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Pureza del material semiconductor

Pureza del material semiconductor, Total: 226 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Pureza del material semiconductor son: Química analítica, Fluidos aislantes, Materiales semiconductores, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, pruebas de metales, Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Dispositivos semiconductores, Alambres y cables eléctricos., Vocabularios, Ceras, materias bituminosas y otros productos petrolíferos, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Materiales de construcción, Cerámica, Óptica y medidas ópticas., Equipo medico, Tratamiento superficial y revestimiento., Fotografía, Medidas lineales y angulares., ingenieria electrica en general, Protección contra el fuego.

Group Standards of the People's Republic of China, Pureza del material semiconductor

T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Pureza del material semiconductor

GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
GB/T 32699-2016 Método de prueba para determinar la pureza de acrilatos multifuncionales utilizados para materiales UV. Cromatografía de gases capilar

German Institute for Standardization, Pureza del material semiconductor

DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN 50601:1985 Examen metalográfico; determinación del tamaño de grano ferrítico o austenítico de acero y materiales ferrosos
DIN 50448:1998
DIN 50451-6:2014 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 6: Determinación de 36 elementos en una solución de fluoruro de amonio de alta pureza (NH4F) y en mezclas de grabado de solución de fluoruro de amonio de alta pureza.
DIN 50451-3:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 3: Determinación de 31 elementos en ácido nítrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50451-7:2018-04 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 7: Determinación de 31 elementos en ácido clorhídrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50451-6:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de trazas de elementos en líquidos - Parte 6: Determinación de 36 elementos en una solución de fluoruro de amonio de alta pureza (NH<(Index)4>F) y en mezclas de grabado de amonio de alta pureza. ..
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN 50451-3:2014 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 3: Determinación de 31 elementos en ácido nítrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN 50451-4:2007 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 4: Determinación de 34 elementos en agua ultrapura mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)
DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
DIN 50449-2:1998
DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN 50451-4:2007-02 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 4: Determinación de 34 elementos en agua ultrapura mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)
DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X
DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
DIN 50455-2:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50455-1:1991 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; métodos para caracterizar fotorresistentes; determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos
DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN EN 62047-21:2015-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
DIN 50431:1988 Pruebas de materiales semiconductores; Medición de la resistividad de monocristales de silicio o germanio mediante el método de cuatro sondas/corriente continua con matriz colineal.
DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 50456-3:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método para la caracterización de compuestos de moldeo para componentes electrónicos. Parte 3: Determinación de impurezas catiónicas.
DIN 50453-1:2023-08 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las tasas de grabado de mezclas de grabado. Parte 1: Monocristales de silicio, método gravimétrico.
DIN EN IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2021); Versión alemana EN IEC 60749-39:2022 / Nota: DIN...
DIN 50452-2:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.

RO-ASRO, Pureza del material semiconductor

STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

HU-MSZT, Pureza del material semiconductor

MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

Professional Standard - Electron, Pureza del material semiconductor

SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.

Indonesia Standards, Pureza del material semiconductor

SNI 19-0429-1989 Guía para muestreo de materiales líquidos y semisólidos.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Pureza del material semiconductor

GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis

British Standards Institution (BSI), Pureza del material semiconductor

BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
BS EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 27448:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para el rendimiento de autolimpieza de materiales fotocatalíticos semiconductores - Medición del ángulo de contacto con el agua
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS IEC 62047-38:2021 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la resistencia de adhesión de pasta de polvo metálico en interconexión MEMS
BS EN 60749-20:2010 Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Resistencia de los SMD encapsulados en plástico al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura
BS EN 60749-20:2003
BS EN 60749-20:2009 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Resistencia de los SMD encapsulados en plástico al efecto combinado de la humedad y el calor de soldadura

International Electrotechnical Commission (IEC), Pureza del material semiconductor

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS; Corrección 1
IEC 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Pureza del material semiconductor

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

American Society for Testing and Materials (ASTM), Pureza del material semiconductor

ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-05 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3289-17(2022) Método de prueba estándar para la densidad de materiales asfálticos sólidos y semisólidos (método del crisol de níquel)
ASTM D3289-17 Método de prueba estándar para la densidad de materiales asfálticos sólidos y semisólidos (método del crisol de níquel)
ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D70-97 Método de prueba estándar para la gravedad específica y la densidad de materiales bituminosos semisólidos (método del picnómetro)
ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

RU-GOST R, Pureza del material semiconductor

GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones
GOST 32183-2013 Materiales bituminosos semisólidos. Determinación de densidad por picnómetro.
GOST R ISO 6474-2-2014 Implantes para cirugía. Materiales cerámicos. Parte 2. Materiales compuestos basados en una matriz de alúmina de alta pureza con refuerzo de circonio

American National Standards Institute （ANSI), Pureza del material semiconductor

ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ANSI/ASTM D6095:2012 Método de prueba para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Pureza del material semiconductor

KS C 6520-2021 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C 6520-2019 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores －Métodos de prueba mecánicos y climáticos －Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores
KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 27447-2011(2016) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2011(2021) Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

Association Francaise de Normalisation, Pureza del material semiconductor

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayos de compresión utilizando la técnica de micropilares para materiales MEMS
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
NF A91-113:2004 Recubrimientos no conductores sobre materiales de base eléctricamente conductores no magnéticos - Medición del espesor del recubrimiento - Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud.
NF C32-074:1993 ENSAYO SOBRE GASES EVOLUCIONADOS DURANTE LA COMBUSTIÓN DE MATERIALES DE CABLES. DETERMINACIÓN DEL GRADO DE ACIDEZ (CORROSIVIDAD) DE GASES MEDIANTE LA MEDICIÓN DE PH Y CONDUCTIVIDAD.
NF ISO 22197-5:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 5: eliminación del metilmercaptano.

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Pureza del material semiconductor

JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores

Danish Standards Foundation, Pureza del material semiconductor

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DS/EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
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DS/EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
DS/EN ISO 2360:2004 Recubrimientos no conductores sobre materiales base eléctricamente conductores no magnéticos - Medición del espesor del recubrimiento - Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Pureza del material semiconductor

EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores Dispositivos microelectromecánicos Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS

ES-UNE, Pureza del material semiconductor

UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)
UNE-EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 14: Método de medida del límite de formación de materiales de película metálica (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)

KR-KS, Pureza del material semiconductor

KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Pureza del material semiconductor

T-32-645-2012 Método de prueba para establecer la compatibilidad de la resistividad del volumen de componentes que bloquean el agua con materiales de protección semiconductores extruidos

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Pureza del material semiconductor

ICEA T-32-645-2012 MÉTODO DE PRUEBA PARA ESTABLECER LA COMPATIBILIDAD DE RESISTIVIDAD DE VOLUMEN DE COMPONENTES BLOQUEADORES DE AGUA CON MATERIALES DE PROTECCIÓN SEMICONDUCTORES EXTRUIDOS

European Committee for Standardization (CEN), Pureza del material semiconductor

PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.

Lithuanian Standards Office , Pureza del material semiconductor

LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).
LST EN 62047-10-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011).
LST EN 62047-2-2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006).
LST EN 62047-6-2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009).
LST EN 62047-14-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012).

Standard Association of Australia （SAA）, Pureza del material semiconductor

AS/NZS 1660.2.3:1998 Métodos de ensayo para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para PVC y materiales termoplásticos libres de halógenos
AS/NZS 1660.2.2:1998 Métodos de prueba para cables, cordones y conductores eléctricos - Aislamientos, pantallas semiconductoras extruidas y fundas no metálicas - Métodos específicos para materiales elastoméricos, XLPE y XLPVC

AT-OVE/ON, Pureza del material semiconductor

OVE EN IEC 60749-39:2020 Dispositivos semiconductores - Métodos de prueba mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV) (versión en inglés)

International Organization for Standardization (ISO), Pureza del material semiconductor

ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 19635:2016 Cerámicas finas (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de ensayo para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 27447:2019 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
ISO 14605:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores

Defense Logistics Agency, Pureza del material semiconductor

DLA DSCC-DWG-04034-2004 ALAMBRE, ELÉCTRICO, COMPUESTO, AISLAMIENTO DE POLITETRAFLUOROETILENO/POLIIMIDA, PESO LIGERO, CONDUCTOR DE COBRE, RECUBIERTO DE ESTAÑO, 150 GRADOS. C, 600 VOLTIOS

Underwriters Laboratories (UL), Pureza del material semiconductor

UL 2885 BULLETIN-2013 Estándar UL para el esquema de seguridad de la investigación de gases ácidos, acidez y conductividad de materiales quemados
UL 1893 BULLETIN-2013 Estándar UL para el esquema de seguridad de la investigación de gases ácidos, acidez y conductividad de materiales quemados
UL 1893 BULLETIN-2015 Estándar UL para el esquema de seguridad de la investigación de gases ácidos, acidez y conductividad de materiales quemados