand flexibler leitender Filme
IEC 62951-1:2017 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
IEC 62951-3:2018 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 3: Bewertung der Eigenschaften von Dünnschichttransistoren auf flexiblen Substraten unter Wölbung
IEC 60748-20:1988/AMD1:1995 Änderung 1 – Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise
IEC 62374:2007 Halbleiterbauelemente – Zeitabhängiger dielektrischer Durchschlagstest (TDDB) für dielektrische Gate-Filme
IEC 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardprüfkörper für Zugversuche
IEC 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 60748-22-1:1991 Halbleiterbauelemente; integrierte Schaltkreise; Teil 22: Abschnitt 1: Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
IEC 62047-6:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
IEC 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
IEC 62047-29:2017 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 29: Elektromechanisches Entspannungstestverfahren für freistehende leitfähige Dünnfilme bei Raumtemperatur
IEC 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
IEC 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
IEC 62047-37:2020 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 37: Umwelttestmethoden für piezoelektrische MEMS-Dünnfilme für Sensoranwendungen
IEC 62047-30:2017 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 30: Messmethoden für elektromechanische Umwandlungseigenschaften von piezoelektrischen MEMS-Dünnfilmen
IEC 62047-36:2019 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 36: Prüfverfahren für die Umwelt und die dielektrische Beständigkeit von piezoelektrischen MEMS-Dünnfilmen
IEC 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
IEC 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
IEC 60748-23-1:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-1: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Allgemeine Spezifikation
IEC 60748-23-5:2003 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-5: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung von Fertigungslinien; Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
IEC 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen
IEC 60748-23-4:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-4: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Leere Detailspezifikation
IEC 60748-21:1997 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 21: Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage des Qualifikationsgenehmigungsverfahrens
IEC 60748-23-2:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-2: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Interne Sichtkontrolle und Sonderprüfungen
IEC 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren
IEC 60748-23-3:2002 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-3: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen; Zertifizierung der Produktionslinie; Checkliste und Bericht zur Selbstprüfung der Hersteller
IEC 60748-22-1:1997 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 22-1: Blanko-Bauartspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren

American National Standards Institute （ANSI), Remote-Halbleiter-Dünnschicht

ANSI/EIA 401:1973 Dielektrische Papier-, Papier-/Folienkondensatoren für Leistungshalbleiteranwendungen

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Remote-Halbleiter-Dünnschicht

KS C IEC 62951-1:2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
KS C IEC 60748-20:2021 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 60748-20-1:2003 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise – Abschnitt 1: Anforderungen an die interne visuelle Prüfung
KS C IEC 60748-20:2003 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 60748-20:2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 60748-2-20:2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 62047-18:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-8:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Streifenbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
KS C IEC 60748-20-1-2003(2019) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise – Abschnitt 1: Anforderungen an die interne visuelle Prüfung
KS C IEC 62047-8-2015(2020) Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Streifenbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
KS C IEC 60748-23-1:2004 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-1: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Allgemeine Spezifikation
KS C IEC 60748-23-1-2004(2019) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23 – 1: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Allgemeine Spezifikation
KS C IEC 60748-23-3:2004 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23-3: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Checkliste und Bericht zur Selbstprüfung der Hersteller
KS C IEC 60748-23-3-2004(2019) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23 – 3: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Selbstprüfung der Hersteller – Checkliste und Bericht

KR-KS, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

KS C IEC 62951-1-2022 Halbleiterbauelemente – Flexible und dehnbare Halbleiterbauelemente – Teil 1: Biegetestverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
KS C IEC 60748-20-2021 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 60748-2-20-2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 60748-20-2019 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise
KS C IEC 62047-18-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
KS C IEC 62047-22-2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien

Danish Standards Foundation, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

DS/IEC 748-20:1990 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise
DS/IEC 748-21:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 21: Rahmenspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage des Qualifikationsgenehmigungsverfahrens
DS/EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/EN 62047-3:2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardprüfkörper für Zugversuche
DS/EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DS/IEC 748-21-1:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 21: Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage des Qualifikationsgenehmigungsverfahrens
DS/IEC 748-22-1:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 22: Abschnitt eins: Blanko-Bauartspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren
DS/EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
DS/EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
DS/EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen

Group Standards of the People's Republic of China, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

T/GVS 005-2022 Prüfspezifikation für die Kontrastmethode des Absolutdruck-Kapazitäts-Membran-Vakuummeters in der Halbleiterausrüstung

CZ-CSN, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

CSN IEC 748-20:1993 Halbleitergeräte. Integrierte Schaltkreise. Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise

Association Francaise de Normalisation, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

NF C86-433:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILMWIDERSTÄNDENETZE (GENEHMIGUNGSVERFAHREN). ABSCHNITTSPEZIFIKATION. SPEZIFIKATION CECC 64 200.
NF EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time-Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme
NF C86-434:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILMWIDERSTÄNDENETZE (GENEHMIGUNGSVERFAHREN). (SPEZIFIKATION CECC 64 201).
NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C86-411:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 100).
NF C96-017*NF EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Standardisierte Dünnschichtprüfkörper für Zugversuche
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien.
NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche
NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
NF EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
NF C96-050-22*NF EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
NF EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
NF C86-412:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. LEERE DETAILSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 101).
NF C86-413:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM-HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. FÄHIGKEITSGENEHMIGUNG. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 200).
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze von metallischen Filmmaterialien
NF C96-050-17*NF EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
NF EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
NF C96-050-8*NF EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme.
NF C86-430:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. Netzwerke mit festen Filmwiderständen. ALLGEMEINE SPEZIFIKATION. SPEZIFIKATION CECC 64 000.
NF EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Verfahren zur Prüfung der Streifenbiegung zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
NF C86-414:1987 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILM- UND HYBRID-INTEGRIERTE SCHALTUNGEN. FÄHIGKEITSGENEHMIGUNG. LEERE DETAILSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 63 201).
NF C86-431:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. Netzwerke mit festen Filmwiderständen. ABSCHNITTSPEZIFIKATION. SPEZIFIKATION CECC 64 100.
NF C86-432:1988 HALBLEITERBAUELEMENTE. HARMONISIERTES SYSTEM ZUR QUALITÄTSBEWERTUNG FÜR ELEKTRONISCHE KOMPONENTEN. FILMWIDERSTÄNDENETZE. LEERE DETAILSPEZIFIKATION. (SPEZIFIKATION CECC 64 101).
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen.
NF C96-050-16*NF EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren
NF EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren

German Institute for Standardization, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

DIN EN 62374:2008-02 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme (IEC 62374:2007); Deutsche Fassung EN 62374:2007
DIN EN 62047-2:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 62374:2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme (IEC 62374:2007); Deutsche Fassung EN 62374:2007
DIN EN 62047-18:2014-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-3:2007-02 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Zugversuche (IEC 62047-3:2006); Deutsche Fassung EN 62047-3:2006
DIN EN 62047-3:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Zugversuche (IEC 62047-3:2006); Deutsche Fassung EN 62047-3:2006
DIN EN 62047-2:2007 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006); Deutsche Fassung EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
DIN EN 62047-17:2015-12 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Schichten (IEC 62047-17:2015); Deutsche Fassung EN 62047-17:2015
DIN EN 62047-14:2012-10 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012); Deutsche Fassung EN 62047-14:2012
DIN EN 62047-22:2015-04 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten (IEC 62047-22:2014); Deutsche Fassung EN 62047-22:2014
DIN EN 62047-8:2011-12 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 8: Bandbiegeprüfverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011); Deutsche Fassung EN 62047-8:2011
DIN EN 62047-21:2015-04 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-12:2012-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011
DIN EN 62047-22:2015 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten (IEC 62047-22:2014); Deutsche Fassung EN 62047-22:2014
DIN EN 62047-21:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien (IEC 62047-21:2014); Deutsche Fassung EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-18:2014 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-18:2013); Deutsche Fassung EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009); Deutsche Fassung EN 62047-6:2010
DIN EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 8: Bandbiegeprüfverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011); Deutsche Fassung EN 62047-8:2011
DIN EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012); Deutsche Fassung EN 62047-14:2012
DIN EN 62047-16:2015-12 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Verfahren zur Waferkrümmung und Auslenkung des Auslegerbalkens (IEC 62047-16:2015); Deutsche Fassung EN 62047-16:2015
DIN EN 62047-12:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011); Deutsche Fassung EN 62047-12:2011

Defense Logistics Agency, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

DLA DSCC-DWG-89100 REV B-2002 HALBLEITERVORRICHTUNG, LEISTUNGSSCHALTREGLERBAUGRUPPE
DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 MIKROKREIS, DIGITAL, CMOS, FERNBEDIENUNG, MULTIPROTOKOLL, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89971-1992 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, HMOS, REMOTE UNIVERSAL PERIPHERAL INTERFACE, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-88628 REV E-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, FERNBEDIENUNG, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUSCONTROLLER, FERNBEDIENUNG UND MONITOR, MONOLITHISCHES SILIKON
DLA SMD-5962-89501 REV D-2007 MIKROSCHALTUNG, DIGITAL, CMOS, BUS-CONTROLLER-FERNBEDIENUNG, MULTIPROTOKOLL, MONOLITHISCHES SILIKON

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

QC 760200-1992 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente Teil 22: Abschnittsspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren (IEC 748-22 ED 1)
QC 760000-1988 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridschaltkreise (IEC 748-20 ED 1)
QC 760101-1991 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise Teil 21: Abschnitt Eins: Blanko-Detailspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybridfilmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage des Qualifizierungsgenehmigungsverfahrens (IEC 748-21-1 ED 1)
QC 760201-1991 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente, Teil 22: Abschnitt 1: Blanko-Detailspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage der Fähigkeitsgenehmigungsverfahren (IEC 748-22-1 ED l)
QC 760100-1997 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 21: Abschnittsspezifikation für filmintegrierte Schaltkreise auf der Grundlage von Qualifizierungsgenehmigungsverfahren (ED 2; IEC 60748-21: 1997 ED 2)
QC 760000-1990 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente Teil 20: Allgemeine Spezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Filmschaltkreise (IEC 748-20: 1988; AMD 6754; September 1991; AMD 9331, 15. Januar 1997)
QC 763000-1994 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 20: Allgemeine Spezifikation für filmintegrierte Schaltkreise und hybride filmintegrierte Schaltkreise – Abschnitt 1: Anforderungen an die interne visuelle Prüfung (IEC 748-20-1 ED 1)

United States Navy, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

NAVY QPL-15508-13-2006 VENTILE, FERNBEDIENUNG, MEMBRANBETÄTIGT (FLÜSSIGKEITSSYSTEME, 150 UND 250 PSIWP, MAXIMAL 140 GRAD F)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

EN 62374:2007 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme
EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche
EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
EN 62047-6:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Verformungsgrenze metallischer Filmmaterialien
EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme
EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmung und Auslegerablenkungsverfahren
EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen

ES-UNE, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

UNE-EN 62047-18:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im November 2013.)
UNE-EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche (IEC 62047-3:2006) (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
UNE-EN 62047-6:2010 Halbleitergeräte – Mikroelektromechanische Geräte – Teil 6: Axiale Ermüdungstestmethoden für Dünnschichtmaterialien (Befürwortet von AENOR im Juni 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnfilm-MEMS-Materialien (Befürwortet von AENOR im November 2014.)
UNE-EN 62047-22:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten (Befürwortet von AENOR im November 2014.)
UNE-EN 62047-17:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme (Befürwortet von AENOR im August 2015.)
UNE-EN 62047-14:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Methode zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (Genehmigt von AENOR im Juni 2012.)
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
UNE-EN 62047-2:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006). (Von AENOR im Januar 2007 gebilligt.)
UNE-EN 62047-8:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Bandbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (Befürwortung durch AENOR im September 2011.)
UNE-EN 62047-12:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (Befürwortet von AENOR im Februar 2012.)
UNE-EN 62047-16:2015 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren (Befürwortet von AENOR im August 2015.)

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Remote-Halbleiter-Dünnschicht

JIS C 5630-3:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
JIS C 5630-2:2009 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS C 5630-18:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegetestverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS C 5630-6:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
JIS C 5630-12:2014 Halbleiterbauelemente.Mikroelektromechanische Bauelemente.Teil 12: Biegeermüdungstestverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung der Resonanzschwingung von MEMS-Strukturen

Lithuanian Standards Office , Remote-Halbleiter-Dünnschicht

LST EN 62374-2008 Halbleiterbauelemente – TDDB-Test (Time Dependent Dielectric Breakdown) für dielektrische Gate-Filme (IEC 62374:2007)
LST EN 62047-3-2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnschicht-Standardprüfkörper für Zugversuche (IEC 62047-3:2006)
LST EN 62047-2-2007 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 2: Zugprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-2:2006)
LST EN 62047-6-2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 6: Axiale Ermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien (IEC 62047-6:2009)
LST EN 62047-14-2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 14: Verfahren zur Messung der Formungsgrenze metallischer Filmmaterialien (IEC 62047-14:2012)
LST EN 62047-8-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 8: Streifenbiegetestverfahren zur Messung der Zugeigenschaften dünner Filme (IEC 62047-8:2011)
LST EN 62047-12-2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 12: Biegeermüdungsprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien unter Verwendung resonanter Schwingungen von MEMS-Strukturen (IEC 62047-12:2011)

未注明发布机构, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

DIN EN 62047-18 E:2011-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 18: Biegeprüfverfahren für Dünnschichtmaterialien
DIN EN 62047-21 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 21: Prüfverfahren für die Poisson-Zahl von Dünnschicht-MEMS-Materialien
DIN EN 62047-22 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 22: Elektromechanisches Zugprüfverfahren für leitfähige Dünnfilme auf flexiblen Substraten
BS IEC 60748-23-5:2003(2004) Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 23 – 5: Hybride integrierte Schaltkreise und Filmstrukturen – Zertifizierung der Fertigungslinie – Verfahren zur Qualifikationsgenehmigung
DIN EN 62047-17 E:2011-06 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 17: Bulge-Testverfahren zur Messung der mechanischen Eigenschaften dünner Filme
DIN EN 62047-16 E:2012-11 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 16: Prüfverfahren zur Bestimmung der Eigenspannungen von MEMS-Filmen – Waferkrümmungs- und Auslegerablenkungsverfahren

American Society for Testing and Materials (ASTM), Remote-Halbleiter-Dünnschicht

ASTM F1711-96(2016) Standardverfahren zur Messung des Schichtwiderstands von Dünnschichtleitern für die Herstellung von Flachbildschirmen mithilfe einer Vierpunktsondenmethode
ASTM F1844-97(2002) Standardpraxis zur Messung des Schichtwiderstands von Dünnschichtleitern für die Herstellung von Flachbildschirmen mithilfe eines berührungslosen Wirbelstrommessgeräts
ASTM F1844-97 Standardpraxis zur Messung des Schichtwiderstands von Dünnschichtleitern für die Herstellung von Flachbildschirmen mithilfe eines berührungslosen Wirbelstrommessgeräts
ASTM F1844-97(2008) Standardpraxis zur Messung des Schichtwiderstands von Dünnschichtleitern für die Herstellung von Flachbildschirmen mithilfe eines berührungslosen Wirbelstrommessgeräts

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Remote-Halbleiter-Dünnschicht

GB/T 11498-2018 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 21: Rahmenspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Hybridfilmschaltkreise auf der Grundlage der Qualifikationsgenehmigungsverfahren
GB/T 13062-2018 Halbleiterbauelemente – Integrierte Schaltkreise – Teil 21-1: Blanko-Detailspezifikation für integrierte Filmschaltkreise und integrierte Film-Hybridschaltkreise auf der Grundlage der Qualifikationsgenehmigungsverfahren