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Abdichtung von Halbleitergeräten

Für die Abdichtung von Halbleitergeräten gibt es insgesamt 500 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Abdichtung von Halbleitergeräten die folgenden Kategorien: Mechanische Komponenten für elektronische Geräte, Integrierte Luft- und Raumfahrzeuge, Diskrete Halbleitergeräte, Dichtungen, Dichtungsgeräte, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, medizinische Ausrüstung, Telekommunikationssystem, Integrierter Schiffbau und Offshore-Strukturen, Isoliermaterialien, technische Zeichnung, Luftqualität, Feuer bekämpfen, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Längen- und Winkelmessungen, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Rohrteile und Rohre, Verbrennungsmotoren für Straßenfahrzeuge, Telekommunikationsendgeräte, Optoelektronik, Lasergeräte, Kompressoren und pneumatische Maschinen, Akustik und akustische Messungen, Kältetechnik, Maschinensicherheit, Industrielles Automatisierungssystem, Elektrotechnik umfassend, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Kondensator, Halbleitermaterial, Rotierender Motor, Elektronische Anzeigegeräte, Wortschatz, Stahlprodukte, Komponenten elektrischer Geräte, Schaltgeräte und Controller, Kraftwerk umfassend, Elektronische Geräte, Gedruckte Schaltungen und Leiterplatten, Umfangreiche elektronische Komponenten, Übertragungs- und Verteilungsnetze, Umwelttests, Fluidkraftsystem, Gummi- und Kunststoffprodukte, Nichteisenmetallprodukte, Messung des Flüssigkeitsflusses, Automatisches Heimsteuergerät, Elektrische Geräte, die unter besonderen Arbeitsbedingungen verwendet werden, Ventil, Organisation und Führung von Unternehmen (Enterprises), Elektrische Geräte und Systeme für die Luft- und Raumfahrt, Fluidsysteme und Komponenten für die Luft- und Raumfahrt.


Group Standards of the People's Republic of China, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • T/CASME 929-2023 Technische Anforderungen an Präzisionsbauteile von Halbleitergeräten
  • T/ICMTIA CM0035-2023 Dichtung für eine Vorrichtung zur Verarbeitung von Halbleitersiliziummaterial
  • T/QGCML 1407-2023 Doppelhülsen-Dichtungsvorrichtung für die Halbleiter-Photovoltaik-Herstellung
  • T/IAWBS 019-2023 Geräte-Frontend-Modul
  • T/ZACA 041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
  • T/ZZB Q041-2022 Testausrüstung für Mixed-Signal-Halbleiterbauelemente
  • T/ZAMPCC 002-2023 Die automatischen Klebegeräte zur Wärmeleitung und luftdichten Abdichtung für Fahrzeugsteuerungen
  • T/ZAQ 10113-2022 Geräte zur intermittierenden Lebensdauerprüfung von Halbleiterbauelementen
  • T/ZZB Q063-2022 Geräte zur intermittierenden Lebensdauerprüfung von Halbleiterbauelementen
  • T/CZSBDTHYXH 001-2023 Waferfehler Automatische optische Inspektionsausrüstung
  • T/QGCML 744-2023 Spezifikation des chemischen Reinigungsprozesses für Teile von Halbleitergeräten
  • T/QGCML 743-2023 Spezifikationen für den Anodisierungsprozess von Halbleiterausrüstungsteilen
  • T/CSTA 0052-2023 Ultrahochreine Edelstahlstäbe für Halbleiterfertigungsanlagen
  • T/SSEA 0327-2023 Ultrahochreine Edelstahlstäbe für Halbleiterfertigungsanlagen
  • T/GSEE 0011-2023 Technische Spezifikationen für Halbleiterschaltanlagen für Hochspannungs-Wechselstromkreise
  • T/CEEIA 711-2023 Bewertung der Haltbarkeit von Dichtungsringen für gasisolierte Geräte in feuchter und heißer Umgebung
  • T/ZJATA 0017-2023 Epitaxieausrüstung für chemische Gasphasenabscheidung (CVD) zur Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitermaterialien
  • T/CES 007-2018 Leitfaden für die Lichtimpulsprüfung von gasisolierten Schaltanlagen mit Metallgehäuse vor Ort

SE-SIS, Abdichtung von Halbleitergeräten

Defense Logistics Agency, Abdichtung von Halbleitergeräten

CZ-CSN, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • CSN 35 8720 Cast.1-1987 Halbleiterbauelemente. Maße
  • CSN 35 8754-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung der Kurzschlussausgangsadmittanz
  • CSN 35 8756-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren Messung von y-Parametern
  • CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 8: Feldeffekttransistoren
  • CSN 35 8742-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung von Abschaltströmen
  • CSN 34 0415-1973 Schraubenlose Klemmen zum Anschluss von Kupferleitern
  • CSN IEC 92-304:1993 Elektroinstallationen auf Schiffen. Ausrüstung. Halbleiterwandler
  • CSN IEC 749:1994 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden
  • CSN 35 8759-1977 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Methoden zur Messung von Schaltzeiten
  • CSN 35 8737-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Differential-Rosistanoe
  • CSN IEC 748-1:1993 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 1: Allgemeines
  • CSN 35 8749-1973 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messung des Absolutwerts der Kurzschluss-Vorwärtsübertragungsadmittanz
  • CSN IEC 747-10:1994 Halbleiterbauelemente. Teil 10: Allgemeine Spezifikation für diskrete Geräte und integrierte Schaltkreise
  • CSN 35 8801-1979 Halbleiterbauelemente für weit verbreitete Geräte. Allgemeine Spezifikation.
  • CSN 35 8971 Cast.1-1984 Halbleiterbauelemente. Substrate für Masken und Masken. Nomenklatur und Definitionen
  • CSN 35 8731-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden Messung der Gleichstrom-Durchlassspannung
  • CSN 35 8763-1973 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung o? Sperrdurchbruchspannung
  • CSN 35 8761-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des fotoelektrischen Stroms
  • CSN 35 8762-1973 Halbleiterbauelemente. Fototransistoren Fotodioden. Messung des Dunkelstroms
  • CSN 35 8752-1976 Halbleiterbauelemente. Transistoren. Messmethoden für die gemeinsame Basis-Ausgangskapazität.
  • CSN 35 8785-1975 Halbleiterbauelemente. Varicaps. Messung des thermischen Kapazitätskoeffizienten.
  • CSN IEC 747-3-2:1991 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Reglerdioden. Abschnitt zwei. Vordruck für Bauartspezifikationen für Spannungsreglerdioden und Spannungsreferenzdioden, ausgenommen temperaturkompensierte Präzisionsreferenzdioden
  • CSN IEC 747-7:1994 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise. Teil 7: Bipolartransistoren
  • CSN IEC 748-3:1994 Halbleiterbauelemente. Integrierte Schaltkreise. Teil 3: Analoge integrierte Schaltkreise
  • CSN IEC 748-2:1994 Halbleiterbauelemente.Integrierte Schaltkreise.Teil 2:Digitale integrierte Schaltkreise
  • CSN IEC 748-4:1994 Halbleiterbauelemente.Integrierte Schaltkreise.Teil 4:Integrierte Schnittstellenschaltkreise
  • CSN 35 8733-1975 Halbleiterbauelemente. Dioden. Messung der Rückspannung (Arbeitsspannung)
  • CSN 35 8764-1976 Halbleitergeräte. Schaltdioden. Messung o? Reverse-Recovery-Zeit.
  • CSN 35 8765-1976 Halbleiterbauelemente. Schaltdioden. Messung der Reverse-Recovery-Gebühr.
  • CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 3: Signal- (einschließlich Schalt-) und Regeldioden
  • CSN 35 8797 Cast.1 IEC 747-1 Z2:1996 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte und integrierte Schaltkreise. Pari 1: Allgemein.
  • CSN 35 8804-1985 Optoelektronische Halbleitergeräte für weit verbreitete Geräte. Allgemeine Spezifikation
  • CSN 35 4102-1997 Niederspannungsschaltgeräte Teil 2: Halbleiterschütze (Halbleiterschütze)
  • CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte und integrierte Schaltkreise. Teil 2: Gleichrichterdioden
  • CSN 35 8746-1973 Halbleiterbauelemente. Transistor. Messung des Absolutwerts des Vorwärtsstromübertragungsverhältnisses und der Frequenzen fT, fh21b, fh21e
  • CSN 35 8745-1973 Halbleiterbauelemente. Transistor. Messung des Leerlauf-Sperrspannungsübertragungsverhältnisses und des Spannungskoeffizienten bei hohen Frequenzen

BE-NBN, Abdichtung von Halbleitergeräten

PL-PKN, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • PN E93602-1969 Metallische Trennverschraubungen für Leiter in elektrischen Anlagen auf Schiffen. Gehäuse
  • PN E93601-1969 Metallische Dichtungsverschraubungen für Leiter in elektrischen Anlagen auf Schiffen
  • PN E93607-1969 Metallische Dichtungsverschraubungen für Leiter in Elektroinstallationen an Schiffspackungen
  • PN T04901-1974 Mierowave-Ausrüstung Dichtungstest für Wellenleiterrohre
  • PN E93608-1969 Metallische Dichtungsverschraubungen für Leiter in Elektroinstallationen auf Schiffen. Stecker
  • PN E93606-1969 Melallic-Dichtungsdrüsen für Leiter in elektrischen Installationen auf Schiffen. Unterlegscheiben
  • PN T01208-01-1992 Halbleiterbauelemente, Bipolartransistoren, Terminologie und Buchstabensymbole
  • PN E93600-1969 Metallische Dichtungsverschraubungen für Leitungen in Elektroinstallationen in Rohren. Allgemeine Spezifikation
  • PN T01501 ArkusZ4-1973 Halbleiterdeyictj Buchstabensymbole von Feldeffekttransistoren-Parametern
  • PN M73091-1962 Hydraulische Antriebs- und Steuerausrüstung. Abmessungen von Gehäusen für Hydraulikdichtungen
  • PN T01201-1988 Halbleiterbauelemente Diskrete Bauelemente und integrierte Schaltkreise Teil: Allgemeine Übersetzung der Veröffentlichung IEC 747-1 (1983)

British Standards Institution (BSI), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • BS IEC 60747-14-3:2009 Halbleiterbauelemente – Halbleitersensoren – Drucksensoren
  • BS EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Versiegelung
  • BS EN 60747-15:2012 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Isolierte Leistungshalbleitergeräte
  • BS IEC 60747-5-13:2021 Halbleiterbauelemente. Optoelektronische Geräte. Schwefelwasserstoff-Korrosionstest für LED-Pakete
  • BS EN 60191-6-8:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP)
  • BS IEC 60747-8-4:2004 Diskrete Halbleiterbauelemente – Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) für Leistungsschaltanwendungen
  • BS IEC 60092-304:2002 Elektroinstallation auf Schiffen - Ausrüstung - Halbleiterwandler
  • BS EN 60747-2:2016 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Gleichrichterdioden
  • BS IEC 60092-304:2022 Elektroinstallationen auf Schiffen. Ausrüstung. Halbleiterwandler
  • BS EN 60204-33:2011 Sicherheit von Maschinen. Elektrische Ausrüstung von Maschinen. Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
  • BS EN 60191-6-22:2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Halbleitergehäuse Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silicon Fine-pitch
  • BS EN 60191-6-12:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designrichtlinien für Fine-Pitch Land Grid Array (FLGA)
  • BS IEC 62047-41:2021 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. HF-MEMS-Zirkulatoren und -Isolatoren
  • BS EN 60749-32:2003+A1:2010 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Entflammbarkeit von kunststoffummantelten Geräten (extern induziert)
  • 22/30430766 DC BS EN 60947-10. Niederspannungsschaltgeräte und -steuergeräte – Teil 10. Halbleiter-Leistungsschalter
  • BS EN IEC 62435-3:2020 Elektronische Bauteile. Langzeitspeicherung elektronischer Halbleiterbauelemente – Daten
  • BS EN 62435-1:2017 Elektronische Bauteile. Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente – Allgemeines
  • BS EN 60749-44:2016 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Mit Neutronenstrahlen bestrahltes Single-Event-Effect-Testverfahren (SEE) für Halbleiterbauelemente
  • BS EN 60191-6-1:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Design-Leitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
  • BS EN 62435-5:2017 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente. - Teil 5: Die- und Wafer-Geräte
  • BS EN 60191-6-2:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Konstruktionsleitfaden für Kugel- und Säulenanschlusspakete mit 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm Rastermaß
  • 19/30389766 DC BS IEC 60747-8 AMD1. Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Teil 8. Feldeffekttransistoren
  • BS EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
  • 18/30383448 DC BS EN 60947-4-3. Niederspannungsschaltanlagen und -steuergeräte. Teil 4-3. Schütze und Motorstarter. Halbleitersteuerungen und Halbleiterschütze für nichtmotorische Lasten
  • 18/30375223 DC BS EN 60947-4-3. Niederspannungsschaltanlagen und -steuergeräte. Teil 4-3. Schütze und Motorstarter. Halbleitersteuerungen und Halbleiterschütze für nichtmotorische Lasten
  • BS EN 60191-6-1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
  • BS EN 60191-6-5:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Fine-Pitchball Grid Array (FBGA)
  • BS EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Dünnschicht-Standardteststück für Zugversuche
  • BS EN 13604:2002 Kupfer und Kupferlegierungen – Produkte aus hochleitfähigem Kupfer für elektronische Röhren, Halbleiterbauelemente und Vakuumanwendungen
  • BS EN IEC 60749-10:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Mechanischer Schock. Gerät und Baugruppe
  • BS EN 60191-6-12:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsleitfaden für Fine-Pitch-Land-Grid-Array (FLGA) – rechteckiger Typ
  • BS EN 60749-30+A1:2006 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Geräte vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • BS EN 60749-30:2005+A1:2011 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Geräte vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • 18/30365373 DC BS IEC 60092-304 Ed.4.0. Elektroinstallationen auf Schiffen. Teil 304. Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • BS EN 331:1998 Handbetätigte Kugelhähne und unten geschlossene Kegelhähne für Gasinstallationen in Gebäuden
  • BS EN 60191-6-17:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Entwurfsleitfaden für gestapelte Pakete. Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Fine-Pitch-Land-Grid-Array (P-PF).
  • BS IEC 62047-40:2021 Halbleiterbauelemente. Mikroelektromechanische Geräte. Testmethoden für die Schwelle des mikroelektromechanischen Trägheitsstoßschalters
  • BS PD IEC/TS 62564-1:2016 Prozessmanagement für Avionik. Für die Luft- und Raumfahrt qualifizierte elektronische Komponenten (AQEC). Integrierte Schaltkreise und diskrete Halbleiter
  • BS DD IEC/TS 62564-1:2011 Prozessmanagement für Avionik. Für die Luft- und Raumfahrt qualifizierte elektronische Komponenten (AQEC). Integrierte Schaltkreise und diskrete Halbleiter
  • BS EN 60191-6-6:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen. Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen. Designleitfaden für Fine-Pitch-Land-Grid-Array (FLGA). Vorgeschlagene Änderung zur Terminologie
  • BS EN IEC 60749-28:2022 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Prüfung der Empfindlichkeit gegenüber elektrostatischer Entladung (ESD). Aufgeladenes Gerätemodell (CDM). Geräteebene
  • BS EN 60749-15:2011 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Beständigkeit gegenüber der montierten Löttemperatur für Durchgangslochbauelemente
  • BS EN 60749-15:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Beständigkeit gegenüber der Löttemperatur für durchkontaktierte Bauelemente
  • BS 6493-1.5:1992 Halbleiterbauelemente. Diskrete Geräte. Empfehlungen für optoelektronische Geräte. Abschnitt 5: Empfehlungen für optoelektronische Geräte
  • BS EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Testmethoden – Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Geräte vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • BS EN 60749-15:2010 Halbleiterbauelemente. Mechanische und klimatische Prüfmethoden. Beständigkeit gegen Löttemperatur für durchkontaktierte Geräte

YU-JUS, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • JUS N.A3.500-1980 Halbleiterbauelemente. Grafische Symbole
  • JUS N.E5.240-1991 Niederspannungssicherungen. Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen
  • JUS N.A5.772-1980 Grundlegende Umweltprüfverfahren für Geräte und deren Komponenten. Test Qc: Behälterversiegelung, Gasaustritt
  • JUS N.A5.774-1980 Grundlegende Umwelttestverfahren für Geräte und deren Komponenten. Test Qe: Behälterversiegelung, Eindringen von Flüssigkeit

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • GB/T 15872-1995 Stromversorgungsschnittstelle für Halbleitergeräte
  • GB/T 15872-2013 Stromversorgungsschnittstelle für Halbleitergeräte
  • GB/T 22193-2008 Elektrische Anlagen in Schiffen. Ausrüstung. Halbleiterwandler
  • GB/T 29845-2013 Leitfaden für Endmontage, Verpackung, Transport, Auspacken und Umzug von Halbleiterfertigungsanlagen
  • GB/T 13539.4-2016 Niederspannungssicherungen. Teil 4: Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen
  • GB/T 13539.4-2005 Niederspannungssicherungen Teil 4: Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen
  • GB/T 13539.4-2009 Niederspannungssicherungen. Teil 4: Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen
  • GB/T 24468-2009 Spezifikation zur Definition und Messung der Zuverlässigkeit, Verfügbarkeit und Wartbarkeit von Halbleitergeräten (RAM)

Professional Standard - Medicine, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • YY/T 0998-2015 Halbleiter-Heiz- und/oder Kühltherapiegeräte
  • YY 1289-2016 Lasertherapiegeräte Ophthalmologisches Diodenlaser-Photokoagulationsinstrument
  • YY 0845-2011 Lasertherapiegeräte. Diodenlasergeräte für die photodynamische Therapie

RO-ASRO, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • STAS 6360-1974 HALBLEITERMATERIALIEN UND -GERÄTE Terminologie
  • STAS 6988/3-1989 Kühlgeräte KÄLTEMITTEL SEMI-HERMET1C KOLBEN-MOTOKOMPRESSOREN Grundparameter
  • STAS 6693/2-1975 Halbleiterbauelemente TRANSISTOREN Methoden zur Messung elektrischer Eigenschaften
  • STAS 12258/5-1986 OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERGERÄTE ZEIGEN Terminologie und wesentliche Merkmale
  • STAS 7128/9-1980 HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Buchstabensymbole für Unijunction-Transistoren
  • STAS 12124/1-1982 Halbleiterbauelemente BIPOLARTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
  • STAS 7128/1-1985 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Allgemeine Regeln
  • STAS 7128/2-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE MIKROKREISE, Symbole für Bipolartransistoren
  • STAS 7128/6-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Symbole für Thyristoren
  • STAS 12258/4-1986 Optoelektronische Halbleiterbauelemente LEUCHTDIODEN Terminologie und Hauptmerkmale
  • STAS 7128/8-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Symbole für Feldeffekttransistoren
  • STAS 12124/3-1983 Halbleiterbauelemente FIFL D-EFFECT TRANZISTORS Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
  • STAS 12124/4-1983 Halbleiterbauelemente FELDEFFEKTRANZISTOREN Methoden zur Messung elektrischer statischer Parameter
  • STAS 7128/4-1971 HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Buchstabensymbole für Lunnel-Dioden
  • SR CEI 748-11-1-1992 Halbleiterbauelemente Integrierte Schaltkreise Teil 11: Abschnitt 1: Interne visuelle Prüfung für integrierte Halbleiterschaltkreise, ausgenommen Hybridschaltkreise
  • STAS 7128/5-1985 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE NIKROSCHALTER Symbole für Gleichrichterdioden
  • STAS 12123/4-1984 Halbleiterbauelemente VARIABLE-KAPAZITÄTS-DIODEN Messmethoden für elektrische Eigenschaften
  • STAS CEI 747-10-1992 Halbleiterbauelemente. Teil 10: Allgemeine Spezifikation für diskrete Geräte und integrierte Schaltkreise
  • STAS 7128/11-1985 T.ETTJ?R-SYMBOLE FÜR EMLEITERGERÄTE UND INTHGRIERTE SCHALTUNGEN Symbole für digitale integrierte Schaltungen
  • STAS 7128/10-1984 BUCHSTABEN-SIMBOLS FÜR HALBLEITERGERÄTE ANI) INTF.GHA- TED CIRCU1TS Sinibols für analoge integrierte Schaltkreise
  • STAS 7128/7-1986 BUCHSTABENSYMBOLE FÜR HALBLEITERGERÄTE UND INTEGRIERTE SCHALTUNGEN Symbole für variable Kapazitätsdioden und Mischerdioden

Professional Standard - Post and Telecommunication, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • YD 576-1992 Halbleitergleichrichterausrüstungen für die Telekommunikation
  • YD/T 940-1999 Halbleiterableiter für den Überspannungsschutz von Telekommunikationsanlagen
  • YD/T 682-1994 Qualitätsbewertungskriterien für Halbleiter-Gleichrichteranlagen für die Kommunikation

Danish Standards Foundation, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • DS/EN 60191-6-8:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP)
  • DS/EN 60749-30/A1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • DS/EN 60749-30:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • DS/EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse: Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silico
  • DS/EN 60749-8+Corr.2:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
  • DS/EN 62047-5:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 5: HF-MEMS-Schalter
  • DS/EN 62047-19:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 19: Elektronische Kompasse
  • DS/EN 62047-4:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 4: Fachgrundspezifikation für MEMS
  • DS/IEC 92-304:1994 Elektrische Anlagen auf Schiffen – Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • DS/IEC 747-12:1993 Halbleiterbauelemente. Teil 12: Rahmenspezifikation für optoelektronische Geräte
  • DS/EN 60191-6-18:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
  • DS/EN 60191-6-17:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-17: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsleitfaden für gestapelte Gehäuse – Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Fine-Pitch-Land-Gr
  • DS/EN 60204-33:2011 Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
  • DS/EN 60191-6-5:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Fine-Pitch-Ball Grid Array (FBGA)
  • DS/EN 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
  • DS/EN 60191-6-12:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsrichtlinien für Fine-Pitch-Land-Grid-Arrays (FLGA)
  • DS/EN 60191-6-6:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Fine Pitch Land Grid Array (FLGA)
  • DS/EN 60191-6-10:2004 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-10: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Abmessungen von P-VSON
  • DS/EN 60191-6-2/Corr.1:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Kugel- und Säulenanschlussgehäuse mit 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm Rastermaß
  • DS/EN 60191-6-2:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Kugel- und Säulenanschlussgehäuse mit 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm Rastermaß
  • DS/EN 60749-34:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
  • DS/EN 60191-6-1:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
  • DS/EN 62047-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 7: MEMS-BAW-Filter und Duplexer zur Hochfrequenzsteuerung und -auswahl

AENOR, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • UNE-EN 60191-6-8:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP).
  • UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • UNE-EN 60749-8:2004 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
  • UNE 21135-304:1993 ELEKTRISCHE ANLAGEN AUF SCHIFFEN. AUSRÜSTUNG. HALBLEITERKONVERTOREN
  • UNE 20700-11:1991 HALBLEITERBAUELEMENTE. TEIL 11: ABSCHNITTSPEZIFIKATION FÜR DISKRETE GERÄTE.
  • UNE-EN 60191-6-5:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Entwurfsleitfaden für Fine-Pitch-Ball-Grid-Arrays (FBGA).
  • UNE 21135-304:1993/1M:2010 Elektroinstallationen auf Schiffen. Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • UNE-EN 60191-6-6:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsleitfaden für Fine-Pitch-Land-Grid-Arrays (FLGA).
  • UNE-EN 60191-6-2:2003 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Kugel- und Säulenanschlussgehäuse mit 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm Rastermaß
  • UNE-EN 60191-6-1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen.
  • UNE-EN 60749-30:2005 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • JEDEC JESD30D-2006 Beschreibendes Bezeichnungssystem für Halbleiterbauelementpakete
  • JEDEC JESD30E-2008 Beschreibendes Bezeichnungssystem für Halbleiterbauelementpakete
  • JEDEC JEP104C.01-2003 Referenzhandbuch zu Buchstabensymbolen für Halbleiterbauelemente
  • JEDEC JESD31D-2010 Allgemeine Anforderungen für Händler von kommerziellen und militärischen Halbleiterbauelementen
  • JEDEC JESD31D.01-2012 Allgemeine Anforderungen für Händler von kommerziellen und militärischen Halbleiterbauelementen
  • JEDEC JESD57-1996 Testverfahren zur Messung von Einzelereigniseffekten in Halbleiterbauelementen durch Schwerionenbestrahlung
  • JEDEC JESD89A-2006 Messung und Berichterstattung von durch Alphateilchen und terrestrische kosmische Strahlung verursachten Soft Errors in Halbleiterbauelementen

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • NEMA RI 6-1959 ELEKTROCHEMISCHE VERARBEITUNGS-HALBLEITER-GLEICHRICHTER-ANLAGE

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • KS C IEC 60204-33-2010(2020) Sicherheitsrichtlinie für Halbleiterfertigungsgeräte
  • KS C IEC 62047-5:2015 Halbleiterbauelemente – MEMS-Bauelemente – Teil 5: HF-MEMS-Schalter
  • KS C IEC 60749-8:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 8: Versiegelung
  • KS C IEC 60749-8-2006(2021) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 8: Versiegelung
  • KS C IEC 60749-8-2006(2016) Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfmethoden – Teil 8: Versiegelung
  • KS V 8209-2007 Elektrische Anlagen auf Schiffen Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • KS C IEC 60119:2014 Empfehlungen für polykristalline Halbleiter-Gleichrichterstapel und -ausrüstungen
  • KS V 8209-1999(2004) Elektrische Anlagen auf Schiffen Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • KS C IEC 60092-304-2007(2012) Elektrische Anlagen auf Schiffen – Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • KS C IEC 60204-33:2010 Sicherheitsrichtlinie für Halbleiterfertigungsgeräte
  • KS C IEC 60749-31:2006 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
  • KS C IEC 60749-32:2006 Halbleiterbauelemente – mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse: Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silico
  • EN 62047-20:2014 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 20: Gyroskope
  • EN IEC 63244-1:2021 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte für die drahtlose Energieübertragung und das Laden – Teil 1: Allgemeine Anforderungen und Spezifikationen
  • EN 62047-5:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 5: HF-MEMS-Schalter
  • EN 62047-5:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 5: HF-MEMS-Schalter
  • EN 62047-19:2013 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 19: Elektronische Kompasse
  • EN 62779-2:2016 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für die Kommunikation mit dem menschlichen Körper – Teil 2: Charakterisierung der Schnittstellenleistung
  • EN 60191-6-8:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP)
  • EN 62047-4:2010 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 4: Fachgrundspezifikation für MEMS
  • EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
  • EN 60191-6-17:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-17: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsleitfaden für gestapelte Gehäuse – Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Fine-Pitch-Land-Gr
  • EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 8: Abdichtung
  • EN 62047-1:2016 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 1: Begriffe und Definitionen
  • FprEN IEC 60947-4-3:2020 Niederspannungsschaltgeräte und -steuergeräte – Teil 4-3: Schütze und Motorstarter – Halbleitersteuerungen und Halbleiterschütze für nichtmotorische Lasten
  • EN IEC 60749-10:2022 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe
  • EN 60191-6-20:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-20: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Messverfahren für Gehäuseabmessungen von J-Lead-Gehäusen mit kleinem Umriss (SOJ)
  • EN 60749-34:2010 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 34: Leistungswechsel
  • EN 60191-6-2:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Konstruktionsleitfaden für Kugel- und Säulenanschlusspakete mit 1,50 mm, 1,27 mm und 1,00 mm Rastermaß
  • EN 62047-1:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente Teil 1: Begriffe und Definitionen
  • EN 120000:1996 Allgemeine Spezifikation: Optoelektronische Halbleiter- und Flüssigkristallgeräte (bleibt aktuell)
  • EN 62047-7:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 7: MEMS-BAW-Filter und Duplexer zur Hochfrequenzsteuerung und -auswahl
  • EN 60749-32:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert) (Enthält Änderung A1: 2010)
  • EN 60749-31:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induziert)
  • EN 60191-6-1:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen
  • EN 60191-6-5:2001 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Fine-Pitch-Ball Grid Array (FBGA)

Association of German Mechanical Engineers, Abdichtung von Halbleitergeräten

American National Standards Institute （ANSI), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • ANSI/NFPA 318-2011 Standard zum Schutz von Halbleiterfertigungsanlagen
  • ANSI/EIA 401:1973 Dielektrische Papier-, Papier-/Folienkondensatoren für Leistungshalbleiteranwendungen
  • ANSI/ASME MFC-8M-2001 Flüssigkeitsfluss in geschlossenen Leitungen – Verbindungen zur Drucksignalübertragung zwischen Primär- und Sekundärgeräten

IN-BIS, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • IS 3136-1965 Gerätespezifikation für polykristalline Halbleitergleichrichter
  • IS 6619-1972 Sicherheitsspezifikationen für Halbleiter-Gleichrichtergeräte
  • IS 5000 OC.5-1969 Abmessungen des Gehäuses für Halbleiterausrüstung OC5
  • IS 5000 OC.3-1969 Abmessungen des Gehäuses für Halbleiterausrüstung OC3
  • IS 5000 OC.1-1969 Abmessungen des Gehäuses für Halbleiterausrüstung OC1
  • IS 4540-1968 Spezifikation für monokristalline Halbleiter-Gleichrichterkomponenten und -geräte

Association Francaise de Normalisation, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • NF C96-022-8*NF EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
  • NF EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Dichtheit
  • NF EN 62779-1:2016 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für die Kommunikation über den menschlichen Körper – Teil 1: Allgemeine Anforderungen
  • NF C63-244-1*NF EN IEC 63244-1:2021 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte für die drahtlose Energieübertragung und das Laden – Teil 1: Allgemeine Anforderungen und Spezifikationen
  • NF S61-704:1966 Feuerlöschausrüstung. Selbstdichtende symmetrische Halbkupplungen, Größen 40 und 65.
  • NF S61-705:1966 Feuerlöschausrüstung. Selbstdichtende symmetrische Halbkupplungen, Größe 100. Typ AR.
  • NF C96-779-2*NF EN 62779-2:2016 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für die Kommunikation mit dem menschlichen Körper – Teil 2: Charakterisierung der Schnittstellenleistung
  • NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 Halbleiterbauelemente – Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler
  • NF S31-123:1986 Akustik. Lärm, der von Kühlgeräten mit hermetischen und zugänglichen hermetischen Kompressoren abgegeben wird. Testcode zur Messung der Schallleistung.
  • NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 Halbleiterbauelemente – Diskrete Bauelemente – Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler
  • NF C96-013-6-8*NF EN 60191-6-8:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP)
  • NF C96-013-6*NF EN 60191-6:2011 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen
  • NF C96-022-30/A1*NF EN 60749-30/A1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • NF EN 62779-3:2016 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für die Kommunikation über den menschlichen Körper – Teil 3: Funktionstyp und seine Einsatzbedingungen
  • NF EN 60204-33:2012 Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Halbleiterfertigungsanlagen
  • NF EN 60191-6-12:2012 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designrichtlinien für...
  • NF C79-130-33*NF EN 60204-33:2012 Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung.
  • NF EN 60191-6-22:2013 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Matrixgehäuse...
  • NF EN 60191-6-1:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Pinbelegungsgehäuse...
  • NF EN 60191-6-2:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-2: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Pinbelegungsgehäuse...
  • NF EN 60191-6-17:2012 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-17: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für gestapelte Gehäuse ...
  • NF C96-022-15*NF EN 60749-15:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 15: Beständigkeit gegenüber Löttemperaturen für durchkontaktierte Bauelemente.
  • NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 Halbleiterbauelemente – Halbleiterschnittstelle für Kraftfahrzeuge – Teil 3: Stoßgetriebene piezoelektrische Energiegewinnung für Kraftfahrzeugsensoren
  • NF C96-435-6*NF EN IEC 62435-6:2018 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente – Teil 6: verpackte oder fertige Bauelemente
  • NF EN 60191-6-5:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-5: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Matrixgehäuse...
  • NF EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für Matrixgehäuse...
  • NF C96-013-6-22*NF EN 60191-6-22:2013 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse aus Silizium, Fine-Pitch-Ball-Grid-Array und Silicium
  • NF C96-013-6-18*NF EN 60191-6-18:2010 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
  • NF EN 60191-6-8:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Designleitfaden für flache Quad-Gehäuse...
  • NF C96-022-32/A1*NF EN 60749-32/A1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 32: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (extern induziert)
  • NF C47-734:1993 Automatische elektrische Steuerungen für den Hausgebrauch und ähnliche Zwecke. Teil 2: Besondere Anforderungen an thermische Motorschutzvorrichtungen für Motorkompressoren hermetischer und halbhermetischer Bauart.
  • NF C96-022-31*NF EN 60749-31:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 31: Entflammbarkeit von kunststoffgekapselten Bauelementen (intern induzierte)
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 3: Dünnfilm-Standardteststück für Zugversuche
  • NF EN IEC 60749-30:2020 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Komponenten vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • NF C96-013-6-1*NF EN 60191-6-1:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementen – Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen.

International Electrotechnical Commission (IEC), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • IEC 60749-8:2002/COR2:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
  • IEC 60749-8:2002/COR1:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
  • IEC 60749-8:2002 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung
  • IEC 63244-1:2021 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte für die drahtlose Energieübertragung und das Laden – Teil 1: Allgemeine Anforderungen und Spezifikationen
  • IEC 60191-6-8:2001 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-8: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Designleitfaden für glasversiegelte Keramik-Quad-Flatpacks (G-QFP)
  • IEC 60747-5-6:2016 Halbleiterbauelemente – Teil 5-6: Optoelektronische Bauelemente – Leuchtdioden
  • IEC 60747-5-6:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 5-6: Optoelektronische Bauelemente – Leuchtdioden
  • IEC 60749-30:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • IEC 60092-304:1980 Elektroinstallationen auf Schiffen. Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • IEC 60747-5-7:2016 Halbleiterbauelemente – Teil 5-7: Optoelektronische Bauelemente – Fotodioden und Fototransistoren
  • IEC 60749-30:2005/AMD1:2011 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung
  • IEC 60092-304:2022 Elektrische Anlagen auf Schiffen – Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • IEC 60119:1960 Empfehlung für polykristalline Halbleiter-Gleichrichterstapel und -geräte
  • IEC 60204-33:2009 Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
  • IEC 60092-304/AMD1:1980 Elektrische Anlagen auf Schiffen Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler (Ausgabe 3.0)
  • IEC 60092-304:1980/AMD1:1995 Elektrische Anlagen auf Schiffen - Teil 304: Ausrüstung - Halbleiterwandler; Änderung 1
  • IEC 60191-6-18:2010/COR1:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
  • IEC 60947-4-3:2020 Niederspannungsschaltgeräte und -steuergeräte – Teil 4-3: Schütze und Motorstarter – Halbleitersteuerungen und Halbleiterschütze für nichtmotorische Lasten
  • IEC 60191-6-22:2012 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-22: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Halbleitergehäuse: Silicon Fine-pitch Ball Grid Array und Silico
  • IEC 62435-5:2017 Elektronische Komponenten – Langzeitlagerung elektronischer Halbleiterbauelemente – Teil 5: Die- und Waferbauelemente
  • IEC 60158-2:1982 Niederspannungsschaltgeräte. Teil 2: Halbleiterschütze (Halbleiterschütze)
  • IEC 60269-4:2006 Niederspannungssicherungen – Teil 4: Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen
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  • DIN EN 60749-8:2003 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 8: Abdichtung (IEC 60749-8:2002 + Corr. 1:2003 + Corr. 2:2003); Deutsche Fassung EN 60749-8:2003
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  • DIN EN 60191-6-1:2002 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-1: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen; Konstruktionsleitfaden für Gull-Wing-Anschlussklemmen (IEC 60191-6-1:2001); Deutsche Fassung EN 60191
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  • JIS F 8067:1986 Elektrische Anlagen auf Schiffen Teil 304 Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • JIS F 8067:2000 Elektrische Anlagen auf Schiffen – Teil 304: Ausrüstung – Halbleiterwandler
  • JIS B 9960-33:2012 Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
  • JIS B 2409:2002 Hydraulikflüssigkeitstechnik – Dichtungsgeräte – Standardtestmethoden zur Beurteilung der Leistung von Dichtungen, die in ölhydraulischen Kolbenanwendungen verwendet werden

AT-ON, Abdichtung von Halbleitergeräten

AT-OVE/ON, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • OVE EN IEC 63244-1:2020 Halbleitergeräte – Halbleitergeräte für die drahtlose Energieübertragung und das Laden – Teil 1: Allgemeine Anforderungen und Spezifikationen (IEC 47/2653/CDV) (englische Version)
  • OVE EN IEC 60747-5-5:2021 Halbleiterbauelemente – Teil 5-5: Optoelektronische Bauelemente – Fotokoppler ((IEC 60747-5-5:2020) EN IEC 60747-5-5:2020) (deutsche Fassung)
  • OVE EN IEC 60749-10:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 10: Mechanischer Schock – Gerät und Unterbaugruppe (IEC 47/2692/CDV) (englische Version)

RU-GOST R, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • GOST R IEC 748-11-1-2001 Integrierte Schaltkreise für Halbleiterbauelemente. Teil 11. Abschnitt 1. Interne visuelle Prüfung für integrierte Halbleiterschaltungen, ausgenommen Hybridschaltungen
  • GOST 31196.4-2012 Niederspannungs-Sicherungseinsätze. Teil 4. Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen
  • GOST 14343-1969 Halbleiterdioden der Typen D 223, D 223a, D 223B für weit verbreitete Geräte

Professional Standard - Machinery, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • JB/T 4219-1999 Typenbezeichnung von Messgeräten für Leistungshalbleiterbauelemente
  • JB/T 8453-1996 Halbleiterwandler – Teil 5: Schalter für unterbrechungsfreie Stromversorgungsanlagen (USV-Schalter)
  • JB/T 50129-1999 Richtlinien für die Prüfung der Produktqualitätsklassifizierung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen über 72,5 kV

Professional Standard - Electricity, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • DL/T 728-2013 Wählen Sie eine Anleitung für gasisolierte Schaltanlagen mit Metallgehäuse
  • DL/T 311-2010 Leitfaden für die Wartung von AC 1100 kV GIS/HGIS
  • DL/T 728-2000 Technischer Leitfaden für die Bestellung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen
  • DL/T 1688-2017 Richtlinien zur Zustandsbewertung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen
  • DL/T 1689-2017 Richtlinien zur Zustandserhaltung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen
  • DL/T 1300-2013 Leitfaden zur Impulsprüfung von gasisolierten Schaltanlagen mit Metallgehäuse vor Ort
  • DL/T 555-2004 Leitfaden zur Spannungsfestigkeits- und Isolationsprüfung von gasisolierten Schaltanlagen mit Metallgehäuse vor Ort
  • DL/T 555-1994 Leitfaden zur Spannungsfestigkeits- und Isolationsprüfung von gasisolierten Schaltanlagen mit Metallgehäuse vor Ort

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • EN 60191-6-18:2010 Mechanische Normung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementgehäusen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA)
  • EN 60204-33:2011 Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
  • EN 60191-6-12:2011 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Entwurfsrichtlinien für Fine-Pitch-Land-Grid-Arrays (FLGA)
  • EN 60191-6-12:2002 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen Teil 6-12: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen, Designleitfaden für den rechteckigen Fine-Pitch-Land-Grid-Array-Typ (FLGA).

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • GB/T 36646-2018 Ausrüstung zur Herstellung von Nitrid-Halbleitermaterialien durch Hydrid-Dampfphasenepitaxie
  • GB/T 11023-2018 Prüfverfahren zur SF6-Gasdichtheit für Hochspannungsschaltanlagen

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., Abdichtung von Halbleitergeräten

  • NAS4118-1996 Kühlkörper@ Elektrische-Elektronische Komponente@ Halbleitergeräte@ Typ mit Halteklammer

American Society for Testing and Materials (ASTM), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • ASTM E431-96(2016) Standardhandbuch zur Interpretation von Röntgenbildern von Halbleitern und verwandten Geräten

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • ICEA T-32-645-1993 Feststellung der Kompatibilität versiegelter Leiterfüllstoffe mit leitenden Spannungskontrollmaterialien

Professional Standard - Energy, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • NB/T 11071-2023 Prüfrichtlinien für 1kV-52kV AC fest isolierte gekapselte Schaltanlagen und Steueranlagen

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • GB/T 5226.33-2017 Elektrische Sicherheit von Maschinen – Elektrische Ausrüstung von Maschinen – Teil 33: Anforderungen an Ausrüstung für die Halbleiterfertigung
  • GB/T 36005-2018 Messmethoden zur optischen Strahlungssicherheit für Halbleiterbeleuchtungsgeräte und -systeme

PT-IPQ, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • NP 2626-521-2001 Internationales elektrotechnisches Vokabular Kapitel 521: Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise

国家药监局, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • YY/T 1751-2020 Laserbehandlungsgeräte, Halbleiter-Laser-Intranasale-Bestrahlungstherapie-Instrument

UNKNOWN, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • Q／GDW 447-2010 Richtlinien zur Zustandserhaltung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen
  • Q/GDW 447-2010 Richtlinien zur Zustandserhaltung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen

CN-QIYE, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • Q/GDW 448-2010 Richtlinien zur Zustandsbewertung von gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen
  • Q/GDW 199-2008 Richtlinien für die Bautechnik von 1000-kV-gasisolierten metallgekapselten Schaltanlagen

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • JJF 1895-2021 Kalibrierungsspezifikation für Gleichstrom- und Niederfrequenzparameter-Testgeräte für Halbleiterbauelemente

SAE - SAE International, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • SAE EIA-4900-2016 Verwendung von Halbleiterbauelementen außerhalb der vom Hersteller angegebenen Temperaturbereiche

European Committee for Standardization (CEN), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • EN 13604:2002 Kupfer und Kupferlegierungen – Produkte aus hochleitfähigem Kupfer für elektronische Röhren, Halbleiterbauelemente und Vakuumanwendungen
  • EN 13604:2013 Kupfer und Kupferlegierungen – Halbleitergeräte, Elektronik- und Vakuumprodukte aus hochleitfähigem Kupfer

TH-TISI, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • TIS 2114-2002 Niederspannungssicherungen.Teil 4: Ergänzende Anforderungen an Sicherungseinsätze zum Schutz von Halbleiterbauelementen

U.S. Military Regulations and Norms, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,01 Hz BIS 15,0 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 450 kHz BIS 100 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNGS-CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,05 MHz BIS 10 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO), 500 KHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,0 MHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, HOCHGESCHWINDIGKEITS-CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 1,544 MHz BIS 125 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, FORTGESCHRITTENES CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 0,75 MHz BIS 200 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, RECHTECKWELLE, FORTGESCHRITTENES CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 500 KHz BIS 85 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO)), 500 KHz BIS 150 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNGS-CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO), 500 KHz BIS 150 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNGS-CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO), 1 MHz BIS 133 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNG 2,5 V CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO), 1 MHz BIS 100 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNG 1,8 V CMOS
  • ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 OSZILLATOR, KRISTALLGESTEUERT, TYP 1 (KRISTALLOSZILLATOR (XO), 1 MHz BIS 133 MHz, HERMETISCHE DICHTUNG, NIEDERSPANNUNG 2,5 V CMOS

GOSTR, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • GOST R 59023.6-2020 Schweißen und Auftragen von Ausrüstung und Rohrleitungen von Kernkraftwerken. Auftragen von Dicht- und Führungsflächen

American Society of Mechanical Engineers (ASME), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • ASME MFC-8M-2001 Flüssigkeitsfluss in geschlossenen Leitungen: Verbindungen für die Drucksignalübertragung zwischen Primär- und Sekundärgeräten

FI-SFS, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • SFS 3331-1976 Platzierung von Druckbehältern, Verbesserung und Nutzung der Ausrüstung. Versiegelte Flüssigkeitskesselausrüstung. Die Temperatur überschreitet 120℃ nicht
  • SFS 3332-1976 Platzierung von Druckbehältern, Verbesserung und Nutzung der Ausrüstung. Versiegelte Flüssigkeitskesselausrüstung. Die Temperatur überschreitet 120℃ nicht. Maximale Leistung 120 kW

IEC - International Electrotechnical Commission, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • PAS 62240-2001 Verwendung von Halbleiterbauelementen außerhalb der vom Hersteller angegebenen Temperaturbereiche (Edition 1.0)
  • PAS 60191-6-18-2008 Mechanische Standardisierung von Halbleiterbauelementen – Teil 6-18: Allgemeine Regeln für die Erstellung von Umrisszeichnungen von oberflächenmontierten Halbleiterbauelementpaketen – Designleitfaden für Ball Grid Array (BGA) (Ausgabe 1.0)

International Telecommunication Union (ITU), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • ITU-T K.150-2020 Informationen zu Halbleiterbauelementen, die für den Entwurf von Telekommunikationsgeräten unter Anwendung weicher Fehlerminderungsmaßnahmen erforderlich sind

Professional Standard - Electron, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • SJ/T 11820-2022 Technische Anforderungen und Messmethoden für DC-Parameter-Testgeräte für diskrete Halbleiterbauelemente

Society of Automotive Engineers (SAE), Abdichtung von Halbleitergeräten

  • SAE AS85720/1-1998 Fittings, Rohre, Flüssigkeitssysteme, trennbar, Hochdruck, dynamische Strahlabdichtung, Designstandard für männliches Ende FSC 4730

Japan Electronics and Information Technology Industries Association, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • EIAJ RC-2372-1997 Prüfverfahren zur Dichtungsleistung von Aluminium-Elektrolytkondensatoren mit nichtfestem Elektrolyten zur Verwendung in elektronischen Geräten

PH-BPS, Abdichtung von Halbleitergeräten

  • PNS IEC 60749-30:2021 Halbleiterbauelemente – Mechanische und klimatische Prüfverfahren – Teil 30: Vorkonditionierung nicht hermetischer oberflächenmontierter Bauelemente vor der Zuverlässigkeitsprüfung

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