ZH
RU
EN

Agente óptico semiconductor

Agente óptico semiconductor, Total: 499 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Agente óptico semiconductor son: Optoelectrónica. Equipo láser, Equipo medico, Dispositivos semiconductores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Óptica y medidas ópticas., Comunicaciones de fibra óptica., Aplicaciones de la tecnología de la información., Componentes electrónicos en general., Sellos, glándulas, Materiales semiconductores, Accesorios electricos, Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Vocabularios, Química analítica, Pruebas ambientales, Cerámica, Aeronaves y vehículos espaciales en general., Fluidos aislantes, Equipo de cocina, Productos de la industria química., químicos inorgánicos, Materiales para la construcción aeroespacial., Medición de fuerza, peso y presión., Terminología (principios y coordinación), Materiales aislantes, Mediciones de radiación, Lámparas y equipos relacionados., Símbolos gráficos, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Condiciones y procedimientos de prueba en general., ingeniería de energía nuclear, Productos de metales no ferrosos..

British Standards Institution (BSI), Agente óptico semiconductor

BS IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
19/30404095 DC BS EN IEC 60747-5-4. Dispositivos semiconductores. Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Dispositivos semiconductores - Parte 5-4. Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores
BS EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores
BS IEC 60747-14-5:2010 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Sensor de temperatura semiconductor de unión PN
BS EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
BS EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Métodos de medición.
PD IEC TR 61292-9:2023 Cambios rastreados. Amplificadores ópticos. Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
BS IEC 60747-14-4:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Acelerómetros semiconductores
BS IEC 60747-14-2:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Elementos Hall
BS IEC 60747-14-2:2000 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Elementos Hall
BS IEC 60747-14-3:2009 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Sensores de presión
BS ISO 17915:2018 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
BS EN 62779-1:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación del cuerpo humano. Requerimientos generales
BS EN 60747-5-5:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores
BS EN 60747-15:2004 Dispositivos semiconductores discretos. Dispositivos semiconductores de potencia aislados.
BS IEC 60747-14-1:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Generalidades y clasificación - Generalidades de sensores y clasificación para sensores semiconductores
BS IEC 60747-6:2000 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Tiristores
BS IEC 60747-6:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Tiristores
BS EN 62007-1:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: clasificaciones y características esenciales
BS IEC 60747-18-4:2023 Dispositivos semiconductores - Biosensores semiconductores. Método de evaluación de las características de ruido de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
BS IEC 60747-14-1:2010 Dispositivos semiconductores - Sensores semiconductores - Especificación genérica para sensores
BS EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Dispositivos semiconductores de potencia aislados.
BS IEC 62779-4:2020 Dispositivos semiconductores. Interfaz de semiconductores para la comunicación del cuerpo humano: endoscopio de cápsula
BS IEC 60747-18-2:2020 Dispositivos semiconductores. Biosensores semiconductores. Proceso de evaluación de módulos de paquete de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
BS IEC 60747-18-5:2023 Dispositivos semiconductores - Biosensores semiconductores. Método de evaluación de las características de respuesta a la luz de módulos de paquete de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes según el ángulo de incidencia de la luz
BS IEC 62951-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: evaluación de la fatiga de una película delgada conductora flexible sobre el sustrato para dispositivos semiconductores flexibles
BS EN 61207-7:2014 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
BS EN 61207-7:2013 Expresión de rendimiento de analizadores de gases. Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables
BS EN 62779-2:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación del cuerpo humano. Caracterización de las prestaciones de interfaz.
BS IEC 60747-1:2006+A1:2010 Dispositivos semiconductores - General
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias LED.
PD IEC/TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores. Estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores
BS EN 62416:2010 Dispositivos semiconductores: prueba de portadora caliente en transistores MOS
BS EN IEC 63287-1:2021 Dispositivos semiconductores. Pautas genéricas de calificación de semiconductores: pautas para la calificación de confiabilidad de circuitos integrados
BS IEC 60747-5-1:1998 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos optoelectrónicos. General
BS EN 60747-5-1:1998 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos optoelectrónicos. General
BS EN 60747-5-1:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos optoelectrónicos - General
BS EN 62779-3:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación del cuerpo humano. Tipo funcional y sus condiciones operativas.
18/30363340 DC BSIEC 62779-4. Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación del cuerpo humano. Parte 4. Interfaz semiconductora para cápsula endoscópica mediante comunicación con el cuerpo humano
BS IEC 60747-18-3:2019 Dispositivos semiconductores. Biosensores semiconductores. Características de flujo de fluido de módulos de paquete de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes con sistema fluídico
BS IEC 60747-18-1:2019 Dispositivos semiconductores. Biosensores semiconductores. Método de prueba y análisis de datos para la calibración de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
BS IEC 62951-7:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para caracterizar el rendimiento de barrera de la encapsulación de película delgada para semiconductores orgánicos flexibles.
BS IEC 60747-5-8:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos. Método de prueba de eficiencias optoelectrónicas de diodos emisores de luz.
13/30264596 DC BS EN 60747-14-7. Dispositivos semiconductores. Parte 14-7. Sensor semiconductor. Medidor de corriente
18/30350443 DC BS EN 60747-5-5. Dispositivos semiconductores. Parte 5-5. Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores
19/30392174 DC BS EN 60747-5-6. Dispositivos semiconductores. Parte 5-6. Dispositivos optoelectrónicos. La luz emite diodos
BS IEC 60747-8-4:2004 Dispositivos semiconductores discretos: transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) para aplicaciones de conmutación de potencia
BS EN IEC 62969-1:2018 Dispositivos semiconductores. Interfaz de semiconductores para vehículos automotores. Requisitos generales de interfaz de alimentación para sensores de vehículos automotrices.
PD IEC TR 63378-1:2021 Estandarización térmica en paquetes de semiconductores. Resistencia térmica y parámetro térmico de paquetes de semiconductores tipo BGA, QFP
BS IEC 60747-5-3:1998 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos optoelectrónicos. Métodos de medición
BS EN 60747-5-3:1998 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados. Dispositivos optoelectrónicos. Métodos de medición
BS EN 60747-5-3:2001 Dispositivos semiconductores discretos y circuitos integrados - Dispositivos optoelectrónicos - Métodos de medida
BS EN 60749-18:2003 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Radiaciones ionizantes (dosis total)
BS EN 62007-1:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica: plantilla de especificaciones para clasificaciones y características esenciales
BS EN 62007-1:2015 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Plantilla de especificación para clasificaciones y características esenciales
BS IEC 60748-11:2000 Dispositivos semiconductores - Circuitos integrados - Especificación seccional para circuitos integrados semiconductores, excluidos los circuitos híbridos
BS IEC 60748-11:1991 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Especificación seccional para circuitos integrados de semiconductores, excluidos los circuitos híbridos.
BS 3934-1:1992 Estandarización mecánica de dispositivos semiconductores - Recomendaciones para la preparación de dibujos de dispositivos semiconductores
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
13/30264591 DC BS EN 60747-14-6. Dispositivos semiconductores. Parte 14-6. Sensor semiconductor. Sensor de humedad
BS IEC 62951-6:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para la resistencia laminar de películas conductoras flexibles

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Agente óptico semiconductor

GJB 33/16-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fototransistor semiconductor tipo 3DU32.
GJB 33/17-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor tipo GO11.
GJB/Z 41.3-1993 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores de espectro de serie de dispositivos discretos semiconductores militares
GJB 33/18-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador semiconductor de interruptor analógico bidireccional tipo GO417
GJB 8121-2013 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
GJB 8120-2013 Especificación general para módulo optoelectrónico semiconductor.
GJB 3519-1999 Especificación general para diodos láser semiconductores
GJB 33/15-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el diodo emisor de infrarrojos semiconductor tipo BT401
GJB 8119-2013 Especificaciones generales para dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB 2146A-2011 Especificaciones generales para dispositivos semiconductores de diodos emisores de luz.
GJB 8190-2015 Especificaciones generales para fuentes de luz semiconductoras de estado sólido para iluminación exterior de aeronaves.
GJB 33/20-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302.
GJB 33/22-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GO103.
GJB 33/21-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para la fotocopiadora de la serie GD310A.
GJB 33/23-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Dispositivo optoelectrónico semiconductor. Especificación detallada para el fotoacoplador tipo GH302-4
GJB 5018-2001 Requisitos generales para el cribado y aceptación de dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
GJB 762.2-1989 Dispositivo semiconductor método de prueba de endurecimiento por radiación prueba de irradiación de dosis total gamma

International Electrotechnical Commission (IEC), Agente óptico semiconductor

IEC 60747-5-4:2022 Dispositivos semiconductores. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
IEC 60747-5-4:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos - Láseres semiconductores
IEC TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 RLV Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 Amplificadores ópticos - Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA)
IEC 60747-14-5:2010 Dispositivos semiconductores - Parte 14-5: Sensores semiconductores - Sensor de temperatura semiconductor de unión PN
IEC 60747-5-7:2016 Dispositivos semiconductores - Parte 5-7: Dispositivos optoelectrónicos - Fotodiodos y fototransistores
IEC 60747-5-6:2016 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60747-5-6:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60747-14-2:2000 Dispositivos semiconductores. Parte 14-2: Sensores semiconductores; Elementos del pasillo
IEC 62007-2:1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 60747-5-6:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz.
IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 60747-14-1:2000 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores; General y clasificación
IEC 60747-14-4:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 14-4: Acelerómetros semiconductores
IEC 60747-14-3:2001 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores; Sensores de presión
IEC 60747-15:2003 Dispositivos semiconductores discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
IEC 60747-14-3:2009 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores. Sensores de presión.
IEC 62779-4:2020 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para la comunicación con el cuerpo humano. Parte 4: Cápsula endoscopio.
IEC 62951-4:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores flexibles y estirables - Parte 4: Evaluación de la fatiga para una película delgada conductora flexible sobre el sustrato para dispositivos semiconductores flexibles
IEC 62007-2:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 60747-18-2:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 18-2: Biosensores semiconductores - Proceso de evaluación de módulos de paquetes de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
IEC 60747-14-1:2010 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificación genérica para sensores.
IEC 60747-15:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 60747-5-5:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores.
IEC 60191-1:1966
IEC 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
IEC 60747-18-4:2023 Dispositivos semiconductores - Parte 18-4: Biosensores semiconductores - Método de evaluación de las características de ruido de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes
IEC 60747-18-5:2023 Dispositivos semiconductores - Parte 18-5: Biosensores semiconductores - Método de evaluación de las características de respuesta a la luz de módulos de paquete de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes por ángulo de incidencia de la luz
IEC 62007-2/AMD1:1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición; Enmienda 1
IEC 62007-1:1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 1: Clasificaciones y características esenciales.
IEC 60747-5-5:2007 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
IEC 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
IEC 62779-3:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 3: Tipo funcional y sus condiciones operativas.
IEC 60747-18-1:2019 Dispositivos semiconductores. Parte 18-1: Biosensores semiconductores. Método de prueba y análisis de datos para la calibración de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes.
IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
IEC 63287-1:2021 Dispositivos semiconductores. Directrices genéricas de cualificación de semiconductores. Parte 1: Directrices para la cualificación de la fiabilidad de los circuitos integrados.
IEC 60747-18-3:2019 Dispositivos semiconductores - Parte 18-3: Biosensores semiconductores - Características de flujo de fluido de módulos de paquete de sensores de matriz fotónica CMOS sin lentes con sistema fluídico

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Agente óptico semiconductor

GB/T 15167-1994 Especificaciones generales para fuentes de luz de láseres semiconductores.
GB/T 31358-2015 Especificaciones generales para láseres semiconductores.
GB 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores Dispositivos discretos Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos Láseres semiconductores
GB/T 31359-2015 Métodos de prueba de láseres semiconductores.
GB 12565-1990 Especificación seccional para dispositivos semiconductores y dispositivos optoelectrónicos
GB/T 15529-1995 Especificación detallada en blanco para pantallas numéricas LED
GB/T 15649-1995 Especificación detallada en blanco para diodos láser semiconductores
GB/T 29299-2012 Especificaciones generales del telémetro láser semiconductor.
GB/T 36356-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
GB/T 15651.6-2023 Dispositivos semiconductores Parte 5-6: Dispositivos optoelectrónicos Diodos emisores de luz
GB/T 3859.2-1993 Convertidores de semiconductores. Guía de aplicación
GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 36357-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia media.
GB/T 21548-2008 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.
GB/T 20522-2006 Dispositivos semiconductores. Parte 14-3: Sensores semiconductores. Sensores de presión
GB/T 20521-2006 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. General y clasificación
GB/T 29856-2013 Caracterización de nanotubos de carbono semiconductores de pared simple mediante espectroscopia de fotoluminiscencia en el infrarrojo cercano
GB/T 36359-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
GB/T 36360-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia media
GB/T 12565-1990 Dispositivos semiconductores. Especificación seccional para dispositivos optoelectrónicos.
GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
GB/T 8750-1997 Alambre de oro para la unión de cables de dispositivos semiconductores.
GB/T 15872-1995 Interfaz de fuente de alimentación para equipos semiconductores.
GB/T 7678-1987 Convertidores semiconductores autoconmutados
GB/T 15872-2013 Interfaz de fuente de alimentación para equipos semiconductores.
GB/T 3859.4-2004 Convertidor de semiconductores: convertidores de semiconductores autoconmutados, incluidos convertidores de CC directos
GB/T 11685-2003 Procedimientos de medición para sistemas detectores de rayos X de semiconductores y espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores.
GB/T 8750-2014 Cable de unión de oro para paquete de semiconductores
GB 10292-1988 Equipos rectificadores semiconductores para telecomunicaciones.

Group Standards of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

T/CASME 698-2023 Aparatos de terapia con láser semiconductor
T/JGXH 008-2020 Láser de estado sólido con bomba de diodo
T/QGCML 2041-2023
T/QGCML 1407-2023 Dispositivo de sellado de doble funda para fabricación de semiconductores fotovoltaicos.
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Defectos de oblea Equipo de inspección óptica automática
T/JSXH 0002-2020 Solución de regeneración para semiconductores.
T/CASAS 002-2021 Terminología para semiconductores de banda ancha
T/CEMIA 030-2022 Revelador de resistencia positiva para semiconductores

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

DB22/T 2725-2017 Láser semiconductor de rejilla de fibra de 980 nm

RU-GOST R, Agente óptico semiconductor

GOST 24458-1980 Acopladores optoelectrónicos de semiconductores. Parámetros esenciales
GOST R 50471-1993 Fotoemisores semiconductores. Método de medición del ángulo de media intensidad
GOST 27299-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Términos, definiciones y símbolos de letras de parámetros.
GOST R 59605-2021 Óptica y fotónica. Detectores fotoeléctricos semiconductores. Dispositivos fotoeléctricos y fotorreceptores. Términos y definiciones
GOST 17704-1972 Dispositivos semiconductores. Receptores fotoeléctricos de energía radiante. Clasificación y designaciones del sistema.
GOST 21934-1983 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Términos y definiciones
GOST 20766-1975 Detectores de espectrómetros semiconductores de radiación ionizante. Tipos y parámetros básicos.
GOST R 57439-2017 Dispositivos semiconductores. Dimensiones básicas
GOST 11630-1984 Dispositivos semiconductores. Especificación general
GOST 18472-1988 Dispositivos semiconductores. Dimensiones básicas
GOST R IEC 61674-2006 Equipos eléctricos médicos. Dosímetros con cámaras de ionización y/o detectores de semiconductores utilizados en el diagnóstico por imágenes por rayos X.
GOST 17772-1988 Detectores fotoeléctricos semiconductores y dispositivos fotoeléctricos receptores. Métodos de medición de parámetros fotoeléctricos y determinación de características.

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Agente óptico semiconductor

GB/T 15651.4-2017 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5-4: Dispositivos optoelectrónicos. Láseres semiconductores.
GB/T 34971-2017 Guía para el manejo de efluentes gaseosos en la industria de semiconductores.
GB/T 36005-2018 Métodos de medición de la seguridad radiológica óptica para equipos y sistemas de iluminación semiconductores.

Professional Standard - Electron, Agente óptico semiconductor

SJ 50033/109-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para los diodos láser semiconductores tipos GJ9031T, GJ9032T y GJ9034T.
SJ/T 11397-2009 Fósforos para diodos emisores de luz.
SJ 20642-1997 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación general para
SJ 20786-2000 Especificaciones generales para ensamblajes optoelectrónicos de semiconductores.
SJ 2218-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo diodo.
SJ 2219-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo transistor.
SJ 20072-1992 Especificaciones detalladas para optoacopladores semiconductores tipo GH24, GH25 y GH26
SJ 2220-1982 Fotoacopladores semiconductores en modo transistor Darlington
SJ 2558-1984 Especificación detallada para pantallas numéricas emisoras de luz semiconductoras, tipo SM1~18
SJ 2684-1986 Dimensiones físicas del dispositivo emisor de luz de semiconductor
SJ/T 2215-2015 Métodos de medición para fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2247-1982 Describe las dimensiones de los dispositivos optoelectrónicos semiconductores.
SJ 2749-1987 Método de medición para diodos láser semiconductores.
SJ 2750-1987 Dimensiones exteriores de diodos láser semiconductores
SJ 2214.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 11394-2009 Métodos de medición de diodos emisores de luz semiconductores.
SJ/T 2214-2015 Métodos de medición para fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
SJ 2355.1-1983 Procedimientos generales de medición para dispositivos emisores de luz.
SJ 2215.1-1982 Procedimientos generales de medición para fotoacopladores semiconductores.
SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
SJ 50033.40-1994 Especificación detallada para el fototransistor NPN de silicio semiconductor tipo GT11
SJ 50033/4-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz roja para el tipo GF 111 de clases GP y GT.
SJ 50033/6-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz verde para el tipo GF 411 de clases GP y GT.
SJ 50033/5-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para diodos semiconductores emisores de luz amarilla para el tipo GF 311 de clases GP y GT.
SJ 50033/3-1994 Dispositivo semiconductor discreto. Especificación detallada para optoacopladores semiconductores para tipos GH21, GH22 y GH23 de clases GP, GT y GCT.
SJ 2214.10-1982 Método de medición de la corriente luminosa de fotodiodos semiconductores y fototransistores.
SJ 20642.5-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH82
SJ 20642.4-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH81
SJ 20642.6-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para optoacopladores tipo GH83
SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
SJ/T 11401-2009 Programa en serie para diodos emisores de luz semiconductores.
SJ 50033/111-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación de demora para el fototransistor tipo GT16 Si.NPN
SJ 2355.5-1983 Método de medición de la intensidad luminosa y del ángulo de semiintensidad de los dispositivos emisores de luz.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ 50033/101-1995 Especificación detallada para módulos de diodos láser semiconductores para el tipo GJ1325
SJ 50033/35-1994 Especificación detallada para el optoacoplador semiconductor de alta velocidad tipo GH30
SJ 2355.7-1983 Método de medición de la longitud de onda de emisión máxima y el ancho de banda de radiación espectral de dispositivos emisores de luz.
SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
SJ 50033/112-1996 Dispositivos optoelectrónicos scmiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3251Y.
SJ 2355.6-1983 Método de medición del flujo luminoso de dispositivos emisores de luz.
SJ 50033/113-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para fotodiodos tipo GD3252Y.
SJ 2433-1984 Hoja de unión para tubos semiconductores.
SJ 2214.3-1982 Método de medición de corriente oscura de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.5-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.8-1982 Método de medición del voltaje de corriente oscura de fototransistores semiconductores.
SJ 2658.1-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores. Reglas generales.
SJ/T 11398-2009 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
SJ 20642.3-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD83
SJ 20644.1-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el fotodiodo PIN tipo GD101
SJ 20642.2-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD82
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ/T 11395-2009 Terminología de iluminación semiconductora
SJ 2214.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2214.7-1982 Método de medición del voltaje de saturación de fototransistores semiconductores.
SJ 20957-2006 Especificaciones generales para conjuntos de diodos láser semiconductores de gran potencia
SJ 20786.1-2002 Conjunto fotoeléctrico semiconductor Especificación detallada para localizador fotoeléctrico dúplex en miniatura para el tipo CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz roja para el tipo GF116.
SJ 50033/143-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor rojo tipo GF1120.
SJ 50033/137-1997 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz naranja-rojo para el tipo GF216
SJ 20642.1-1998 Módulo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para el módulo optorreceptor PIN-FET tipo GD81
SJ/T 11405-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición
SJ 50033/139-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz verde para el tipo GF4111.
SJ 50033/138-1998 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor de luz amarillo para el tipo GF318.
SJ 50033/58-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz verde para tipo GF413
SJ/T 11393-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia
SJ 50033/142-1999 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el diodo emisor verde tipo GF4112.
SJ 50033/57-1995 Dispositivo optoelectrónico semiconductor Especificación detallada para diodo emisor de luz roja para tipo GF115
SJ/T 11866-2022 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificaciones detalladas para diodos emisores de luz de potencia de luz blanca con sustrato de silicio
SJ/T 11400-2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de menor potencia
SJ 2215.6-1982 Método de medición de la capacitancia de unión de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.8-1982 Método de medición del voltaje de saturación de salida de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ/T 10414-2015 Soldadura para dispositivo semiconductor
SJ/T 10414-1993 Soldadura para dispositivo semiconductor.
SJ/T 10535-1994 Barco de tungsteno para dispositivos semiconductores.
SJ 50033/99-1995 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para diodo emisor de luz de doble color o/G para tipo GF511
SJ 20642.7-2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores Especificación detallada para el módulo de diodo emisor de luz tipo GR1325J
SJ/T 11817-2022 Especificaciones detalladas en blanco para diodos emisores de luz para dispositivos optoelectrónicos semiconductores y lámparas de incandescencia.
SJ 2658.12-1986 Métodos de medición para diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición para la longitud de onda de emisión máxima y la mitad del ancho espectral
SJ 2215.14-1982 Método de medición del voltaje de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2215.3-1982 Método de medición de la corriente directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2214.4-1982 Método de medición de la tensión de ruptura inversa de fotodiodos semiconductores.
SJ 2215.4-1982 Método de medición de corriente inversa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.10-1982 Método de medición de la relación de transferencia de corriente continua de fotoacopladores de semiconductores.
SJ 2215.12-1982 Método de medición de la capacitancia de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores.
SJ 50033/114-1996 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Especificación detallada para el detector sensible a la posición tipo GD3283Y
SJ 2215.2-1982 Método de medición de la tensión directa de fotoacopladores semiconductores (diodos)
SJ 2215.13-1982 Método de medición de la resistencia de aislamiento de entrada a salida de fotoacopladores semiconductores
SJ 2355.4-1983 Métodos de medición de la capacitancia de unión de dispositivos emisores de luz.
SJ/Z 9021.1-1987 Estandarización mecánica de componentes semiconductores Parte 1 Preparación de dibujos de componentes semiconductores
SJ 2658.6-1986 Métodos de medición de diodos infrarrojos semiconductores Métodos de medición de la potencia óptica de salida
SJ 2355.3-1983 Método de medición de corriente inversa de dispositivos emisores de luz.
SJ 2355.2-1983 Método de medición de la caída de tensión directa de dispositivos emisores de luz.
SJ 50033/140-1999 Dispositivos semiconductores discretos Especificación detallada para el transistor de potencia de pulso de microondas de silicio tipo 3DA502

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

DB35/T 1193-2011 Chip LED semiconductor

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

CNS 13805-1997 Método de medición de fotoluminiscencia de obleas semiconductoras optoelectrónicas
CNS 7011-1981 Numeración de electrodos en dispositivos semiconductores de electrodos múltiples y designación de unidades en dispositivos semiconductores de unidades múltiples

HU-MSZT, Agente óptico semiconductor

MSZ 700/27.lap-1962 SZENEK VIZSG?LATA Gyulladáspont meghatározása
MSZ 9200/18-1980 VILLAMOS RAJZJELEK Félvezet?k
MNOSZ 700-16.lap-1955 EXAMEN DEL CARBÓN Y DETERMINACIÓN DEL CONTENIDO DE NITRÓGENO
MNOSZ 700-19.lap-1955 SZENEK VIZSG?LATA BITUMENTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MNOSZ 700-18.lap-1956 SZENEK VIZSGALATA KL?RTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
MSZ 700/23.lap-1965 SZENEK VIZSG?LATA Feketeszenek kokszol hatóságának meghatározása dilatométerrel
MSZ 700/24.lap-1965 SZENEK VIZSG?LATA Feketeszenek plasztometrikus mutatószámának meghatározása Szapozsnyikov szerint
MSZ 700/36.lap-1961 SZENEK VIZSG?LATA NYERS AKNASZ?N VIZSG?LATA A SZ?NB?NY?SZATBAN
MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

IET - Institution of Engineering and Technology, Agente óptico semiconductor

DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998 Láseres semiconductores de retroalimentación distribuida
HIST WLD SEMI IND-1990 Una historia de la industria mundial de semiconductores

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Agente óptico semiconductor

KS C 6942-1999 Regla general de módulos de diodos láser para transmisión por fibra óptica.
KS C 6943-1999 Métodos de prueba de módulos láser para transmisión de fibra óptica.
KS C IEC 62007-2:2003 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica － Parte 2: Métodos de medición
KS C IEC 60747-5:2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos.
KS C IEC 60747-14-1:2003 Dispositivos semiconductores－Parte 14－1：Sensores semiconductores－General y clasificación
KS C IEC 60747-14-1:2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificaciones genéricas para sensores.
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Dispositivos fotoeléctricos semiconductores para sistemas de comunicación óptica. Parte 2: Métodos de medición.
KS C IEC 60747-14-1:2019 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificación genérica para sensores.
KS C 7013-1971(2000) SISTEMA DE DESIGNACIÓN DE TIPO PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
KS C 7013-1985 SISTEMA DE DESIGNACIÓN DE TIPO PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
KS C IEC 62007-1:2003 ¿Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica? Parte 1: Clasificaciones y características esenciales

Professional Standard - Medicine, Agente óptico semiconductor

YY 1289-2016 Equipo de terapia con láser Instrumento de fotocoagulación con láser de diodo oftálmico
YY 0845-2011 Equipo terapéutico láser. Equipo láser de diodo para terapia fotodinámica.
YY/T 0998-2015 Equipos semiconductores de terapia de calentamiento y/o enfriamiento.

CZ-CSN, Agente óptico semiconductor

CSN 35 8701-1975 Terminología de semiconductores y dispositivos semiconductores.
CSN 35 8761-1973
CSN 35 8762-1973 Dispositivos semiconductores. Fotodiodos fototransistores. Medición de corriente oscura.
CSN 35 8701 Z1-1997 N?ZVOSLOV? Z OBORU POLOVODI??
CSN 35 8720 Cast.1-1987 Dispositivos semiconductores. Dimensiones
CSN 35 1531-1973 Rectificadores semiconductores de silicio
CSN 35 1530-1979 Convertidores de semiconductores de potencia
CSN 35 8754-1973 Dispositivos semiconductores. Transistores. Medición de la admitancia de salida de cortocircuito.
CSN 01 3347-1989
CSN 34 5910-1986 Cable de unión de oro para dispositivos semiconductores
CSN 01 3368-1990 Símbolos gráficos para dispositivos semiconductores.
CSN 35 8851-1987 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores. Nomenclatura, definición y símbolos de letras de parámetros.
CSN 35 8804-1985 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para equipos ampliamente utilizados. Especificaciones generales
CSN 35 1540-1979 Pruebas de convertidores de semiconductores de potencia.
CSN 35 8710-1975 Símbolos de letras para dispositivos semiconductores.
CSN 35 1560-1969 Rectificadores de semiconductores de potencia

Defense Logistics Agency, Agente óptico semiconductor

DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, SILICIO, FOTO TIPO 2N986
DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, EMISOR DE LUZ, TIPO 1N5765 JAN Y TX
DLA MIL-DTL-19491 H-2002 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, EMBALAJE DE
DLA DESC-DWG-84002-1984 DISIPADORES DE CALOR PARA DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
DLA MIL-PRF-19500 N-2005 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ESPECIFICACIONES GENERALES PARA
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipo silicio 2N3904
DLA QML-19500-31-2007 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES, ESPECIFICACIONES GENERALES PARA
DLA QML-19500-QPD-2010 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA QML-19500-QPD-2011 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA QML-19500-2011 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA QML-19500-QPD-2012 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA QML-19500-2012 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA QML-19500-2013 Dispositivos semiconductores, especificaciones generales para
DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, TRANSISTOR, NPN, TIPO DE SILICIO 2N1051
DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, tipo transistor Tipo 2N744
DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 Dispositivo semiconductor, transistor, tipos 2N2631 y 2N2876
DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, DIODO, ULTRA RÁPIDO

工业和信息化部, Agente óptico semiconductor

SJ/T 2749-2016 Métodos de prueba de diodos láser semiconductores
QB/T 5369-2019 Equipos de refrigeración semiconductores.
SJ/T 11586-2016 Método de prueba para la irradiación de dosis total de rayos X de baja energía de 10 KeV de dispositivos semiconductores
SJ/T 11577-2016 Guía de aplicación "Métodos de prueba de diodos emisores de luz semiconductores" SJ/T 11394-2009

RO-ASRO, Agente óptico semiconductor

STAS 12258/3-1985 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos FOTOTRANSISTORES Terminología y características esenciales
STAS 12258/7-1987 DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS SEMICONDIC- TOH CÉLULAS FOTOVOLTAICAS Terminología y cliarac esenciales! erística
STAS 12258/2-1984 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos PIIOTODIODES Terminología y características esenciales
STAS 12258/4-1986 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos DIODOS EMISORES DE LUZ Terminología y características principales
STAS 12258/5-1986 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS PANTALLAS Terminología y características esenciales
STAS 12258/1-1984 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES OPTOELECTRÓNICOS Terminología general y nomenclatura de parámetros básicos generales
STAS 1590/10-1974 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Símbolos gráficos
STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

International Organization for Standardization (ISO), Agente óptico semiconductor

ISO/TS 17915:2013 Óptica y fotónica. Método de medición de láseres semiconductores para detección.
ISO 17915:2018 Óptica y fotónica: método de medición de láseres semiconductores para detección.

Association Francaise de Normalisation, Agente óptico semiconductor

NF C86-503:1986 Dispositivos semiconductores. Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos. Fototransistores, transistores fotodarlington y conjuntos de fototrasistores. Especificación de detalle en blanco CECC 20 003.
NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores. Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores.
NF EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.
NF C96-015:2005 Dispositivos semiconductores discretos - Parte 15: dispositivos semiconductores de potencia aislados
NF C96-779-1*NF EN 62779-1:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 1: requisitos generales.
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 60747-15:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: dispositivos semiconductores aislados de potencia
NF C53-221:1980 Convertidores semiconductores autoconmutados.
NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: dispositivos semiconductores de potencia aislados.
NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
NF EN 62007-2:2009 Dispositivos semiconductores optoelectrónicos para aplicación en sistemas de fibra óptica - Parte 2: métodos de medición
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores semiconductores de efecto de campo de óxido metálico (MOSFET)
NF EN 62779-1:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicaciones a través del cuerpo humano. Parte 1: requisitos generales.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
NF C96-779-2*NF EN 62779-2:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para la comunicación con el cuerpo humano. Parte 2: caracterización de las prestaciones de la interfaz.
NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.
NF C96-779-3*NF EN 62779-3:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 3: tipo funcional y sus condiciones operativas.
NF EN 62779-2:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicaciones a través del cuerpo humano. Parte 2: Caracterización del rendimiento de la interfaz.
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF C96-287-1*NF EN IEC 63287-1:2021 Dispositivos semiconductores. Directrices genéricas de calificación de semiconductores. Parte 1: directrices para la calificación de confiabilidad de circuitos integrados.
NF EN 61207-7:2014 Expresión del rendimiento del analizador de gases: Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables

Professional Standard - Post and Telecommunication, Agente óptico semiconductor

YD/T 701-1993 Método de prueba para el ensamblaje de diodos láser semiconductores.
YD/T 1687.1-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 1: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa refrigerado de 2,5 Gbit/s
YD/T 1687.2-2007 Requisitos técnicos del conjunto de láser semiconductor de alta velocidad para comunicación por fibra óptica Parte 2: Conjunto de láser semiconductor de modulación directa no refrigerado de 2,5 Gbit/s
YD/T 2001.2-2011 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: métodos de medición.

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Agente óptico semiconductor

NEMA CB-4:1989 Grafito semiconductor

National Fire Protection Association (NFPA), Agente óptico semiconductor

NFPA FPH SECTION 6-30-2003 Fabricación de semiconductores

IEC - International Electrotechnical Commission, Agente óptico semiconductor

IEC TR 61292-9:2017 Amplificadores ópticos – Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (Edición 2.0)
IEC 60146-2:1974 Convertidores de semiconductores Parte 2: Convertidores de semiconductores autoconmutados (Edición 1.0)
IEC TR 63133:2017 Dispositivos semiconductores: estimación del nivel de envejecimiento basada en escaneo para dispositivos semiconductores (Edición 1.0)

YU-JUS, Agente óptico semiconductor

JUS N.R1.322-1979 Términos y definiciones para dispositivos semiconductores. tiristores
JUS N.R1.520-1988 Dispositivos semiconductores. Preparación de dibujo
JUS N.A3.500-1980 Dispositivos semiconductores. Símbolos gráficos
JUS A.A4.302-1990 Diseños tabulares de características de artículos para diodos semiconductores.

German Institute for Standardization, Agente óptico semiconductor

DIN IEC 60747-11:1992 Dispositivos semiconductores; especificación seccional para dispositivos semiconductores; idéntico a IEC 60747-11:1985
DIN 50455-2:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN IEC/TR 61292-9:2013 Amplificadores ópticos. Parte 9: Amplificadores ópticos semiconductores (SOA) (IEC 86C/1109/CD:2013)
DIN EN 60747-15:2012-08 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados (IEC 60747-15:2010); Versión alemana EN 60747-15:2012 / Nota: DIN EN 60747-15 (2004-08) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2014-01-20.
DIN 5032-9:2015-01 Fotometría - Parte 9: Medición de las cantidades fotométricas de fuentes de luz semiconductoras emisoras incoherentes
DIN 5032-9:2015 Fotometría - Parte 9: Medición de las cantidades fotométricas de fuentes de luz semiconductoras emisoras incoherentes
DIN EN 62417:2010-12 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (IEC 62417:2010); Versión alemana EN 62417:2010
DIN EN 62007-2:2009-09 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición (IEC 62007-2:2009); Versión alemana EN 62007-2:2009 / Nota: DIN EN 62007-2 (2001-06) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2012-02-01.
DIN EN 61207-7:2015-07 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables (IEC 61207-7:2013); Versión alemana EN 61207-7:2013 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 61207-1 (2011-04).
DIN EN IEC 63287-1:2020-06 Dispositivos semiconductores - Directrices genéricas de calificación de semiconductores - Parte 1: Directrices para la calificación de confiabilidad LSI (IEC 47/2614/CDV:2020); Versión en alemán e inglés prEN IEC 63287-1:2020 / Nota: Fecha de emisión 2020-05-08*Previsto como reemplazo...

JP-JEITA, Agente óptico semiconductor

JEITA ED7500A-2-2006 Norma para las dimensiones de dispositivos semiconductores (dispositivos semiconductores discretos)

American National Standards Institute （ANSI), Agente óptico semiconductor

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
ANSI/EIA 370-B:1992 Dispositivos semiconductores, sistema de designación para

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Agente óptico semiconductor

EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores: pruebas de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET)
EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores
EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica. Parte 2: Métodos de medición.
EN 62779-1:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 1: Requisitos generales.
EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
EN 62779-2:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 2: Caracterización del rendimiento de la interfaz.
EN 62779-3:2016 Dispositivos semiconductores. Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano. Parte 3: Tipo funcional y sus condiciones operativas.
EN IEC 63287-1:2021 Dispositivos semiconductores. Directrices genéricas de cualificación de semiconductores. Parte 1: Directrices para la cualificación de la fiabilidad de los circuitos integrados.
EN 61207-7:2013 Expresión del rendimiento de los analizadores de gas. Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables.

ES-UNE, Agente óptico semiconductor

UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en octubre de 2020.)
UNE-EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores aislados de potencia (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 62779-1:2016 Dispositivos semiconductores - Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano - Parte 1: Requisitos generales (Ratificada por AENOR en julio de 2016.)
UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Ratificada por AENOR en mayo de 2015.)
UNE-EN 60747-5-5:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos - Fotoacopladores (Ratificada por AENOR en mayo de 2011.)
UNE-EN 62417:2010 Dispositivos semiconductores - Ensayos de iones móviles para transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET) (Ratificada por AENOR en septiembre de 2010.)
UNE-EN 62007-2:2009 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones en sistemas de fibra óptica -- Parte 2: Métodos de medida (Ratificada por AENOR en junio de 2009.)
UNE-EN 62779-2:2016 Dispositivos semiconductores - Interfaz semiconductora para comunicación con el cuerpo humano - Parte 2: Caracterización de las prestaciones de interfaz (Ratificada por AENOR en julio de 2016.)
UNE-EN 61207-7:2013 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en enero de 2014.)
UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Expresión de prestaciones de analizadores de gases - Parte 7: Analizadores de gases láser semiconductores sintonizables (Ratificada por AENOR en septiembre de 2015.)
UNE-EN IEC 63287-1:2021 Dispositivos semiconductores - Pautas genéricas de calificación de semiconductores - Parte 1: Pautas para la calificación de confiabilidad de CI (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en noviembre de 2021.)

国家药监局, Agente óptico semiconductor

YY/T 1751-2020 Equipo de tratamiento con láser instrumento de terapia de irradiación intranasal con láser semiconductor

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Agente óptico semiconductor

IEEE 256-1963 DIODOS SEMICONDUCTORES
IEEE 59-1962 COMPONENTES DEL RECTIFICADOR SEMICONDUCTOR

SE-SIS, Agente óptico semiconductor

SIS SS CECC 20000-1983 Especificación genérica: Dispositivos semiconductores optoelectrónicos y de cristal líquido.
SIS SEN 01 03 51-1966 Dispositivos semiconductores Terminología
SIS SEN 01 03 51-1976 Dispositivos semiconductores Terminología
SIS SS-IEC 747:1991 Dispositivos semiconductores: dispositivos discretos
SIS SS-IEC 748:1991 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados.
SIS SEN 01 26 51-1969 Símbolos para diagramas eléctricos Semiconductores.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Agente óptico semiconductor

EN 62007-2:2000 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores para aplicaciones de sistemas de fibra óptica Parte 2: Métodos de medición
EN 60747-15:2004 Dispositivos semiconductores discretos Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados

American Society for Testing and Materials (ASTM), Agente óptico semiconductor

ASTM F1893-98(2003) Guía para la medición del desgaste de la tasa de dosis ionizante de dispositivos semiconductores
ASTM F1893-98 Guía para la medición del desgaste de la tasa de dosis ionizante de dispositivos semiconductores
ASTM F1893-18 Guía para medir la supervivencia y el desgaste de la tasa de dosis ionizantes de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-12(2018) Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-06 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-04 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-98 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores
ASTM F1893-11 Guía para medir la supervivencia y el desgaste de la tasa de dosis ionizantes de dispositivos semiconductores
ASTM F1892-12 Guía estándar para pruebas de efectos de radiación ionizante (dosis total) de dispositivos semiconductores

Professional Standard - Aerospace, Agente óptico semiconductor

QJ 10004-2008 Método de prueba de radiación de dosis total de dispositivos semiconductores para aplicaciones espaciales.
QJ 2225-1992 Reglas de uso de dispositivos semiconductores

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Agente óptico semiconductor

JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Agente óptico semiconductor

GB/T 37031-2018 Terminología de iluminación semiconductora
GB/T 36358-2018 Dispositivos optoelectrónicos semiconductores: especificación detallada en blanco para diodos emisores de luz de potencia.
GB/T 39771.2-2021 Seguridad de la radiación óptica de los LED. Parte 2: Métodos de medición.
GB/T 21548-2021 Métodos de medición de láseres semiconductores de alta velocidad modulados directamente para sistemas de comunicación por fibra óptica.

BE-NBN, Agente óptico semiconductor

NBN C 95-001-1977 DISPOSITIVOS Y TERMINOLOGÍA DE SEMICONDUCTORES
NBN C 95-001-1973 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES: Terminología

US-Unspecified Preparing Activity, Agente óptico semiconductor

DI-QCIC-80924 A-2006 ESPECIFICACIÓN DEL PROCESO DE SEMICONDUCTOR

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

DB44/T 1873-2016 vitrina de refrigeración semiconductora
DB44/T 1639.1-2015 Reglas generales para componentes ópticos estándar de iluminación de semiconductores Parte 1 División jerárquica

Danish Standards Foundation, Agente óptico semiconductor

DS/IEC 747-12:1993 Dispositivos semiconductores. Parte 12: Especificaciones seccionales para dispositivos optoelectrónicos
DS/EN 60747-15:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos discretos - Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados
DS/IEC 747-5:1986 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos y circuitos integrados. Parte 5: Servicios optoelectrónicos
DS/EN 60747-5-5:2011
DS/EN 62417:2010
DS/EN 62007-2:2009
DS/EN IEC 63287-1:2021 Dispositivos semiconductores – Directrices genéricas de cualificación de semiconductores – Parte 1: Directrices para la cualificación de la fiabilidad de los circuitos integrados

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Agente óptico semiconductor

TIA-455-128-1996 Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores
TIA-455-128-1996(2014) Procedimientos para determinar la corriente umbral de láseres semiconductores

KR-KS, Agente óptico semiconductor

KS C IEC 60747-5-2020 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 5: Dispositivos optoelectrónicos.
KS C IEC 60747-14-1-2021 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificaciones genéricas para sensores.
KS C IEC 60747-14-1-2019 Dispositivos semiconductores. Parte 14-1: Sensores semiconductores. Especificación genérica para sensores.

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica

IN-BIS, Agente óptico semiconductor

IS 12737-1988 PROCEDIMIENTOS DE PRUEBA ESTÁNDAR PARA ESPECTRÓMETROS DE ENERGÍA DE RAYOS X DE SEMICONDUCTOR
IS 5001 Pt.1-1969 GUÍA PARA LA PREPARACIÓN DE DIBUJOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
IS 4411-1967 CÓDIGO PARA LA DESIGNACIÓN DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
IS 5001-1969 GUÍA PARA LA PREPARACIÓN DE DIBUJOS DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES
IS 1885 Pt.7/Sec.6-1984 VOCABULARIO ELECTROTÉCNICO PARTE 7 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Sección 6 Dispositivos optoelectrónicos

Underwriters Laboratories (UL), Agente óptico semiconductor

UL 1557-1993 Dispositivos semiconductores eléctricamente aislados.
UL 1557-1997 Dispositivos semiconductores eléctricamente aislados.
UL 1557-2006 Norma UL para seguridad de dispositivos semiconductores aislados eléctricamente, cuarta edición; Reimpresión con revisiones hasta el 26/06/2006 inclusive
UL 1557-2011 Dispositivos semiconductores eléctricamente aislados.

Professional Standard - Machinery, Agente óptico semiconductor

JB/T 5537-2006 Sensores de presión semiconductores
JB/T 4277-1996 Embalaje de piezas de semiconductores de potencia.
JB/T 7059-1993 Guía para la preparación de estándares para módulos semiconductores de potencia.
JB/T 10096-2000 Guía de selección de carcasa para dispositivo semiconductor de potencia.
JB/T 10097-2000 Estuche para dispositivo semiconductor de potencia.

ESD - ESD ASSOCIATION, Agente óptico semiconductor

EP118-2007 Física de dispositivos semiconductores

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

DB52/T 796-2013 Detonador eléctrico semiconductor industrial
DB52/T 844-2013 Regulador de corriente de semiconductores

Association of German Mechanical Engineers, Agente óptico semiconductor

VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 Especificación técnica de adquisición: encapsulantes epoxi para chips semiconductores

Standard Association of Australia （SAA）, Agente óptico semiconductor

AS 60146.2:2001/Amdt 1:2001 Convertidores de semiconductores: convertidores de semiconductores autoconmutados, incluidos convertidores de CC directos
AS 60146.2:2001(R2013)

TH-TISI, Agente óptico semiconductor

TIS 1863-2009 Dispositivos semiconductores.Dispositivos discretos.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Agente óptico semiconductor

JEDEC JESD14-1986 Módulos de control de potencia semiconductores
JEDEC JEP140-2002 Medición de temperatura de termopar con cuentas de paquetes de semiconductores
JEDEC JESD77C-2009 Términos, definiciones y símbolos de letras para dispositivos optoelectrónicos y semiconductores discretos
JEDEC JESD77D-2012 Términos, definiciones y símbolos de letras para dispositivos optoelectrónicos y semiconductores discretos

PL-PKN, Agente óptico semiconductor

PN T01503 ArkusZ50-1973 Dispositivos semiconductoresDimensiones Case C9
PN-EN IEC 60747-5-5-2021-04 E Dispositivos semiconductores. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores (IEC 60747-5-5:2020).
PN T01305-1992 Dispositivos semiconductores. Circuitos integrados. Especificaciones seccionales para circuitos integrados de semiconductores, excluidos los circuitos híbridos.

JP-JEC, Agente óptico semiconductor

JEC 2440-2005 CONVERTIDORES AUTOCONMUTADOS DE SEMICONDUCTOR

Lithuanian Standards Office , Agente óptico semiconductor

LST EN IEC 60747-5-5:2020 Dispositivos semiconductores. Parte 5-5: Dispositivos optoelectrónicos. Fotoacopladores (IEC 60747-5-5:2020)
LST EN 60747-15-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos discretos. Parte 15: Dispositivos semiconductores de potencia aislados (IEC 60747-15:2010).

Indonesia Standards, Agente óptico semiconductor

SNI 19-0429-1989 Guía para muestreo de materiales líquidos y semisólidos.

未注明发布机构, Agente óptico semiconductor

BS EN 61207-7:2013(2015) Expresión del rendimiento de los analizadores de gas Parte 7: Analizadores de gas láser semiconductores sintonizables

ZA-SANS, Agente óptico semiconductor

SANS 60146-2:1999 Convertidores de semiconductores Parte 2: Convertidores de semiconductores con conmutación automática, incluidos los convertidores de CC directos

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Agente óptico semiconductor

PQC 82-1989 Semiconductores para uso en equipos electrónicos: Especificación seccional: Circuitos integrados de semiconductores, excluidos los circuitos híbridos

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Agente óptico semiconductor

YS/T 678-2008 Alambre de cobre para unión de conductores semiconductores.

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Agente óptico semiconductor

JJG 363-1984 Reglamento de verificación del termómetro de temistor semiconductor