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Materiales semiconductores Materiales semiconductores

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En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Materiales semiconductores Materiales semiconductores son: Fluidos aislantes, Materiales semiconductores, pruebas de metales, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Herramientas de corte, Circuitos impresos y placas., Componentes electrónicos en general., Vocabularios, Dispositivos semiconductores, Química analítica, Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Alambres y cables eléctricos., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Estructuras mecánicas para equipos electrónicos., Redes de transmisión y distribución de energía., PRUEBAS, Cerámica, Elementos de edificios., Óptica y medidas ópticas., Tratamiento superficial y revestimiento., Dispositivos de visualización electrónica., Materiales conductores, Materias primas para caucho y plástico., sujetadores, Circuitos integrados. Microelectrónica, Protección contra descargas eléctricas, Ceras, materias bituminosas y otros productos petrolíferos, Plástica, Tintas. Tintas de impresión, Equipo medico, Productos de hierro y acero., Pruebas eléctricas y electrónicas., Materiales aislantes, Productos de la industria textil., Materiales magnéticos, Componentes para equipos eléctricos., Materiales de construcción, Equipos eléctricos para trabajar en condiciones especiales., Radiocomunicaciones, Protección contra el fuego, Productos de caucho y plástico., Petróleo crudo, Combustibles, Accesorios electricos, Metales no ferrosos, Centrales eléctricas en general, Componentes de tuberías y tuberías., Pruebas no destructivas, Compatibilidad electromagnética (CEM).

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
GB/T 7423.2-1987 Disipador de calor de dispositivos semiconductores--Disipador de calor, formas extruidas
GB 7423.2-1987 Disipador de calor del perfil del disipador de calor del dispositivo semiconductor
GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
GB/T 43136-2023 Productos superabrasivos: muelas abrasivas para trazar con precisión chips semiconductores
GB/T 16525-2015 Circuitos integrados semiconductores. Especificación de marcos conductores para paquetes portadores de chips con terminales de plástico.
GB/T 14112-2015 Circuitos integrados semiconductores. Especificación para marcos conductores estampados de plástico DIP.
GB/T 14112-1993 Circuitos integrados semiconductores Especificación para marcos conductores estampados de plástico DIP
GB/T 15876-2015
GB/T 11436-1989 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados fabricados con materiales de ferrita blanda.
GB/T 11436-2012 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados fabricados con materiales de ferrita blanda.
GB/T 32981-2016 Método para determinar la conductividad térmica equivalente de los materiales de las paredes.
GB/T 3048.2-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de resistividad de materiales conductores metálicos.

RO-ASRO, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología
STAS SR 13204-1994 Pruebas no destructivas. Método de clasificación termoeléctrica de materiales conductores.

HU-MSZT, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai
MSZ MI 16950/2-1977 VILLAMOS SZIGETEL?ANYAGOK TART?SH??LL?S?G?NAK MEGHAT?ROZ?SA Irányelvek a vizsgálati eljárás tervezéséhez

Professional Standard - Electron, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
SJ/T 10414-2015 Soldadura para dispositivo semiconductor
SJ/T 10414-1993 Soldadura para dispositivo semiconductor.
SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
SJ/T 1505-1997 Métodos de análisis químico para productos y productos semiacabados fabricados con materiales de ferrita giromagnética.
SJ 3249.1-1989 Métodos de medición de la resistividad del material monocristalino de arseniuro de galio y fosfuro de indio semiaislante

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.
GB/T 37131-2018 Nanotecnologías: método de prueba de nanopolvo semiconductor mediante espectroscopía de reflectancia difusa UV-Vis
GB/T 39429-2020 Pruebas no destructivas: método para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad.
GB/T 35033-2018 Método de medición de las propiedades conductoras del material de blindaje electromagnético y la impedancia de unión del material metálico de 30MHz a 1GHz

British Standards Institution (BSI), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
BS IEC 62951-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: evaluación de la fatiga de una película delgada conductora flexible sobre el sustrato para dispositivos semiconductores flexibles
BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
BS EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
BS EN IEC 60749-39:2022 Cambios rastreados. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39. Dispositivos semiconductores. Métodos de ensayo mecánicos y climáticos. Parte 39. Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
BS EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
BS PD CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis. Condiciones de irradiación para probar propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
BS ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS 3187:1978 Especificaciones para suelos de caucho conductores de electricidad.
BS EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos.
BS IEC 62899-202:2016 Electrónica impresa. Materiales. Tinta conductora
BS ISO 13125:2013 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antifúngica de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 19635:2016 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS ISO 27447:2009 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
BS EN 62047-8:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba de flexión de tiras para medir la propiedad de tracción de películas delgadas
BS IEC 62899-202-5:2018 Electrónica impresa - Materiales. Tinta conductora. Ensayo de flexión mecánica de una capa conductora impresa sobre un sustrato aislante.
BS ISO 27447:2019 Cambios rastreados. Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada). Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores.
BS 7808:1995 Materiales aislantes eléctricos - Evaluación de resistencia de tensión CA - Introducción

Indonesia Standards, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

SNI 19-0429-1989 Guía para muestreo de materiales líquidos y semisólidos.
SNI 04-0109-1989 Barras de alambre de cobre para materiales conductores eléctricos.

Group Standards of the People's Republic of China, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

T/CASME 798-2023 Herramientas de procesamiento especializadas para materiales semiconductores.
T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
T/ZJATA 0017-2023 Equipo de epitaxia por deposición química de vapor (CVD) para preparar materiales semiconductores de carburo de silicio
T/CAS 374-2019 Material de capa amortiguadora semiconductora para cables de alimentación aislados extruidos con tensión nominal superior a 26/35 kV
T/CEC 229-2019 Condiciones técnicas del conductor metálico recubierto de material conductor a base de poliolefina
T/CASME 479-2023 Marco de conductores perforados para embalaje plástico de contorno pequeño de circuitos integrados semiconductores
T/SHPTA 014.2-2021 Compuestos aislantes de polipropileno modificado y compuestos de blindaje semiconductores para cables de alimentación de tensiones nominales desde 6 kV hasta 35 kV. Parte 2: Compuestos de blindaje semiconductores para cables de alimentación aislantes de polipropileno de tensiones nominales de
T/SDAS 243-2021 Material de blindaje semiconductor para cables aislados extruidos con tensión nominal de 35 kV e inferior

International Electrotechnical Commission (IEC), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
IEC 60749-39:2021 RLV Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
IEC 62047-10:2011/COR1:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS; Corrección 1
IEC 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
IEC 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
IEC 61479:2001 Trabajos bajo tensión - Cubiertas de conductores flexibles (mangueras de línea) de material aislante
IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
IEC 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS
IEC 61479:2001+AMD1:2002 CSV Trabajos bajo tensión - Cubiertas de conductores flexibles (mangueras de línea) de material aislante
IEC 62899-202:2016 Electrónica impresa - Parte 202: Materiales - Tinta conductora
IEC 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos

German Institute for Standardization, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
DIN 50448:1998
DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
DIN 50449-2:1998
DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 50442-1:1981 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la estructura superficial de láminas semiconductoras monocristalinas circulares; rebanadas cortadas y lapeadas
DIN 50454-2:1994 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de la densidad de los puntos de grabado de dislocación en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 2: Fosfuro de indio.
DIN 50454-3:1994
DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50443-1:1988 Pruebas de materiales para su uso en tecnología de semiconductores; Detección de defectos cristalinos y faltas de homogeneidad en monocristales de silicio mediante topografía de rayos X.
DIN 50449-1:1997 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación del contenido de impurezas en semiconductores mediante absorción infrarroja. Parte 1: Carbono en arseniuro de galio.
DIN EN 60749-39:2007 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006
DIN EN 60749-39:2007-01 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006); Versión alemana EN 60749-39:2006 / Nota: A ser r...
DIN EN 62047-14:2012-10 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012); Versión alemana EN 62047-14:2012
DIN 50433-2:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante figura de reflexión óptica
DIN 50435:1988 Pruebas de materiales semiconductores; determinación de la variación de la resistividad radial de láminas de silicio o germanio mediante el método de las cuatro sondas/corriente continua
DIN EN 62047-21:2015-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
DIN 50454-1:2000 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de dislocaciones en monocristales de semiconductores compuestos III-V. Parte 1: Arseniuro de galio.
DIN 50433-3:1982
DIN 50441-4:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 4: Diámetro del corte, variación del diámetro, diámetro plano, longitud plana, profundidad plana.
DIN 50441-3:1985 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; medición de las dimensiones geométricas de láminas de semiconductores; Determinación de la desviación de la planitud de rodajas pulidas mediante interferencia de haces múltiples.
DIN EN IEC 60749-39:2021-07 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020 / No...
DIN 50456-3:1999 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método para la caracterización de compuestos de moldeo para componentes electrónicos. Parte 3: Determinación de impurezas catiónicas.
DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones; Versión alemana CEN/TS 16599:2014
DIN 50433-1:1976 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; determinación de la orientación de monocristales mediante difracción de rayos X
DIN 50431:1988 Pruebas de materiales semiconductores; Medición de la resistividad de monocristales de silicio o germanio mediante el método de cuatro sondas/corriente continua con matriz colineal.
DIN 50438-2:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del contenido de impurezas en silicio mediante absorción infrarroja; carbón
DIN EN 62047-12:2012-06 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011); Versión alemana EN 62047-12:2011
DIN 50452-1:1995-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN EN 62047-11:2014-04 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos (IEC 62047-11:2013); Versión alemana EN 62047-11:2013
DIN 50440:1998 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Medición de la vida útil del portador en monocristales de silicio - Vida útil del portador de recombinación con baja inyección mediante el método de fotoconductividad
DIN 50453-1:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; monocristales de silicio; método gravimétrico
DIN 50455-2:1999-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Métodos para la caracterización de fotorresistentes - Parte 2: Determinación de la fotosensibilidad de fotorresistentes positivos
DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
DIN 50453-1:2023-08 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las tasas de grabado de mezclas de grabado. Parte 1: Monocristales de silicio, método gravimétrico.
DIN 50452-1:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 1: Determinación microscópica de partículas.
DIN 50452-3:1995 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN 19698-1:2014-05 Caracterización de sólidos - Muestreo de materiales sólidos y semisólidos - Parte 1: Guía para el muestreo segmentario de existencias de compuestos desconocidos
DIN EN IEC 60749-39:2021 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 47/2652/CDV:2020); Versión en inglés prEN IEC 60749-39:2020
DIN EN IEC 60749-39:2023-10 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2021); Versión alemana EN IEC 60749-39:2022 / Nota: DIN...
DIN 50434:1986 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; detección de defectos cristalinos en silicio monocristalino mediante técnicas de grabado en superficies {111} y {100}
DIN 50452-3:1995-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para análisis de partículas en líquidos. Parte 3: Calibración de contadores ópticos de partículas.
DIN EN 62047-21:2015 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada (IEC 62047-21:2014); Versión alemana EN 62047-21:2014
DIN EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
DIN 50453-2:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; revestimiento de dióxido de silicio; método óptico
DIN 51908:2022-10 Ensayos de materiales carbonosos - Determinación de la conductividad térmica a temperatura ambiente mediante un método comparativo - Material sólido
DIN EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
DIN 50451-7:2018-04 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 7: Determinación de 31 elementos en ácido clorhídrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50452-2:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Método de ensayo para el análisis de partículas en líquidos. Parte 2: Determinación de partículas mediante contadores ópticos de partículas.
DIN 50451-3:2014-11 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de trazas de elementos en líquidos. Parte 3: Determinación de 31 elementos en ácido nítrico de alta pureza mediante ICP-MS.
DIN 50450-1:1987-08 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de impurezas en gases portadores y gases dopantes; Determinación de la impureza del agua en hidrógeno, oxígeno, nitrógeno, argón y helio mediante el uso de una celda de pentóxido de difósforo.
DIN EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
DIN 50451-4:2007 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores - Determinación de oligoelementos en líquidos - Parte 4: Determinación de 34 elementos en agua ultrapura mediante espectrometría de masas con plasma acoplado inductivamente (ICP-MS)

RU-GOST R, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones
GOST 22265-1976 Materiales conductores. Términos y definiciones
GOST 32183-2013 Materiales bituminosos semisólidos. Determinación de densidad por picnómetro.

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

American National Standards Institute （ANSI), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ANSI/ASTM D6095:2012 Método de prueba para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ANSI/UL 779-2011 Norma de seguridad para suelos conductores de electricidad
ANSI/UL 2360-2004 Métodos de prueba para determinar las características de combustibilidad de los plásticos utilizados en la construcción de herramientas semiconductoras
ANSI/ASTM D4496:2013 Nuevo método de prueba estándar para resistencia CC o conductancia de materiales moderadamente conductores
ANSI/ASTM D6343:2010 Métodos de prueba para materiales sólidos delgados térmicamente conductores para aislamiento eléctrico y aplicaciones dieléctricas

American Society for Testing and Materials (ASTM), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
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ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2023) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
ASTM D6095-12(2018) Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
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ASTM B193-01 Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-87(1992) Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-19 Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-87 Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-20 Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-02(2008) Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-02(2014) Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B193-16 Método de prueba estándar para la resistividad de materiales conductores eléctricos
ASTM E977-84(1999) Práctica estándar para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad
ASTM E977-05(2019) Práctica estándar para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad
ASTM A1093/A1093M-15(2020)e1 Especificación estándar para el procesamiento de materiales conductores mediante tratamiento con plasma electrolítico
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ASTM B896-10e1 Métodos de prueba estándar para evaluar las características de conectividad de materiales conductores eléctricos
ASTM B896-10(2015) Métodos de prueba estándar para evaluar las características de conectividad de materiales conductores eléctricos
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ASTM D4496-04 Método de prueba estándar para resistencia CC o conductancia de materiales moderadamente conductores
ASTM D4496-04e1 Método de prueba estándar para resistencia CC o conductancia de materiales moderadamente conductores
ASTM D4496-13 Método de prueba estándar para resistencia CC o conductancia de materiales moderadamente conductores
ASTM D4496-21e1 Método de prueba estándar para resistencia CC o conductancia de materiales moderadamente conductores
ASTM E977-05 Práctica estándar para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad
ASTM E977-05(2014) Práctica estándar para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

KS C 6520-2021 Componentes y materiales del proceso semiconductor. Medición de las características de desgaste por plasma.
KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
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KS L ISO 27447:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) －Método de prueba para la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS C 2129-1996(2001) MÉTODOS DE PRUEBA PARA LA RESISTENCIA CC O LA CONDUCTA DE MATERIALES AISLANTES
KS C IEC 62899-202:2020 Electrónica impresa. Parte 202: Materiales. Tinta conductora.
KS C IEC 61479:2005 Trabajo en vivo－Cubiertas de conductores flexibles (mangueras de línea) de material aislante
KS C 2129-2004 MÉTODOS DE PRUEBA PARA LA RESISTENCIA CC O LA CONDUCTA DE MATERIALES AISLANTES

Professional Standard - Machinery, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

JB/T 8175-1999 Dimensiones generales del disipador de calor extruido para dispositivos semiconductores de potencia
JB/T 5781-1991 Radiador seccionado para dispositivos semiconductores de potencia. Especificación técnica
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JB/T 10738-2007 Compuesto de blindaje semiconductor para cables de alimentación de tensiones nominales de hasta 35 kV inclusive.

Association Francaise de Normalisation, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: determinación de las condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores.
NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
NF ISO 14605:2013 Cerámica técnica: fuentes de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores en un entorno de iluminación interior.
NF EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados en componentes semiconductores.
NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayos de compresión utilizando la técnica de micropilares para materiales MEMS
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada) - Fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales autónomos para sistemas microelectromecánicos
XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 Fotocatálisis: condiciones de irradiación para probar las propiedades fotocatalíticas de materiales semiconductores y la medición de estas condiciones.
NF ISO 22197-4:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 4: eliminación de formaldehído.
NF T51-223:1985 Plástica. Materiales semicristalinos. Determinación de la temperatura de fusión convencional mediante análisis térmico.
NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS.
NF ISO 22197-5:2021 Cerámica técnica. Métodos de ensayo para el rendimiento de materiales fotocatalíticos semiconductores para la purificación del aire. Parte 5: eliminación del metilmercaptano.
UTE C30-301:2001 Reglas técnicas para el transporte por carretera de cables, conductores desnudos y materiales de conexión.
NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos

Danish Standards Foundation, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

DS/EN 62047-10:2011
DS/EN 62047-2:2007
DS/EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
DS/EN 62047-6:2010
DS/EN 60749-39:2006
DS/EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
DS/EN 62047-12:2012
DS/EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos

KR-KS, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
KS L ISO 10677-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores
KS L ISO 27447-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): método de prueba para determinar la actividad antibacteriana de materiales fotocatalíticos semiconductores
KS C IEC 62899-202-2020 Electrónica impresa. Parte 202: Materiales. Tinta conductora.
KS L ISO 14605-2023 Cerámica fina (cerámica avanzada, cerámica técnica avanzada): fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.

ES-UNE, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)
UNE-EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores - Métodos de ensayo mecánicos y climáticos - Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (Ratificada por la Asociación Española de Normalización en marzo de 2022.)
UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006). (Ratificada por AENOR en enero de 2007.)
UNE-EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 14: Método de medida del límite de formación de materiales de película metálica (Ratificada por AENOR en junio de 2012.)
UNE-EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006). (Ratificada por AENOR en noviembre de 2006.)
UNE-EN 62047-12:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada mediante vibración resonante de estructuras MEMS (Ratificada por AENOR en febrero de 2012.)
UNE-EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de ensayo para coeficientes de dilatación térmica lineal de materiales autoportantes para sistemas microelectromecánicos (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
EN IEC 60749-39:2022 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
EN 60749-39:2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores.
EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores Dispositivos microelectromecánicos Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS
EN 62047-11:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 11: Método de prueba para coeficientes de expansión térmica lineal de materiales independientes para sistemas microelectromecánicos

机械电子工业部, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

JB 5781-1991 Condiciones técnicas de radiadores perfilados para dispositivos semiconductores de potencia.

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., Materiales semiconductores Materiales semiconductores

T-32-645-2012 Método de prueba para establecer la compatibilidad de la resistividad del volumen de componentes que bloquean el agua con materiales de protección semiconductores extruidos
T-32-645-1993 Establecimiento de la compatibilidad de los compuestos de relleno de conductores sellados con materiales conductores de control de tensiones

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
JIS R 1750:2012 Cerámica fina: fuente de luz para probar materiales fotocatalíticos semiconductores utilizados en entornos de iluminación interior.
JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
JIS R 1712:2022 Cerámicas finas (cerámicas avanzadas, cerámicas técnicas avanzadas) -- Método de prueba para la actividad antialgas de materiales fotocatalíticos semiconductores
JIS C 5630-12:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 12: Método de prueba de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS.
JIS C 2525:1994 Método de prueba para la resistencia del conductor y la resistividad de materiales de resistencia metálica.
JIS C 2525:1999 Método de prueba para la resistencia del conductor y la resistividad de materiales de resistencia metálica.

Underwriters Laboratories (UL), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

UL 779-1990 Pavimentos eléctricamente conductores
UL 779-1995 Norma UL de seguridad para pisos eléctricamente conductores, séptima edición; Reimpresión con revisiones hasta el 22/11/2005 inclusive.
UL 779-2011 Pavimentos eléctricamente conductores
UL 2360-2000 Métodos de prueba para determinar las características de combustibilidad de los plásticos utilizados en la construcción de herramientas semiconductoras

Insulated Cable Engineers Association （ICEA), Materiales semiconductores Materiales semiconductores

ICEA T-32-645-2012 MÉTODO DE PRUEBA PARA ESTABLECER LA COMPATIBILIDAD DE RESISTIVIDAD DE VOLUMEN DE COMPONENTES BLOQUEADORES DE AGUA CON MATERIALES DE PROTECCIÓN SEMICONDUCTORES EXTRUIDOS
ICEA T-32-645-1993 Establecimiento de la compatibilidad de los compuestos de relleno de conductores sellados con materiales conductores de control de tensiones

VE-FONDONORMA, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

NORVEN 64-8-1967 RESISTIVIDAD DE MATERIALES METALICOS CONDUCTORES ELECTRICOS

CH-SNV, Materiales semiconductores Materiales semiconductores

VSM 10206-1974 ZeichnungenForm- und LagetoleranzenPraktische Beispiele der Zeichnungseintragung

Lithuanian Standards Office , Materiales semiconductores Materiales semiconductores

LST EN 62047-10-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011).
LST EN 62047-2-2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006).
LST EN 60749-39-2006 Dispositivos semiconductores. Métodos de prueba mecánicos y climáticos. Parte 39: Medición de la difusividad de la humedad y la solubilidad en agua en materiales orgánicos utilizados para componentes semiconductores (IEC 60749-39:2006).
LST EN 62047-6-2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009).
LST EN 62047-14-2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica (IEC 62047-14:2012).
LST EN 62047-12-2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 12: Método de ensayo de fatiga por flexión de materiales de película delgada utilizando vibración resonante de estructuras MEMS (IEC 62047-12:2011).

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