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半導体試験装置モデル

半導体試験装置モデルは全部で 176 項標準に関連している。

半導体試験装置モデル 国際標準分類において、これらの分類：電気機器部品、 長さと角度の測定、 半導体ディスクリートデバイス、 電気、磁気、電気および磁気測定、 金属材料試験、 半導体材料、 オプトエレクトロニクス、レーザー装置、 電子および通信機器用の電気機械部品、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 送配電網、 造船と海洋構造物の一体化、 産業用オートメーションシステム、 真空技術、 情報技術用の言語、 空気の質、 製図、 電子機器用機械部品。

Professional Standard - Machinery, 半導体試験装置モデル

• JB/T 4219-1999 パワー半導体デバイス試験装置 型式命名方法
• JB/T 6307.4-1992 パワー半導体モジュールのテスト方法 バイポーラトランジスタアームとアームペア
• JB/T 6307.5-1994 パワー半導体モジュールの試験方法 バイポーラトランジスタ単相ブリッジと三相ブリッジ

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体試験装置モデル

• T/ZACA 041-2022 ミックスドシグナル半導体デバイス試験装置
• T/ZZB Q041-2022 ミックスドシグナル半導体デバイス試験装置
• T/ZAQ 10113-2022 半導体デバイス断続寿命試験装置
• T/ZZB Q063-2022 半導体デバイスの間欠寿命試験装置
• T/CZSBDTHYXH 001-2023 半導体ウェーハ欠陥自動光学検査装置
• T/GVS 005-2022 半導体装置用絶対電圧容量薄膜真空計の比較方法の試験仕様書

YU-JUS, 半導体試験装置モデル

• JUS N.A3.500-1980 半導体装置。 グラフィックシンボル

RO-ASRO, 半導体試験装置モデル

• STAS 7128/2-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バイポーラトランジスタのシンボル
• STAS 6693/2-1975 半導体装置。 トランジスタ。 電子性能試験方法
• STAS 7128/6-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 サイリスタの記号
• STAS 7128/9-1980 半導体装置および集積回路。 ユニジャンクショントランジスタのパラメータ記号
• STAS 7128/8-1986 半導体デバイスや集積回路のアルファベット記号。 電界効果トランジスタのシンボル
• STAS 7128/5-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 整流ダイオードの記号
• STAS 7128/1-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 一般的なルール
• STAS 7128/11-1985 半導体デバイスおよび集積回路のテキスト シンボル。 デジタル集積回路のシンボル
• STAS 7128/4-1971 半導体装置および集積回路。 トンネルダイオードのテキストシンボル
• STAS 7128/3-1985 テキスト記号。 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 低電力信号ダイオードのシンボル
• STAS 7128/10-1984 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 アナログ集積回路パラメータのシンボル
• STAS 7128/7-1986 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 バラクタおよびミキサ ダイオードの記号
• STAS 12124/1-1982 半導体装置。 バイポーラトランジスタ。 静電気パラメータの測定方法
• STAS 7128/12-1985 半導体装置および集積回路のパラメータ記号。 低電圧リファレンスとツェナー ダイオードの記号
• STAS 12124/3-1983 半導体装置。 電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
• STAS 12124/4-1983 半導体装置。 電界効果トランジスタ、静電気パラメータの測定方法
• STAS 12123/2-1983 スイッチングダイオードなど、半導体デバイス用の小電力信号用ダイオードの電気的特性の測定方法
• STAS 12123/4-1984 半導体デバイス用可変容量ダイオードの電気的特性の測定方法

Defense Logistics Agency, 半導体試験装置モデル

• DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 半導体装置、トランジスタ、タイプ 2N389 および 2N424 (ネイビー)
• DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 モデル番号 2N7334、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHC、JANKCA2N7334 および JANHCA2N7334 の N チャネルと 4 つのトランジスタを備えたシリコン結晶電界効果半導体デバイス
• DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 シリコンモノリシック、テストバストランシーバー、酸化物半導体デジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-86864-1988 プログラマブル ロジック デバイス 相補型金属酸化膜半導体 消去可能なデジタルマイクロ回路
• DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 シリコンモノリシックバイポーラ金属酸化物半導体技術の割り込みインターフェイスラッチデバイス、線形超小型回路
• DLA MIL-PRF-19500/534 F-2008 モデルは 2N5002 および 2N5004、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANSM、JANSD、JANSP、JANSL、JANSR、JANSF、JANSG、JANSH、JANHCB、JANKCB、JANKCBM、JANKCBD、JANKCBP、JANKCBL、JANKCBR、JANKCBF、JANKCBG、JANKCBH です。 シリコントランジスタ半導体装置
• DLA MIL-PRF-19500/420 L-2008 モデル番号 1N5550 から 1N5554、1N5550US から 1N5554US、JAN、JANTX、JANTXV、JANS、JANHCA、JANHCB、JANHCC、JANHCD、JANHCE、JANKCA、JANKCD および JANKCE のシリコン ダイオード半導体デバイス (電力整流器付き)
• DLA SMD-5962-87641-1988 シリコンモノリシックラッチデバイス、入力シール、バイポーラ金属酸化物半導体技術8ビット、リニアマイクロ回路

SE-SIS, 半導体試験装置モデル

• SIS SS-IEC 749:1991 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
• SIS SS 499 07 07-1990 低エネルギーの非電子信号導体爆発システム。 一般的な要件とテスト
• SIS SEN 47 10 03-1973 電波干渉。 規制対象の集積半導体デバイスで使用される干渉電圧を測定するための規制と方法

CZ-CSN, 半導体試験装置モデル

• CSN IEC 749:1994 半導体装置。 機械的および気候的試験方法
• CSN 35 8754-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡出力アドミッタンス測定
• CSN 35 8756-1973 半導体装置。 トランジスタのYパラメータの測定
• CSN 35 8742-1973 半導体装置。 トランジスタ。 遮断電流の測定
• CSN 35 8759-1977 半導体装置。 トランジスタ。 スイッチング時間の測定方法
• CSN 35 8737-1975 半導体装置。 ダイオード。 微分抵抗の測定
• CSN IEC 747-3-2:1991 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 3: 信号 (スイッチを含む) とツェナー ダイオード
• CSN 35 8749-1973 半導体装置。 トランジスタ。 短絡順方向伝達アドミッタンスの絶対値の測定
• CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996 半導体装置。 ディスクリート機器。 パート 3: 信号 (スイッチを含む) とレギュレーター ダイオード
• CSN 35 8731-1975 半導体装置。 ダイオード。 直流順電圧の測定
• CSN 35 8763-1973 半導体装置。 ダイオード。 逆耐電圧の測定
• CSN 35 8761-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 光電流測定
• CSN 35 8762-1973 半導体装置。 フォトトランジスタフォトダイオード。 暗電流測定
• CSN 35 8752-1976 半導体装置。 トランジスタ。 ベース接地出力容量の測定方法
• CSN 35 8785-1975 半導体装置。 バラクタダイオード。 熱容量係数の測定
• CSN 35 8733-1975 半導体装置。 ダイオード。 逆電圧（動作電圧）の測定
• CSN 35 8764-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復時間の測定。
• CSN 35 8765-1976 半導体装置。 スイッチングダイオード。 逆回復電荷の測定
• CSN 35 8746-1973 半導体装置。 トランジスタ。 順電流伝達率の絶対値と周波数fT、fh21b、fh21eの測定
• CSN 35 8745-1973 半導体装置。 トランジスタ。 高周波における開放逆電圧伝達率と時間係数の測定

PL-PKN, 半導体試験装置モデル

• PN T01208-01-1992 半導体装置。 バイポーラトランジスタ。 用語とアルファベット記号
• PN T01501 ArkusZ4-1973 半導体装置。 電界効果トランジスタパラメータのアルファベット記号

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 半導体試験装置モデル

• JEDEC JEP104C.01-2003 半導体装置のアルファベット記号リファレンスガイド
• JEDEC JESD57-1996 重イオン放射線に曝露された半導体デバイスのシングルイベント効果測定のテスト手順
• JEDEC JESD66-1999 サイリスタサージ保護装置の等級認定および特性評価試験用の過渡電圧アレスタの規格
• JEDEC JESD89A-2006 アルファ粒子と地球宇宙光の測定と送信は、半導体デバイスの軽微なエラーにつながります

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 半導体試験装置モデル

• ECA CB 5-1969 半導体放熱装置の推奨試験手順
• ECA CB 5-1-1971 CB5 半導体放熱装置の推奨試験手順の付録

Lithuanian Standards Office , 半導体試験装置モデル

• LST EN 62417-2010 半導体デバイス金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ (MOSFET) のモバイル イオン試験 (IEC 62417:2010)
• LST EN IEC 60749-15:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 15: スルーホール実装デバイスのはんだ付け温度耐性 (IEC 60749-15:2020)
• LST EN IEC 60749-30:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装デバイスのプレコンディショニング (IEC 60749-30:2020)
• LST EN 60749-5-2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 5: 定常状態の温度湿度バイアス寿命試験 (IEC 60749-5:2003)
• LST EN 60749-37-2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法 (IEC 60749-37:2008)
• LST EN 60749-26-2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM) (IEC 60749-26:2006)

HU-MSZT, 半導体試験装置モデル

• MNOSZ 700-3.lap-1955 半導体モデルの分析試験 実験室のサンプル準備

British Standards Institution (BSI), 半導体試験装置モデル

• BS EN IEC 60749-28:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 デバイス帯電モデル (CDM) デバイス レベル
• BS EN 62047-3:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械装置、引張試験用フィルム標準試験片
• BS EN 62047-13:2012 半導体装置、マイクロ電気機械デバイス、MEMS 構造の接着強度を測定するための曲げおよびせん断タイプの試験方法。
• BS EN 60749-44:2016 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 半導体デバイスの中性子線照射によるシングルイベント効果 (SEE) の試験方法
• BS EN IEC 60749-10:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 機械的衝撃装置およびアセンブリ
• 20/30419235 DC BS EN 60749-28 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 パート 28: 静電気放電 (ESD) 感度試験 帯電デバイス モデル (CDM) デバイス レベル
• BS IEC 62047-40:2021 半導体デバイス微小電気機械装置微小電気機械慣性衝撃スイッチング閾値試験方法
• BS IEC 60747-5-13:2021 半導体デバイス・光電子機器・LEDパッケージの硫化水素腐食試験
• BS EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法
• BS EN 60749-26:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• BS EN 60749-26:2014 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• BS IEC 62526:2007 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張標準
• BS IEC 62047-27:2017 半導体デバイス マイクロ電気機械装置 Micro-V テスト (MCT) を使用したガラスフリット接合構造の接合強度試験
• PD 6574-1994 気体燃料の型式試験における燃焼装置から排出される物質の測定
• BS IEC 62047-38:2021 半導体デバイスの微小電気機械相互接続における金属粉末スラリーの結合強度の試験方法
• 21/30435579 DC BS EN 60749-10 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント
• BS EN 60749-15:2011 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - スルーホール実装機器のはんだ付け温度に対する耐性
• BS EN 60749-15:2003 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 スルーホール実装機器のはんだ付け温度に対する耐性
• BS EN 60749-15:2010 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、スルーマウント機器のはんだ付け温度耐性
• BS EN 60749-27:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 マシンモデル (MM)
• BS EN 60749-27:2006+A1:2012 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 静電気放電 (ESD) 感度試験 マシンモデル (MM)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体試験装置モデル

• GB/T 1550-2018 外部半導体材料の導電型の試験方法

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体試験装置モデル

• GB/T 1550-1997 外部半導体材料の導電型の試験方法
• GB 35007-2018 半導体集積回路の低電圧差動信号回路の試験方法
• GB/T 24468-2009 半導体装置の信頼性、可用性、保守性（RAM）の定義と測定仕様
• GB/T 4937.26-2023 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 半導体試験装置モデル

• IEEE 425-1957 トランジスタ半導体の定義とライト表記のテストコード

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体試験装置モデル

• GB/T 36005-2018 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法
• GB/T 35007-2018 半導体集積回路の低電圧差動信号回路の試験方法

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 半導体試験装置モデル

• JJF 1895-2021 半導体デバイス用直流・低周波パラメータ試験装置の校正仕様書

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., 半導体試験装置モデル

• NAS4118-1996 ヒートシンク電気電子部品半導体機器固定用クリップタイプ

Association Francaise de Normalisation, 半導体試験装置モデル

• NF EN 62779-3:2016 半導体デバイス - 人体を介した通信のための半導体インターフェース - 第 3 部: 機能の種類と使用条件
• NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 半導体デバイス・微小電気機械装置 第3部 引張試験用フィルム標準試験片
• NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)
• NF EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 - 人体モデル (HBM)
• NF C96-013-6-1*NF EN 60191-6-1:2002 半導体デバイスの機械的標準化 パート 6-1: 半導体デバイスのパッケージング用表面実装スケッチの作成に関する一般規則 ガルウィング リード端子の設計ガイドライン
• NF C96-022-26:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)
• NF C96-022-15*NF EN 60749-15:2011 半導体デバイス、機械的および環境試験方法、パート 15: リードインパッケージデバイスのはんだ付け温度に対する耐性。

Aerospace Industries Association, 半導体試験装置モデル

• AIA NAS 4118-1996 ヒートシンク、電気・電子部品、半導体装置、保持クリップタイプ

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 半導体試験装置モデル

• EN IEC 60749-10:2022 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント
• EN 60749-34:2010 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
• EN IEC 60749-30:2020 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• EN IEC 60749-37:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
• EN 60749-26:2014 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)
• EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 半導体試験装置モデル

• JJG(电子) 04008-1987 QE1A ダブルベース半導体管テスターのパイロット校正手順
• JJG(电子) 04023-1989 BJ2970 高出力半導体トランジスタ TF テスターの校正規定

Danish Standards Foundation, 半導体試験装置モデル

• DS/EN 60749-34:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 34: 電源の入れ直し
• DS/EN 62047-9:2011 半導体デバイス用微小電気機械デバイス 第9回 MEMSのウェハ間接合強度の測定
• DS/EN 60749-30/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• DS/EN 60749-30:2005 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• DS/EN 60749-37:2008 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
• DS/EN 60749-14:2004 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 14: 終端の堅牢性 (リードの完全性)
• DS/EN 60749-26:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)

Professional Standard - Electron, 半導体試験装置モデル

• SJ/T 11820-2022 半導体ディスクリートデバイスのDCパラメータ試験装置の技術要件と測定方法
• SJ 20233-1993 IMPACT-Type II 半導体ディスクリートデバイス試験システム検証規定
• SJ/T 11007-1996 半導体テレビ集積回路の映像信号・色信号処理回路の試験方法の基本原理
• SJ/T 10740-1996 半導体集積回路のバイポーラランダムアクセスメモリの試験方法の基本原理

工业和信息化部, 半導体試験装置モデル

• SJ/T 11702-2018 半導体集積回路のシリアルペリフェラルインターフェースのテスト方法

United States Navy, 半導体試験装置モデル

• NAVY MIL-STD-287 A NOTICE 2-1997 (TACAN) 電子戦術航空航法装置試験信号
• NAVY MIL-STD-287 A VALID NOTICE 1-1991 (TACAN) 電子戦術航空航法装置試験信号
• NAVY MIL-STD-287 A-1958 (TACAN) 電子戦術航空航法装置試験信号

国家质量监督检验检疫总局, 半導体試験装置モデル

• SN/T 3480.4-2016 輸入エレクトロニクスおよび電気産業向けの機器一式の検査に関する技術要件 パート 4: 半導体パッケージングおよび試験機器

German Institute for Standardization, 半導体試験装置モデル

• DIN 41772:1979 静止型電力変換器、半導体整流装置、特徴的な曲線形状と文字記号
• DIN 41772:1979-02 静止型電力変換器、半導体整流装置、特性曲線の形状と文字記号
• DIN EN 62047-3:2007 半導体デバイス、微小電気機械装置、その3：引張試験用フィルム標準試験片
• DIN EN 62047-8:2011 半導体装置、マイクロ電気機械装置、パート 8: フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法 (IEC 62047-8-2011)、ドイツ語版 EN 62047-8-2011
• DIN EN IEC 60749-37:2023 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法 (IEC 47/2651/CDV:2020)
• DIN EN 60749-44:2017 半導体デバイス. 機械的および気候的試験方法. パート 44: 半導体デバイスの中性子線照射のシングルイベント効果 (SEE) の試験方法 (IEC 60749-44-2016)、ドイツ語版 EN 60749-44-2016

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体試験装置モデル

• KS C IEC 62526-2015(2020) 半導体設計環境で使用する標準テストインターフェイス言語 (stil)
• KS C IEC 62526:2015 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張

AENOR, 半導体試験装置モデル

• UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 30: 信頼性試験前の非気密表面実装機器のプレコンディショニング
• UNE 73350-1:2003 環境放射能測定手順 測定機器 その1：半導体センサーのガンマ線分光分析
• UNE 73350-2:2003 環境放射能測定手順測定装置その2：半導体センサーのアルファ分光法

RU-GOST R, 半導体試験装置モデル

• GOST 14343-1969 広く使用されている機器に適したタイプ D 223、D 223a、D 223B の半導体ダイオード

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 半導体試験装置モデル

• IEEE Std C62.37/COR-2009 半導体サイリスタダイオード衝撃保護装置の試験仕様書、正誤表
• IEEE 1450.1-2005 半導体設計環境向けの標準テスト インターフェイス言語 (STIL) の拡張 (IEEE Std 1450-1999)

AT-OVE/ON, 半導体試験装置モデル

• OVE EN IEC 60749-10:2021 半導体装置の機械的および気候的試験方法 パート 10: 機械的衝撃装置およびコンポーネント (IEC 47/2692/CDV) (英語版)

未注明发布机构, 半導体試験装置モデル

• BS IEC 62526:2007(2010) 半導体設計環境標準テストインターフェイス言語 (STIL) 拡張標準

Canadian Standards Association (CSA), 半導体試験装置モデル

• CSA C22.2 No.199-M89-CAN/CSA-1989 半導体点火装置およびガスおよび燃料油用の火炎監視装置 一般指令 No. 1

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体試験装置モデル

• IEC 60749-37:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 37: 加速度計を使用した基板レベルの落下試験方法
• IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 1 27 静電気放電 (ESD) 感度試験 - 機械モデル (mm)
• IEC 62047-3:2006 半導体デバイス、微小電気機械装置、その3：引張試験用薄膜標準試験片
• IEC 62047-28:2017 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 28: 振動駆動 MEMS エレクトレット エネルギー ハーベスティング デバイスの性能試験方法
• IEC 62047-16:2015 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 16: MEMS フィルムの残留応力を決定するための試験方法 ウェーハの曲率およびカンチレバーのたわみ方法
• IEC 62830-8:2021 半導体デバイス エネルギーハーベスティングおよび発電用の半導体デバイス パート 8: 低電力電子デバイスで使用する柔軟で伸縮性のあるスーパーキャパシタの試験および評価方法
• IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
• IEC 60749-26:2013 半導体デバイス、機械的および気候的試験方法、パート 26: 静電気放電感受性 (ESD) 試験、人体モデル (HBM)
• IEC 60749-26:2018 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 26: 静電気放電 (ESD) 感度試験 - 人体モデル (HBM)
• IEC 60749-30:2011 半導体デバイスの機械的および環境的試験 パート 30: 非気密表面実装機器の信頼性試験前のプレコンディショニング

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体試験装置モデル

• GJB 4295-2001 ミサイルおよび宇宙船の試験場における計測および制御機器のコード命名方法
• GJB 4295A-2017 ミサイルおよび宇宙船試験場の測定および制御機器のコード命名方法

ECIA - Electronic Components Industry Association, 半導体試験装置モデル

• EIA CB-5-1:1971 半導体放熱デバイスの推奨テスト手順 (Bulletin No. 5 の付録; (安定版))

Professional Standard - Aerospace, 半導体試験装置モデル

• QJ 3156-2002 ミサイル地上設備の大型構造物の応力試験方法

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 半導体試験装置モデル

• QC 750101/SU 0001-1990 電子部品の詳細仕様 電子機器のパルスおよびデジタル回路で使用する信号半導体エピタキシャル プレーナ環境定格ダイオード タイプ KD5I0A
• QC 750101/SU 0003-1990 電子機器のパルスおよびデジタル回路で使用するための電子部品信号半導体エピタキシャルプレーナ環境定格ダイオードの詳細仕様 KD522B タイプ
• QC 750101/SU 0002-1990 KD52IA タイプ KD52IB 電子部品詳細仕様書 電子機器のパルス回路やデジタル回路に使用される信号用半導体エピタキシャルプレーナ環境対応ダイオード

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体試験装置モデル

• JIS C 5630-3:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 3: 引張試験用フィルム標準試験片
• JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 半導体試験装置モデル

• EN 60749-26:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感受性試験 人体モデル (HBM)

ES-UNE, 半導体試験装置モデル

• UNE-EN IEC 60749-26:2018 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 26: 静電気放電 (ESD) 感度試験 人体モデル (HBM)

その他：   半導体試験装置, 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法, 半導体照明装置およびシステムの光放射安全性試験方法, 「半導体照明装置およびシステムの光放射線安全性試験方法」, 半導体試験装置, 半導体試験装置モデル, 半導体 + テスト + 装置.