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半導体装置の封止

半導体装置の封止は全部で 500 項標準に関連している。

半導体装置の封止 国際標準分類において、これらの分類：電子機器用機械部品、 航空機と宇宙船の統合、 半導体ディスクリートデバイス、 シール、密封装置、 電子および通信機器用の電気機械部品、 医療機器、 通信システム、 造船と海洋構造物の一体化、 断熱材、 製図、 空気の質、 消防、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 長さと角度の測定、 整流器、コンバータ、安定化電源、 パイプ部品とパイプ、 道路車両用内燃機関、 電気通信端末装置、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 コンプレッサーおよび空気圧機械、 音響および音響測定、 冷凍技術、 機械の安全性、 産業用オートメーションシステム、 電気工学総合、 電気、磁気、電気および磁気測定、 コンデンサ、 半導体材料、 回転モーター、 電子表示装置、 語彙、 鉄鋼製品、 電気機器部品、 開閉装置とコントローラー、 発電所総合、 電子機器、 プリント回路およびプリント回路基板、 総合電子部品、 送配電網、 環境試験、 流体動力システム、 ゴム・プラスチック製品、 非鉄金属製品、 流体の流れの測定、 家庭用自動制御装置、 特殊な作業条件下で使用される電気機器、 バルブ、 会社（エンタープライズ）の組織と経営、 航空宇宙用電気機器およびシステム、 航空宇宙用の流体システムおよびコンポーネント。


Group Standards of the People's Republic of China, 半導体装置の封止

SE-SIS, 半導体装置の封止

Defense Logistics Agency, 半導体装置の封止

  • DLA MIL-DTL-19491 H-2002 半導体装置の梱包
  • DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 半導体装置、トランジスタ、タイプ 2N389 および 2N424 (ネイビー)
  • DLA SMD-5962-87641-1988 シリコンモノリシックラッチデバイス、入力シール、バイポーラ金属酸化物半導体技術8ビット、リニアマイクロ回路
  • DLA DSCC-DWG-85006 REV E-2008 1.0アンペア、60ボルトDC、相補型金属酸化膜半導体入力を備えた光学的に絶縁された密閉型ソリッドステートリレー
  • DLA MIL-PRF-19500/610 E VALID NOTICE 1-2008 半導体デバイス、ハーメチック、ダイオード、シリコン、ショットキーバリア、タイプ 1N6677-1 および 1N6677UR-1、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/610 E (1)-2012 半導体デバイス、シール、ダイオード、シリコン、ショットキーバリア、タイプ 1N6677-1 および 1N6677UR-1、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/620 H-2011 半導体デバイス、シール、ダイオード、シリコン、整流器、ショットキーバリア、タイプ 1N5822、1N5822US、1N6864、1N6864US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/586 J-2009 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキーバリア、ハーメチック、タイプ 1N5819-1、1N5819UR-1、1N6761-1 および 1N6761UR-1、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/586 J-2008 半導体デバイス、ダイオード、シリコン、ショットキーバリア、ハーメチック、タイプ 1N5819-1、1N5819UR-1、1N6761-1 および 1N6761UR-1、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC および JANKC
  • DLA SMD-5962-86864-1988 プログラマブル ロジック デバイス 相補型金属酸化膜半導体 消去可能なデジタルマイクロ回路

CZ-CSN, 半導体装置の封止

  • CSN 35 8720 Cast.1-1987 半導体装置。 サイズ
  • CSN 35 8754-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡出力アドミッタンス測定
  • CSN 35 8756-1973 半導体装置。 トランジスタのYパラメータの測定
  • CSN 35 8797 Cast.8 IEC 747-8 ZA1+A2:1996 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 8: 電界効果トランジスタ
  • CSN 35 8742-1973 半導体装置。 トランジスタ。 遮断電流の測定
  • CSN 34 0415-1973 半導体接続用スクリューレス端子装置
  • CSN IEC 92-304:1993 船舶の電気設備。 装置。 半導体コンバータ
  • CSN IEC 749:1994 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
  • CSN 35 8759-1977 半導体装置。 トランジスタ。 スイッチング時間の測定方法
  • CSN 35 8737-1975 半導体装置。 ダイオード。 微分抵抗の測定
  • CSN IEC 748-1:1993 半導体装置。 集積回路。 パート 1: 一般規定
  • CSN 35 8749-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡順方向伝達アドミッタンスの絶対値の測定
  • CSN IEC 747-10:1994 半導体装置。 パート 10: ディスクリートデバイスおよび集積回路の一般仕様
  • CSN 35 8801-1979 広く使われている機器用の半導体デバイス。 一般仕様
  • CSN 35 8971 Cast.1-1984 半導体装置。 マスクベースとマスクの名前と定義
  • CSN 35 8731-1975 半導体装置。 ダイオード。 直流順電圧の測定
  • CSN 35 8763-1973 半導体装置。 ダイオード。 逆耐電圧の測定
  • CSN 35 8761-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 光電流測定
  • CSN 35 8762-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 暗電流測定
  • CSN 35 8752-1976 半導体装置。 トランジスタ。 ベース接地出力容量の測定方法
  • CSN 35 8785-1975 半導体装置。 バラクタダイオード。 熱容量係数の測定
  • CSN IEC 747-3-2:1991 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 3: 信号 (スイッチを含む) とツェナー ダイオード
  • CSN IEC 747-7:1994 半導体ディスクリート機器および集積回路。 パート 7: バイポーラ トランジスタ
  • CSN IEC 748-3:1994 半導体装置。 集積回路。 パート 3: アナログ集積回路
  • CSN IEC 748-2:1994 半導体装置。 集積回路。 パート 2: デジタル集積回路
  • CSN IEC 748-4:1994 半導体装置。 集積回路。 パート 4: インターフェース集積回路
  • CSN 35 8733-1975 半導体装置。 ダイオード。 逆電圧（動作電圧）の測定
  • CSN 35 8764-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復時間の測定。
  • CSN 35 8765-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復電荷の測定
  • CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 3: 信号 (スイッチを含む) とレギュレーター ダイオード
  • CSN 35 8797 Cast.1 IEC 747-1 Z2:1996 半導体装置。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 1: 一般規定
  • CSN 35 8804-1985 半導体光電子デバイスは機器に広く使用されています。 一般仕様
  • CSN 35 4102-1997 低電圧制御装置。 パート 2: 半導体コンタクタ (ソリッド ステート コンタクタ)
  • CSN 35 8797 Cast.2 IEC 747-2:1990 半導体装置。 ディスクリートデバイスと集積回路。 パート 2: 整流ダイオード
  • CSN 35 8746-1973 半導体装置。 トランジスタ。 順電流伝達率の絶対値と周波数fT、fh21b、fh21eの測定
  • CSN 35 8745-1973 半導体装置。 トランジスタ。 高周波における開放逆電圧伝達率と時間係数の測定

BE-NBN, 半導体装置の封止

PL-PKN, 半導体装置の封止

  • PN E93602-1969 船上電気機器の導体用の金属シールグランド。 船上電気機器の導体用金属グランドハウジング
  • PN E93601-1969 船上電気機器の導体用金属グランド
  • PN E93607-1969 船上電気機器の導体用金属グランド
  • PN T04901-1974 電子レンジ設備。 導波管の密閉試験
  • PN E93608-1969 船上電気機器の導体用金属密封グランドプラグ
  • PN E93606-1969 船上電気機器の導体用の金属シールグランド。 船舶用電気機器。 ガスケットプレート
  • PN T01208-01-1992 半導体装置。 バイポーラトランジスタ。 用語とアルファベット記号
  • PN E93600-1969 船上電気機器の導体用の金属シールグランド。 一般的な仕様とテスト
  • PN T01501 ArkusZ4-1973 半導体装置。 電界効果トランジスタパラメータのアルファベット記号
  • PN M73091-1962 油圧駆動および制御装置。 液体密閉ハウジングの寸法
  • PN T01201-1988 半導体デバイスを分離します。 機器集積回路セクション: Publication 747-1 (1983) の一般翻訳

British Standards Institution (BSI), 半導体装置の封止

  • BS IEC 60747-14-3:2009 半導体装置、半導体センサー、圧力センサー
  • BS EN 60749-8:2003 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、シーリング
  • BS EN 60747-15:2012 半導体装置、ディスクリートデバイス、絶縁型パワー半導体デバイス
  • BS IEC 60747-5-13:2021 半導体デバイス・光電子機器・LEDパッケージの硫化水素腐食試験
  • BS EN 60191-6-8:2001 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガラス封止セラミッククワッドフラットパッケージ（G-QFP）の設計ガイドライン
  • BS IEC 60747-8-4:2004 半導体ディスクリートデバイス、パワースイッチング機器用金属酸化物半導体電界効果トランジスタ
  • BS IEC 60092-304:2002 船上電気設備および機器 - 半導体コンバータ
  • BS EN 60747-2:2016 半導体デバイス ディスクリート機器 整流ダイオード
  • BS IEC 60092-304:2022 船舶電気機器用半導体コンバータ
  • BS EN 60204-33:2011 機械の安全性 機械の電気設備 半導体製造装置の要求事項
  • BS EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成に関する通則 シリコン・ファインピッチ・ボール・グリッド・アレイおよびシリコン・ファインピッチ・グリッド・アレイ半導体パッケージ（S-FBGAおよびS-FLGA）の設計ガイドライン
  • BS EN 60191-6-12:2011 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成のための一般仕様 ファインピッチゲートアレイ（FLGA）の設計ガイドライン
  • BS IEC 62047-41:2021 半導体デバイス マイクロ電気機械装置 RFMEMS サーキュレータおよびアイソレータ
  • BS EN 60749-32:2003+A1:2010 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導)
  • 22/30430766 DC BS EN 60947-10 低電圧開閉装置および制御装置パート 10: 半導体サーキットブレーカー
  • BS EN IEC 62435-3:2020 電子部品、電子半導体装置のデータの長期保存
  • BS EN 62435-1:2017 電子部品・電子半導体装置の長期保管の概要
  • BS EN 60749-44:2016 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 半導体デバイスの中性子線照射によるシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
  • BS EN 60191-6-1:2001 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド
  • BS EN 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
  • BS EN 60191-6-2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1.50mm、1.27mm、1.00mmピッチのボールおよびポスト端子パッケージの設計ガイドライン
  • 19/30389766 DC BS IEC 60747-8 AMD1 半導体デバイス ディスクリート機器 パート 8: 電界効果トランジスタ
  • BS EN 60191-6-18:2010 半導体装置の機械的標準化 フラットマウント型半導体デバイス筐体の外形図作図一般規則 ボールグリッドアレイ（BGA）の設計ガイドライン
  • 18/30383448 DC BS EN 60947-4-3 低電圧開閉装置および制御装置 パート 4-3 コンタクタおよびモータスタータ 非モータ負荷用の半導体コントローラおよび半導体コンタクタ
  • 18/30375223 DC BS EN 60947-4-3 低電圧開閉装置および制御装置 パート 4-3 コンタクタおよびモータスタータ 非モータ負荷用の半導体コントローラおよび半導体コンタクタ
  • BS EN 62047-3:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械装置、引張試験用フィルム標準試験片
  • BS EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的規格化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図通則 ガルウイングリード端子の設計ガイドライン
  • BS EN 60191-6-5:2001 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ファインピッチボールグリッドアレイ（FBGA）デザインガイド
  • BS EN 13604:2002 銅および銅合金 電子管、半導体デバイス、真空機器などに使用される高導電銅製品
  • BS EN IEC 60749-10:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 機械的衝撃装置およびアセンブリ
  • BS EN 60191-6-12:2002 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスパッケージのパターン描画に関する一般規則 ファインピッチゲートアレイ（FLGA）のデザインルール 長方形
  • BS EN 60749-30+A1:2006 半導体デバイスの機械的および耐気候性の試験方法 非密閉型表面実装機器の信頼性試験前の事前調整。
  • BS EN 60749-30:2005+A1:2011 半導体デバイス 機械的および耐気候性の試験方法 非密閉型表面実装機器の信頼性試験前のプレコンディショニング
  • 18/30365373 DC BS IEC 60092-304 Ed.4.0 船舶電気設備パート 304: 機器の半導体コンバータ
  • BS EN 331:1998 建築ガス供給設備用の手動ボールバルブおよび密閉型ボトムコーンプラグバルブ
  • BS EN 60191-6-17:2011 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図通則 スタックドパッケージの設計ガイドライン ファインピッチボールグリッドアレイとファインピッチレクタングルグリッドアレイ（P-PFBGA、PPFLGA）
  • BS IEC 62047-40:2021 半導体デバイス微小電気機械装置微小電気機械慣性衝撃スイッチング閾値試験方法
  • BS PD IEC/TS 62564-1:2016 航空電子機器のプロセス管理、航空宇宙認定電子機器 (AQEC)、集積回路およびディスクリート半導体
  • BS DD IEC/TS 62564-1:2011 航空電子機器のプロセス管理、航空宇宙認定電子機器 (AQEC)、集積回路およびディスクリート半導体
  • BS EN 60191-6-6:2001 半導体デバイスの機械的標準化 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ファインピッチフラットグリッドアレイ（FLGA）設計ガイドラインの用語改訂案
  • BS EN IEC 60749-28:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 デバイス帯電モデル (CDM) デバイス レベル
  • BS EN 60749-15:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - スルーホール実装機器のはんだ付け温度に対する耐性
  • BS EN 60749-15:2003 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 スルーホール実装機器のはんだ付け温度に対する耐性
  • BS 6493-1.5:1992 半導体デバイス、ディスクリート機器、光電子デバイスの推奨事項 セクション 5: 光電子デバイスの推奨事項
  • BS EN IEC 60749-30:2020 信頼性試験の前に非ハーメチック表面実装デバイスを事前調整するための半導体デバイスの機械的および気候的試験方法
  • BS EN 60749-15:2010 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、スルーマウント機器のはんだ付け温度耐性

YU-JUS, 半導体装置の封止

  • JUS N.A3.500-1980 半導体装置。 グラフィックシンボル
  • JUS N.E5.240-1991 低電圧ヒューズ。 半導体装置を保護するヒューズに関する補足要件
  • JUS N.A5.772-1980 機器およびコンポーネントの基本的な環境試験手順。 テストQc: シールが簡単。 ガス漏れ。
  • JUS N.A5.774-1980 機器およびコンポーネントの基本的な環境試験手順。 試験Qe: 容器の密封、液体の浸透

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体装置の封止

  • GB/T 15872-1995 半導体装置の電源インターフェース
  • GB/T 15872-2013 半導体装置の電源インターフェース
  • GB/T 22193-2008 船舶電気機器用半導体コンバータ
  • GB/T 29845-2013 半導体製造装置の最終組み立て、梱包、輸送、開梱、設置に関するガイドライン
  • GB/T 13539.4-2016 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • GB/T 13539.4-2005 低電圧ヒューズ パート 4; 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • GB/T 13539.4-2009 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • GB/T 24468-2009 半導体装置の信頼性、可用性、保守性（RAM）の定義と測定仕様

Professional Standard - Medicine, 半導体装置の封止

  • YY/T 0998-2015 半導体加熱冷却処理装置
  • YY 1289-2016 レーザー治療装置 眼科用半導体レーザー光凝固装置
  • YY 0845-2011 レーザー治療装置 半導体レーザー光線力学治療器

RO-ASRO, 半導体装置の封止

  • STAS 6360-1974 半導体材料および装置。 用語
  • STAS 6988/3-1989 冷凍設備。 半密閉型ピストンエアコンプレッサー。 基本パラメータ
  • STAS 6693/2-1975 半導体装置。 トランジスタ。 電子性能試験方法
  • STAS 12258/5-1986 オプトエレクトロニクス半導体。 装備品の展示。 用語と基本的な特徴
  • STAS 7128/9-1980 半導体装置および集積回路。 ユニジャンクショントランジスタのパラメータ記号
  • STAS 12124/1-1982 半導体装置。 バイポーラトランジスタ。 静電気パラメータの測定方法
  • STAS 7128/1-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 一般的なルール
  • STAS 7128/2-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バイポーラトランジスタのシンボル
  • STAS 7128/6-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 サイリスタの記号
  • STAS 12258/4-1986 光電子半導体装置。 発光ダイオードの用語と主な特徴
  • STAS 7128/8-1986 半導体デバイスや集積回路のアルファベット記号。 電界効果トランジスタのシンボル
  • STAS 12124/3-1983 半導体装置。 電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
  • STAS 12124/4-1983 半導体装置。 電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
  • STAS 7128/4-1971 半導体装置および集積回路。 トンネルダイオードのテキストシンボル
  • SR CEI 748-11-1-1992 半導体装置。 集積回路。 第11部：その1：ハイブリッド回路以外の半導体集積回路の内部外観検査
  • STAS 7128/5-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 整流ダイオードの記号
  • STAS 12123/4-1984 半導体デバイス用可変容量ダイオードの電気的特性の測定方法
  • STAS CEI 747-10-1992 半導体デバイス。 パート 10: ディスクリートデバイスおよび集積回路の一般仕様
  • STAS 7128/11-1985 半導体デバイスおよび集積回路のテキスト シンボル。 デジタル集積回路のシンボル
  • STAS 7128/10-1984 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 アナログ集積回路パラメータのシンボル
  • STAS 7128/7-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バラクタおよびミキサ ダイオードの記号

Professional Standard - Post and Telecommunication, 半導体装置の封止

Danish Standards Foundation, 半導体装置の封止

  • DS/EN 60191-6-8:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-8 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ガラス封止セラミック クワッド フラット パッケージ (G-QFP) デザイン ガイド
  • DS/EN 60749-30/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
  • DS/EN 60749-30:2005 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
  • DS/EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 半導体パッケージ設計ガイドライン シリコン ファインピッチ ボール グリッド アレイおよびシリコ
  • DS/EN 60749-8+Corr.2:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 8 部: 封止
  • DS/EN 62047-5:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • DS/EN 62047-19:2013 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 19: 電子コンパス
  • DS/EN 62047-4:2010 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 4: MEMS 一般仕様
  • DS/IEC 92-304:1994 船舶への電気機器の設置。 パート304: 装備。 半導体コンバータ
  • DS/IEC 747-12:1993 半導体デバイス。 パート 12: 光電子機器の仕様
  • DS/EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) デザイン ガイド
  • DS/EN 60204-33:2011 機械の安全性 機械および電気機器パート 33: 半導体製造装置の要件
  • DS/EN 60191-6-17:2011 半導体デバイスの機械的標準化パート 6-17: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図の作成に関する通則 ファインピッチ ボール グリッド アレイおよびファイン ピッチ パッドのスタック パッケージ設計ガイドライン
  • DS/EN 60191-6-5:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-5 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ファインピッチ ボール グリッド アレイ (FBGA) デザイン ガイド
  • DS/EN 62047-9:2011 半導体デバイス用微小電気機械デバイス 第9回 MEMSのウェハ間接合強度の測定
  • DS/EN 60191-6-12:2011 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-12 部: 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ファインピッチランドグリッドアレイ (FLGA) デザインガイド
  • DS/EN 60191-6-6:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6 部-6: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 ファインピッチランドグリッドアレイ (FLGA) デザインガイド
  • DS/EN 60191-6-10:2004 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-10 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 P-VSON の寸法
  • DS/EN 60191-6-2/Corr.1:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-2 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1,50 mm、1,27 mm、1,00 mm ピッチのボール端子および円筒端子パッケージの設計ガイドライン
  • DS/EN 60191-6-2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-2 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1,50 mm、1,27 mm、1,00 mm ピッチのボール端子および円筒端子パッケージの設計ガイドライン
  • DS/EN 60749-34:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
  • DS/EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-1部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド
  • DS/EN 62047-7:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 7: 無線周波数制御と選択のための MEMS BAW フィルタとデュプレクサ
  • DS/EN 60269-4:2010 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • DS/EN 60269-4/A1:2012 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件

AENOR, 半導体装置の封止

  • UNE-EN 60191-6-8:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-8 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ガラス封止セラミック クワッド フラット パッケージ (G-QFP) デザイン ガイド
  • UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
  • UNE-EN 60749-8:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 8 部: 封止
  • UNE 21135-304:1993 船舶電気機器用半導体コンバータ
  • UNE 20700-11:1991 半導体装置パート 11: ディスクリートデバイスの部分仕様
  • UNE-EN 60191-6-5:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-5 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成に関する一般規則 ファインピッチ ボール グリッド アレイ (FBGA) デザイン ガイド
  • UNE 21135-304:1993/1M:2010 船舶の電気設備 パート 304: 機器の半導体コンバータ
  • UNE-EN 60191-6-6:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-6 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成に関する通則 ファインピッチランドグリッドアレイ（FLGA）デザインガイド
  • UNE-EN 60191-6-2:2003 半導体デバイスの機械的標準化 第6-2部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1.50mm、1.27mm、1.00mmピッチのボール端子および円筒端子パッケージの設計ガイドライン
  • UNE-EN 60191-6-1:2002 半導体デバイス機械標準化編 第6-1部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド
  • UNE-EN 60749-30:2005 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング
  • UNE-EN 60269-4:2011/A2:2017 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体装置の封止

  • JEDEC JESD30D-2006 半導体デバイス実装用記述設計システム
  • JEDEC JESD30E-2008 半導体装置包装表示法
  • JEDEC JEP104C.01-2003 半導体装置のアルファベット記号リファレンスガイド
  • JEDEC JESD31D-2010 商業用および軍用半導体装置の販売業者に対する一般要件
  • JEDEC JESD31D.01-2012 商業用および軍用半導体装置の販売業者に対する一般要件
  • JEDEC JESD57-1996 重イオン放射線に曝露された半導体デバイスのシングルイベント効果測定のテスト手順
  • JEDEC JESD89A-2006 アルファ粒子と地球宇宙光の測定と送信は、半導体デバイスの軽微なエラーにつながります

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, 半導体装置の封止

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体装置の封止

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体装置の封止

  • EN IEC 60749-30:2020 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
  • EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 半導体パッケージ設計ガイドライン シリコン ファインピッチ ボール グリッド アレイおよびシリコ
  • EN 62047-20:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 20 部: ジャイロスコープ
  • EN 62047-5:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • EN 62047-5:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 5: RF MEMS スイッチ
  • EN 62047-19:2013 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 19: 電子コンパス
  • EN IEC 63244-1:2021 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用の半導体装置 パート 1: 一般要件と仕様
  • EN 62779-2:2016 半導体デバイス - 人体通信用の半導体インターフェース パート 2: インターフェース性能の特性評価
  • EN 60191-6-8:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ガラス封止セラミック角フラットパッケージの設計ガイドライン IEC 60191-6-8-2001
  • EN 62047-4:2010 半導体装置 - 微小電気機械装置 - パート 4: MEMS 一般仕様
  • EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 車載半導体インターフェイス パート 3: 車載センサー向けの衝撃駆動型圧電エナジーハーベスティング
  • EN 60191-6-17:2011 半導体デバイスの機械的標準化パート 6-17: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図の作成に関する通則 ファインピッチ ボール グリッド アレイおよびファイン ピッチ パッドのスタック パッケージ設計ガイドライン
  • EN 60749-8:2003 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、パート 8: シーリング IEC 60749-8-2002 + Corrigendum-2003
  • EN 62047-1:2016 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 1: 用語と定義
  • FprEN IEC 60947-4-3:2020 低圧開閉装置および制御装置 パート 4-3: コンタクタおよびモータスタータ 非モータ負荷用の半導体コントローラおよび半導体コンタクタ
  • EN IEC 60749-10:2022 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント
  • EN 60191-6-20:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-20部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図通則 スタックドパッケージの設計ガイドライン 小外形Jリードパッケージ(SOJ)のパッケージサイズ測定法
  • EN 60749-34:2010 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
  • EN 60191-6-2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-2部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 1.5mm、1.27mm、1.00mm樹脂ボール・リード端子パッケージの設計指針
  • EN 62047-1:2006 半導体デバイス、微小電気機械装置、パート 1: 用語と定義 IEC 62047-1:2005
  • EN 120000:1996 一般仕様: 半導体光電子デバイスおよび液晶デバイス; EN 61747-1-1999 に置き換えられます。
  • EN 62047-7:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 7: 無線周波数制御と選択のための MEMS BAW フィルタとデュプレクサ
  • EN 60749-32:2003 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘起) IEC 60749-32-2002
  • EN 60749-31:2003 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、パート 31: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (内部原因) IEC 60749-31-2002
  • EN 60191-6-1:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第6-1部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作図通則 ガルウイングリード端子の設計ガイドライン IEC 60191-6-1-2001
  • EN 60191-6-5:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-5 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する一般規則 小ピッチボールグリッドアレイの設計ガイドライン IEC 60191-6-5-2001
  • EN 60269-4:2009/A2:2016 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件
  • EN 60269-4:2009 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件

Association of German Mechanical Engineers, 半導体装置の封止

American National Standards Institute （ANSI), 半導体装置の封止

  • ANSI/NFPA 318-2011 半導体製造装置の保護基準
  • ANSI/EIA 401:1973 パワー半導体デバイス用の紙誘電体コンデンサおよび紙/フィルム誘電体コンデンサ
  • ANSI/ASME MFC-8M-2001 密閉チューブ内の流体の流れ 一次装置と二次装置間の圧力信号伝送用コネクタ

IN-BIS, 半導体装置の封止

Association Francaise de Normalisation, 半導体装置の封止

  • NF C96-022-8*NF EN 60749-8:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 8 部: 封止
  • NF EN 60749-8:2003 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 8: シーリング
  • NF EN 62779-1:2016 半導体デバイス - 人体を介した通信のための半導体インターフェース - パート 1: 一般要件
  • NF C63-244-1*NF EN IEC 63244-1:2021 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用の半導体装置 パート 1: 一般要件と仕様
  • NF S61-704:1966 消防設備 セルフシール対称ハーフジョイント サイズ 40 および 65
  • NF S61-705:1966 消防設備 ARサイズ100形のセルフシール対称ハーフジョイント
  • NF C96-779-2*NF EN 62779-2:2016 半導体デバイス - 人体通信用の半導体インターフェース パート 2: インターフェース性能の特性評価
  • NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 半導体装置パート5-5: 光電子機器オプトカプラ
  • NF S31-123:1986 音響 密閉型および半密閉型コンプレッサーを備えた冷凍装置からの騒音 音響パワー測定のテスト規則。
  • NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 半導体装置 個別装置 第5-5部：光電子機器用フォトカプラ
  • NF C96-013-6-8*NF EN 60191-6-8:2002 半導体デバイスの機械的標準化パート 6-8: 半導体デバイスのパッケージング用表面実装回路図の作成に関する一般規則 ガラス封止セラミック象限 (G-QFP) の設計ガイドライン
  • NF C96-013-6*NF EN 60191-6:2011 半導体装置の機械的規格 第6部 表面実装型半導体装置のパッケージの外形図作成に関する通則
  • NF C96-022-30/A1*NF EN 60749-30/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング
  • NF EN 62779-3:2016 半導体デバイス - 人体を介した通信のための半導体インターフェース - 第 3 部: 機能の種類と使用条件
  • NF EN 60204-33:2012 機械の安全性 - 機械用電気機器 - 第 33 部：半導体製造装置に対する要求事項
  • NF EN 60191-6-12:2012 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-12: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図の作成に関する一般規則 - 設計ガイド...
  • NF C79-130-33*NF EN 60204-33:2012 機械の安全性 - 機械の電気設備 - 第 33 部: 半導体製造装置の要求事項。
  • NF EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - マトリックス パッケージ設計ガイド...
  • NF EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-1 部：表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - リードパッケージ設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-2 部：表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - リードパッケージ設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-17:2012 半導体デバイスの機械的標準化 - パート 6-17: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - スタック型パッケージ設計ガイド...
  • NF C96-022-15*NF EN 60749-15:2011 半導体デバイス、機械的および環境試験方法、パート 15: リードインパッケージデバイスのはんだ付け温度に対する耐性。
  • NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 半導体デバイス 自動車用半導体インターフェイス パート 3: 自動車センサー向けの衝撃駆動型圧電エネルギーハーベスティング
  • NF C96-435-6*NF EN IEC 62435-6:2018 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 6: 梱包または完成した機器
  • NF EN 60191-6-5:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-5 部: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - マトリックスパッケージの設計ガイドライン...
  • NF EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-18 部: 表面実装用半導体デバイスの外形図作成に関する通則 - マトリクスパッケージの設計ガイドライン...
  • NF C96-013-6-22*NF EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第6-22部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 半導体パッケージの設計ガイドライン シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンファインピッチ基板グリッドアレイ（SFBGAおよびS-FLGA）
  • NF C96-013-6-18*NF EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図に関する通則 ボール グリッド アレイ (BGA) の設計ガイドライン
  • NF EN 60191-6-8:2002 半導体デバイスの機械的標準化 - 第 6-8 部: 表面実装型半導体デバイスの外形図作成に関する一般規則 - クワッド フラット パッケージの設計ガイドライン...
  • NF C96-022-32/A1*NF EN 60749-32/A1:2011 半導体デバイスの機械的及び気候的試験方法 第32部：プラスチック封止デバイスの可燃性（外部誘導）
  • NF C47-734:1993 家庭用および同様の目的のための自動電気制御装置 - パート 2: 密閉型および半密閉型電動コンプレッサー用のサーマルモーター保護装置の特定の要件
  • NF C96-022-31*NF EN 60749-31:2003 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 31 部：プラスチック封止デバイスの可燃性（内部原因）
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 半導体デバイス・微小電気機械装置 第3部 引張試験用フィルム標準試験片
  • NF EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装コンポーネントのプレコンディショニング
  • NF C96-013-6-1*NF EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-1: 半導体デバイスのパッケージング用表面実装スケッチの作成に関する一般規則 ガルウィング リード端子の設計ガイドライン
  • NF C60-200-4/A2*NF EN 60269-4/A2:2017 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護に使用されるヒューズの補足要件

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体装置の封止

  • IEC 60749-8:2002/COR2:2003 半導体デバイス、機械的および環境的試験方法、パート 8: シーリング
  • IEC 60749-8:2002/COR1:2003 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 8: シーリング
  • IEC 60749-8:2002 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 8: シーリング
  • IEC 63244-1:2021 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用の半導体装置 パート 1: 一般要件と仕様
  • IEC 60191-6-8:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-8 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図通則 ガラス封止セラミッククワッドフラットパッケージ（G-QFP）の設計ガイドライン
  • IEC 60747-5-6:2016 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
  • IEC 60747-5-6:2021 半導体装置、パート 5-6: オプトエレクトロニクス装置、発光ダイオード
  • IEC 60749-30:2011 半導体デバイスの機械的および環境的試験 パート 30: 非気密表面実装機器の信頼性試験前のプレコンディショニング
  • IEC 60092-304:1980 船舶電気設備 パート 304: 機器の半導体コンバータ
  • IEC 60747-5-7:2016 半導体装置、パート 5-7: オプトエレクトロニクス装置、フォトダイオードおよびフォトトランジスタ
  • IEC 60749-30:2005/AMD1:2011 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
  • IEC 60092-304:2022 船舶電気設備 パート 304: 機器の半導体コンバータ
  • IEC 60119:1960 多結晶半導体整流器スタックおよび装置の推奨規格
  • IEC 60204-33:2009 機械の安全性、機械の電気機器、パート 33: 半導体製造装置の要件
  • IEC 60092-304/AMD1:1980 船舶電気設備パート 304: 機器半導体コンバーターの修正 1
  • IEC 60092-304:1980/AMD1:1995 船舶電気設備パート 304: 機器半導体コンバーターの修正 1
  • IEC 60191-6-18:2010/COR1:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 ボールゲートアレイパッケージ(BGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60947-4-3:2020 低電圧開閉装置および制御装置 パート 4-3 コンタクタおよびモータスタータ 半導体非モータ負荷用の半導体コントローラおよびコンタクタ
  • IEC 60191-6-22:2012 半導体デバイスの機械的標準化 第6-22部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 シリコンファインピッチボールアレイおよびシリコンファインピッチグリッドアレイ半導体パッケージ(S-FBGAおよびS-FLGA)の設計ガイドライン
  • IEC 62435-5:2017 電子部品 電子半導体装置の長期保管 パート 5: ダイおよびウェーハ装置
  • IEC 60158-2:1982 低電圧制御機器 その2：半導体コンタクタ（ソリッドステートコンタクタ）
  • IEC 60269-4:2006 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • IEC 62435-4:2018 電子部品 電子半導体装置の長期保管 その4: 保管
  • IEC 60191-6-20:2010 半導体デバイスの機械的規格化 第6-20部 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 小外形Jリードパッケージ(SOJ)のパッケージ寸法仕様の測定方法
  • IEC 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-18部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 ボールグリッドアレイ(BGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60191-6-18:2010/COR2:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ボールグリッドアレイ(BGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60749-32:2002 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導)
  • IEC 60749-32:2010 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘導)
  • IEC 60749-31:2002 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 31: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (内部誘導)
  • IEC 60191-6-2:2001/COR1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-2部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1.5mm、1.27mm、1.00mmのスモールピッチボールおよびシリンドリカルエンドパッケージの設計ガイドライン
  • IEC 60191-6-2:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-2 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 1.5mm、1.27mm、1.00mm のスモールピッチボールおよびシリンドリカルエンドパッケージの設計ガイドライン
  • IEC 60749-32:2002/COR1:2003 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 32: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (外部誘起)
  • IEC 60749-31:2002/COR1:2003 半導体デバイス 機械的および気候試験方法 パート 31: プラスチック密閉デバイスの可燃性 (内部原因)
  • IEC 60191-6-1:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-1 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図通則 ガルウィングピン配置の設計ガイドライン
  • IEC 60079-13:2010 爆発性ガス雰囲気 パート 13: 密閉された加圧空間用の「P」型保護装置
  • IEC 62435-2:2017 電子部品 電子半導体デバイスの長期保管 その2 劣化のメカニズム
  • IEC 60269-4:2012 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置保護用ヒューズの補足要件
  • IEC 60191-6-12:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-12部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 小ピッチゲートマトリクスコラムの設計ガイドライン
  • IEC PAS 60191-6-18:2008 半導体デバイスの機械的標準化 第6-18部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図通則 ボールグリッドアレイ(BGA)の設計ガイドライン
  • IEC 60269-4/AMD2:2002 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクに関する補足要件 修正 2
  • IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV 半導体デバイス ディスクリートデバイス パート 5-5 光電子デバイス機器 - フォトカプラ
  • IEC 60747-11:1985/AMD2:1996 修正 2 - 半導体デバイス ディスクリート機器パート 11 セグメント化されたディスクリート デバイス仕様
  • IEC 60191-6-5:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-5 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 スモールピッチボールグリッドアレイ（FBGA）の設計ガイドライン
  • IEC 62047-3:2006 半導体デバイス、微小電気機械装置、その3：引張試験用薄膜標準試験片
  • IEC 60749-30:2005+AMD1:2011 CSV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング。
  • IEC 60749-30:2020 RLV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング。
  • IEC 60191-6-6:2001 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-6 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図に関する通則 スモールピッチランドスケープグリッドアレイ（FLAG）の設計ガイドライン

German Institute for Standardization, 半導体装置の封止

  • DIN EN 60749-8:2003-12 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 8 部: 封止
  • DIN EN 60749-8:2003 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 8: シーリング
  • DIN 8905-1:1983 密閉型および半密閉型コンプレッサーを備えた冷凍装置用パイプ 外径 54mm 以下 技術納品条件
  • DIN EN 60191-6-22:2013-08 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-22 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンの半導体パッケージ設計ガイドライン
  • DIN 41752:1982 静止型電力変換器、半導体整流装置、定格コード
  • DIN EN 60191-6-8:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-8部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 ガラス封止セラミッククアッドフラットパッケージ（G-GFP）（G-QFP）の設計ガイドライン（IEC 60191） -6- 8:2001); ドイツ語版 EN 60191-6-8:2001
  • DIN EN 60749-29:2012 半導体装置、機械的および気候試験方法、パート 29: 封じ込め試験 (IEC 60749-29-2011)、ドイツ語版 EN 60749-29-2011
  • DIN EN 60191-6-18:2010-08 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ デザイン ガイド
  • DIN EN 62047-20:2015 半導体装置 微小電気機械装置 パート 20: ジャイロスコープ (IEC 62047-20:2014)、ドイツ語版 EN 62047-20:2014
  • DIN EN 60269-4:2008 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件
  • DIN 41751:1977 静止型電力コンバータ、半導体コンバータのコンポーネントおよび装置、冷却方法
  • DIN EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第6-22部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形作成に関する通則 シリコン・ファインピッチ・ボール・グリッド・アレイおよびシリコン・ファインピッチ・グリッド・アレイ半導体パッケージ（S-FBGAおよびS-FBGA）の設計ガイドラインFLGA) (IEC 60191-6-22-2012)、ドイツ語版 EN 60191-6-22-2013
  • DIN EN 60191-6-17:2011-09 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-17 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 スタック型パッケージの設計ガイドライン ファインピッチボールグリッドアレイおよびファインピッチパッド
  • DIN EN 60191-6-12:2011-12 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-12 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 ファインピッチランドグリッドアレイ設計ガイド
  • DIN EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-1部 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作図通則 ガルウイングリード端子の設計指針
  • DIN EN 60191-6-2:2002 半導体デバイスの機械的標準化 第6-2部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1.5mm、1.27mm、1.00mmボール・ピラー端子パッケージの設計ガイドライン (IEC 60191-6-2:2001) ); ドイツ語版 EN 60191-6-2:2002
  • DIN 41772 Beiblatt 2:1979-02 静止型電力コンバータ、半導体整流デバイス、バッテリと並列動作する場合のデバイス特性曲線の例
  • DIN EN 60749-30:2011 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング (IEC 60749-30-2005+A1-2011)、ドイツ語版 EN 60749-30-2005+A1-2011
  • DIN EN 60191-6-12:2011 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-12: 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する一般規則 ファインピッチゲートアレイ (FLGA) の設計ガイドライン (IEC 60191-6-12-2011) ドイツ
  • DIN 41777:1986 静止型電力変換器、鉛蓄電池のトリクル充電用半導体整流装置
  • DIN 41772:1979 静止型電力変換器、半導体整流装置、特徴的な曲線形状と文字記号
  • DIN EN IEC 60747-5-5:2021 半導体機器パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)、ドイツ語版 EN IEC 60747-5-5:2020
  • DIN 41772 Bb.2:1979 静止型電力コンバータ、半導体整流デバイス、バッテリと並列動作する整流デバイスの特性曲線の例
  • DIN EN 62047-3:2007 半導体デバイス、微小電気機械装置、その3：引張試験用フィルム標準試験片
  • DIN 41772:1979-02 静止型電力変換器、半導体整流装置、特性曲線の形状と文字記号
  • DIN 41772 Beiblatt 1:1979-02 静止型電力コンバータ、半導体整流装置、バッテリ充電器の特性曲線の例
  • DIN 41772 Bb.1:1979 静止型電力変換器、半導体整流装置、充電器の特性曲線例
  • DIN EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化、パート 6-18: 表面実装半導体デバイス パッケージの外形図に関する一般規則、ボール ゲート アレイ パッケージ (BGA) の設計ガイドライン (IEC 60191-6-18-2010 + Cor.-2010 )、ドイツ語バージョン EN 60191-6-18-2010
  • DIN EN IEC 60749-30:2023-02 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング

Lithuanian Standards Office , 半導体装置の封止

  • LST EN 60191-6-22-2013 半導体デバイス機械標準化パート 6-22: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 半導体パッケージの設計ガイドライン シリコンファインピッチボールグリッドアレイとシリコン
  • LST EN 60191-6-8-2002 半導体デバイスの機械的標準化パート 6-8: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ガラス封止セラミック クワッド フラット パッケージ (G-QFP) 設計ガイド (IEC 60191-6-8:2001)
  • LST EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング (IEC 60749-30:2020)
  • LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417:2010)
  • LST EN 62047-5-2011 半導体装置 微小電気機械装置 パート 5: RF MEMS スイッチ (IEC 62047-5:2011)
  • LST EN 62047-1-2006 半導体装置 微小電気機械装置 パート 1: 用語と定義 (IEC 62047-1:2005)
  • LST EN 60749-8-2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 8: シーリング (IEC 60749-8:2002 + 修正 2003)
  • LST EN IEC 60747-5-5:2020 半導体装置パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ (IEC 60747-5-5:2020)
  • LST EN 60191-6-18-2010 半導体デバイスの機械的標準化パート 6-18: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図の作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) 設計ガイド (IEC 60191-6-18:2010)
  • LST EN 60191-6-2-2003 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-2 部：表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 1.50 mm、1.27 mm、1.00 mm ピッチのボールおよびポスト端子パッケージの設計ガイドライン (I)
  • LST EN 60191-6-1-2003 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-1 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 ガルウイングリード端子設計ガイド（IEC 60191-6-1:2001）
  • LST EN 60191-6-4-2003 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-4 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 ボール グリッド アレイ (BGA) パッケージの寸法測定方法 (IEC 60191-6-4:2003)
  • LST EN 60191-6-5-2002 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-5: 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する一般規則 ファイン ピッチ ボール グリッド アレイ (FBGA) 設計のガイドライン (IEC 60191-6-5:2001)
  • LST EN 60191-6-10-2004 半導体デバイスの機械的規格化 第6-10部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則 P-VSONの寸法（IEC 60191-6-10:2003）
  • LST EN 60191-6-6-2002 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-6: 表面実装型半導体デバイスのパッケージの外形図作成に関する一般規則 ファイン ピッチ プレーナ グリッド アレイ (FLGA) 設計のガイドライン (IEC 60191-6-6:2001)
  • LST EN 60191-6-17-2011 半導体デバイス機械標準化パート 6-17: 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する一般規則 スタック型パッケージの設計ガイドライン ファインピッチボールグリッドアレイおよびファインピッチパッドg
  • LST EN 60749-31-2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 31: プラスチックパッケージデバイスの可燃性 (内部誘起) (IEC 60749-31:2002)
  • LST EN 60204-33-2011 機械の安全性 機械および電気機器パート 33: 半導体製造装置の要件 (IEC 60204-33:2009、改訂)
  • LST EN IEC 60749-15:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 15: スルーホール実装デバイスのはんだ付け温度耐性 (IEC 60749-15:2020)
  • LST EN 60747-16-3-2003/A1-2009 半導体機器パート 16-3: マイクロ波集積回路周波数変換器 (IEC 60747-16-3:2002/A1:2009)
  • LST EN 60191-6-12-2011 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-12: 表面実装半導体デバイス パッケージの外形図作成に関する一般規則 ファイン ピッチ ランド グリッド アレイ (FLGA) 設計ガイド (IEC 60191-6-12:2011)

Aerospace Industries Association, 半導体装置の封止

  • AIA NAS 4123-1995 デュアルインラインパッケージ（DIP）ヒートシンク、電気・電子部品、半導体装置
  • AIA NAS 4118-1996 ヒートシンク、電気・電子部品、半導体装置、保持クリップタイプ

工业和信息化部, 半導体装置の封止

  • SJ/T 11762-2020 半導体装置の製造情報ラベルの要件
  • SJ/T 11763-2020 半導体製造装置用マンマシンインターフェース仕様書
  • SJ/T 11761-2020 200mm以下のウエハ用半導体製造装置のロードポート仕様

CH-SNV, 半導体装置の封止

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 半導体装置の封止

  • PQC 82-1989 電子機器用半導体：サブ仕様：ハイブリッド回路を除く半導体集積回路

国家质量监督检验检疫总局, 半導体装置の封止

  • SN/T 3480.4-2016 輸入エレクトロニクスおよび電気産業向けの機器一式の検査に関する技術要件 パート 4: 半導体パッケージングおよび試験機器

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体装置の封止

  • IEEE 216-1960 ソリッドステート機器規格: 半導体用語の定義

HU-MSZT, 半導体装置の封止

  • MNOSZ 25280-1955 ミルクダクト、機器、シールの技術要件と評価

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 半導体装置の封止

BELST, 半導体装置の封止

  • STB 2340-2013 半導体装置用冷却ラジエーターの一般仕様
  • STB 2365-2014 半導体装置の冷却用ラジエーターの計算方法

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体装置の封止

  • IEEE Std 216-1960 IRE Solid State Equipment Standard: 半導体用語の定義
  • IEEE 216*61 IRE 28 S1 ソリッドステートデバイスに関する IEEE 規格: 半導体用語の定義 1960
  • IEEE Std 1687-2014 半導体デバイスの組み込み機器のアクセスと制御に関する IEEE 標準
  • IEEE 1687-2014 半導体デバイスに組み込まれた機器の取得と制御 (IEEE Computer Society)
  • IEEE Std C62.37/COR-2009 半導体サイリスタダイオード衝撃保護装置の試験仕様書、正誤表
  • IEEE P1687/D1.62, September 2013 半導体デバイスに組み込まれた機器のアクセスと制御に関する IEEE ドラフト標準
  • IEEE P1687/D1.71, March 2014 半導体デバイスの組み込み機器のアクセスと制御に関するIEEE承認の草案標準

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体装置の封止

  • CNS 11900-1987 電子機器（半導体）用セラミック固定コンデンサ

ES-UNE, 半導体装置の封止

  • UNE-EN 60191-6-22:2013 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-22 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 シリコンファインピッチボールグリッドアレイおよびシリコンの半導体パッケージ設計ガイドライン
  • UNE-EN 60204-33:2011 機械の安全性 機械および電気機器パート 33: 半導体製造装置の要件
  • UNE-EN 62435-1:2017 電子部品電子半導体デバイスの長期保管 第1部：概要
  • UNE-EN IEC 62435-3:2020 電子部品電子半導体デバイスの長期保管パート 3: データ
  • UNE-EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) デザイン ガイド
  • UNE-EN 60191-6-17:2011 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-17 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 スタック型パッケージの設計ガイドライン ファインピッチボールグリッドアレイおよびファインピッチパッド
  • UNE-EN 60191-6-12:2011 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-12 部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する通則 ファインピッチランドグリッドアレイ設計ガイド
  • UNE-EN IEC 62435-9:2021 電子部品および電子半導体装置の長期保管 第 9 部: 特殊な状況
  • UNE-EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング

Building Officials and Code Administrators International(U.S.), 半導体装置の封止

Standard Association of Australia （SAA）, 半導体装置の封止

  • AS 1852.521:1988 国際的な電気技術用語、半導体装置および集積回路
  • AS/NZS IEC 60947.4.2:2015 低電圧開閉装置および制御機器 コンタクタおよびモータスタータ AC 半導体モータコントローラおよびスタータ

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体装置の封止

  • JIS F 8067:1986 船舶の電気設備 304 機器、半導体コンバータ
  • JIS F 8067:2000 海洋電気設備、パート 304: 機器、半導体コンバータ
  • JIS B 9960-33:2012 機械の安全性 機械および電気機器 パート 33: 半導体製造装置の要件
  • JIS B 2409:2002 油圧流体動力、シール装置、油圧往復動装置のシール性能を評価するための標準試験方法。

AT-ON, 半導体装置の封止

AT-OVE/ON, 半導体装置の封止

  • OVE EN IEC 63244-1:2020 半導体装置 ワイヤレス電力伝送および充電用半導体装置 パート 1: 一般要件および仕様 (IEC 47/2653/CDV) (英語版)
  • OVE EN IEC 60747-5-5:2021 半導体装置パート 5-5: 光電子機器用オプトカプラ ((IEC 60747-5-5:2020) EN IEC 60747-5-5:2020) (ドイツ語版)
  • OVE EN IEC 60749-10:2021 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント (IEC 47/2692/CDV) (英語版)

RU-GOST R, 半導体装置の封止

  • GOST R IEC 748-11-1-2001 半導体デバイス集積回路 第 11 部: 第 1 節: ハイブリッド回路を含まない半導体デバイス集積回路の内部外観検査
  • GOST 31196.4-2012 低電圧ヒューズ リンク パート 4. 半導体装置保護のためのヒューズ リンクの補足要件
  • GOST 14343-1969 広く使用されている機器に適したタイプ D 223、D 223a、D 223B の半導体ダイオード

Professional Standard - Machinery, 半導体装置の封止

  • JB/T 4219-1999 パワー半導体デバイス試験装置 型式命名方法
  • JB/T 8453-1996 半導体コンバータ その5 無停電電源装置用スイッチ（UPSスイッチ）
  • JB/T 50129-1999 72.5kVを超えるガス絶縁金属密閉開閉装置の製品品質等級に関する検査ガイドライン

Professional Standard - Electricity, 半導体装置の封止

  • DL/T 728-2013 ガス絶縁金属密閉開閉装置の選定指針
  • DL/T 311-2010 1100kVガス絶縁金属密閉開閉装置の保守ガイドライン
  • DL/T 728-2000 ガス絶縁金属密閉開閉装置の発注に関する技術指針
  • DL/T 1688-2017 ガス絶縁金属密閉開閉装置の状態評価ガイドライン
  • DL/T 1689-2017 ガス絶縁金属密閉開閉装置の状態維持に関するガイドライン
  • DL/T 1300-2013 ガス絶縁金属密閉開閉装置の現場衝撃試験ガイドライン
  • DL/T 555-2004 ガス絶縁金属密閉開閉装置の現場耐電圧・絶縁試験ガイドライン
  • DL/T 555-1994 ガス絶縁金属密閉開閉装置の現場耐電圧・絶縁試験ガイドライン

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体装置の封止

  • GB/T 36646-2018 窒化物半導体材料を作製するための水素化物気相成長装置
  • GB/T 11023-2018 高圧開閉装置の六フッ化硫黄ガスシール試験方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体装置の封止

  • EN 60191-6-18:2010 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-18 部: 表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ボール グリッド アレイ (BGA) デザイン ガイド
  • EN 60204-33:2011 機械の安全性 - 機械用電気機器 - 第 33 部：半導体製造装置に対する要求事項
  • EN 60191-6-12:2011 半導体デバイスの機械的標準化 第 6-12 部: 表面実装型半導体デバイスパッケージの外形図作成に関する通則 ファインピッチランドグリッドアレイ (FLGA) デザインガイド
  • EN 60191-6-12:2002 半導体デバイス機械標準化パート 6-12: 表面実装半導体デバイスのパッケージ外形図作成に関する一般規則 ファイン ピッチ ランド グリッド アレイ (FLGA) 長方形デザイン ガイド

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., 半導体装置の封止

  • NAS4118-1996 ヒートシンク電気電子部品半導体機器固定用クリップタイプ

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体装置の封止

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), 半導体装置の封止

  • ICEA T-32-645-1993 導電性応力制御材料を使用した封止導体充填コンパウンドの互換性設定

Professional Standard - Energy, 半導体装置の封止

  • NB/T 11071-2023 1kV-52kV AC固体絶縁密閉型開閉装置および制御装置のテストガイド

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体装置の封止

  • GB/T 5226.33-2017 機械的および電気的安全性 機械的および電気的機器 第 33 部: 半導体装置の技術的条件
  • GB/T 36005-2018 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法

PT-IPQ, 半導体装置の封止

  • NP 2626-521-2001 国際的な電気用語。 第521章：半導体装置と集積回路

国家药监局, 半導体装置の封止

  • YY/T 1751-2020 レーザー治療装置 半導体レーザー鼻腔内照射治療器

UNKNOWN, 半導体装置の封止

  • Q／GDW 447-2010 ガス絶縁金属密閉開閉装置の状態維持に関するガイドライン
  • Q/GDW 447-2010 ガス絶縁金属密閉開閉装置の状態維持に関するガイドライン

CN-QIYE, 半導体装置の封止

  • Q/GDW 448-2010 ガス絶縁金属密閉開閉装置の状態評価ガイドライン
  • Q/GDW 199-2008 1000kVガス絶縁金属密閉開閉装置の建設技術指針

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 半導体装置の封止

  • JJF 1895-2021 半導体デバイス用直流・低周波パラメータ試験装置の校正仕様書

SAE - SAE International, 半導体装置の封止

European Committee for Standardization (CEN), 半導体装置の封止

  • EN 13604:2002 銅および銅合金 電子管、半導体デバイス、真空機器などに使用される高導電性銅製品
  • EN 13604:2013 銅および銅合金 電子管、半導体デバイス、真空機器などに使用される高導電性銅製品

TH-TISI, 半導体装置の封止

  • TIS 2114-2002 低電圧ヒューズ パート 4: 半導体装置の保護のためのヒューズリンクの補足要件

GOSTR, 半導体装置の封止

  • GOST R 59023.6-2020 原子力発電所の機器やパイプラインの溶接・肉盛溶接 シール面やガイド面の肉盛溶接

U.S. Military Regulations and Norms, 半導体装置の封止

  • ARMY MIL-PRF-55310/18 F-2009 水晶発振器 (XO): 0.01 Hz ～ 50 MHz の方形波を備えたトランジスタ トランジスタ ロジック 半導体シリーズ (TTL) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/30 D-2008 水晶発振器 (XO): 450 kHz ～ 100 MHz 低電圧相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/12 H-2009 水晶発振器 (XO): 0.05 MHz ～ 10 MHz の方形波範囲を持つ相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/37 A-2010 水晶発振器 (XO): 500 kHz ～ 85 MHz の方形波範囲を持つ相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/27 D-2008 水晶発振器 (XO): 1.0 MHz ～ 85 MHz の方形波範囲の高速相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/32 B-2008 水晶発振器 (XO): 1.544 Hz ～ 125 MHz の方形波範囲を持つ高度な相補型金属酸化物半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/31 A-2010 水晶発振器 (XO): 0.75 Hz ～ 200 MHz の方形波範囲を持つ高度な相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/33 B-2010 水晶発振器 (XO): 500 kHz ～ 85 MHz の方形波範囲を持つ高度な相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/34 B-2010 水晶発振器 (XO): 500 kHz ～ 150 MHz の方形波範囲を備えた低電圧相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/38 A-2010 水晶発振器 (XO): 500 kHz ～ 150 MHz の方形波範囲を備えた低電圧相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 の密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/35 A-2010 水晶発振器 (XO): 1 MHz ～ 133 MHz の方形波範囲を持つ 2.5 ボルトの低電圧相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 密閉型水晶制御発振器
  • ARMY MIL-PRF-55310/36 A-2010 水晶発振器 (XO): 1.8 ボルトの低電圧相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 密閉型水晶制御発振器、1 Hz ～ 100 MHz の方形波範囲
  • ARMY MIL-PRF-55310/39 A-2010 水晶発振器 (XO): 1 MHz ～ 133 MHz の方形波範囲を持つ 2.5 ボルトの低電圧相補型金属酸化膜半導体シリーズ (CMOS) タイプ 1 密閉型水晶制御発振器

American Society of Mechanical Engineers (ASME), 半導体装置の封止

  • ASME MFC-8M-2001 密閉チューブ内の流体の流れ: 一次機器と二次機器間の圧力信号伝送用コネクタ

FI-SFS, 半導体装置の封止

  • SFS 3331-1976 圧力容器の配置、機器の改善と使用。 密閉液体ボイラー装置。 温度は120℃を超えないこと
  • SFS 3332-1976 圧力容器の配置、機器の改善と使用。 密閉液体ボイラー装置。 温度は120℃を超えないでください。 最大出力120kw

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体装置の封止

  • PAS 62240-2001 メーカー指定の温度範囲外での半導体デバイスの使用 (バージョン 1.0)
  • PAS 60191-6-18-2008 半導体デバイスの機械的標準化 「第6-18部：表面実装型半導体デバイスのパッケージ外形図作成通則」 「ボールグリッドアレイ（BGA）デザインガイド（第1.0版）」

International Telecommunication Union (ITU), 半導体装置の封止

  • ITU-T K.150-2020 ソフトエラー対策を適用した通信機器設計に必要な半導体デバイス情報

未注明发布机构, 半導体装置の封止

  • BS 5424-2:1987(1999) 低電圧制御機器 第2部：半導体コンタクタ（ソリッドステートコンタクタ）仕様

Professional Standard - Electron, 半導体装置の封止

  • SJ/T 11820-2022 半導体ディスクリートデバイスのDCパラメータ試験装置の技術要件と測定方法

Society of Automotive Engineers (SAE), 半導体装置の封止

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