Pruebas de materiales semiconductores

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En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Pruebas de materiales semiconductores son: Materiales semiconductores, Fluidos aislantes, pruebas de metales, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, Componentes electrónicos en general., Dispositivos semiconductores, Circuitos impresos y placas., Sellos, glándulas, Electricidad. Magnetismo. Mediciones eléctricas y magnéticas., Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Vocabularios, Química analítica, Aplicaciones de la tecnología de la información., Cerámica, PRUEBAS, Óptica y medidas ópticas., Alambres y cables eléctricos., Ceras, materias bituminosas y otros productos petrolíferos, químicos inorgánicos, Tratamiento superficial y revestimiento., Petróleo crudo, Pruebas no destructivas, Plástica, Refractarios.

German Institute for Standardization, Pruebas de materiales semiconductores

DIN 50438-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en el silicio mediante absorción infrarroja. Parte 1: Oxígeno.
DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50451-1:2003 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 1: Plata (Ag), oro (Au), calcio (Ca), cobre (Cu), hierro (Fe), potasio (K) y sodio (Na ) en ácido nítrico por AAS
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN 50448:1998
DIN 50446:1995
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN 50449-2:1998
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 51914:1985 Ensayos de materiales de carbono; determinación de la resistencia a la tracción; asuntos sólidos
DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN 51937:1994 Ensayos de materiales de carbono; determinación del grado de anisotropía; materiales solidos
DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
DIN 51064:1981
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Pruebas de materiales semiconductores

GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
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GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
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国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Pruebas de materiales semiconductores

GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
GB/T 39429-2020 Pruebas no destructivas: método para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad.

HU-MSZT, Pruebas de materiales semiconductores

MNOSZ 700-16.lap-1955 EXAMEN DEL CARBÓN Y DETERMINACIÓN DEL CONTENIDO DE NITRÓGENO
MNOSZ 700-18.lap-1956 SZENEK VIZSGALATA KL?RTARTALOM MEGHAT?ROZ?SA
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MSZ 7200/2-1984 NAGYTELJES?TM?NY? F?LVEZET? ESZK?Z?K ?ltalános m?szaki k?vetelmények és vizsgálatok
MSZ MI 16950/2-1977 VILLAMOS SZIGETEL?ANYAGOK TART?SH??LL?S?G?NAK MEGHAT?ROZ?SA Irányelvek a vizsgálati eljárás tervezéséhez

RO-ASRO, Pruebas de materiales semiconductores

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Professional Standard - Electron, Pruebas de materiales semiconductores

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SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ 20233-1993 Reglamento de verificación del sistema de prueba de dispositivos discretos semiconductores modelo IMPACT-II

Indonesia Standards, Pruebas de materiales semiconductores

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British Standards Institution (BSI), Pruebas de materiales semiconductores

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BS EN IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistemas IoT: método de prueba de detección de variaciones de sonido
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
23/30450091 DC BS IEC 62899-203-2 Electrónica impresa. Materiales - Tinta semiconductora - Medición de movilidad limitada de carga espacial en capas semiconductoras orgánicas impresas
21/30432536 DC BS EN IEC 63364-1. Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores para sistema IOT. Parte 1. Método de prueba de detección de variaciones de sonido.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
BS EN 60749-3:2017 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Examen visual externo.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.

Group Standards of the People's Republic of China, Pruebas de materiales semiconductores

T/CASME 798-2023 Herramientas de procesamiento especializadas para materiales semiconductores.
T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
T/SZBSIA 007-2022 Especificación de prueba de unión de matrices de semiconductores
T/ICMTIA CM0035-2023 Junta de sellado para dispositivo de proceso de material de silicio semiconductor
T/CIE 120-2021 Método de detección del caballo de Troya del hardware del circuito integrado semiconductor
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Defectos de oblea Equipo de inspección óptica automática
T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
T/QGCML 3970-2024 Sistema inteligente de detección y análisis de polvo metálico para taller de semiconductores
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio

未注明发布机构, Pruebas de materiales semiconductores

DIN SPEC 1994 E:2016-07 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN CEN/TS 16599:2014*DIN SPEC 7397:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
AS/NZS 1660.2.3:1998(R2017) Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos
AS/NZS 1660.2.3:1998/AMD 1:2000 Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos
DIN EN 62047-21 E:2012-11 Componentes semiconductores - Componentes de la tecnología de microsistemas - Parte 21: Métodos de prueba para la relación de Poisson de materiales de película delgada en tecnología de microsistemas
SEMI S23-0311-2011 GUÍA PARA LA CONSERVACIÓN DE ENERGÍA, SERVICIOS PÚBLICOS Y MATERIALES UTILIZADOS POR EQUIPOS DE FABRICACIÓN DE SEMICONDUCTOR

SCC, Pruebas de materiales semiconductores

SPC GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos (EL TEXTO DEL DOCUMENTO ESTÁ EN CHINO)
SPC GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores (EL TEXTO DEL DOCUMENTO ESTÁ EN CHINO)
DANSK DS/EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS
CEI EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos Parte 10: Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
CEI EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
DANSK DS/EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
CEI EN 62047-21:2016 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
DANSK DS/CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
DIN CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DANSK DS/EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
CEI EN 62047-14:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica
DANSK DS/EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
DIN 50451-5 E:2008 Borrador de documento - Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 5: Directrices para la selección de materiales y ensayos de su idoneidad para aparatos de muestreo y preparación de muestras para...

Association Francaise de Normalisation, Pruebas de materiales semiconductores

NF EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IDO - Parte 1: Método de prueba de detección de variación acústica
NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
NF T51-223:1985 Plástica. Materiales semicristalinos. Determinación de la temperatura de fusión convencional mediante análisis térmico.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.

SE-SIS, Pruebas de materiales semiconductores

SIS SS IEC 759:1986 Instrumentación nuclear. Procedimientos de prueba para espectrómetros de energía de rayos X de semiconductores.
SIS SS IEC 333:1986 Instrumentación nuclear: procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores.
SIS SS IEC 596:1981 Instrumentación nuclear: definiciones de los términos de los métodos de prueba para detectores de radiación semiconductores y recuento de centelleo
SIS SS IEC 340:1981 Instrumentación nuclear. Procedimientos de prueba de amplificadores y preamplificadores de detectores de semiconductores para radiaciones ionizantes.

TR-TSE, Pruebas de materiales semiconductores

TS 2643-1977 Procedimientos de prueba para detectores bemiconductores de radiación ionizante

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KS C 6520-2021 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C 6520-2019 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2021 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores

International Electrotechnical Commission (IEC), Pruebas de materiales semiconductores

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 63364-1:2022 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistemas IoT - Parte 1: Método de prueba para la detección de variaciones de sonido
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
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American National Standards Institute （ANSI), Pruebas de materiales semiconductores

ANSI/IEEE 300:1988 Procedimientos de prueba para detectores de partículas cargadas de semiconductores
ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
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Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Pruebas de materiales semiconductores

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

KR-KS, Pruebas de materiales semiconductores

KS C IEC 62899-203-2023 Electrónica impresa. Parte 203: Materiales. Tinta semiconductora.
KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores

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UNE-EN IEC 63364-1:2023 Dispositivos semiconductores - Dispositivos semiconductores para sistema IOT - Parte 1: Método de prueba de detección de variación del sonido (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2023.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
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ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
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