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Semiconductor óptico
Semiconductor óptico, Total: 76 artículos.
En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Semiconductor óptico son: Optoelectrónica. Equipo láser, Óptica y medidas ópticas., Comunicaciones de fibra óptica., Equipo medico, Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Tratamiento superficial y revestimiento., Cerámica.
British Standards Institution (BSI), Semiconductor óptico
- BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
- PD IEC TR 61292-9:2023 Cambios rastreados. Amplificadores ópticos. Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
- BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
- BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
- 19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- 23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
- BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor óptico
Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor óptico
- CNS 13805-1997 Método de medición de fotoluminiscencia de obleas semiconductoras optoelectrónicas
Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Semiconductor óptico
- GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
- GJB 33/17-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor tipo GO11.
- GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
- GJB 33/18-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor de interruptor analógico bidireccional tipo GO417
- GJB 8121-2013 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
- GJB 8120-2013 Especificación general para módulo optoelectrónico semiconductor.
- GJB 8119-2013 Especificaciones generales para dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
RO-ASRO, Semiconductor óptico
- STAS 12258/7-1987 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS SEMICONDIC- TOH CÉLULAS FOTOVOLTAICAS Terminología y cliarac esenciales! erística
- STAS 12258/3-1985 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos FOTOTRANSISTORES Terminología y características esenciales
- STAS 12258/2-1984 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos PIIOTODIODES Terminología y características esenciales
- STAS 12258/4-1986 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos DIODOS EMISORES DE LUZ Terminología y características principales
- STAS 12258/5-1986 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS PANTALLAS Terminología y características esenciales
- STAS 12258/1-1984 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS Terminología general y nomenclatura de parámetros básicos generales
- STAS 12258/6-1987 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS DIODOS EMM1TING INFRARROJOS Terminología y características esenciales
Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Semiconductor óptico
- KS C 6942-1999 Regla general de módulos de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
- KS C 6943-1999 Métodos de prueba de módulos láser para transmisión de fibra óptica.
- KS C IEC 62007-2:2003 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica － Parte 2: Métodos de medición
- KS C IEC 62007-1:2003 ¿Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica? Parte 1: Clasificaciones y características esenciales
Professional Standard - Electron, Semiconductor óptico
- SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
- SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
- SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
- SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
- SJ/T 11405-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición
- SJ 20642-1997 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación general para
- SJ 20786-2000 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
- SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
- SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
- SJ 2214.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
- SJ 2218-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo diodo.
- SJ 2219-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo transistor.
Professional Standard - Medicine, Semiconductor óptico
- YY 0845-2011 Equipo terapéutico láser. Equipo láser de diodo para terapia fotodinámica.
- YY 1289-2016 Equipo de terapia con láser Instrumento de fotocoagulación con láser de diodo oftálmico
International Electrotechnical Commission (IEC), Semiconductor óptico
- IEC TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
- IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
- IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
- IEC TR 61292-9:2023 RLV Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
- IEC TR 61292-9:2023 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
- IEC 62007-2:1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
- IEC 62007-2:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
- IEC 62007-2/AMD1:1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición; Enmienda 1
- IEC 62007-1:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales.
RU-GOST R, Semiconductor óptico
- GOST R 50471-1993 Fotoemisores semiconductores. Método de medición del ángulo de media intensidad
- GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones
- GOST 24458-1980 Acopladores optoelectrónicos de semiconductores. Parámetros esenciales
International Organization for Standardization (ISO), Semiconductor óptico
- ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
- ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.
European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Semiconductor óptico
- EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Semiconductor óptico
- EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica Parte 2: Métodos de medición
Association Francaise de Normalisation, Semiconductor óptico
- NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
- NF C86-503:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fototransistores, transistores fotodarlington y conjuntos de fototrasistores. Especificación de detalle en blanco CECC 20 003.
国家药监局, Semiconductor óptico
- YY/T 1751-2020 Equipo de tratamiento con láser instrumento de terapia de irradiación intranasal con láser semiconductor
Group Standards of the People's Republic of China, Semiconductor óptico
IEC - International Electrotechnical Commission, Semiconductor óptico
- IEC TR 61292-9:2017 Amplificadores ópticos – Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (Edición 2.0)
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Semiconductor óptico
- GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Semiconductor óptico
- GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
- GB/T 31358-2015 Especificaciones generales para láseres semiconductores.
- GB/T 15167-1994 Especificaciones generales para fuentes de luz de láseres semiconductores.
- GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
European Committee for Standardization (CEN), Semiconductor óptico
- PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
Professional Standard - Post and Telecommunication, Semiconductor óptico
- YD/T 2001.2-2011 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Semiconductor óptico
- JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
Defense Logistics Agency, Semiconductor óptico
Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Semiconductor óptico