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Material de capa semiconductora

Material de capa semiconductora, Total: 177 artículos.

En la clasificación estándar internacional, las clasificaciones involucradas en Material de capa semiconductora son: Alambres y cables eléctricos., Dispositivos semiconductores, Materiales semiconductores, Fluidos aislantes, pruebas de metales, Componentes electrónicos en general., Circuitos impresos y placas., Herramientas de corte, Condiciones y procedimientos de prueba en general., Vocabularios, Equipamiento e instalaciones deportivas., PRUEBAS, Tratamiento superficial y revestimiento., Elementos de edificios., Componentes electromecánicos para equipos electrónicos y de telecomunicaciones., Medidas lineales y angulares., Rectificadores. Convertidores. Fuente de alimentación estabilizada, Productos de caucho y plástico., Química analítica, Materiales conductores, Materiales aislantes, Redes de transmisión y distribución de energía., Tintas. Tintas de impresión, Soldadura, soldadura fuerte y soldadura fuerte., Plástica, Pinturas y barnices, Circuitos integrados. Microelectrónica.


Group Standards of the People's Republic of China, Material de capa semiconductora

  • T/CAS 374-2019 Material de capa amortiguadora semiconductora para cables de alimentación aislados extruidos con tensión nominal superior a 26/35 kV
  • T/CASME 798-2023 Specialized processing tools for semiconductor materials
  • T/SHDSGY 135-2023 Nueva tecnología de materiales de obleas de silicio semiconductores de energía
  • T/HTSJ 012-2023 Zonas deportivas con superficies sintéticas semiprefabricadas
  • T/CEEIA 610-2022 Cintas semiconductoras para capa protectora de cables de alimentación de tensiones nominales de 110 kV y superiores
  • T/CNIA 0143-2022 Recipientes de resina ultrapura para análisis de trazas de impurezas de materiales semiconductores
  • T/SHPTA 014.2-2021 Compuestos aislantes de polipropileno modificado y compuestos de blindaje semiconductores para cables de alimentación de tensiones nominales desde 6 kV hasta 35 kV. Parte 2: Compuestos de blindaje semiconductores para cables de alimentación aislantes de polipropileno de tensiones nominales de
  • T/SDAS 243-2021 Material de blindaje semiconductor para cables aislados extruidos con tensión nominal de 35 kV e inferior

British Standards Institution (BSI), Material de capa semiconductora

  • BS IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos: método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
  • BS IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa. Materiales. tinta semiconductora
  • BS IEC 62899-202-4:2021 Electrónica impresa - Materiales. Tinta conductora. Métodos de medición de propiedades de capas impresas estirables (conductoras y aislantes)
  • BS IEC 62899-202-5:2018 Electrónica impresa - Materiales. Tinta conductora. Ensayo de flexión mecánica de una capa conductora impresa sobre un sustrato aislante.
  • BS IEC 62899-202-10:2023 Electrónica impresa - Materiales. Método de medición de resistencia para capa conductora termoformable.
  • BS EN 61249-5-4:1997 Materiales para estructuras de interconexión. Conjunto de especificaciones seccionales para láminas y películas conductoras con y sin revestimiento. Tintas conductoras
  • BS IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
  • BS IEC 62951-4:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables: evaluación de la fatiga de una película delgada conductora flexible sobre el sustrato para dispositivos semiconductores flexibles
  • BS EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • BS EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203. Electrónica impresa. Parte 203. Materiales. tinta semiconductora
  • BS EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
  • BS EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • BS EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada
  • BS EN 61249-8-8:1997 Materiales para estructuras de interconexión. Conjunto de especificaciones seccionales para películas y revestimientos no conductores. Recubrimientos temporales de polímeros
  • BS ISO 4525:2003 Recubrimientos metálicos - Recubrimientos galvanizados de níquel más cromo sobre materiales plásticos
  • DD ENV 61112-2002 Mantas de material aislante para uso eléctrico.
  • BS 4601:1970 Especificación para recubrimientos galvanizados de níquel más cromo sobre materiales plásticos.
  • 18/30369151 DC BS EN 62899-202-7. Electrónica impresa. Parte 202-7. Materiales. Tinta conductora. Medición de la resistencia al pelado de una capa conductora impresa sobre un sustrato flexible
  • BS EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Método de medición del límite de formación de materiales de película metálica.
  • BS 3187:1978 Especificaciones para suelos de caucho conductores de electricidad.
  • BS IEC 62899-202:2016 Electrónica impresa. Materiales. Tinta conductora

German Institute for Standardization, Material de capa semiconductora

  • DIN 50447:1995 Ensayo de materiales para la tecnología de semiconductores: determinación sin contacto de la resistencia eléctrica de las capas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas
  • DIN 50439:1982 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación del perfil de concentración de dopantes de un material semiconductor monocristalino mediante el método capacitancia-voltaje y contacto con mercurio
  • DIN 50448:1998
  • DIN 50445:1992 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación sin contacto de la resistividad eléctrica de láminas de semiconductores mediante el método de corrientes parásitas; obleas semiconductoras dopadas homogéneamente
  • DIN VDE 0472-512:1985 Pruebas de cables, alambres y cordones flexibles; Resistencia entre el conductor protector y la capa semiconductora.
  • DIN 50437:1979 Ensayos de materiales inorgánicos semiconductores; medición del espesor de la capa epitaxial de silicio mediante el método de interferencia infrarroja
  • DIN 50441-1:1996 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 1: Espesor y variación de espesor.
  • DIN EN 62047-2:2007-02 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-10:2012-03 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (IEC 62047-10:2011); Versión alemana EN 62047-10:2011
  • DIN 50455-1:2009-10 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
  • DIN EN 62047-18:2014-04 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada (IEC 62047-18:2013); Versión alemana EN 62047-18:2013
  • DIN SPEC 1994:2017-02 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores - Determinación de aniones en ácidos débiles
  • DIN 50441-2:1998 Ensayos de materiales para la tecnología de semiconductores. Determinación de las dimensiones geométricas de obleas semiconductoras. Parte 2: Ensayos del perfil de los bordes.
  • DIN 50455-1:2009 Ensayos de materiales para tecnología de semiconductores. Métodos para caracterizar fotoprotectores. Parte 1: Determinación del espesor del recubrimiento con métodos ópticos.
  • DIN EN 62047-2:2007 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 2: Método de ensayo de tracción de materiales de película delgada (IEC 62047-2:2006); Versión alemana EN 62047-2:2006
  • DIN EN 62047-6:2010-07 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (IEC 62047-6:2009); Versión alemana EN 62047-6:2010
  • DIN 50965:2020 Recubrimientos galvánicos - Recubrimientos de estaño sobre materiales de hierro y cobre
  • DIN 50965:2020-04 Recubrimientos galvánicos - Recubrimientos de estaño sobre materiales de hierro y cobre
  • DIN 53100:2007 Recubrimientos metálicos - Recubrimientos galvanizados de níquel más cromo y de cobre más níquel más cromo sobre materiales plásticos
  • DIN EN 61249-5-4:1997 Materiales para estructuras de interconexión. Parte 5: Conjunto de especificaciones seccionales para láminas y películas conductoras con o sin revestimiento; sección 4: Tintas conductoras (IEC 61249-5-4:1996); Versión alemana EN 61249-5-4:1996
  • DIN 50453-2:1990 Pruebas de materiales para tecnología de semiconductores; determinación de tasas de grabado de mezclas de grabado; revestimiento de dióxido de silicio; método óptico
  • DIN 50449-2:1998

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Material de capa semiconductora

  • GB/T 14264-1993 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 14264-2009 Materiales semiconductores-Términos y definiciones
  • GB/T 1550-1997 Métodos estándar para medir el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 31469-2015 Fluido de corte de materiales semiconductores.
  • GB/T 14844-1993 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 6616-2023 Método de corrientes parásitas sin contacto para probar la resistividad de las obleas semiconductoras y la resistencia de las láminas de películas semiconductoras
  • GB/T 3048.3-1994 Métodos de prueba para determinar las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Medición de la resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
  • GB/T 3048.3-2007 Métodos de prueba para las propiedades eléctricas de cables y alambres eléctricos. Parte 3: Prueba de resistividad volumétrica de cauchos y plásticos semiconductores.
  • GB/T 4298-1984 El método de análisis de activación para la determinación de impurezas elementales en materiales semiconductores de silicio.
  • GB/T 6616-1995

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Material de capa semiconductora

  • GB/T 1550-2018 Métodos de prueba para el tipo de conductividad de materiales semiconductores extrínsecos.
  • GB/T 14844-2018 Designaciones de materiales semiconductores.
  • GB/T 36646-2018 Equipos para la preparación de materiales semiconductores de nitruro mediante epitaxia en fase vapor de hidruro.

Society of Automotive Engineers (SAE), Material de capa semiconductora

  • SAE AMS3682B-1977 MATERIAL DE RECUBRIMIENTO ELÉCTRICAMENTE CONDUCTOR Plata - Resina Orgánica
  • SAE AMS3682C-1991 MATERIAL DE RECUBRIMIENTO ELÉCTRICAMENTE CONDUCTOR Plata - Resina Orgánica
  • SAE AMS3682D-1992 MATERIAL DE RECUBRIMIENTO ELÉCTRICAMENTE CONDUCTOR Plata - Resina Orgánica
  • SAE AMS3634-1967 TUBERÍA DE PLÁSTICO, AISLAMIENTO ELÉCTRICO Poliolefina, pared doble, semirrígida, termocontraíble

SAE - SAE International, Material de capa semiconductora

  • SAE AMS3682E-1995 MATERIAL DE RECUBRIMIENTO @ PLATA CONDUCTORA ELÉCTRICA - RESINA ORGÁNICA

Professional Standard - Electron, Material de capa semiconductora

  • SJ/T 11067-1996 Terminología comúnmente utilizada para materiales fotoeléctricos semiconductores y materiales piroeléctricos en materiales de detección de infrarrojos.
  • SJ/T 11775-2021 Sierra de varios hilos utilizada para materiales semiconductores
  • SJ/Z 3206.13-1989 Reglas generales para el análisis del espectro de emisión de materiales semiconductores.
  • SJ 20744-1999 Regla general del análisis espectral de absorción infrarroja para la concentración de impurezas en materiales semiconductores.
  • SJ/T 10175-1991 Especificación detallada del paquete en línea dual de cerámica multicapa para circuitos integrados semiconductores

International Electrotechnical Commission (IEC), Material de capa semiconductora

  • IEC 62899-203:2018 Electrónica impresa - Parte 203: Materiales - Tinta semiconductora
  • IEC 62047-31:2019 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas
  • IEC 62951-5:2019 Dispositivos semiconductores. Dispositivos semiconductores flexibles y estirables. Parte 5: Método de prueba para las características térmicas de materiales flexibles.
  • IEC 62899-202-5:2018 Electrónica impresa - Parte 202-5: Materiales - Tinta conductora - Ensayo de flexión mecánica de una capa conductora impresa sobre un sustrato aislante
  • IEC 62899-202-10:2023 Electrónica impresa - Parte 202-10: Materiales - Método de medición de resistencia para capa conductora termoformable
  • IEC 62899-202-4:2021 Electrónica impresa - Parte 202-4: Materiales - Tinta conductora - Métodos de medición de las propiedades de las capas impresas estirables (conductoras y aislantes)
  • IEC 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • IEC 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • IEC 62047-6:2009 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
  • IEC 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada

RO-ASRO, Material de capa semiconductora

  • STAS 6360-1974 MATERIALES Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES Terminología

HU-MSZT, Material de capa semiconductora

  • MSZ 771/5-1979 ALPAKKA ?SR?ZNIKKEL ?TV?ZETEK Huzalok mechanikai tulajdonságai

Indonesia Standards, Material de capa semiconductora

  • SNI 19-0429-1989 Guía para muestreo de materiales líquidos y semisólidos.
  • SNI 04-0109-1989 Barras de alambre de cobre para materiales conductores eléctricos.

Association Francaise de Normalisation, Material de capa semiconductora

  • NF EN 62047-14:2012 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 14: método de medición de los límites de formación de materiales de capas metálicas.
  • NF A91-113:2004 Recubrimientos no conductores sobre materiales de base eléctricamente conductores no magnéticos - Medición del espesor del recubrimiento - Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud.
  • NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción para materiales de película delgada
  • NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión para materiales de película delgada.
  • NF C93-784*NF EN 61249-5-4:1997 Materiales para estructuras de interconexión. Parte 5: conjunto de especificaciones seccionales para láminas y películas conductoras con o sin revestimiento. Sección 4: tintas conductoras.
  • NF EN 61249-5-4:1997 Materiales para estructuras de interconexión - Parte 5: recopilación de especificaciones intermedias para láminas y películas conductoras con o sin recubrimiento - Sección 4: tintas conductoras.
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: prueba de compresión de micropilares para materiales MEMS
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: métodos de ensayo de tracción de materiales de película delgada.
  • NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial para materiales de película delgada.
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 6: métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada.
  • NF EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: método de prueba para la relación de Poisson de materiales MEMS de película delgada
  • NF ISO 10677:2011 Cerámica técnica: fuentes de luz ultravioleta para probar materiales fotocatalíticos semiconductores

RU-GOST R, Material de capa semiconductora

  • GOST 22622-1977 Materiales semiconductores. Términos y definiciones
  • GOST 22265-1976 Materiales conductores. Términos y definiciones
  • GOST 34395-2018 Materiales de pintura. Método de prueba de chispa para la inspección de continuidad de recubrimientos deeléctricos sobre sustratos conductores.

Professional Standard - Machinery, Material de capa semiconductora

  • JB/T 6819.3-1993 Terminología de materiales de instrumentos: material de resistencia, material conductor y material de contacto eléctrico
  • JB/T 8320-1996 Tubos de vidrio de cuarzo recubiertos destinados a ser utilizados en el proceso de producción de dispositivos semiconductores de potencia.
  • JB/T 3578-2007 Normas técnicas generales para el material de recubrimiento epoxi sobre guías deslizantes.
  • JB/T 3578-1991 Normas técnicas generales para materiales de revestimiento epoxi de carriles guía deslizantes.
  • JB/T 8175-1999 Dimensiones generales del disipador de calor extruido para dispositivos semiconductores de potencia
  • JB/T 5781-1991 Radiador seccionado para dispositivos semiconductores de potencia. Especificación técnica
  • JB/T 10738-2007 Compuesto de blindaje semiconductor para cables de alimentación de tensiones nominales de hasta 35 kV inclusive.

Danish Standards Foundation, Material de capa semiconductora

  • DS/EN ISO 2360:2004 Recubrimientos no conductores sobre materiales base eléctricamente conductores no magnéticos - Medición del espesor del recubrimiento - Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud
  • DS/EN 62047-10:2011
  • DS/EN 62047-2:2007
  • DS/EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores. Dispositivos microelectromecánicos. Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada.
  • DS/ISO 4525:1987 Recubrimientos metálicos: recubrimientos galvanizados de níquel más cromo sobre materiales plásticos
  • DS/EN 62047-6:2010

Underwriters Laboratories (UL), Material de capa semiconductora

  • UL 779-1990 Pavimentos eléctricamente conductores
  • UL 779-1995 Norma UL de seguridad para pisos eléctricamente conductores, séptima edición; Reimpresión con revisiones hasta el 22/11/2005 inclusive.
  • UL 779-2011 Pavimentos eléctricamente conductores

AT-ON, Material de capa semiconductora

IEC - International Electrotechnical Commission, Material de capa semiconductora

  • IEC 62047-31:2017 Dispositivos semiconductores – Dispositivos microelectromecánicos – Parte 31: Método de prueba de flexión de cuatro puntos para la energía de adhesión interfacial de materiales MEMS en capas (Edición 1.0)

Lithuanian Standards Office , Material de capa semiconductora

  • LST EN ISO 2360:2004 Recubrimientos no conductores sobre materiales de base eléctricamente conductores no magnéticos. Medición del espesor del recubrimiento. Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud (ISO 2360:2003).

AENOR, Material de capa semiconductora

  • UNE-EN ISO 2360:2004 Recubrimientos no conductores sobre materiales de base eléctricamente conductores no magnéticos. Medición del espesor del recubrimiento. Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud (ISO 2360:2003).

International Organization for Standardization (ISO), Material de capa semiconductora

  • ISO 4525:1985 Recubrimientos metálicos; Recubrimientos galvanizados de níquel más cromo sobre materiales plásticos
  • ISO 4525:2003 Recubrimientos metálicos - Recubrimientos galvanizados de níquel más cromo sobre materiales plásticos

Standard Association of Australia (SAA), Material de capa semiconductora

  • AS 1406:2004 Recubrimientos galvanizados - Níquel y cromo sobre plásticos para aplicaciones decorativas

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Material de capa semiconductora

  • DB61/T 1250-2019 Especificación general para dispositivos discretos semiconductores de material Sic (carburo de silicio)

IETF - Internet Engineering Task Force, Material de capa semiconductora

  • RFC 5705-2010 Exportadores de materiales clave para la seguridad de la capa de transporte (TLS)

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Material de capa semiconductora

  • KS C IEC 62047-18:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22:2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 61249-5-4-2003(2019) Materiales de estructura de interconexión Parte 5: Especificaciones detalladas para películas delgadas conductoras y películas recubiertas y no recubiertas 4: Tintas conductoras
  • KS C IEC 61249-5-4:2003 Material para estructuras de interconexión. Parte 5: Conjunto de especificaciones seccionales para láminas y películas conductoras con o sin recubrimiento. Sección 4: Tintas conductoras.
  • KS D 8343-2013(2018) Recubrimientos galvanizados sobre materiales plásticos con fines decorativos.

KR-KS, Material de capa semiconductora

  • KS C IEC 62047-18-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • KS C IEC 62047-22-2016 Dispositivos semiconductores ― Dispositivos microelectromecánicos ― Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada

ES-UNE, Material de capa semiconductora

  • UNE-EN 62047-10:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 10: Ensayo de compresión de micropilares para materiales MEMS (Ratificada por AENOR en diciembre de 2011.)
  • UNE-EN 62047-18:2013 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de ensayo de flexión de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en noviembre de 2013.)
  • UNE-EN ISO 2360:2018 Recubrimientos no conductores sobre metales básicos conductores de electricidad no magnéticos. Medición del espesor del recubrimiento. Método de corrientes parásitas sensibles a la amplitud (ISO 2360:2017).
  • UNE-EN 62047-6:2010 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada (Ratificada por AENOR en junio de 2010.)
  • UNE-EN 62047-21:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 21: Método de ensayo del coeficiente de Poisson de materiales MEMS de película fina (Ratificada por AENOR en noviembre de 2014.)

YU-JUS, Material de capa semiconductora

  • JUS C.T7.125-1991 Recubrimientos metálicos. Recubrimientos galvanizados de níquel más cromo sobre materiales plásticos.
  • JUS N.C0.036-1980 Pruebas de cordones y cables flexibles. Mediciones de resistencia de aislamiento, resistencia de capas semiconductoras y resistencia superficial.

American National Standards Institute (ANSI), Material de capa semiconductora

  • ANSI/ASTM D3004:2008 Especificación para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ANSI/UL 779-2011 Norma de seguridad para suelos conductores de electricidad

American Society for Testing and Materials (ASTM), Material de capa semiconductora

  • ASTM D6095-99 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-02 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-97 Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D3004-08(2020) Especificación estándar para materiales de blindaje de aislamiento, conductores y semiconductores extruidos termoplásticos y reticulados
  • ASTM E977-84(1999) Práctica estándar para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad
  • ASTM E977-05(2019) Práctica estándar para la clasificación termoeléctrica de materiales conductores de electricidad
  • ASTM D6095-05 Método de prueba estándar para resistividad de volumen para materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-06 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos
  • ASTM D6095-12 Método de prueba estándar para la medición longitudinal de la resistividad del volumen de materiales de blindaje de aislamiento y conductores semiconductores termoplásticos y reticulados extruidos

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Material de capa semiconductora

  • JIS H 8630:1987 Recubrimientos galvanizados sobre materiales plásticos con fines decorativos.
  • JIS H 8630:2006 Recubrimientos galvanizados sobre materiales plásticos con fines decorativos.
  • JIS C 5630-2:2009 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 2: Método de prueba de tracción de materiales de película delgada
  • JIS C 5630-18:2014 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 18: Métodos de prueba de flexión de materiales de película delgada
  • JIS C 5630-6:2011 Dispositivos semiconductores - Dispositivos microelectromecánicos - Parte 6: Métodos de ensayo de fatiga axial de materiales de película delgada

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