ZH
EN
ES

Оптический полупроводник

Оптический полупроводник, Всего: 76 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Оптический полупроводник, являются: Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Оптика и оптические измерения, Оптоволоконная связь, Медицинское оборудование, Полупроводниковые приборы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Обработка поверхности и покрытие, Керамика.

British Standards Institution (BSI), Оптический полупроводник

BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы - Оптоэлектронные приборы - Полупроводниковые лазеры
BS EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
PD IEC TR 61292-9:2023 Отслеживаемые изменения. Оптические усилители. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
BS EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Основные номиналы и характеристики
19/30404095 DC БС ЕН МЭК 60747-5-4. Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Приборы полупроводниковые. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
BS ISO 17915:2018 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
BS PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерение этих условий

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Оптический полупроводник

DB22/T 2725-2017 Полупроводниковый лазер с волоконной решеткой 980 нм

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Оптический полупроводник

CNS 13805-1997 Метод измерения фотолюминесценции полупроводниковых пластин оптоэлектроники

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Оптический полупроводник

GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.
GJB 33/17-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводниковой фотопары типа ГО11
GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 33/18-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Подробная спецификация двунаправленного аналогового переключателя полупроводниковой фотопары типа GO417.
GJB 8121-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
GJB 8120-2013 Общие технические условия на полупроводниковый оптоэлектронный модуль
GJB 8119-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные устройства

RO-ASRO, Оптический полупроводник

STAS 12258/7-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУКОНДИКАТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА ФОТОЭЛЕМЕНТЫ Терминология и необходимая ясность! эристика
STAS 12258/3-1985 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ФОТОТРАНЗИСТОРЫ Терминология и существенные характеристики.
STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12258/5-1986 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ДИСПЛЕИ Терминология и существенные характеристики
STAS 12258/1-1984 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общая терминология и номенклатура общих основных параметров
STAS 12258/6-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ИНФРАКРАСНЫЕ ЭММ-ДИОДЫ Терминология и существенные характеристики

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Оптический полупроводник

KS C 6942-1999 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи
KS C 6943-1999 Методы испытаний лазерных модулей волоконно-оптической передачи данных
KS C IEC 62007-2:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
KS C IEC 62007-1:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах? Часть 1: Основные параметры и характеристики

Professional Standard - Electron, Оптический полупроводник

SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи
SJ/T 11856.3-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 3. Полупроводниковые лазерные чипы с модуляцией электрического поглощения для источников света
SJ/T 11856.2-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 2. Полупроводниковые лазерные чипы с вертикальным резонатором для источников света.
SJ/T 11405-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
SJ 20642-1997 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Общие технические условия
SJ 20786-2000 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ 2214.1-1982 Общие методики измерений полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2218-1982 Полупроводниковые фотопары в диодном режиме
SJ 2219-1982 Полупроводниковые фотопары в транзисторном режиме

Professional Standard - Medicine, Оптический полупроводник

YY 0845-2011 Лазерное терапевтическое оборудование.Диодное лазерное оборудование для фотодинамической терапии
YY 1289-2016 Оборудование для лазерной терапии Аппарат для офтальмологической диодной лазерной фотокоагуляции

International Electrotechnical Commission (IEC), Оптический полупроводник

IEC TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC TR 61292-9:2023 RLV Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC 62007-2:1997 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-2:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-2/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения; Поправка 1
IEC 62007-1:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номинальные характеристики и характеристики.

RU-GOST R, Оптический полупроводник

GOST R 50471-1993 Полупроводниковые фотоэмиттеры. Метод измерения угла половинной интенсивности
GOST R 59605-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Понятия и определения
GOST 24458-1980 Полупроводниковые оптоэлектронные развязки. Основные параметры

International Organization for Standardization (ISO), Оптический полупроводник

ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования.
ISO 17915:2018 Оптика и фотоника - Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Оптический полупроводник

EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Оптический полупроводник

EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения

Association Francaise de Normalisation, Оптический полупроводник

NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
NF C86-503:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фототранзисторы, фототранзисторы фотодарлингтона и фототранзисторы. Спецификация пустой детали CECC 20 003.

国家药监局, Оптический полупроводник

YY/T 1751-2020 Оборудование для лазерной терапии, полупроводниковый лазер, инструмент для интраназальной лучевой терапии

Group Standards of the People's Republic of China, Оптический полупроводник

T/CASME 698-2023 Аппарат полупроводниковой лазерной терапии
T/JGXH 008-2020 Твердотельный лазер с диодной накачкой

IEC - International Electrotechnical Commission, Оптический полупроводник

IEC TR 61292-9:2017 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (издание 2.0)

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Оптический полупроводник

GB/T 15651.4-2017 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Оптический полупроводник

GB 15651.4-2017 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства Полупроводниковые лазеры
GB/T 31358-2015 Общие характеристики полупроводниковых лазеров
GB/T 15167-1994 Общие характеристики источника света полупроводниковых лазеров
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров

European Committee for Standardization (CEN), Оптический полупроводник

PD CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ. Условия облучения для испытания фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов и измерения этих условий.

Professional Standard - Post and Telecommunication, Оптический полупроводник

YD/T 2001.2-2011 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Оптический полупроводник

JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.

Defense Logistics Agency, Оптический полупроводник

DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ, ТИП 1N5765 ЯНВАРЬ И TX

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Оптический полупроводник

DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип