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Siliziumwafer

Für die Siliziumwafer gibt es insgesamt 219 relevante Standards.

In der internationalen Standardklassifizierung umfasst Siliziumwafer die folgenden Kategorien: Solartechnik, Halbleitermaterial, Batterien und Akkus, Nichteisenmetalle, Isolierflüssigkeit, Prüfung von Metallmaterialien, Werkzeugmaschinenausrüstung, Stahlprodukte, Schneidewerkzeuge, Glas, Integrierte Schaltkreise, Mikroelektronik, Wortschatz, Elektromechanische Komponenten für elektronische und Telekommunikationsgeräte, Abfall, Diskrete Halbleitergeräte, Isoliermaterialien, Dichtungen, Dichtungsgeräte, Energie- und Wärmeübertragungstechnik umfassend, Allgemeines, Terminologie, Standardisierung, Dokumentation, Elektrizität, Magnetismus, elektrische und magnetische Messungen, Komponenten elektrischer Geräte, Längen- und Winkelmessungen, Landmaschinen, Werkzeuge und Geräte, Verbrennungsmotor, Piezoelektrische und dielektrische Geräte zur Frequenzsteuerung und -auswahl, Gleichrichter, Wandler, geregelte Netzteile, Audio-, Video- und audiovisuelle Technik, Datenspeichergerät, analytische Chemie, Alarm- und Warnsysteme, Ventilatoren, Ventilatoren, Klimaanlagen.


German Institute for Standardization, Siliziumwafer

  • DIN V VDE V 0126-18-2-1:2007 Solarwafer – Teil 2-1: Messung der geometrischen Abmessungen von Siliziumwafern – Waferdicke
  • DIN V VDE V 0126-18-3:2007 Solarwafer – Teil 3: Alkalische Korrosionsschäden an kristallinen Siliziumwafern – Methode zur Bestimmung der Korrosionsrate von mono- und multikristallinen Siliziumwafern (im Schnitt)
  • DIN V VDE V 0126-18-5:2007 Solarwafer – Teil 5: Verfahren zur Messung des elektrischen Widerstands von Siliziumwafern
  • DIN V VDE V 0126-18-2-2:2007 Solarwafer – Teil 2-2: Messung der geometrischen Abmessungen von Siliziumwafern – Variationen in der Dicke
  • DIN V VDE V 0126-18-2-3:2007 Solarwafer – Teil 2-3: Messung der geometrischen Abmessungen von Siliziumwafern – Welligkeit und Verformung
  • DIN EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung; Deutsche Fassung EN 50513:2009
  • DIN V VDE V 0126-18-2-4:2007 Solarwafer – Teil 2-4: Messung der geometrischen Abmessungen von Siliziumwafern – Sägespuren und Stufensägespuren
  • DIN V VDE V 0126-18-4-1:2007 Solarwafer – Teil 4-1: Verfahren zur Messung der elektrischen Eigenschaften von Siliziumwafern – Lebensdauer von Minoritätsträgern, Inline-Messverfahren
  • DIN EN 62047-9:2012 Halbleiterbauelemente - Mikroelektromechanische Bauelemente - Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS (IEC 62047-9:2011); Deutsche Fassung EN 62047-9:2011
  • DIN 50435:1988 Prüfung von Halbleitermaterialien; Bestimmung der radialen Widerstandsschwankung von Silizium- oder Germaniumscheiben mittels der Vier-Sonden-/Gleichstrom-Methode
  • DIN V VDE V 0126-18-4-2:2007 Solarwafer – Teil 4-2: Verfahren zur Messung der elektrischen Eigenschaften von Silizium – Lebensdauer von Minoritätsträgern, Labormessmethode

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Siliziumwafer

Group Standards of the People's Republic of China, Siliziumwafer

  • T/CNIA 0174-2022 Siliziumwafer-Schneideabfälle, Recycling von Silizium
  • T/CPIA 0037-2022 Spezifikationen für photovoltaische kristalline Wafer
  • T/SZBX 118-2023 Monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen
  • T/CAMS 179-2023 Hochgeschwindigkeits- und Hochpräzisionsspindel für Silikonschneider
  • T/ZZB 0594-2018 Galvanisierter Diamantdraht für Siliziumchips
  • T/CEC 290-2019 Technische Anforderungen für Rückkontakt-Einkristallwafer
  • T/SHDSGY 135-2023 Neue Energiehalbleiter-Siliziumwafer-Materialtechnologie
  • T/QGCML 2024-2023 Produktionsmanagementmaßnahmen für Gallium-dotierte Siliziumwafer-Technologie
  • T/CPIA 0038-2022 Galvanisierter Diamantdraht zum Schneiden von Siliziumwafern in der Photovoltaik
  • T/ZPP 016-2022 Das Debonden und Einfügen von Photovoltaik-Siliziumwafern umfasst integrierte technische Anforderungen
  • T/SHDSGY 160-2022 Technische Spezifikation für berührungslose Siliziumwafer-Übertragungsgeräte
  • T/CPIA 0022-2020 Bewertungsanforderungen für grüne Fabriken in der Photovoltaik-Siliziumwafer-Herstellungsindustrie
  • T/CPIA 0021-2020 Technische Spezifikation zur Green Design-Produktbewertung für photovoltaische Siliziumwafer
  • T/CECA 39-2020 Siliziumstahlbleche für Transformatoren
  • T/SAAMM 1016-2023 Druckkompensierte Siliziumfolie für Emitter
  • T/QGCML 947-2023 Wärmeleitfähige Silikondichtung

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Siliziumwafer

  • GB/T 14140-2009 Testverfahren zur Messung des Durchmessers von Halbleiterwafern
  • GB/T 6619-1995 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumscheiben
  • GB/T 6619-2009 Prüfverfahren für die Biegung von Siliziumwafern
  • GB/T 29055-2012 Multikristalliner Siliziumwafer für Solarzellen
  • GB/T 15615-1995 Prüfverfahren zur Messung der Biegefestigkeit von Siliziumscheiben
  • GB/T 26067-2010 Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
  • GB/T 32279-2015 Spezifikation für das Bestelleingabeformat von Siliziumwafern
  • GB/T 6621-2009 Prüfmethoden für die Oberflächenebenheit von Siliziumscheiben
  • GB/T 29055-2019(英文版) Multikristalline Siliziumwafer für Photovoltaik-Solarzellen
  • GB/T 14140.2-1993 Siliziumscheiben und -wafer – Messung des Durchmessers – Mikrometermethode
  • GB/T 42789-2023 Prüfverfahren für den Oberflächenglanz von Siliziumwafern
  • GB/T 14140.1-1993 Siliziumscheiben und -wafer – Durchmessermessung – Optische Projektionsmethode
  • GB/T 6620-1995 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
  • GB/T 6620-2009 Testverfahren zur Messung der Verformung von Siliziumscheiben durch berührungsloses Scannen
  • GB/T 6617-1995 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Siliziumwafern mithilfe einer Ausbreitungswiderstandssonde
  • GB/T 6618-1995 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
  • GB/T 11073-2007 Standardmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumscheiben
  • GB/T 6617-2009 Testverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Siliziumwafern mithilfe einer Ausbreitungswiderstandssonde
  • GB/T 6618-2009 Prüfverfahren für Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumscheiben
  • GB/T 43315-2023 Korrosionsmethode zur Erkennung von Strömungsmusterdefekten in Siliziumwafern
  • GB/T 32280-2015 Testverfahren für die Verformung von Siliziumwafern. Automatisiertes berührungsloses Scanverfahren
  • GB/T 29505-2013 Prüfverfahren zur Messung der Oberflächenrauheit auf planaren Oberflächen von Siliziumwafern
  • GB/T 32814-2016 Siliziumbasierte MEMS-Fertigungstechnologie. Spezifikation für Kriterien des SOI-Wafer-basierten MEMS-Prozesses
  • GB/T 19922-2005 Standardtestmethoden zur Messung der Ebenheit von Siliziumwafern durch berührungsloses Scannen
  • GB/T 13388-2009 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf einkristallinen Siliziumscheiben und Wafern mittels Röntgentechnik
  • GB/T 14143-1993 Infrarot-Absorptionsmessmethode des Sauerstoffgehalts im Spalt eines 300–900 μm großen Siliziumwafers
  • GB/T 13388-1992 Verfahren zur Messung der kristallographischen Orientierung von Flächen auf Einkristall-Silikonscheiben und -Wafern durch Röntgentechniken
  • GB/T 14139-1993 Silizium-Epitaxiewafer
  • GB/T 14139-2009 Silizium-Epitaxiewafer
  • GB/T 19444-2004 Charakterisierung der Sauerstoffausfällung von Siliziumwafern durch Messung der interstitiellen Sauerstoffreduktion
  • GB/T 32281-2015 Testmethode zur Messung von Sauerstoff, Kohlenstoff, Bor und Phosphor in Solarsiliziumwafern und -rohstoffen. Sekundärionen-Massenspektrometrie
  • GB/T 6616-1995 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleitersilizium oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
  • GB/T 30859-2014 Prüfverfahren für Verzug und Welligkeit von Siliziumwafern für Solarzellen
  • GB/T 30869-2014 Prüfverfahren für die Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumwafern für Solarzellen
  • GB/T 24577-2009 Testmethoden zur Analyse organischer Verunreinigungen auf Siliziumwasseroberflächen mittels Thermodesorptions-Gaschromatographie
  • GB/T 26068-2018 Messung der Ladungsträger-Rekombinationslebensdauer von Siliziumwafern und -barren, berührungslose Mikrowellenreflexions-Photoleitfähigkeits-Zerfallsmethode
  • GB/T 6616-2009 Prüfverfahren zur Messung des spezifischen Widerstands von Halbleiterwafern oder des Schichtwiderstands von Halbleiterfilmen mit einem berührungslosen Wirbelstrommessgerät
  • GB/T 30860-2014 Prüfmethoden für Oberflächenrauheit und Sägespuren von Siliziumwafern für Solarzellen
  • GB/T 24578-2015 Testmethode zur Messung der Oberflächenmetallkontamination auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie
  • GB/T 24578-2009 Testmethode zur Messung der Oberflächenmetallkontamination auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie
  • GB/T 26069-2010 Spezifikation für getemperte Siliziumwafer
  • GB/T 29507-2013 Testmethode zur Messung der Ebenheit, Dicke und Gesamtdickenschwankung von Siliziumwafern. Automatisiertes berührungsloses Scannen
  • GB/T 42907-2023 Berührungslose Wirbelstrom-Induktionsmethode zum Testen der Rekombinationslebensdauer von Nichtgleichgewichtsträgern in Siliziumbarren, -blöcken und -wafern
  • GB/T 26068-2010 Testverfahren für die Trägerrekombinationslebensdauer in Siliziumwafern durch berührungslose Messung des Photoleitfähigkeitsabfalls durch Mikrowellenreflexion
  • GB/T 28276-2012 Siliziumbasierte MEMS-Fertigungstechnologie. Spezifikation für den Prozess gelöster Wafer

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Siliziumwafer

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Siliziumwafer

  • KS D 0261-2012 Visuelle Inspektion für Siliziumwafer mit spiegelnder Oberfläche
  • KS D 0261-2012(2022) Visuelle Inspektion für Siliziumwafer mit spiegelnder Oberfläche
  • KS D 0262-2002(2022) Visuelle Inspektion für geschnittene und geläppte Siliziumwafer
  • KS D 0262-2002(2017) Visuelle Inspektion für geschnittene und geläppte Siliziumwafer
  • KS D 0259-2012(2017) Methoden zur Messung der Dicke, Dickenschwankung und Biegung von Siliziumwafern
  • KS D 0259-2012(2022) Methoden zur Messung der Dicke, Dickenschwankung und Biegung von Siliziumwafern
  • KS C 0256-2002(2022) Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde
  • KS D 0260-1999 PRÜFMETHODEN DES WIDERSTANDS EINKRISTALLER SILIZIUMWAFER MIT VIERPUNKTSONDE
  • KS C 0256-2002 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde
  • KS D 0259-2012 Methoden zur Messung der Dicke, Dickenschwankung und Biegung von Siliziumwafern
  • KS D 0261-2012(2017) Visuelle Inspektion für Siliziumwafer mit spiegelnder Oberfläche
  • KS D 0260-1989(1994) PRÜFMETHODEN DES WIDERSTANDS EINKRISTALLER SILIZIUMWAFER MIT VIERPUNKTSONDE
  • KS C IEC 62276:2019 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden
  • KS D ISO 14706-2003(2018) Chemische Oberflächenanalyse – Messung von Oberflächenelementverunreinigungen auf Siliziumwafern mittels Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektrometer

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Siliziumwafer

  • JIS H 0614:1996 Visuelle Inspektion für Siliziumwafer mit spiegelnder Oberfläche
  • JIS H 0611:1994 Methoden zur Messung der Dicke, Dickenschwankung und Biegung von Siliziumwafern
  • JIS H 0602:1995 Prüfverfahren für den spezifischen Widerstand von Siliziumkristallen und Siliziumwafern mit einer Vierpunktsonde

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Siliziumwafer

  • GB/T 29055-2019 Multikristalline Siliziumwafer für Photovoltaik-Solarzellen
  • GB/T 40279-2021 Testverfahren für die Dicke von Filmen auf der Siliziumwaferoberfläche – optische Reflexionsmethode
  • GB/T 14139-2019 Silizium-Epitaxiewafer
  • GB/T 37051-2018 Testmethode zur Bestimmung der Kristalldefektdichte in PV-Siliziumbarren und -Wafern
  • GB/T 32280-2022 Testverfahren für Verformung und Biegung von Siliziumwafern – Automatisiertes berührungsloses Scanverfahren
  • GB/T 39145-2020 Testmethode für den Gehalt an Oberflächenmetallelementen auf Siliziumwafern – Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma
  • GB/T 40110-2021 Chemische Oberflächenanalyse – Bestimmung der Oberflächenelementkontamination auf Siliziumwafern durch Totalreflexions-Röntgenfluoreszenzspektroskopie (TXRF).

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Siliziumwafer

American Society for Testing and Materials (ASTM), Siliziumwafer

  • ASTM F534-02 Standardtestmethode für die Biegung von Siliziumwafern
  • ASTM F534-97 Standardtestmethode für die Biegung von Siliziumwafern
  • ASTM F1152-93 Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
  • ASTM F1152-93(2001) Standardtestmethode für die Abmessungen von Kerben auf Siliziumwafern
  • ASTM F1618-96 Standardpraxis zur Bestimmung der Gleichmäßigkeit dünner Filme auf Siliziumwafern
  • ASTM F1726-97 Standardhandbuch zur Analyse der kristallographischen Perfektion von Siliziumwafern
  • ASTM F104-00 Standardklassifizierungssystem für nichtmetallische Dichtungsmaterialien
  • ASTM F1049-00 Standardpraxis für die Erkennung flacher Ätzgruben auf Siliziumwafern
  • ASTM F533-96 Standardtestmethode für Dicke und Dickenvariation von Siliziumwafern
  • ASTM F533-02 Standardtestmethode für Dicke und Dickenvariation von Siliziumwafern
  • ASTM F81-00 Standardtestmethode zur Messung der radialen Widerstandsschwankung auf Siliziumwafern
  • ASTM F951-01 Standardtestmethode zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Siliziumwafern
  • ASTM F1727-97 Standardpraxis zur Erkennung von durch Oxidation verursachten Defekten in polierten Siliziumwafern
  • ASTM F951-96 Standardtestmethode zur Bestimmung der radialen interstitiellen Sauerstoffschwankung in Siliziumwafern
  • ASTM F1810-97 Standardtestverfahren zur Zählung bevorzugt geätzter oder dekorierter Oberflächenfehler in Siliziumwafern
  • ASTM F523-93(1997) Standardpraxis für die visuelle Inspektion polierter Siliziumwaferoberflächen ohne Hilfsmittel
  • ASTM F1239-94 Standardtestmethoden zur Sauerstoffpräzipitationscharakterisierung von Siliziumwafern durch Messung der interstitiellen Sauerstoffreduktion
  • ASTM F847-94(1999) Standardtestmethoden zur Messung der kristallographischen Ausrichtung von Flächen auf einkristallinen Siliziumwafern durch Röntgentechniken
  • ASTM F1527-00 Standardhandbuch für die Anwendung von Silizium-Standardreferenzmaterialien und Referenzwafern zur Kalibrierung und Steuerung von Instrumenten zur Messung des spezifischen Widerstands von Silizium

工业和信息化部, Siliziumwafer

  • YS/T 26-2016 Verfahren zur Prüfung der Randkontur eines Siliziumwafers
  • HG/T 5962-2021 Methoden zur Behandlung und Entsorgung von Abfallflüssigkeiten beim Schneiden von Siliziumwafern
  • SJ/T 11631-2016 Prüfverfahren für Aussehensmängel von Siliziumwafern für Solarzellen
  • SJ/T 11630-2016 Prüfverfahren für geometrische Abmessungen von Siliziumwafern für Solarzellen
  • SJ/T 11627-2016 Online-Testverfahren für den Widerstand von Siliziumwafern für Solarzellen
  • SJ/T 11632-2016 Prüfverfahren für Mikrorissdefekte in Siliziumwafern für Solarzellen
  • SJ/T 11629-2016 Online-Methode zur Photolumineszenzanalyse von Siliziumwafern und -zellen für Solarzellen
  • SJ/T 11628-2016 Online-Testmethode für die Größe von Siliziumwafern und die elektrische Charakterisierung von Solarzellen

Association Francaise de Normalisation, Siliziumwafer

  • NF C57-203*NF EN 50513:2009 Solarwafer – Datenblatt und Produktinformationen für kristalline Siliziumwafer für die Solarzellenherstellung.
  • NF EN 50513:2009 Solarsiliziumwafer – Datenblatt und Produktinformationen zu kristallinen Siliziumwafern für die Solarzellenherstellung
  • NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS.
  • NF EN 62276:2018 Einkristallwafer für Anwendungen mit Oberflächenwellengeräten (OAS) – Spezifikationen und Messmethoden

Professional Standard - Ferrous Metallurgy, Siliziumwafer

Professional Standard - Building Materials, Siliziumwafer

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Siliziumwafer

  • GJB 1944-1994 Spezifikationen für Siliziumwafer für Weltraumsolarzellen
  • GJB 2052-1994 Spezifikation für Siliziumwafer für ladungsgekoppelte Infrarotgeräte

Defense Logistics Agency, Siliziumwafer

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), Siliziumwafer

International Electrotechnical Commission (IEC), Siliziumwafer

  • IEC 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
  • IEC 62047-9:2011/COR1:2012 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS
  • IEC 62276:2016 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Siliziumwafer

  • DB61/T 512-2011 Prüfregeln für monokristalline Siliziumwafer für Solarzellen

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Siliziumwafer

  • EN 62047-9:2011 Halbleiterbauelemente – Mikroelektromechanische Bauelemente – Teil 9: Wafer-zu-Wafer-Bondfestigkeitsmessung für MEMS

Professional Standard - Machinery, Siliziumwafer

  • JB/T 9658-1999 Längsschneider für Elektroband
  • JB/T 904-1999 Öl – harziger Lack aus Siliziumstahlblech
  • JB/T 7061-1993 Siliziumwafer zur Verwendung in Leistungshalbleiterbauelementen
  • JB/T 56175-1999 Produktqualitätsklassifizierung der Siliziumstahlblechschneidemaschine
  • JB/Z 169-1981 Technische Bedingungen für die Annahme von warmgewalzten Siliziumstahlblechen für Elektrozwecke

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Siliziumwafer

Shanghai Provincial Standard of the People's Republic of China, Siliziumwafer

  • DB31/ 792-2014 Norm des Energieverbrauchs pro Produkteinheit für monokristallines Silizium und Siliziumwafer
  • DB31/T 792-2014 Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit Silizium-Einkristall und dessen Silizium-Wafer
  • DB31/ 792-2020 Energieverbrauchsquote pro Produkteinheit Silizium-Einkristall und dessen Silizium-Wafer

Professional Standard - Electron, Siliziumwafer

  • SJ/T 31096-1994 Bereitschaftsanforderungen sowie Inspektions- und Bewertungsmethoden für hochpräzise Siliziumwafer-Schleifmaschinen
  • SJ 20636-1997 Testverfahren für den Sauerstoff- und Kohlenstoffgehalt von dünnen Siliziumwafern mit großem Durchmesser im Mikrobereich zur Verwendung in IC
  • SJ 1549-1979 Silizium-Epitaxiewafer (vorläufig)
  • SJ/T 10627-1995 Testmethoden zur Sauerstoffausfällungscharakterisierung von Siliziumwafern durch Messung der interstitiellen Sauerstoffreduktion
  • SJ 1550-1979 Prüfverfahren für Silizium-Epitaxiewafer
  • SJ/Z 1610-1980 Atlas der Silizium-Epiwafer-Defekte

Professional Standard - Aviation, Siliziumwafer

机械电子工业部, Siliziumwafer

  • JB/T 5260-1991 Richtlinien für den Lackierprozess von Siliziumstahlblechen

KR-KS, Siliziumwafer

  • KS C IEC 62276-2019 Einkristallwafer für Anwendungen in Oberflächenwellengeräten (SAW) – Spezifikationen und Messmethoden

Professional Standard - Agriculture, Siliziumwafer

Aerospace Industries Association, Siliziumwafer

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., Siliziumwafer

  • NAS3450-1983 Geräte ohne Gehäuse (monolithisches Silizium) (Rev. 2)

JP-JEITA, Siliziumwafer

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Siliziumwafer

  • JJG 405-1986 Überprüfungsverordnung der Standardspezifikation von Magnetfolien und -streifen

Professional Standard - Commodity Inspection, Siliziumwafer

  • SN/T 3112-2012 Methode zur Unterscheidung der Kornorientierung und Nichtorientierung von kaltgewalzten Siliziumstahlblechen




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