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반도체 광전자공학

모두 113항목의 반도체 광전자공학와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 광전자공학와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 집적 회로, 마이크로 전자공학, 광전자공학, 레이저 장비, 반도체 개별 장치, 광섬유 통신, 어휘, 종합 전자 부품, 세라믹.


Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 광전자공학

  • GJB 33/17-2011 반도체 광전자 장치 상세 사양 GO11형 반도체 광커플러
  • GJB 33/18-2011 반도체 광전자 장치 GO417 양방향 반도체 광전 결합 아날로그 스위치의 세부 사양
  • GJB 8121-2013 반도체 광전자 부품에 대한 일반 사양
  • GJB 8120-2013 반도체 광전자 모듈의 일반 사양
  • GJB 8119-2013 반도체 광전자 장치의 일반 사양
  • GJB 33/16-2011 반도체 광전자소자 3DU32형 반도체 포토트랜지스터 상세사양
  • GJB 33/15-2011 반도체 광전자소자 BT401형 반도체 적외선 방출다이오드 상세사양
  • GJB 5018-2001 반도체 광전자 장치의 심사 및 승인을 위한 일반 요구 사항
  • GJB 33/20-2011 반도체 광전자소자 GH302형 광커플러 상세사양
  • GJB 33/22-2011 반도체 광전자 장치 GO103형 광커플러 상세 사양
  • GJB/Z 41.3-1993 군용 반도체 개별 장치 시리즈 스펙트럼 반도체 광전자 장치
  • GJB 33/21-2011 반도체 광전자 장치 GD310A 시리즈 광 커플러의 세부 사양
  • GJB 33/23-2011 반도체 광전자소자 GH3201Z-4형 광커플러 상세사양
  • GJB 33/19-2011 반도체 광전자소자 GH302-4형 광커플러 상세사양

Professional Standard - Electron, 반도체 광전자공학

  • SJ 20642-1997 반도체 광전자 모듈의 일반 사양
  • SJ 20786-2000 반도체 광전자 부품에 대한 일반 사양
  • SJ/T 2215-2015 반도체 광커플러 테스트 방법
  • SJ 2247-1982 반도체 광전자 장치 치수
  • SJ/T 2214-2015 반도체 포토다이오드 및 포토트랜지스터 테스트 방법
  • SJ 20642.5-1998 반도체 광전자 모듈 GH82 형 광 커플러 상세 사양
  • SJ 20642.4-1998 반도체 광전자 모듈 GH81형 광커플러 상세 사양
  • SJ 20642.6-1998 반도체 광전자 모듈 GH83 형 광 커플러 상세 사양
  • SJ 50033/112-1996 반도체 광전자소자 GD3251Y형 포토다이오드 상세사양
  • SJ 50033/113-1996 반도체 광전자소자 GD3252Y형 포토다이오드 상세사양
  • SJ 20644.1-2001 반도체 광전자 장치 GD3550Y 유형 PIN 포토 다이오드의 세부 사양
  • SJ 20644.2-2001 반도체 광전자 장치 GD101 유형 PIN 포토다이오드의 세부 사양
  • SJ 50033/111-1996 반도체 광전자소자 GTI6형 실리콘 NPN 포토트랜지스터 상세사양
  • SJ 50033/114-1996 반도체 광전자 장치 GD3283Y 유형 위치 감지 검출기의 세부 사양
  • SJ 20642.3-1998 반도체 광전자 모듈 GD83 유형 PIN-FET 광수신 모듈 세부 사양
  • SJ 20642.2-1998 반도체 광전자 모듈 GD82 형 PIN-FET 광수신 모듈 상세 사양
  • SJ 20786.1-2002 반도체 광전자 부품 CBGS2301 소형 양방향 광전 포지셔너 상세 사양
  • SJ 50033/136-1997 반도체 광전자소자 GF116 적색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/143-1999 반도체 광전자 장치 유형 GF1120 적색 발광 다이오드의 상세 사양
  • SJ 50033/137-1997 반도체 광전자소자 GF216 주황색 발광다이오드 상세사양
  • SJ 20642.1-1998 반도체 광전자 모듈 GD81 유형 DIN-FET 광 수신기 모듈에 대한 자세한 일반 사양
  • SJ/T 11405-2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • SJ 50033/139-1998 반도체 광전자소자 GF4111 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/138-1998 반도체 광전자 장치 유형 GF318 노란색 발광 다이오드의 상세 사양
  • SJ 50033/58-1995 반도체 광전자소자 GF413 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ/T 11393-2009 반도체 광전자소자 전력발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • SJ 50033/142-1999 반도체 광전자소자 GF4112 녹색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/57-1995 반도체 광전자소자 GF115 적색발광다이오드 상세사양
  • SJ 50033/109-1996 반도체 광전자 장치 반도체 레이저 다이오드 유형 GJ9031T, GJ9032T 및 GJ9034T 세부 사양
  • SJ 50033/110-1996 반도체 광전자소자 GR9413형 적외선 방출다이오드 상세사양
  • SJ 53930/1-2002 반도체 광전자 장치 GR8813 적외선 방출 다이오드 유형의 상세 사양
  • SJ/T 11400-2009 반도체 광전자소자용 저전력 발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • SJ 50033/99-1995 반도체 광전자소자 GF511 주황색/녹색 이중색상 발광다이오드 상세사양
  • SJ 20642.7-2000 반도체 광전자소자 GR1325J형 장파장 발광다이오드 어셈블리 상세사양
  • SJ/T 11817-2022 반도체 광전자소자용 발광다이오드, 필라멘트램프 상세사양 공란
  • SJ/T 11866-2022 반도체 광전자 장치 - 실리콘 기판 백색광 전력 발광 다이오드의 세부 사양
  • SJ 50033/140-1999 반도체 광전자 장치의 세부 사양 3DA502 실리콘 마이크로파 펄스 전력 트랜지스터
  • SJ/T 11067-1996 적외선탐지재료 중 반도체광전자재료와 초전재료의 공통용어

RU-GOST R, 반도체 광전자공학

  • GOST R 50471-1993 반도체 광 방출기. 반값 각도 측정 방법
  • GOST 27299-1987 반도체 광전자 장치 - 용어, 정의 및 매개변수에 대한 알파벳순 코드
  • GOST R 59605-2021 광학 및 포토닉스 반도체 광검출기 광전자 및 수광 장치 용어 및 정의
  • GOST 21934-1983 반도체 광전자 및 광 방사 수신기 장치 용어 및 정의
  • GOST 17772-1988 반도체 광검출기 및 광수신기, 광전 매개변수 측정 및 특성 결정 방법
  • GOST R 59607-2021 광학 및 포토닉스 반도체 광검출기 광전자 및 수광 장치 광전자 매개변수 측정 및 특성 결정 방법

British Standards Institution (BSI), 반도체 광전자공학

  • BS EN 62007-2:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS IEC 60747-5-4:2022 반도체 장치-광전자 장치 반도체 레이저
  • BS EN 62007-1:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성
  • BS EN 62007-1:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • BS EN 62007-1:2015 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 광섬유 시스템 응용 분야용 반도체 광전자 장치의 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿

SE-SIS, 반도체 광전자공학

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 광전자공학

  • IEC 62007-2:1997 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • IEC 62007-2:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 62007-2/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법 수정 1
  • IEC 62007-1:1999 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성.
  • IEC 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • IEC 62007-1:1997 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성
  • IEC 62007-1/AMD1:1998 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성 수정 1
  • IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • IEC 62007-1:2015 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • IEC 62007-1:2008 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 수정 사항 1. 광섬유 시스템 응용을 위한 반도체 광전자 장치 파트 1: 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 반도체 광전자공학

  • EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • EN 120000:1996 일반 사양: 반도체 광전자 장치 및 액정 장치, EN 61747-1-1999로 대체됨
  • EN 62007-1:2015 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 광전자공학

  • EN 62007-2:2000 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법
  • EN 62007-1:2000 광섬유 시스템 응용을 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 정격 및 특성
  • EN 62007-1:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿

Association Francaise de Normalisation, 반도체 광전자공학

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 광전자공학

CZ-CSN, 반도체 광전자공학

  • CSN 35 8851-1987 반도체 광전자 장치. 매개변수 용어, 정의 및 문자 기호
  • CSN 35 8804-1985 반도체 광전자 장치는 장비에 널리 사용됩니다. 일반사양
  • CSN 35 8804 Za-1989 개정 가. 8/1989 체코 국가 표준 35 8804 * / ST SEV 3992-83 장비용 반도체 광전자 장치. 일반적인 기술 조건

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 광전자공학

  • GB/T 36358-2018 반도체 광전자소자 전력발광다이오드의 빈칸 상세사양

KR-KS, 반도체 광전자공학

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 광전자공학

  • GB/T 36359-2018 반도체 광전자소자용 저전력 발광다이오드의 빈칸 상세사양
  • GB/T 36360-2018 반도체 광전자소자용 전력발광다이오드의 빈칸 상세사양

Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 광전자공학

  • YD/T 2001.2-2011 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 2부: 테스트 방법
  • YD/T 2001.1-2009 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치 1부: 기본 특성 및 등급

Danish Standards Foundation, 반도체 광전자공학

  • DS/EN 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • DS/EN 62007-1:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿

German Institute for Standardization, 반도체 광전자공학

  • DIN EN 62007-2:2009-09 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 - 2부: 측정 방법
  • DIN EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치 파트 2: 측정 방법(IEC 62007-2-2009) 독일어 버전 EN 62007-2-2009

ES-UNE, 반도체 광전자공학

  • UNE-EN 62007-2:2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법
  • UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿
  • UNE-EN 62007-1:2015 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 1부: 기본 등급 및 특성에 대한 사양 템플릿

RO-ASRO, 반도체 광전자공학

  • STAS 12258/7-1987 광전자 반도체 장치. 태양광발전 용어 및 기본 특성
  • STAS 12258/3-1985 광전자 반도체 장치. 포토트랜지스터 용어 및 기본 특성
  • STAS 12258/2-1984 광전자 반도체 장치. 포토다이오드 용어 및 기본 특성

Lithuanian Standards Office , 반도체 광전자공학

  • LST EN 62007-2-2009 광섬유 시스템 응용 분야를 위한 반도체 광전자 장치 2부: 측정 방법(IEC 62007-2:2009)

International Organization for Standardization (ISO), 반도체 광전자공학

  • ISO 14605:2013 파인 세라믹(어드밴스드 세라믹, 어드밴스드 크래프트 세라믹) 실내 조명 환경을 위한 반도체 광전자 재료 광원 테스트




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