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RUHalbleiter-Optoelektronik
Für die Halbleiter-Optoelektronik gibt es insgesamt 114 relevante Standards.
In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Halbleiter-Optoelektronik die folgenden Kategorien: Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Optoelektronik, Lasergeräte, Diskrete Halbleitergeräte, Glasfaserkommunikation, Wortschatz, Umfangreiche elektronische Komponenten, Keramik.
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Halbleiter-Optoelektronik
- GJB 33/17-2011 Optoelektronisches Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den Halbleiter-Fotokoppler vom Typ GO11
- GJB 33/18-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für bidirektionalen Analogschalter-Halbleiter-Optokoppler vom Typ GO417
- GJB 8121-2013 Allgemeine Spezifikation für die optoelektronische Halbleiterbaugruppe
- GJB 8120-2013 Allgemeine Spezifikation für optoelektronische Halbleitermodule
- GJB 8119-2013 Allgemeine Spezifikation für optoelektronische Halbleitergeräte
- GJB 33/16-2011 Optoelektronisches Halbleiterbauelement. Detaillierte Spezifikation für den Halbleiterfototransistor Typ 3DU32
- GJB 33/15-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für die Halbleiter-Infrarotdiode Typ BT401
- GJB 5018-2001 Allgemeine Anforderungen für die Prüfung und Akzeptanz von optoelektronischen Halbleiterbauelementen
- GJB 33/20-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für den Optokoppler Typ GH302
- GJB 33/22-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für den Optokoppler vom Typ GO103
- GJB/Z 41.3-1993 Militärische diskrete Halbleitergeräteserie Spektrum optoelektronischer Halbleitergeräte
- GJB 33/21-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detailspezifikation für Fotokopierer der GD310A-Serie
- GJB 33/23-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für den Optokoppler Typ GH3201Z-4
- GJB 33/19-2011 Optoelektronisches Halbleitergerät. Detaillierte Spezifikation für den Optokoppler Typ GH302-4
Professional Standard - Electron, Halbleiter-Optoelektronik
- SJ 20642-1997 Optoelektronisches Halbleitermodul Allgemeine Spezifikation für
- SJ 20786-2000 Allgemeine Spezifikation für die optoelektronische Halbleiterbaugruppe
- SJ/T 2215-2015 Messmethoden für Halbleiter-Optokoppler
- SJ 2247-1982 Umreißt die Abmessungen für optoelektronische Halbleitergeräte
- SJ/T 2214-2015 Messmethoden für Halbleiter-Fotodioden und Fototransistoren
- SJ 20642.5-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für Optokoppler vom Typ GH82
- SJ 20642.4-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für Optokoppler vom Typ GH81
- SJ 20642.6-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für Optokoppler vom Typ GH83
- SJ 50033/112-1996 Scmiconductor optoelektronische Geräte. Detaillierte Spezifikation für Fotodioden vom Typ GD3251Y
- SJ 50033/113-1996 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für Fotodioden vom Typ GD3252Y
- SJ 20644.1-2001 Optoelektronische Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für PIN-Fotodiode vom Typ GD3550Y
- SJ 20644.2-2001 Optoelektronische Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für PIN-Fotodiode vom Typ GD101
- SJ 50033/111-1996 Optoelektronische Halbleitergeräte. Lieferspezifikation für Si.NPN-Fototransistoren vom Typ GT16
- SJ 50033/114-1996 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für den positionsempfindlichen Detektor Typ GD3283Y
- SJ 20642.3-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für PIN-FET-Optoempfängermodul vom Typ GD83
- SJ 20642.2-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für PIN-FET-Optoempfängermodul vom Typ GD82
- SJ 20786.1-2002 Halbleiter-Lichtschrankenbaugruppe Detailspezifikation für Miniatur-Duplex-Lichtschranken für Typ CBGS 2301
- SJ 50033/136-1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für rote Leuchtdiode für Typ GF116
- SJ 50033/143-1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für die rot emittierende Diode vom Typ GF1120
- SJ 50033/137-1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für orange-rote Leuchtdiode für Typ GF216
- SJ 20642.1-1998 Optoelektronisches Halbleitermodul Detailspezifikation für PIN-FET-Optoempfängermodul vom Typ GD81
- SJ/T 11405-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen. Teil 2: Messmethoden
- SJ 50033/139-1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für grüne Leuchtdiode für Typ GF4111
- SJ 50033/138-1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für gelbe Leuchtdiode für Typ GF318
- SJ 50033/58-1995 Optoelektronisches Halbleiterbauelement Detailspezifikation für grüne Leuchtdiode für Typ GF413
- SJ/T 11393-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente – Blanko-Detailspezifikation für Leistungsleuchtdioden
- SJ 50033/142-1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für die grün emittierende Diode vom Typ GF4112
- SJ 50033/57-1995 Optoelektronisches Halbleiterbauelement Detailspezifikation für rote Leuchtdiode für Typ GF115
- SJ 50033/109-1996 Optoelektronische Halbleitergeräte. Detaillierte Spezifikation für die Halbleiterlaserdioden der Typen GJ9031T und GJ9032T sowie GJ9034T
- SJ 50033/110-1996 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detaillierte Spezifikation für die Infrarot-Leuchtdiode vom Typ GR9413
- SJ 53930/1-2002 Optoelektronische Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für die Infrarot-Emissionsdiode vom Typ GR8813
- SJ/T 11400-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente – Blanko-Detailspezifikation für Leuchtdioden mit geringerer Leistung
- SJ 50033/99-1995 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Detailspezifikation für O/G-Doppelfarb-Leuchtdiode für Typ GF511
- SJ 20642.7-2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für das Leuchtdiodenmodul vom Typ GR1325J
- SJ/T 11817-2022 Detaillierte Blankospezifikation für Leuchtdioden für optoelektronische Halbleitergeräte und Glühlampen
- SJ/T 11866-2022 Optoelektronische Halbleiterbauelemente – Detaillierte Spezifikationen für Weißlicht-Leuchtdioden mit Siliziumsubstrat
- SJ 50033/140-1999 Diskrete Halbleiterbauelemente Detailspezifikation für den Silizium-Mikrowellen-Puls-Leistungstransistor Typ 3DA502
- SJ/T 11067-1996 Häufig verwendete Terminologie für fotoelektrische Halbleitermaterialien und pyroelektrische Materialien in Materialien zur Infraroterkennung
RU-GOST R, Halbleiter-Optoelektronik
- GOST R 50471-1993 Halbleiter-Fotoemitter. Messmethode für Halbwertswinkel
- GOST 27299-1987 Optoelektronische Halbleitergeräte. Begriffe, Definitionen und Buchstabensymbole von Parametern
- GOST R 59605-2021 Optik und Photonik. Halbleiter-Fotodetektoren. Fotoelektrische und Fotoempfangsgeräte. Begriffe und Definitionen
- GOST 21934-1983 Halbleiter-Fotodetektoren und fotoelektrische Empfangsgeräte. Begriffe und Definitionen
- GOST 17772-1988 Halbleiter-Fotodetektoren und fotoelektrische Empfangsgeräte. Methoden zur Messung photoelektrischer Parameter und zur Bestimmung von Eigenschaften
- GOST R 59607-2021 Optik und Photonik. Halbleiter-Fotodetektoren. Fotoelektrische und Fotoempfangsgeräte. Methoden zur Messung photoelektrischer Parameter und zur Bestimmung von Eigenschaften
British Standards Institution (BSI), Halbleiter-Optoelektronik
- BS EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
- BS EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Messmethoden
- BS IEC 60747-5-4:2022 Halbleitergeräte – Optoelektronische Geräte. Halbleiterlaser
- BS EN 62007-1:2000 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BS EN 62007-1:2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- BS EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleitergeräte für faseroptische Systemanwendungen. Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Merkmale
- BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
SE-SIS, Halbleiter-Optoelektronik
International Electrotechnical Commission (IEC), Halbleiter-Optoelektronik
- IEC 62007-2:1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- IEC 62007-2:1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- IEC 62007-2/AMD1:1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen - Teil 2: Messverfahren; Änderung 1
- IEC 62007-1:1999 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- IEC 62007-1:1997 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1/AMD1:1998 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 1: Wesentliche Nennwerte und Eigenschaften; Änderung 1
- IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1:2008 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
- IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 Änderung 1 – Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Merkmale
European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Halbleiter-Optoelektronik
- EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- EN 120000:1996 Allgemeine Spezifikation: Optoelektronische Halbleiter- und Flüssigkristallgeräte (bleibt aktuell)
- EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Halbleiter-Optoelektronik
- EN 62007-2:2000 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen Teil 2: Messmethoden
- EN 62007-1:2000 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen Teil 1: Grundlegende Nennwerte und Eigenschaften
- EN 62007-1:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
Association Francaise de Normalisation, Halbleiter-Optoelektronik
- NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- NF EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für den Einsatz in faseroptischen Systemen – Teil 2: Messmethoden
- NF C93-801-1:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften.
- NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Halbleiter-Optoelektronik
- KS C IEC 62007-2:2003 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- KS C IEC 62007-2-2003(2018) Photoelektrische Halbleiterbauelemente für optische Kommunikationssysteme – Teil 2: Messmethoden
- KS C IEC 62007-1:2003 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen? Teil 1: Wesentliche Bewertungen und Merkmale
- KS C IEC 62007-1-2003(2018) Halbleiter-Photovoltaikgeräte für optische Kommunikationssysteme – Teil 1: Wichtige Klassen und Eigenschaften
CZ-CSN, Halbleiter-Optoelektronik
- CSN 35 8851-1987 Optoelektronische Halbleitergeräte. Nomenklatur, Definition und Buchstabensymbole von Parametern
- CSN 35 8804-1985 Optoelektronische Halbleitergeräte für weit verbreitete Geräte. Allgemeine Spezifikation
- CSN 35 8804 Za-1989 Überarbeitung a. 8/1989 Tschechischer nationaler Standard 35 8804 * / ST SEV 3992-83 Optoelektronische Halbleitergeräte für Geräte. Allgemeine technische Bedingungen
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Halbleiter-Optoelektronik
- GB/T 36358-2018 Optoelektronische Halbleiterbauelemente – Blanko-Detailspezifikation für Leistungsleuchtdioden
KR-KS, Halbleiter-Optoelektronik
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Halbleiter-Optoelektronik
- GB/T 36359-2018 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Blanko-Detailspezifikation für Leuchtdioden mit geringerer Leistung
- GB/T 36360-2018 Optoelektronische Halbleiterbauelemente. Blanko-Detailspezifikation für Leuchtdioden mittlerer Leistung
Professional Standard - Post and Telecommunication, Halbleiter-Optoelektronik
- YD/T 2001.2-2011 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen. Teil 2: Messmethoden
- YD/T 2001.1-2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen. Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
Danish Standards Foundation, Halbleiter-Optoelektronik
- DS/EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden
- DS/EN 62007-1:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften
German Institute for Standardization, Halbleiter-Optoelektronik
- DIN EN 62007-2:2009-09 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen - Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009); Deutsche Fassung EN 62007-2:2009 / Hinweis: DIN EN 62007-2 (2001-06) bleibt neben dieser Norm bis zum 01.02.2012 gültig.
- DIN EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009); Deutsche Fassung EN 62007-2:2009
ES-UNE, Halbleiter-Optoelektronik
- UNE-EN 62007-2:2009 Optoelektronische Halbleitergeräte für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messmethoden (Genehmigt von AENOR im Juni 2009.)
- UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Merkmale (Genehmigt von der Asociación Española de Normalización im Dezember 2022.)
- UNE-EN 62007-1:2015 Optoelektronische Halbleitergeräte für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften (von AENOR im August 2015 gebilligt.)
RO-ASRO, Halbleiter-Optoelektronik
- STAS 12258/7-1987 OPTOELEKTRONISCHE SEMICONDIC-TOH-GERÄTE PHOTOVOLTAISCHE ZELLEN Terminologie und wesentliches Cliarac! eristik
- STAS 12258/3-1985 Optoelektronische Halbleiterbauelemente FOTOTRANSISTOREN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
- STAS 12258/2-1984 Optoelektronische Halbleiterbauelemente PIIOTODIODEN Terminologie und wesentliche Eigenschaften
Lithuanian Standards Office , Halbleiter-Optoelektronik
- LST EN 62007-2-2009 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für faseroptische Systemanwendungen – Teil 2: Messverfahren (IEC 62007-2:2009)
International Organization for Standardization (ISO), Halbleiter-Optoelektronik
- ISO 14605:2013 Feinkeramik (Hochleistungskeramik, hochentwickelte technische Keramik). Lichtquelle zum Testen halbleitender photokatalytischer Materialien, die in Innenbeleuchtungsumgebungen verwendet werden
未注明发布机构, Halbleiter-Optoelektronik
- DIN EN 62007-1 E:2013-04 Optoelektronische Halbleiterbauelemente für Glasfasersystemanwendungen – Teil 1: Spezifikationsvorlage für wesentliche Nennwerte und Eigenschaften