记忆泌

本专题涉及记忆泌的标准有377条。

国际标准分类中，记忆泌涉及到词汇、图形符号、集成电路、微电子学、信息技术应用、有色金属产品、金属材料试验、有色金属、电工和电子试验、导体材料、纺织产品、数据存储设备、无损检测、纺织工艺、教育、实验室医学、人类工效学、电站综合、焊接、钎焊和低温焊、电学、磁学、电和磁的测量、铁合金、粉末冶金、钢铁产品、文娱活动设备、医疗设备、无线通信、航空航天制造用材料、食品综合、农业和林业、航空航天制造用零部件、地面服务和维修设备、化工产品、试验条件和规程综合、制造成型过程、音频、视频和视听工程、航空器和航天器综合、摄影技术、字符集和信息编码、食品试验和分析的一般方法。

在中国标准分类中，记忆泌涉及到电工绝缘材料及其制品、数据媒体、金属理化性能试验方法综合、半导体集成电路、重金属及其合金、计算机应用、金属力学性能试验方法、稀有轻金属及其合金、微电路综合、基础标准与通用方法、丝和丝交织品、稀土金属及其合金、、管路附件、有色金属及其合金产品综合、医用化验设备、标准化、质量管理、电站、电力系统运行检修、金属无损检验方法、粉末冶金分析方法、航天器综合、试验机与无损探伤仪器综合、贵金属及其合金、金属化学性能试验方法、玩具、矫形外科、骨科器械、广播、电视发送与接收设备、无线电通信设备、基础标准和通用方法、其他特种合金、超声波与声放射探伤仪器、食品卫生、海水养殖与产品、弹簧、标志、包装、运输、贮存、其他专科器械、货运、混合集成电路、数字显示仪表、视频、脉冲系统设备、紧固件、计算机外围设备、电影与摄影技术、航空与航天用金属铸锻材料、焊接与切割、编码、字符集、字符识别。

(美国)军事条例和规范，关于记忆泌的标准

ARMY MIL-C-70490 NOTICE 1-1995 电路板组装记忆
ARMY MIL-C-70490 (1)-1986 电路板组装记忆
ARMY MIL-C-70490-1985 电路板组装记忆
ARMY MIL-H-2987 B NOTICE 1-1997 遮避快闪记忆体
ARMY MIL-H-2987 B-1975 遮避快闪记忆体
ARMY MIL-C-63526 NOTICE 1-1996 XM23型105MM坦克炮快闪记忆体模拟器炮弹
ARMY MIL-C-63526-1981 XM23型105MM坦克炮快闪记忆体模拟器炮弹

RO-ASRO，关于记忆泌的标准

STAS 12326/1-1985 记忆示波器术语
STAS 12326/2-1985 记忆示波器总体要求和特别的测试方法

韩国科技标准局，关于记忆泌的标准

KS D 0057-2004 形状记忆合金术语
KS D 0057-2001 形状记忆合金术语
KS D 0057-2019 形状记忆合金术语表
KS D 0057-2004(2019) 形状记忆合金术语术语表
KS B ISO 24497-1-2008(2013) 无损检测金属磁记忆第1部分:词汇
KS D 0058-2019 形状记忆合金转变温度的测定方法
KS D 0058-2004(2019) 确定形状记忆合金的转变温度的方法
KS D 0058-2001 确定形状记忆合金的转变温度的方法
KS D 0058-2004 形状记忆合金合金形状变化点测定方法
KS D 0304-2004 形状记忆合金螺簧的固定应变试验方法
KS B ISO 24497-2-2008(2013) 无损检测金属磁记忆第2部分:一般要求
KS D 0304-1995 形状记忆合金螺旋弹簧固定应变试验方法
KS D 0072-2002 Ti-Ni形记忆合金的固定温度张力试验方法
KS D 0072-1993 钛镍形状记忆合金线材恒温拉伸试验方法
KS D 0304-2004(2019) 形状记忆合金螺旋弹簧固定应变试验方法
KS D 0072-2002(2017) 钛镍形状记忆合金线材定温拉伸试验方法
KS D 0302-2019 形状记忆合金螺旋弹簧定温载荷试验方法
KS D 0304-2019 形状记忆合金螺旋弹簧固定应变试验方法
KS D 0072-2022 钛镍形状记忆合金丝材定温拉伸试验方法
KS D 0302-2004 形状记忆合金螺簧的固定温度负荷试验方法
KS B ISO 24497-3-2008(2013) 无损检测金属磁记忆第3部分:焊接接头检验
KS D 0302-1993 形状记忆合金螺簧的固定温度负荷试验方法
KS D 0303-2004 形状记忆合金螺簧的固定应变热循环试验方法
KS D 0302-2004(2019) 形状记忆合金螺旋弹簧固定温度载荷试验方法
KS D 0303-2004(2019) 形状记忆合金螺旋弹簧定应变热循环试验方法
KS D 0303-1995 形状记忆合金螺旋弹簧固定应变热循环试验方法
KS D 0072-2002(2022) Ti-Ni形状记忆合金线材的固定温度拉伸试验方法
KS D 0303-2019 形状记忆合金螺旋弹簧固定应变热循环试验方法
KS A ISO 12234-2:2006 电子式静止影像图像.移动式记忆装置.第2部分:TIFF/EP影像资料形式
KS A ISO 12234-1:2011 电子式静止影像图像.移动式记忆装置.第1部分:基本移动式存储模块
KS A ISO 12234-1:2016 电子式静止影像图像移动式记忆装置第1部分：基本移动式存储模块

国际电工委员会，关于记忆泌的标准

IEC TR 61352:2006 集成电路记忆符号
IEC TR 61352:2000 集成电路记忆法与符号

英国标准学会，关于记忆泌的标准

BS ISO/IEC 11694-6:2006 识别卡.光学记忆卡.线性记录法.光学记忆卡中生物测定学的使用
BS ISO/IEC 11694-6:2014 识别卡.光学记忆卡.线性记录法.光学记忆卡中生物测定学的使用
BS ISO/IEC 11694-4:1997 识别卡.光学记忆卡.线性记录法.逻辑数据结构
BS ISO/IEC 11694-3:2008 识别卡.光记忆卡.线性记录方法.光属性和特性
BS ISO/IEC 11694-3:2015 识别卡.光记忆卡.线性记录方法.光属性和特性
BS ISO 24497-1:2020 非破坏性测试金属磁记忆.词汇和一般要求
BS ISO/IEC 11694-2:2012 识别卡.光记忆卡.线性记录方法.可访问光区域的尺寸规格和位置
BS EN 4819:2012 航空航天系列.航空器用接触式记忆口塞(CMB)标签
BS ISO/IEC 11694-5:2014 识别卡.光学记忆卡.线性记录法.信息交换和应用用ISO/IEC 11694-4标准的数据格式
BS ISO/IEC 11694-5:2006 识别卡.光学记忆卡.线性记录法.信息交换和应用用ISO/IEC 11694-4标准,附录B的数据格式
18/30358882 DC BS ISO 24497-2 非破坏性测试金属磁记忆第2部分焊接接头的检验
18/30358879 DC BS ISO 24497-1 非破坏性测试金属磁记忆第1部分：词汇和一般要求
BS ISO/IEC 15962:2013 信息技术.项目管理用无线射频识别(RFID).数据协议:数据编码规则和逻辑记忆功能

日本工业标准调查会，关于记忆泌的标准

JIS H 7107:2003 钛镍型材记忆合金丝
JIS H 7001:2009 形状记忆合金的术语表
JIS H 7001:2002 形状记忆合金的术语汇编
JIS H 7101:2002 形状记忆合金相变温度的测定方法
JIS H 7107:2009 钛-镍型材记忆合金线材、带材和管材
JIS H 7105:1993 形状记忆合金螺旋弹簧的固定应变试验方法
JIS H 7105:2002 形状记忆合金螺旋弹簧的固定应变试验方法
JIS H 7104:2002 形状记忆合金螺旋弹簧的恒温负荷试验方法
JIS H 7105:2012 形状记忆合金螺旋弹簧的固定应变试验方法
JIS H 7103:2002 Ti-Ni类形状记忆合金丝材的恒温拉力试验方法
JIS H 7103:2012 Ti-Ni类形状记忆合金丝材的恒温拉力试验方法
JIS H 7106:1993 形状记忆合金螺旋弹簧的固定应变热循环试验方法
JIS H 7106:2002 形状记忆合金螺旋弹簧的固定应变热循环试验方法

美国国防后勤局，关于记忆泌的标准

DLA SMD-5962-02517 REV A-2004 数字记忆CMOS微电路128M X 8 BIT堆栈模具(1GBIT)同步内存(记忆体)模块
DLA SMD-5962-02518-2003 数字记忆CMOS微电路256M X 8 BIT堆栈模具(2GBIT)同步内存(记忆体)模块
DLA SMD-5962-89841 REV L-2008 微电路记忆数字式CMOS可编程阵列逻辑(EEPLD)
DLA SMD-5962-84129 REV E-2004 硅单片可编程逻辑,双极数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96893 REV B-2003 9通道差动接收器硅单片电路记忆微电路
DLA SMD-5962-96902 REV F-2004 静态随机存储器256K X 16-BIT混合记忆微电路
DLA SMD-5962-81036 REV L-2005 硅单片可编程序逻辑双极数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89839 REV F-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90573-1991 硅单片,ECL可编程逻辑设置,双极记忆微型电路
DLA SMD-5962-88696 REV A-1990 硅单片动态记忆体控制器双极化数字微电路
DLA SMD-5962-94634-1995 硅单片,8000栅可配置逻辑阵列,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89823 REV H-2007 硅单片,9000栅可编程逻辑阵列,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-97631-1998 微型电路,带记忆力,CMOS,32K X 9并联同步FIFO,单块硅
DLA SMD-5962-96892 REV B-2003 12-BIT直流电和交流电硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-97610 REV B-2004 微型电路,混合型,带记忆力,数字型,2M X 16位,单块硅
DLA SMD-5962-92338-1993 硅单片,可单次编程式逻辑设置,BICMOS数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-98586 REV A-2001 微型电路,带记忆力,数字型,BICMOS,512X8位用户补丁ROM,单块硅
DLA SMD-5962-94763 REV B-2008 单片微电路记忆式数字CMOS电气可擦可编程逻辑器件
DLA SMD-5962-78015 REV H-2005 硅单片64比特双极随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94537-1994 硅单片,8位记忆处理单元,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-89855 REV A-1992 硅单片,同步记录及时可编程逻辑设置,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-81015 REV C-2006 硅单片16千比特动态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84132 REV C-2005 硅单片16千字节静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93008-1994 硅单片,16K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93091 REV D-2005 512K X 8位电可擦除可编程只读存储器,记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 硅单片,32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-88776 REV C-2004 硅单片8位快闪记忆体类比数位转换器线性混合微电路
DLA SMD-5962-98509 REV A-2007 微型电路,带记忆力,数字型CMOS,28000门可编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-98510 REV B-2007 微型电路,带记忆力,数字型CMOS,36000门可编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-98511 REV A-2007 微型电路,带记忆力,数字型CMOS,62000门可编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-98579-1999 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,现场程序门阵列,10000门,单块硅
DLA SMD-5962-96795 REV C-2004 256K X 16静态随机存储寄存器硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-96889 REV A-2006 4M X 1动态随机存取存储器硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 硅单片,2K X 9先进先出型氧化物半导体,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 硅单片,4K X 9先进先出型氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94549 REV D-2006 硅单片,256K X 16多口视频随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94567-1996 硅单片,X 9时控先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 硅单片,EE可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89892 REV B-2007 硅单片,装有OE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93154 REV A-2005 128K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-93155 REV B-2005 256K X 8位电可擦除可程序化只读存储器,记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-99514 REV B-2006 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,1-MEG X1-BIT系列配置程序,单块硅
DLA SMD-5962-99527 REV A-2007 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,现场可编程门阵列,20000门,单块硅
DLA SMD-5962-99569 REV C-2007 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,现场可编程门阵列,16000门,单块硅
DLA SMD-5962-99585 REV A-2007 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,现场可编程门阵列,36000门,单块硅
DLA SMD-5962-99586 REV C-2007 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,现场可编程门阵列,32000门,单块硅
DLA SMD-5962-82005 REV E-2005 硅单片 65536(8KX8)微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-82009 REV K-2005 硅单片64千比特程序可控只读存储器,双极数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-01529 REV A-2007 单片硅数字存储器微电路CMOS 16K X 1个静态随机存取记忆体(SRAM)
DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 硅单片,4K X 9并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 硅单片,一次可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 硅单片,可编程逻辑阵列,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 硅单片,5000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 硅单片,10000栅可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92344-1993 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93124 REV B-2005 硅单片,2K X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93138 REV C-2001 硅单片,1K X 8并行同步先进先出,氧化物半导体记忆微型电路
DLA SMD-5962-93173-1993 硅单片,512 X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93177 REV E-2003 硅单片,16K X 9并行先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96840 REV A-2005 4 X 32K X 40静态存储器多片组件硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 硅单片128 X 8比特随机存取记忆体,氧化物半导体数字微型电路
DLA SMD-5962-94573 REV B-1996 硅单片,分布统计器/累积缓冲器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94574 REV A-2002 硅单片,8位TTL/BTL寄存的收发器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94585 REV J-2003 128K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-94614 REV E-2003 32K X 32位电可擦除/可程序化只读存储器,数字记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-92324 REV B-2006 硅单片,8K X 8非易失性静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93156 REV B-2000 128K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-93168 REV A-1995 硅单片,可擦除程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93221 REV A-2007 硅单片,4000栅场致程序逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93235 REV A-2005 硅单片,256K X 8位电可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-96796 REV D-2007 128K X 8-BIT带电的可消除编程只读器硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-96901 REV D-2004 512K X 16-BIT静态存储器和可擦可编程只读存储器混合记忆微电路
DLA SMD-5962-97597 REV A-2002 微型电路,带记忆力,数字型CMOS,电可改动快速编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-97599 REV A-2002 微型电路,带记忆力,数字型CMOS,电可改动快速编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-97609 REV A-2003 微型电路,带记忆力,数字型,闪存可擦除可编程ROM,2M X 8位,单块硅
DLA SMD-5962-03202-2003 硅单片1024 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-03203-2003 硅单片1048 X 8比特双极可程序化只读存储器的数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89661-1989 硅单片,可级联64 X 9先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89664 REV B-2007 硅单片,可级联64 X 8先进先出式,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89942 REV A-1993 硅单片,2K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89943 REV A-1994 硅单片,4K X 9并联先进先出,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 硅单片256 X 4静态记忆体复位沟道金属氧化物半导体数字微电路
DLA SMD-5962-93087 REV A-1993 硅单片,电可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93189 REV C-1995 硅单片,4K X 18并行同步先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93249 REV B-2006 硅单片,512 X 9并行同步先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-80012 REV H-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-82008 REV K-2005 硅单片32千比特程序可控只读存储器,肖脱基双极数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-78016 REV G-2005 硅单片8千字节X8微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89666 REV C-2007 硅单片,256 X 9并联先进先出式,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94611 REV R-2004 512K X 32位静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆混合微型电路
DLA SMD-5962-89690 REV A-2006 硅单片,2K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89691 REV A-1990 硅单片,8K X 8 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89692 REV A-2006 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89694 REV C-2007 硅单片,16K X 4 静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89712 REV B-2007 硅单片,16K X 4BITS静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89863 REV A-2006 硅单片,512 X 9先进先出式串联,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89883 REV B-1995 硅单片,8K X 9静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89891 REV B-2007 硅单片,装有OE及双重CE16K X 4静态随机存取存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90622 REV D-2007 硅单片,4M X 1动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92312 REV A-2006 硅单片,4M X 4动态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93225-1994 硅单片,64K X 4静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93247 REV A-1995 硅单片,电可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-82025 REV H-2005 硅单片16千 X 8 微伏可消除式可程序化只读存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84036 REV G-2005 硅单片,16千比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84111 REV E-2004 硅单片262,144比特(32K X 8) 微伏可擦可编程序只读存储器,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89577 REV J-2007 硅单片,总线控制器,远程终端及显示器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92172-1993 硅单片,独立I/O分址16K X 4静态随机存取存储器,BICMOS数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93157 REV G-2002 256K X 8位静态随机存取存储器,氧化物半导体记忆混合及单片微型电路
DLA SMD-5962-98644 REV A-2006 微型电路,带记忆力,数字型CMOS,SOI,辐射加固,32K X 8位可编程补丁ROM,单块硅
DLA SMD-5962-97522 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-97523 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-97524 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-97525 REV A-2002 双互补金属氧化物半导体,可编程逻辑排列硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-38294 REV H-2005 硅单片8千X8比特静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94510 REV A-2007 硅单片,紫外线可擦除可程序化逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-88594 REV C-2006 硅单片256 X 4静态记忆体复位互补型金属氧化物半导体数字存储微电路
DLA SMD-5962-90555 REV B-2006 硅单片,异步可单次编程式逻辑设置,高速氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90620 REV A-2007 硅单片,2K X 8双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93144 REV B-2007 硅单片,紫外线可消除可程序化逻辑设置,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93153 REV B-2006 硅单片,4K X 9双口静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-99541 REV A-2005 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固CMOS,256K X8位静态随机存取存储器,单块硅
DLA SMD-5962-96836 REV A-2002 互补金属氧化物半导体可编程与门排列2000门硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-96837-2000 互补金属氧化物半导体可编程与门排列8000门硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-82007 REV C-2006 硅单片16千比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89598 REV R-2006 硅单片,低功率128K X 8静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94588-1995 硅单片,装有可编程信号的32K X 9先进先出,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93056 REV B-2006 硅单片,8K X 8可重调静态随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93123-1993 硅单片,2K X 16状态机可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93248-1993 硅单片,电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-98537 REV C-2006 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固,CMOS/SOI,128K X 8静态随机存取存储器,单块硅
DLA SMD-5962-96877 REV C-2006 互补金属氧化物半导体,128K X 8静态随机存储器,硅单片电路数字记忆微电路
DLA SMD-5962-82010 REV G-2005 硅单片65536 X 1比特动态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-03235 REV A-2004 512千 X 8比特硅单片耐辐射静态随机存储器氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89590 REV A-1994 硅单片,512 X 8位串联式电可擦除只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89667 REV A-1994 硅单片,2048 X 8串联电可擦除只读存储器,,氧化物半导体高速数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89951-1990 硅单片,256 X 4位非易失随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89967 REV A-2007 硅单片,寄存的8K X 8位可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-84033 REV D-2005 硅单片装有三态输出的八位总线收发器,TTL肖脱基高级小功率数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89575 REV C-2007 硅单片,装有1K X 16随机存取存储器的运程终端,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-94557 REV A-1994 硅单片,1MX 8电可擦除可程序化随机存取存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93166 REV B-2007 硅单片,32K X 8位功率转换可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93245-1993 硅单片,扩展电压紫外线可擦除可编程逻辑阵列,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-98615 REV A-2006 微型电路,带记忆力,数字型,辐射加固CMOS,低压,128K X 8位静态随机存取存储器,单块硅
DLA SMD-5962-99572 REV A-2003 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,电可改动(再可编程系统),32970门可编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-99573 REV A-2003 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,电可改动(再可编程系统),66111门可编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-99574 REV A-2003 微型电路,带记忆力,数字型,CMOS,电可改动(再可编程系统),1124002门可编程逻辑器件,单块硅
DLA SMD-5962-79024 REV C-2005 硅单片三态输出双极可编程序只读存储器,8192比特可切换肖脱基数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-81039 REV G-2006 硅单片16千(2048 X 8)比特静态随机存取存储器,金属氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-89817 REV C-2007 硅单片,32K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-92322-1993 硅单片,64K X 8位紫外线消除式可程序化只读存储器的快速存取,数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-90658 REV A-2006 硅单片,4K X 8紫外线消除式可程序化只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路
DLA SMD-5962-93244-1993 硅单片,512K X 8位5伏特可擦可编程序只读存储器,氧化物半导体数字记忆微型电路

工业和信息化部，关于记忆泌的标准

YS/T 1307.1-2019 镍钛形状记忆合金记忆性能测试方法第1部分：拉伸测试方法
YS/T 1307.2-2019 镍钛形状记忆合金记忆性能测试方法第2部分：弯曲测试方法
YS/T 1136-2016 医用镍-钛形状记忆合金无缝管
JB/T 13468-2018 无损检测涡流-磁记忆集成检测方法

行业标准-有色金属，关于记忆泌的标准

YS/T 971-2014 钛镍形状记忆合金丝材
YS/T 1064-2015 镍钛形状记忆合金术语
YS/T 970-2014 镍钛形状记忆合金相变温度测定方法
YS/T 969-2014 镍钛形状记忆合金丝材恒温拉伸试验方法

国家质检总局，关于记忆泌的标准

GB/T 20296-2006 集成电路记忆法与符号
GB/T 20296-2012 集成电路记忆法与符号
GB/T 26641-2011 无损检测.磁记忆检测.总则
GB/T 12604.10-2011 无损检测术语磁记忆检测
GB/T 17551-1998 识别卡光记忆卡一般特性
GB/T 17550.1-1998 识别卡光记忆卡线性记录方法第1部分;物理特性
GB/T 12604.10-2023 无损检测术语第10部分：磁记忆检测
GB/T 17550.3-1998 识别卡光记忆卡线性记录方法第3部分;光属性和特性
GB/T 17550.4-2000 识别卡光记忆卡线性记录方法第4部分:逻辑数据结构
GB/T 24627-2023 外科植入物用镍-钛形状记忆合金加工材
GB/T 5009.198-2003 贝类记忆丧失性贝类毒素软骨藻酸的测定
GB/T 17550.2-1998 识别卡光记忆卡线性记录方法第2部分;可访问光区域的尺寸和位置
GB 24627-2009 医疗器械和外科植入物用镍-钛形状记忆合金加工材
GB/T 42516-2023 高温形状记忆合金化学分析方法铂含量的测定硫脲络合沉淀法

台湾地方标准，关于记忆泌的标准

CNS 10322-1983 记忆装置用铁心试验法
CNS 13939-1997 识别卡–光学记忆卡–一般特性
CNS 13940-3-1997 识别卡–光学记忆卡–线性记录法；第3部：光学特性
CNS 13940.3-1997 识别卡–光学记忆卡–线性记录法；第３部：光学特性
CNS 13940-1-1997 识别卡–光学记忆卡–线性记录法；第1部：实体特性
CNS 13940.1-1997 识别卡–光学记忆卡–线性记录法；第１部：实体特性
CNS 13940.2-1997 识别卡–光学记忆卡–线性记录法；第２部：可存取光学区的尺寸与位置
CNS 13940-2-1997 识别卡–光学记忆卡–线性记录法；第2部：可存取光学区的尺寸与位置

行业标准-纺织，关于记忆泌的标准

FZ/T 43053-2019 聚酯纤维形态记忆织物

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于记忆泌的标准

GB/T 39985-2021 钛镍形状记忆合金板材
GB/T 26641-2021 无损检测磁记忆检测总体要求
GB/T 41420-2022 纺织品形状记忆性能检测和评价
GB/T 39989-2021 超弹性钛镍形状记忆合金棒材和丝材
GB/T 34370.10-2020 游乐设施无损检测第10部分：磁记忆检测

法国标准化协会，关于记忆泌的标准

NF EN 111101:1991 详细规范：可视化记忆管
NF EN 111100:1991 中间规范：可视化记忆管
NF A51-080:1991 形状记忆合金.词汇和测量
NF EN 4819:2017 航空航天系列-飞机用接触式记忆按钮(CMB)
NF L50-004*NF EN 4819:2017 航空航天系列飞机用接触式记忆按钮（CMB）标签

CZ-CSN，关于记忆泌的标准

CSN 01 3349-1989 电路图图形符号．记忆单位

国际标准化组织，关于记忆泌的标准

ISO/IEC 11693:2000 识别卡光记忆卡一般特性
ISO/IEC 11694-1:2000 识别卡光记忆卡线性记录方法第1部分:物理特性
ISO/IEC 11694-1:2005 识别卡.光记忆卡.线性记录方法.第1部分:物理特性
ISO/IEC 11694-1:2012 识别卡.光记忆卡.线性记录方法.第1部分:物理特性
ISO 24497-1:2007 无损检验.金属磁记忆.第1部分:词汇
ISO/IEC 11694-3:2001 识别卡光记忆卡线性记录方法第3部分:光属性和特性
ISO/IEC 11694-4:2001 识别卡光记忆卡线性记录方法第4部分:逻辑数据结构
ISO 24497-2:2020 无损检验.金属磁记忆.第2部分:焊接接头的检验
ISO/IEC 11694-2:2000 识别卡光记忆卡线性记录方法第2部分:可访问光区域的尺寸和位置
ISO/IEC 11694-2:2005 识别卡.光记忆卡.线性记录方法.第2部分:可访问光区域的尺寸和位置

国家军用标准-总装备部，关于记忆泌的标准

GJB 8518-2015 形状记忆合金紧固环规范
GJB 8620-2015 镍钛铌形状记忆合金棒材规范

中国团体标准，关于记忆泌的标准

T/QGCML 1174-2023 记忆棉床垫生产技术规范
T/HCPA 007-2023 高效记忆指导师职业技能测评
T/GDAQI 011-2019 地上金属管道应力磁记忆测试方法
T/CALAS 74-2019 实验动物小鼠和大鼠学习记忆行为实验规范
T/CSBM 0015-2021 镍钛形状记忆合金骨板形状恢复能力测试方法
T/CSBM 0017-2021 镍钛形状记忆合金心脏封堵器形状恢复性能评价方法
T/CSBM 0016-2021 镍钛形状记忆合金骨植入物镍离子释放的体外测试方法
T/GAMA 19-2021 增材制造高分子材料形状记忆性能测试方法弯曲测试法
T/GAMA 20-2021 增材制造高分子材料形状记忆驱动方法紫外光热驱动法
T/SDAS 639-2023 增材制造镍钛形状记忆合金骨科植入物材料与工艺要求
T/CSBM 0018-2021 镍钛形状记忆合金自膨式血管支架形状恢复能力测试方法
T/SNHFA 020.2-2023 基于斑马鱼模型的保健食品功能快速评价方法第 2 部分：有助于改善记忆功能

加拿大标准协会，关于记忆泌的标准

CSA ISO/IEC 11694-6-06:2006 识别卡光记忆卡线性记录方法.第六部分:光学记忆卡上生物测定学的使用,ISO/IEC 11694-6:2006
CSA ISO/IEC 11693-06:2006 识别卡光记忆卡一般特性,ISO/IEC 11693:2005
CSA ISO/IEC 11694-1-06:2006 识别卡光记忆卡线性记录方法.第1部分:物理特性,ISO/IEC 11694-1:2005
CSA ISO/IEC 10373-5-06:2006 识别卡测试方法.第五部分:光记忆卡.第2版本
CSA ISO/IEC-11694-3-02:2002 识别卡光记忆卡线性记录方法.第三部分:光属性和特性,iso/iec 11694-3:2001
CSA ISO/IEC-11694-4-02:2002 识别卡光记忆卡线性记录方法.第四部分:逻辑数据结构,ISO/IEC 11694-4:2001
CSA ISO/IEC 11694-2-06:2006 识别卡光记忆卡线性记录方法.第2部分:可访问光区域的尺寸和位置,ISO/IEC 11694-2:2005
CSA ISO/IEC 11694-5-06:2006 识别卡光记忆卡.第五部分:应用ISO/IEC 11694-4、附录B的信息交换用数据格式,ISO/IEC 11694-5:2006

(美国)空军，关于记忆泌的标准

AIR FORCE MIL-W-6873 C NOTICE 1-1997 碳合金钢快闪记忆体的焊接
AIR FORCE MIL-W-6873 C-1991 碳合金钢快闪记忆体的焊接

美国材料与试验协会，关于记忆泌的标准

ASTM F2005-05 镍-钛型记忆合金的标准术语
ASTM F2005-00 镍-钛形状记忆合金的标准术语
ASTM F2005-05(2010) 镍钛形状记忆合金的标准术语
ASTM F2005-05(2015) 镍 - 钛形状记忆合金的标准术语
ASTM F2005-21 镍 - 钛形状记忆合金的标准术语
ASTM E3097-23 形状记忆合金单轴恒力热循环的标准测试方法
ASTM F2063-05 医疗器械和外科植入物用锻造镍钛形状记忆合金标准规范
ASTM F2063-00 医疗器械和外科植入物用锻造镍钛形状记忆合金标准规范
ASTM E3097-17 用于形状记忆合金的机械单轴恒力热循环的标准试验方法
ASTM E3414-23 圆柱形形状记忆合金试样恒定扭矩热循环的标准试验方法
ASTM F2063-18 医疗器械和外科植入物用变形镍钛形状记忆合金的标准规范
ASTM F2063-12 医疗器械和外科植入物用锻制镍钛形状记忆合金的标准规范
ASTM E3098-17 用于形状记忆合金的机械单轴预应变和无热恢复的标准测试方法
ASTM F2633-07 医疗设备和外科植入物用可锻无缝镍钛形状记忆合金管标准规范
ASTM F2633-13 医疗器械和外科植入物用锻造无缝镍钛形状记忆合金管的标准规范
ASTM F2082-01 通过弯曲和自由回复测定镍钛成型记忆合金转变温度的标准试验方法
ASTM F2082-15 通过弯曲和自由恢复测定镍钛形状记忆合金转变温度的标准试验方法
ASTM F2082/F2082M-16 通过弯曲和自由恢复测定镍钛形状记忆合金变形温度的标准试验方法
ASTM F2082/F2082M-23 用弯曲和自由恢复法测定镍钛形状记忆合金转变温度的标准试验方法
ASTM F2082-03 通过弯曲和自由回收测定镍 - 钛形状记忆合金的转变温度的标准测试方法
ASTM F2633-19 用于医疗器械和外科植入物的锻造无缝镍钛形状记忆合金管的标准规范
ASTM F2082-06 通过弯曲和自由回复试验测定镍钛形状记忆合金转变温度的标准试验方法

国家军用标准-国防科工委，关于记忆泌的标准

GJB 5913-2006 镍钛铌形状记忆合金棒材规范

FI-SFS，关于记忆泌的标准

SFS 5233-1986 安装管．记忆绝缘管的绝缘要求

行业标准-医药，关于记忆泌的标准

YY/T 1516-2017 泌乳素定量标记免疫分析试剂盒

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于记忆泌的标准

JEDEC JESD21-C-1998 固态记忆释放集合直接查看JEDEC, 703.907.7559

RU-GOST R，关于记忆泌的标准

GOST 21480-1976 人机体系.记忆.工效学的一般要求
GOST 25492-1982 数字电子计算机记忆装置.术语和定义
GOST R 52081-2003 非破坏性测试金属磁记忆方法术语和定义

行业标准-电力，关于记忆泌的标准

DL/T 370-2010 承压设备焊接接头金属磁记忆检测
DL/T 1105.4-2009 电站锅炉集箱小口径接管座角焊缝无损检测技术导则第4部分:磁记忆检测
DL/T 1105.4-2010 电站锅炉集箱小口径接管座角焊缝无损检测技术导则第4部分:磁记忆检测

行业标准-机械，关于记忆泌的标准

JB/T 11611-2013 无损检测仪器涡流-磁记忆综合检测仪
JB/T 11605-2013 无损检测仪器金属磁记忆检测仪技术条件
JB/T 11606-2013 无损检测仪器金属磁记忆检测仪性能试验方法

ETSI - European Telecommunications Standards Institute，关于记忆泌的标准

GS LIS 002-2013 本地化行业标准（LIS）；翻译记忆交换（TMX）（V1.4.2）

GSO，关于记忆泌的标准

GSO ISO 24497-2:2021 无损检测金属磁记忆第2部分：一般要求
BH GSO ISO 24497-2:2022 无损检测金属磁记忆第2部分：一般要求
GSO ISO 24497-3:2021 无损检测金属磁记忆第3部分：焊接接头的检验
BH GSO ISO 24497-3:2022 无损检测金属磁记忆第3部分：焊接接头的检验
GSO ASTM F2063:2023 医疗器械和外科植入物用锻制镍钛形状记忆合金的标准规范
BH GSO ASTM F2063:2023 医疗器械和外科植入物用锻制镍钛形状记忆合金的标准规范
GSO ASTM F2633:2022 医疗器械和外科植入物用锻造无缝镍钛形状记忆合金管的标准规范

美国电信工业协会，关于记忆泌的标准

TIA-136-005-C-2004 TDMA第3代无线－介绍、识别以及半永久性记忆

欧洲电信标准协会，关于记忆泌的标准

ETSI GS LIS 002-2013 本地化工业标准(LIS).翻译记忆交换(TMX) 版本1.4.2

VDI - Verein Deutscher Ingenieure，关于记忆泌的标准

VDI 2248 BLATT 4-2017 形状记忆合金 (SMA) 产品开发仿真和模型开发
VDI 2248 BLATT 5-2017 使用形状记忆合金 (SMA) 进行产品开发开发方法
VDI 2248 BLATT 3-2017 使用形状记忆合金进行产品开发测试和测量方法
VDI 2248 BLATT 2-2017 使用形状记忆合金进行产品开发材料选择和命名
VDI 2248 BLATT 1-2017 使用形状记忆合金进行产品开发基础知识和应用示例

行业标准-商品检验，关于记忆泌的标准

SN/T 1070-2002 进出口贝类中记忆丧失性贝类毒素检验方法

SCC，关于记忆泌的标准

DANSK DS/ISO 24497-1:2020 无损检测金属磁记忆第1部分：词汇和一般要求
DANSK DS/ISO 24497-2:2020 无损检测金属磁记忆第2部分：焊接接头的检验
DANSK DS/EN 4819:2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮 (CMB) 标签
NS-EN 4819:2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮 (CMB) 标签
DIN EN 4819 E:2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮 (CMB) 标签草案

国家药监局，关于记忆泌的标准

YY/T 1771-2021 弯曲-自由恢复法测试镍钛形状记忆合金相变温度

立陶宛标准局，关于记忆泌的标准

LST EN 4819-2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮（CMB）标签

丹麦标准化协会，关于记忆泌的标准

DS/EN 4819:2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮（CMB）标签

CEN - European Committee for Standardization，关于记忆泌的标准

EN 4819:2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮（CMB）标签

德国标准化学会，关于记忆泌的标准

DIN EN 4819:2012-09 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮(CMB)标签
DIN EN 4819:2012 航空航天系列.航空器用接触式记忆钮(CMB)标签.德文和英文版本EN 4819-2012

ES-UNE，关于记忆泌的标准

UNE-EN 4819:2012 航空航天系列供飞机使用的接触式记忆按钮(CMB)标签

(美国)海军，关于记忆泌的标准

NAVY MIL-STD-2217 VALID NOTICE 3-2005 航空电子系统的记忆装载机/核实多重总线接口的要求
NAVY MIL-STD-2217 CHG NOTICE 2-2000 航空电子系统的记忆装载机/核实多重总线接口的要求

GOSTR，关于记忆泌的标准

GOST R ISO 24497-3-2009 非破坏性测试金属磁记忆法第3部分焊接接头的检验

欧洲航空航天和国防工业标准化协会，关于记忆泌的标准

ASD-STAN PREN 4819-2011 用于飞机的航空航天系列接触记忆按钮（CMB）标签（P 1 版）

ASD-STAN - Aerospace and Defence Industries Association of Europe - Standardization，关于记忆泌的标准

PREN 4819-2011 用于飞机的航空航天系列接触记忆按钮（CMB）标签（P 1 版）

未注明发布机构，关于记忆泌的标准

ASTM RR-F04-1009 2006 F2082/F2082M-通过弯曲和自由回复测定镍钛形状记忆合金转变温度的试验方法

澳大利亚标准协会，关于记忆泌的标准

AS ISO/IEC 15962:2006 信息技术．商品管理用射频识别（RFID）．数据程序：数据编码规则和逻辑记忆函数

行业标准-能源，关于记忆泌的标准

DL/T 1105.4-2020 电站锅炉集箱小口径接管座角焊缝无损检测技术导则第4部分：磁记忆检测

行业标准-农业，关于记忆泌的标准

114药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药吡拉西坦
112药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药胞磷胆碱
117药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药尼麦角林
119药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药石杉碱甲
115药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药阿尼西坦
111药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药盐酸吡硫醇
123药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药盐酸美金刚
113药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药盐酸甲氯芬酯
120药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药盐酸多奈哌齐
122药典化学药和生物制品卷-2010 第一章神经系统用药第七节脑功能改善药（促智药）与抗记忆障碍药氢溴酸加兰他敏

记忆泌