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luz semiconductora

luz semiconductora, Total: 255 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en luz semiconductora son: Optoelectrónica. Equipo láser, Circuitos integrados. Microelectrónica, Dispositivos semiconductores, Comunicaciones de fibra óptica., Sellos, glándulas, Equipo medico, Cerámica, Mediciones de radiación, Vocabularios, Óptica y medidas ópticas., Lámparas y equipos relacionados., Dispositivos de visualización electrónica., Componentes electrónicos en general., Aplicaciones de la tecnología de la información., Pruebas ambientales, Química analítica.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, luz semiconductora

GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
GJB 33/17-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor tipo GO11.
GJB 33/18-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor de interruptor analógico bidireccional tipo GO417
GJB 8121-2013 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
GJB 8120-2013 Especificación general para módulo optoelectrónico semiconductor.
GJB 8119-2013 Especificaciones generales para dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
GJB 5018-2001 Requisitos generales para el cribado y aceptación de dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB/Z 41.3-1993 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/20-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302.
GJB 33/22-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GO103.
GJB 33/21-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para la fotocopiadora de la serie GD310A.
GJB 33/23-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302-4
GJB 3519-1999 Especificación general para diodos láser semiconductores
GJB 2146A-2011 Especificaciones generales para dispositivos semiconductores de diodos emisores de luz.

RU-GOST R, luz semiconductora

GOST 24458-1980 Acopladores optoelectrónicos de semiconductores. Parámetros esenciales
GOST R 50471-1993 Fotoemisores semiconductores. Método de medición del ángulo de media intensidad
GOST 20766-1975 Detectores de espectrómetros semiconductores de radiación ionizante. Tipos y parámetros básicos.
GOST 27299-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Términos, definiciones y símbolos de letras de parámetros.
GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones
GOST 21934-1983 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Términos y definiciones
GOST 17772-1988 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Métodos de medición de parámetros fotoeléctricos y determinación de características.
GOST R 59607-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Métodos de medición de parámetros fotoeléctricos y determinación de características.

British Standards Institution (BSI), luz semiconductora

BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
PD IEC TR 61292-9:2023 Cambios rastreados. Amplificadores ópticos. Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
BS EN 62007-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales
BS EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Plantilla de especificación para clasificaciones y características esenciales
BS CECC 20000:1983 Sistema armonizado de evaluación de la calidad de componentes electrónicos: especificación genérica: dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido
19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales
BS EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de desempeño. Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Estándares de desempeño. Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados
BS EN 61207-7:2013 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
BS EN 61207-7:2014 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 27447:2019 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.

Professional Standard - Electron, luz semiconductora

SJ 20642-1997 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación general para
SJ 20786-2000 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
SJ 2214.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2218-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo diodo.
SJ 2219-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo transistor.
SJ 2215.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotoacopladores semiconductores.
SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.8-1982 Método de medición del voltaje de corriente oscura de fototransistores semiconductores.
SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 20642.5-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH82
SJ 20642.4-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH81
SJ 20642.6-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH83
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 2214.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.7-1982 Método de medición del voltaje de saturación de fototransistores semiconductores.
SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.8-1982 Método de medición del voltaje de saturación de salida de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 50033/112-1996 Dispositivos optoelectrónicos scmiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3251Y.
SJ 50033/113-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3252Y.
SJ 2215.14-1982 Método de medición del voltaje de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.10-1982 Método de medición de la relación de transferencia de corriente continua de fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2215.12-1982 Método de medición de la capacitancia de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores.
SJ 50033/114-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el detector sensible a la posición tipo GD3283Y
SJ 2215.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.13-1982 Método de medición de la resistencia de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 20642.3-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD83
SJ 20644.1-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD101
SJ 20642.2-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD82
SJ 50033/111-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación de demora para el fototransistor tipo GT16 Si.NPN
SJ 20072-1992 Especificaciones detalladas para optoacopladores semiconductores tipo GH24, GH25 y GH26
SJ 20786.1-2002 Conjunto fotoeléctrico semiconductor Especificación detallada para localizador fotoeléctrico dúplex en miniatura para el tipo CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz roja para el tipo GF116.
SJ 50033/143-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor rojo tipo GF1120.
SJ 50033/137-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz naranja-rojo para el tipo GF216
SJ 20642.1-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD81
SJ/T 11405-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición
SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
SJ 50033/138-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz amarillo para el tipo GF318.
SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
SJ/T 11393-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia
SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
SJ 50033/57-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz roja para tipo GF115
SJ 50033/110-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz infrarroja tipo GR9413.
SJ 2215.5-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.9-1982 Método de medición de la corriente de corte inversa de transistores fotoacopladores semiconductores.
SJ 53930/1-2002 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos tipo GR8813
SJ/T 11400-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
SJ 20642.7-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el módulo de diodo emisor de luz tipo GR1325J
SJ/T 11817-2022 Especificaciones detalladas en blanco para diodos emisores de luz para dispositivos optoelectrónicos semiconductores y lámparas de incandescencia.
SJ 2214.9-1982 Método de medición del tiempo de subida y bajada del pulso de fotodiodos y fototransistores semiconductores.
SJ/T 11866-2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificaciones detalladas para diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
SJ 50033/140-1999 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA502
SJ 2558-1984 Especificación detallada para pantallas numéricas emisoras de luz semiconductoras, tipo SM1~18
SJ/T 11397-2009 Fósforos para diodos emisores de luz.
SJ 50033/3-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para optoacopladores semiconductores para tipos GH21, GH22 y GH23 de clases GP, GT y GCT.
SJ 50923/2-1995 Especificación detallada para la caja metálica tipo G2-01B-M1,G2-01B-Z1 para dispositivos semiconductores fotosensibles
SJ 2215.7-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.11-1982 Método de medición del retraso de la subida y bajada del pulso y el tiempo de almacenamiento de fotoacopladores semiconductores.
SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
SJ 2214.6-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa colector-emisor de fototransistores semiconductores
SJ 50923/1-1995 Especificación detallada para los tipos A6-02A-M2（Z2）y A6-01B-M1（Z1）caja metálica para fotoacopladores semiconductores
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
SJ 2355.1-1983 Procedimientos generales de medición para dispositivos emisores de luz.
SJ 2684-1986 Dimensiones físicas del dispositivo emisor de luz de semiconductor
SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
SJ/T 11401-2009 Programa en serie para diodos emisores de luz semiconductores.
SJ 50033/101-1995 Especificación detallada para módulos de diodos láser semiconductores para el tipo GJ1325
SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
SJ/T 11398-2009 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
SJ 20957-2006 Especificaciones generales para conjuntos de diodos láser semiconductores de gran potencia
SJ 2355.6-1983 Método de medición del flujo luminoso de dispositivos emisores de luz.

International Electrotechnical Commission (IEC), luz semiconductora

IEC TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 RLV Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
IEC 62007-2:1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 62007-2:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 62007-2/AMD1:1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición; Enmienda 1
IEC 62007-1:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
IEC 62007-1/AMD1:1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales; Enmienda 1
IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
IEC 62007-1:2008 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
IEC 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Norma de rendimiento. Parte 8: Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
IEC 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 9: Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 Enmienda 1 - Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica - Parte 1: Plantilla de especificación para clasificaciones y características esenciales
IEC 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.

Group Standards of the People's Republic of China, luz semiconductora

T/QGCML 1407-2023 Dispositivo de sellado de doble funda para fabricación de semiconductores fotovoltaicos.
T/CASME 698-2023 Aparatos de terapia con láser semiconductor
T/JGXH 008-2020 Láser de estado sólido con bomba de diodo
T/QGCML 2041-2023

SE-SIS, luz semiconductora

SIS SS CECC 20000-1983 Especificación genérica: Dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido.

IEC - International Electrotechnical Commission, luz semiconductora

IEC TR 61292-9:2017 Amplificadores ópticos – Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (Edición 2.0)

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, luz semiconductora

DB22/T 2725-2017 Láser semiconductor de rejilla de fibra de 980 nm

German Institute for Standardization, luz semiconductora

DIN 5032-9:2015-01 Fotometría - Parte 9: Medición de las cantidades fotométricas de fuentes de luz semiconductoras emisoras incoherentes
DIN 5032-9:2015 Fotometría - Parte 9: Medición de las cantidades fotométricas de fuentes de luz semiconductoras emisoras incoherentes
DIN IEC/TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos. Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (IEC 86C/1109/CD:2013)
DIN EN 62007-2:2009-09 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición (IEC 62007-2:2009); Versión alemana EN 62007-2:2009 / Nota: DIN EN 62007-2 (2001-06) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2012-02-01.
DIN EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición (IEC 62007-2:2009); Versión alemana EN 62007-2:2009
DIN EN 61207-7:2015-07 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 61207-1 (2011-04).

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), luz semiconductora

JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
JIS R 1708:2016 Cerámica fina (Cerámica avanzada, Cerámica técnica avanzada) -- Método de ensayo para la determinación de la actividad fotocatalítica en materiales fotocatalíticos semiconductores mediante el consumo de oxígeno disuelto

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, luz semiconductora

EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
EN 120000:1996 Especificación genérica: dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido (permanecen actuales)
EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 8: Dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 9: Transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, luz semiconductora

EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica Parte 2: Métodos de medición
EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica, Parte 1: Clasificaciones y características esenciales
EN 62007-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.

Association Francaise de Normalisation, luz semiconductora

NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 62007-2:2009 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 2: métodos de medición
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF C93-801-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales.
NF C93-884-8*NF EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Norma de rendimiento. Parte 8: dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
NF C93-884-9*NF EN 62149-9:2014 Componentes y dispositivos activos de fibra óptica. Normas de rendimiento. Parte 9: transceptores amplificadores ópticos semiconductores reflectantes sembrados.
NF EN 62149-8:2014 Componentes y dispositivos de fibra óptica activa. Norma de rendimiento. Parte 8: dispositivos amplificadores ópticos semiconductores reflectantes distribuidos.
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
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KR-KS, luz semiconductora

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