ZH

RU

EN

Materiales de chips semiconductores

Materiales de chips semiconductores, Total: 253 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Materiales de chips semiconductores son: Materiales semiconductores, Optoelectrónica. Equipo láser, Dispositivos semiconductores, Herramientas de corte, Aplicaciones de la tecnología de la información., Circuitos integrados. Microelectrónica, Fluidos aislantes, Comunicaciones de fibra óptica., Materiales aislantes, Condiciones y procedimientos de prueba en general., pruebas de metales, Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Vocabularios, Química analítica, Juegos de caracteres y codificación de información., Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Componentes para equipos eléctricos., Transformadores. reactores, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Alambres y cables eléctricos., Cerámica, Óptica y medidas ópticas., Tratamiento superficial y revestimiento., Redes de transmisión y distribución de energía..


German Institute for Standardization, Materiales de chips semiconductores

  • DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
  • DIN EN 62258-2:2011-12 Productos de matrices semiconductoras. Parte 2: Formatos de datos de intercambio (IEC 62258-2:2011); Versión en inglés EN 62258-2:2011 / Nota: DIN EN 62258-2 (2005-12) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 29 de junio de 2014.
  • DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
  • DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
  • DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
  • DIN 50448:1998
  • DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
  • DIN EN 62258-6:2007-02 Productos de matriz semiconductores. Parte 6: Requisitos de información relativa a la simulación térmica (IEC 62258-6:2006); Versión alemana EN 62258-6:2006 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 62258-1 (2011-04), DIN EN 62258-2 (2011-12).
  • DIN EN 62258-5:2007-02 Productos de matriz semiconductores. Parte 5: Requisitos de información relativa a la simulación eléctrica (IEC 62258-5:2006); Versión alemana EN 62258-5:2006 / Nota: Aplica en conjunto con DIN EN 62258-1 (2011-04), DIN EN 62258-2 (2011-12).
  • DIN EN 60749-19:2011-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); Versión alemana EN 60749-19:2003 + A1:2010 / Nota: DIN EN 60749-19 (2003-10) sigue siendo válida junto con esta norma hasta el 2013-09-01.
  • DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
  • DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
  • DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
  • DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
  • DIN EN 62258-2:2011 Productos de matrices semiconductoras. Parte 2: Formatos de datos de intercambio (IEC 62258-2:2011); Versión en inglés EN 62258-2:2011
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
  • DIN 50449-2:1998
  • DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
  • DIN 50454-3:1994
  • DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
  • DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
  • DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
  • DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
  • DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
  • DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
  • DIN 50433-3:1982
  • DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
  • DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Materiales de chips semiconductores

Group Standards of the People's Republic of China, Materiales de chips semiconductores

  • T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
  • T/QGCML 2041-2023
  • T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
  • T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
  • T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio

Professional Standard - Electron, Materiales de chips semiconductores

  • SJ/T 10416-1993 Apecificación genérica de chip para dispositivos semiconductores discretos.
  • SJ/T 11399-2009 Métodos de medición para chips de diodos emisores de luz.
  • SJ/T 11856.3-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 3: Chips láser semiconductores modulados por absorción eléctrica para fuentes de luz
  • SJ/T 11398-2009 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
  • SJ/T 11856.2-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 2: Chips láser semiconductores de emisión superficial de cavidad vertical para fuentes de luz
  • SJ/T 11402-2009 Especificación técnica del chip láser semiconductor utilizado en comunicaciones por fibra óptica.
  • SJ/T 11818.2-2022 Diodos emisores de UV semiconductores, parte 2: especificaciones del chip
  • SJ/T 11856.1-2022 Especificaciones técnicas para chips láser semiconductores para comunicaciones por fibra óptica Parte 1: Chips láser semiconductores de tipo Fabry-Perot y de retroalimentación distribuida para fuentes de luz
  • SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
  • SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
  • SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
  • SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
  • SJ/T 9072.3-1997 Materiales de ferrita: guía sobre el formato de los datos que aparecen en los catálogos de fabricantes de núcleos de transformadores e inductores

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Materiales de chips semiconductores

  • GB/T 43136-2023 Productos superabrasivos: muelas abrasivas para trazar con precisión chips semiconductores
  • GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 36356-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia.
  • GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
  • GB/T 36357-2018 Especificación técnica para chips de diodos emisores de luz de potencia media.
  • GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 42706.5-2023 Almacenamiento a largo plazo de componentes electrónicos y dispositivos semiconductores - Parte 5: Chips y obleas
  • GB/T 16525-2015 Circuitos integrados semiconductores. Especificación de marcos conductores para paquetes portadores de chips con terminales de plástico.
  • GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
  • GB/T 20671.10-2006 Sistema de clasificación y métodos de prueba para materiales de juntas no metálicos. Parte 10: Práctica estándar para evaluar la conductividad térmica de materiales de juntas.
  • GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.

British Standards Institution (BSI), Materiales de chips semiconductores

  • BS PD CLC/TR 62258-4:2013 Productos de matrices semiconductoras. Cuestionario para usuarios y proveedores de troqueles.
  • PD IEC/TR 62258-7:2007 Productos de matrices semiconductoras. Esquema XML para el intercambio de datos.
  • PD ES 59008-5-3:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Requisitos y recomendaciones particulares para tipos de matrices. Troquel mínimamente empaquetado
  • PD IEC/TR 62258-8:2008 Productos de matrices semiconductoras. Esquema del modelo EXPRESS para el intercambio de datos.
  • PD ES 59008-4-1:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Requisitos y recomendaciones específicas. Prueba y calidad
  • PD ES 59008-5-2:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Requisitos y recomendaciones particulares para tipos de matrices. Troquel desnudo con estructuras de conexión añadidas
  • BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
  • PD CLC/TR 62258-3:2007 Productos de matrices semiconductoras. Recomendaciones de buenas prácticas en manipulación, embalaje y almacenamiento
  • BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
  • PD ES 59008-6-2:2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras. Intercambio de formatos de datos y diccionario de datos. Diccionario de datos
  • BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
  • BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
  • BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
  • BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.

IPC - Association Connecting Electronics Industries, Materiales de chips semiconductores

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Materiales de chips semiconductores

  • GB/T 35010.4-2018 Productos de troqueles semiconductores. Parte 4: Requisitos para usuarios y proveedores de troqueles.
  • GB/T 35010.6-2018 Productos de matriz semiconductores. Parte 6: Requisitos relacionados con la simulación térmica.
  • GB/T 35010.2-2018 Productos de matrices semiconductoras: Parte 2: Formatos de datos de intercambio
  • GB/T 35010.5-2018 Productos de matriz semiconductores. Parte 5: Requisitos relacionados con la simulación eléctrica.
  • GB/T 35010.1-2018 Productos de matriz semiconductores. Parte 1: Requisitos de adquisición y uso.
  • GB/T 35010.7-2018 Productos de matrices semiconductoras: Parte 7: Esquema XML para el intercambio de datos
  • GB/T 35010.8-2018 Productos de matrices semiconductoras: Parte 8: Esquema del modelo EXPRESS para el intercambio de datos
  • GB/T 35010.3-2018 Productos de matriz semiconductores. Parte 3: Guía para manipulación, embalaje y almacenamiento.

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), Materiales de chips semiconductores

  • CLC/TR 62258-4-2013 Productos de matrices semiconductores - Parte 4: Cuestionario para usuarios y proveedores de matrices
  • CLC/TR 62258-4:2013 Productos de matrices semiconductores - Parte 4: Cuestionario para usuarios y proveedores de matrices
  • CLC/TR 62258-7:2007 Productos de matrices semiconductoras - Parte 7: Esquema XML para el intercambio de datos
  • CLC/TR 62258-8:2008 Productos de matriz semiconductores - Parte 8: Esquema del modelo EXPRESS para el intercambio de datos
  • CLC/TR 62258-3:2007 Productos de matriz semiconductores - Parte 3: Recomendaciones de buenas prácticas en manipulación, embalaje y almacenamiento
  • EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.

Danish Standards Foundation, Materiales de chips semiconductores

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Materiales de chips semiconductores

  • ES 59008-5-1-2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras Parte 5-1: Requisitos particulares y recomendaciones para tipos de matrices: matrices desnudas
  • EN 62258-2:2005 Productos de matrices semiconductoras Parte 2: Formatos de datos de intercambio
  • EN 62258-2:2011 Productos de matrices semiconductoras - Parte 2: Formatos de datos de intercambio
  • ES 59008-5-3-2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras - Parte 5-3: Requisitos particulares y recomendaciones para tipos de matrices - Matrices con empaque mínimo
  • ES 59008-4-3-1999 Requisitos de datos para matrices semiconductoras Parte 4-3: Requisitos y recomendaciones específicos - Térmicos
  • ES 59008-4-2-2000 2001 Requisitos de datos para matrices semiconductoras - Parte 4-2: Requisitos y recomendaciones específicos Manejo y almacenamiento
  • ES 59008-4-4-1999 Requisitos de datos para matrices semiconductoras Parte 4-4: Requisitos específicos y recomendaciones Simulación eléctrica

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Materiales de chips semiconductores

  • JEDEC JESD22-B118-2011 Inspección visual externa de la parte posterior de matrices y obleas semiconductoras
  • JEDEC JESD49A.01-2013 Estándar de adquisiciones para productos de matrices semiconductoras, incluidas matrices en buen estado (KGD) (Revisión menor de JESD49, SEPTIEMBRE de 2005, reafirmada en enero de 2009)

Association Francaise de Normalisation, Materiales de chips semiconductores

  • NF EN 62258-1:2011 Productos de chips semiconductores - Parte 1: Suministro y uso
  • NF EN 62258-2:2011 Productos de chips semiconductores - Parte 2: Formatos de intercambio de datos
  • NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5. Dispositivos de matriz y oblea.
  • NF EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos electrónicos semiconductores. Parte 5: dispositivos con chip y obleas.
  • NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
  • XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
  • NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
  • NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
  • NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
  • NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada

ES-UNE, Materiales de chips semiconductores

  • UNE-EN 62258-1:2010 Troqueles semiconductores -- Parte 1: Adquisición y utilización (Ratificada por AENOR en febrero de 2011.)
  • UNE-EN 62258-2:2011 Troqueles semiconductores - Parte 2: Formatos de datos de intercambio (Ratificada por AENOR en octubre de 2011.)
  • UNE-EN 62258-6:2006 Troqueles semiconductores -- Parte 6: Requisitos de información sobre simulación térmica (IEC 62258-6:2006) (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
  • UNE-EN 62258-5:2006 Troqueles semiconductores -- Parte 5: Requisitos de información relativa a la simulación eléctrica (IEC 62258-5:2006) (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
  • UNE-EN 62435-5:2017 Componentes electrónicos - Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos - Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en mayo de 2017.)
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
  • UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
  • UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
  • UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
  • UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Materiales de chips semiconductores

  • TIA J-STD-026-1999 Estándar de diseño de semiconductores para aplicaciones Flip Chip IPC/EIA J-STD-026

RO-ASRO, Materiales de chips semiconductores

  • STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

HU-MSZT, Materiales de chips semiconductores

  • MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

SE-SIS, Materiales de chips semiconductores

  • SIS SS CECC 00013-1985 Especificación básica: inspección con microscopio electrónico de barrido de dados semiconductores

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), Materiales de chips semiconductores

  • IPC J-STD-026-1999 Estándar de diseño de semiconductores para aplicaciones Flip Chip IPC/EIA J-STD-026

TIA - Telecommunications Industry Association, Materiales de chips semiconductores

  • J-STD-026-1999 Estándar de diseño de semiconductores para aplicaciones Flip Chip (IPC/EIA J-STD-026)

Association of German Mechanical Engineers, Materiales de chips semiconductores

Indonesia Standards, Materiales de chips semiconductores

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Materiales de chips semiconductores

  • GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 4937.19-2018 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel.
  • GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
  • GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

Lithuanian Standards Office , Materiales de chips semiconductores

  • LST EN 62258-2-2011 Productos de matrices semiconductoras. Parte 2: Formatos de datos de intercambio (IEC 62258-2:2011)
  • LST EN 60749-19+AC-2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel (IEC 60749-19:2002)
  • LST EN 60749-19+AC-2003/A1-2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel (IEC 60749-19:2003/A1:2010)
  • LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Materiales de chips semiconductores

  • DB13/T 5120-2019 Especificaciones para la prueba de rendimiento de CC de chips láser semiconductores FP y DFB para comunicación óptica

PT-IPQ, Materiales de chips semiconductores

  • NP 3081-1985 COMPONENTES ELECTR?NICOS Inspec??o de pastilhas^de semicondutores em microscópio electrónico de varrimento Especifica??o de base

AENOR, Materiales de chips semiconductores

  • UNE-EN 60749-19:2003/A1:2011 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel.
  • UNE-EN 60749-19:2003 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 19: Resistencia al corte del troquel.

Defense Logistics Agency, Materiales de chips semiconductores

  • DLA MIL-DTL-83528/13 F-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, ELÉCTRICO, EMI/RFI, GUÍA DE ONDAS
  • DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, ENDURECIDO POR RADIACIÓN, TRANSISTOR MATRIZ, CANAL N Y P, SILICIO VARIOS TIPOS JANHC Y JANKC
  • DLA SMD-5962-87685-1987 MICROCIRCUITOS, CPU MICROPROCESADOR DE 8 BITS, NMOS, SILICIO MONOLÍTICO
  • DLA MIL-DTL-83528/10 D-2013 MATERIAL DE JUNTAS, CONDUCTIVO, ELASTÓMERO, ELÉCTRICO, EMI/RFI, TIRA DE CANAL
  • DLA QPL-83528-41 NOTICE 1-2008 Material de junta, conductor, junta de protección, electrónica, elastómero, EMI/RFI, especificación general para
  • DLA QPL-83528-QPD-2009 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
  • DLA QPL-83528-QPD-2011 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
  • DLA MIL-DTL-83528 D SUPP 1-2011 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
  • DLA MIL-DTL-83528 D-2011 MATERIAL DE JUNTAS, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
  • DLA QPL-83528-2012 Material de junta conductora, junta protectora, electrónica, elastómero, especificación general EMI/RFI para
  • DLA MIL-DTL-83528 E SUPP 1-2012 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, ESPECIFICACIÓN GENERAL PARA
  • DLA QPL-83528-2013 Material de junta, conductor, junta de protección, electrónica, elastómero, EMI/RFI, especificación general para
  • DLA MIL-DTL-83528/8 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICA, ELASTÓMERO, EMI/RFI, TIRA P HUECA
  • DLA SMD-5962-90976-1992 MICROCIRCUITO CHMOS DE UN SOLO CHIP, MICROCONTROLADOR DE 8 BITS CON 256 BYTES DE RAM DE DATOS EN EL CHIP, SILICIO MONOLÍTICO
  • DLA MIL-DTL-83528/11 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTOR, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICA, ELASTÓMERO, EMI/RFI, TIRA TÓRICA HUECA
  • DLA MIL-DTL-83528/9 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, TIRA RECTANGULAR SÓLIDA
  • DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 MICROCIRCUITO DIGITAL CMOS MICROCONTROLADOR DE 8 BITS DE CHIP ÚNICO, SILICIO MONOLÍTICO
  • DLA MIL-DTL-83528/3 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, TIRA SÓLIDA EN FORMA DE 揇?
  • DLA MIL-DTL-83528/5 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICA, ELASTÓMERO, EMI/RFI, JUNTA TÓRICA, NO ESTÁNDAR
  • DLA MIL-DTL-83528/6 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, EMI/RFI, RECTANGULAR, SECCIÓN TRANSVERSAL D
  • DLA MIL-DTL-83528/12 D-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICO, ELASTÓMERO, ELÉCTRICO, EMI/RFI, ARANDELA CIRCULAR PLANA
  • DLA MIL-DTL-83528/1 E-2013 MATERIAL DE JUNTA, CONDUCTIVO, JUNTA DE PROTECCIÓN, ELECTRÓNICA, ELASTÓMERO, EMI/RFI, TIRA CIRCULAR, DIÁMETRO DE 0,040 A 0,250
  • DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR, EFECTO DE CAMPO, ENDURECIDO POR RADIACIÓN (DOSIS TOTAL Y EFECTOS DE EVENTO ÚNICO) TRANSISTOR, CANAL N Y CANAL P, SILICIO, VARIOS TIPOS, JANHC Y JANKC
  • DLA MIL-PRF-19500/694 A VALID NOTICE 1-2008 Dispositivo semiconductor, Transistor, Plástico, NPN, Silicio, Conmutación, Tipo 2N3700UE1, JAN, JANTX, JANJ
  • DLA MIL-DTL-83528/14 A VALID NOTICE 1-2012 Material de junta, conductor, junta de protección, electrónica, elastómero, EMI/RFI, para uso en medidores de totalización de tiempo cubiertos por MIL-M-7793
  • DLA SMD-5962-04227 REV B-2005

International Electrotechnical Commission (IEC), Materiales de chips semiconductores

  • IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
  • IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
  • IEC 60740-2:1993 Laminaciones para transformadores e inductores para uso en equipos electrónicos y de telecomunicaciones; parte 2: especificación para las permeabilidades mínimas de laminaciones hechas de materiales metálicos magnéticos blandos
  • IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
  • IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
  • IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada

PH-BPS, Materiales de chips semiconductores

  • PNS IEC 62435-5:2021 Componentes electrónicos. Almacenamiento a largo plazo de dispositivos semiconductores electrónicos. Parte 5: Dispositivos de matriz y oblea.

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Materiales de chips semiconductores

  • DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Materiales de chips semiconductores

  • ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
  • ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-05 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM B976-11(2015) Especificación estándar para alambre de núcleo compuesto de matriz de aluminio reforzado con fibra (AMC) para conductores de aluminio, reforzado con compuesto (ACCR)
  • ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM B976-21 Especificación estándar para alambre central de compuesto de matriz de aluminio reforzado con fibra (AMC) para conductores de aluminio Reforzado con matriz de aluminio (ACAMCR) (anteriormente conocido como ACCR)
  • ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM B987/B987M-20 Especificación estándar para núcleo compuesto de matriz polimérica termoestable (CFC) de fibra de carbono para uso en conductores eléctricos aéreos

RU-GOST R, Materiales de chips semiconductores

American National Standards Institute (ANSI), Materiales de chips semiconductores

  • ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ANSI/ASTM D6095:2012 Método de prueba para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Materiales de chips semiconductores

  • KS C 6520-2021 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
  • KS C 6520-2019 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores -Métodos de prueba mecánicos y climáticos -Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores -Métodos de prueba mecánicos y climáticos -Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
  • KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores -Métodos de prueba mecánicos y climáticos -Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
  • KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada

未注明发布机构, Materiales de chips semiconductores

  • BS CECC 13:1985(1999) Sistema armonizado de evaluación de la calidad de los componentes electrónicos: Especificaciones básicas: Inspección con microscopio electrónico de barrido de dados semiconductores.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Materiales de chips semiconductores

  • JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
  • JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

KR-KS, Materiales de chips semiconductores

  • KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Materiales de chips semiconductores

  • T-32-645-2012 Método de prueba para establecer la compatibilidad de la resistividad del volumen de componentes que bloquean el agua con materiales de protección semiconductores extruidos

Insulated Cable Engineers Association (ICEA), Materiales de chips semiconductores

  • ICEA T-32-645-2012 MÉTODO DE PRUEBA PARA ESTABLECER LA COMPATIBILIDAD DE RESISTIVIDAD DE VOLUMEN DE COMPONENTES BLOQUEADORES DE AGUA CON MATERIALES DE PROTECCIÓN SEMICONDUCTORES EXTRUIDOS

European Committee for Standardization (CEN), Materiales de chips semiconductores

  • PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

Standard Association of Australia (SAA), Materiales de chips semiconductores

  • AS/NZS 1660.2.3:1998 Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos




©2007-2023 Reservados todos los derechos.