ZH

RU

EN

ES

半導体材料 半導体材料

半導体材料 半導体材料は全部で 354 項標準に関連している。

半導体材料 半導体材料 国際標準分類において、これらの分類:絶縁流体、 半導体材料、 金属材料試験、 包括的なテスト条件と手順、 切削工具、 プリント回路およびプリント回路基板、 総合電子部品、 シール、密封装置、 語彙、 ワイヤーとケーブル、 半導体ディスクリートデバイス、 分析化学、 電子および通信機器用の電気機械部品、 整流器、コンバータ、安定化電源、 電子機器用機械部品、 送配電網、 テスト、 建築コンポーネント、 セラミックス、 光学および光学測定、 表面処理・メッキ、 電子表示装置、 導体材料、 ゴムやプラスチックの原料、 ファスナー、 集積回路、マイクロエレクトロニクス、 感電保護、 パラフィン、瀝青材、その他の石油製品、 プラスチック、 インク、インク、 鉄鋼製品、 医療機器、 電気および電子試験、 断熱材、 繊維製品、 建材、 磁性材料、 特殊な作業条件下で使用される電気機器、 粗雑な、 無線通信、 燃料、 ゴム・プラスチック製品、 消防、 発電所総合、 パイプ部品とパイプ、 非鉄金属、 電子機器、 非破壊検査。


General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 半導体材料 半導体材料

  • GB/T 14264-1993 半導体材料用語
  • GB/T 14264-2009 半導体材料用語
  • GB/T 31469-2015 半導体材料用切削液
  • GB/T 1550-1997 外部半導体材料の導電型の試験方法
  • GB/T 14844-1993 半導体材料グレードの表現方法
  • GB/T 3048.3-1994 電線・ケーブルの電気的特性の試験方法 半導電性ゴム・プラスチック材料の体積抵抗率試験
  • GB 7423.2-1987 半導体デバイスのヒートシンクのプロファイル ヒートシンク
  • GB/T 3048.3-2007 電線およびケーブルの電気的特性の試験方法 パート 3: 半導電性ゴムおよびプラスチック材料の体積抵抗率試験
  • GB/T 43136-2023 超砥粒製品:半導体チップの精密スクライビング用砥石
  • GB/T 16525-2015 半導体集積回路用プラスチックリード付きチップキャリアパッケージ用リードフレーム規格
  • GB/T 14112-2015 半導体集積回路プラスチックデュアルインラインパッケージ用プレスリードフレーム仕様書
  • GB/T 14112-1993 半導体集積回路プラスチックデュアルインラインパッケージ用プレスリードフレーム仕様書
  • GB/T 15876-2015 半導体集積回路用プラスチック4面リードフラットパッケージリードフレーム仕様
  • GB/T 32981-2016 壁材の等価熱伝導率の求め方
  • GB/T 11436-2012 ソフトフェライト材料の完成品および半製品の化学分析方法
  • GB/T 3048.2-1994 電線およびケーブルの電気的特性の試験方法 金属導体材料の抵抗率試験

RO-ASRO, 半導体材料 半導体材料

Professional Standard - Electron, 半導体材料 半導体材料

  • SJ/T 11775-2021 半導体材料マルチワイヤー切断機
  • SJ/T 11067-1996 赤外線検出材料のうち、半導体光電子材料と焦電材料の共通用語と用語
  • SJ/Z 3206.13-1989 半導体材料の発光スペクトル解析法の一般原則
  • SJ/T 10414-2015 半導体デバイス用はんだ
  • SJ/T 10414-1993 半導体デバイス用はんだ
  • SJ 20744-1999 半導体材料中の不純物含有量の赤外吸収分光分析に関する一般ガイドライン
  • SJ/T 1505-1997 磁性回転フェライト材料の完成品および半製品の化学分析方法
  • SJ 3249.1-1989 半絶縁性ガリウムヒ素およびリン化インジウムバルク単結晶材料の抵抗率試験方法

HU-MSZT, 半導体材料 半導体材料

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 半導体材料 半導体材料

  • GB/T 1550-2018 外部半導体材料の導電型の試験方法
  • GB/T 14844-2018 半導体材料グレードの表現方法
  • GB/T 36646-2018 窒化物半導体材料を作製するための水素化物気相成長装置
  • GB/T 37131-2018 ナノテクノロジー半導体ナノ粉末材料の紫外可視拡散反射率スペクトルの試験方法
  • GB/T 39429-2020 導電性材料の熱電位選別の非破壊検査法

British Standards Institution (BSI), 半導体材料 半導体材料

  • BS IEC 62899-203:2018 プリンテッドエレクトロニクス材料 半導体インク
  • BS IEC 62951-5:2019 半導体デバイスフレキシブル伸縮性半導体デバイスフレキシブル材料の熱特性試験方法
  • BS IEC 62951-4:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮可能な半導体デバイス フレキシブル半導体デバイス基板上のフレキシブル導電膜の疲労評価
  • BS EN 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜材料の曲げ試験方法
  • BS EN 62047-2:2006 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の引張試験方法
  • 21/30428334 DC BS EN IEC 62899-203 プリンテッド エレクトロニクス パート 203 材料 半導体インク
  • BS EN 62047-10:2011 半導体デバイス、マイクロ電子機械デバイス、MEMS材料の微小柱圧縮試験
  • BS EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
  • BS EN 62047-6:2010 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、薄膜材料の軸疲労試験方法
  • BS EN 60749-39:2006 半導体デバイス、機械的および気候試験方法、半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • BS EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス、半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶性を測定するための機械的および気候的試験方法
  • BS EN 62047-14:2012 半導体デバイス、マイクロモーターデバイス、金属薄膜材料の成形限界の測定方法
  • BS IEC 62047-31:2019 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス用積層MEMS材料の界面付着エネルギーの4点曲げ試験方法
  • 20/30425840 DC BS EN IEC 60749-39 半導体デバイスの機械的および気候試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用する有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • BS EN 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、MEMS構造の共振および薄膜材料の曲げたわみ試験方法。
  • BS PD CEN/TS 16599:2014 光触媒:半導体材料の光触媒特性を試験するための照射条件とその測定
  • BS ISO 10677:2011 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス)、半導体光触媒材料試験用紫外光源
  • BS ISO 27447:2019 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストテクノロジーセラミックス)半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • BS IEC 62899-202:2016 プリンテッドエレクトロニクス技術、材料、導電性インク
  • BS EN 62047-11:2013 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、マイクロ電気機械デバイス用のサポートを使用しない材料の線熱膨張係数の試験方法
  • BS ISO 13125:2013 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス) 半導体光触媒材料の防カビ効果試験方法
  • BS ISO 19635:2016 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス) 半導体光触媒材料の藻類抑制活性試験方法
  • BS ISO 27447:2009 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス) 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • BS EN 62047-8:2011 半導体デバイス、マイクロ電気機械デバイス、フィルムの引張特性を測定するためのストリップ曲げ試験方法。
  • BS IEC 62899-202-5:2018 印刷電子材料導電性インク絶縁基板上の印刷導電層の機械的曲げ試験
  • BS 7808:1995 電気絶縁材料 交流電圧に対する耐性の評価 はじめに

Indonesia Standards, 半導体材料 半導体材料

Group Standards of the People's Republic of China, 半導体材料 半導体材料

  • T/CASME 798-2023 半導体材料の特殊加工ツール
  • T/SHDSGY 135-2023 新エネルギー半導体シリコンウェーハ材料技術
  • T/ICMTIA CM0035-2023 半導体シリコン材料加工装置用シールガスケット
  • T/SHPTA 071.2-2023 高圧ケーブル付属品用ゴム材料 その2:半導電性ゴム材料
  • T/CNIA 0143-2022 半導体材料の微量不純物分析用超高純度樹脂容器
  • T/ZJATA 0017-2023 炭化ケイ素半導体材料を製造するための化学気相成長 (CVD) エピタキシャル装置
  • T/CAS 374-2019 定格電圧 26/35kV 以上の押出絶縁電力ケーブル用の半導体緩衝層材料
  • T/CEC 229-2019 ポリオレフィン系導電性材料で被覆された金属導体の技術的条件
  • T/CASME 479-2023 半導体集積回路プラスチック小型パッケージングパンチリードフレーム
  • T/SHPTA 014.2-2021 定格電圧 6kV ~ 35kV の電力ケーブル用変性ポリプロピレン絶縁材および半導電性シールド材 第 2 部:定格電圧 6kV ~ 35kV のポリプロピレン絶縁電力ケーブル用の半導電性シールド材
  • T/SDAS 243-2021 定格電圧35kV以下の押出絶縁ケーブル用半導電性シールド材

International Electrotechnical Commission (IEC), 半導体材料 半導体材料

  • IEC 62899-203:2018 プリンテッド エレクトロニクス パート 203: 材料、半導体インク
  • IEC 62951-5:2019 半導体デバイス フレキシブルかつ伸縮性のある半導体デバイス パート 5: フレキシブル材料の熱特性の試験方法
  • IEC 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • IEC 62047-18:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • IEC 60749-39:2021 RLV 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • IEC 60749-39:2021 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • IEC 62047-6:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • IEC 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
  • IEC 62047-10:2011/COR1:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMS 材料の微極圧縮試験、正誤表 1
  • IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。
  • IEC 62047-14:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第14回:金属膜材料の形成限界の測定方法
  • IEC 61479:2001 ライブワーク用絶縁材のソフトコンダクタースリーブ(ラインチューブ)
  • IEC 62047-31:2019 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第31部:積層型MEMS材料の界面結合エネルギーの四点曲げ試験方法
  • IEC 62047-12:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第12回:MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
  • IEC 61479:2001+AMD1:2002 CSV ライブワーク 絶縁材製フレキシブル導体カバー(ラインホース)
  • IEC 62899-202:2016 プリンテッド エレクトロニクス - パート 202: 材料 - 導電性インク
  • IEC 62047-11:2013 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 11: 微小電気機械デバイスのサポートなしでの材料の線熱膨張係数の試験方法。

German Institute for Standardization, 半導体材料 半導体材料

  • DIN 50447:1995 半導体プロセス材料の検査、渦電流法による半導体層の表面抵抗の非接触測定
  • DIN 50448:1998 半導体プロセス材料の試験、容量性検出器を使用した半絶縁半導体スライスの抵抗率の非接触測定
  • DIN 50441-1:1996 半導体プロセス材料の検査 半導体ウェーハの幾何学的寸法測定 パート 1: 厚さと厚さのばらつき
  • DIN 50441-2:1998 半導体プロセス材料の試験 半導体チップの幾何学的寸法の測定 パート 2: 角のある断面の試験
  • DIN SPEC 1994:2017-02 半導体技術用材料の試験 弱酸中の陰イオンの測定
  • DIN 50449-2:1998 半導体プロセス材料試験 赤外線吸収による半導体不純物含有量の測定 パート 2: ガリウムヒ素中のホウ素
  • DIN EN 62047-2:2007-02 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • DIN EN 62047-10:2012-03 半導体デバイス - マイクロ電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
  • DIN 50454-2:1994 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物半導体単結晶の転位腐食ピット密度の測定 その2:リン化インジウム
  • DIN 50454-3:1994 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物半導体単結晶の転位腐食ピット密度の測定 その3 リン化ガリウム
  • DIN EN 62047-18:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • DIN EN 62047-2:2007 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • DIN EN 62047-6:2010-07 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部:薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • DIN 50443-1:1988 半導体プロセスで使用される材料の検査その1:X線形状測定による半導体単結晶シリコンの結晶欠陥や不均一性の検出
  • DIN 50449-1:1997 半導体プロセスで使用される材料の検査 赤外吸収によるIII-V族半導体不純物の定量 その1 ガリウムヒ素中の炭素
  • DIN EN 60749-39:2007 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定。
  • DIN EN 60749-39:2007-01 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • DIN EN 62047-14:2012-10 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • DIN 50446:1995 半導体プロセス材料の検査、シリコン結晶エピタキシャル層の欠陥種類と欠陥密度の測定
  • DIN 50435:1988 半導体材料試験: 4 プローブ/DC 法を使用して、シリコン ウェーハおよびゲルマニウム ウェーハの抵抗率の半径方向の変化を測定します。
  • DIN EN 62047-21:2015-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)
  • DIN 50454-1:2000 半導体プロセス材料の検査 III-V族化合物単結晶の転位の測定 その1 ガリウムヒ素
  • DIN 50433-3:1982 半導体プロセス材料の検討 その3:ラウエ後方散乱法による単結晶方位の決定
  • DIN 50441-4:1999 半導体プロセスで使用される材料の試験 半導体ウェーハの幾何学的寸法の決定 パート 4: ウェーハ直径、直径変動、ウェーハ直径、ウェーハ長さ、ウェーハ厚さ
  • DIN EN IEC 60749-39:2021-07 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020)
  • DIN 50441-3:1985 半導体プロセス材料の検査 その3: 半導体スライスの幾何学的寸法の測定 その3: 多線干渉法による研磨スライスの面ずれの測定
  • DIN 50438-1:1995 半導体プロセス材料の検査 赤外吸収法によるシリコンの不純物含有量の測定 その1:酸素
  • DIN 50456-3:1999 半導体プロセス技術で使用される材料の試験 電子部品用成形材料の特性の表現 パート 3: カチオン性不純物の測定
  • DIN CEN/TS 16599:2014-07*DIN SPEC 7397:2014-07 光触媒試験 半導体材料の光触媒性能の照射条件とその測定
  • DIN 50431:1988 半導体材料の検査 プローブを直線に並べた4探針/DC法を使用した単結晶シリコンまたはゲルマニウム単結晶の抵抗率測定
  • DIN EN 62047-12:2012-06 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 回: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
  • DIN 50452-1:1995-11 半導体技術用材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - 第 1 部: 粒子の微視的測定
  • DIN EN 62047-11:2014-04 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法
  • DIN 50440:1998 半導体プロセス材料の検査 シリコン単結晶のキャリア寿命測定 光導電法によるマイクロジェットの複合キャリア寿命測定
  • DIN 50455-1:2009-10 半導体技術材料試験フォトレジスト特性評価方法パート 1: 光学的方法によるコーティング厚さの決定
  • DIN 50455-2:1999-11 半導体技術の材料試験 フォトレジストの特性評価方法 パート 2: ポジ型フォトレジストの感光性の決定
  • DIN 50455-1:2009 半導体技術で使用する材料のテスト フォトレジストの特性評価方法 パート 1: コーティング厚さの光学的決定
  • DIN 50453-1:2023-08 半導体技術用材料の試験 - エッチング混合物のエッチング速度の決定 - パート 1: シリコン単結晶、重量法
  • DIN 19698-1:2014-05 固体特性評価 固体および半固体材料のサンプリング パート 1: 未知の複合材料インベントリのセグメント化されたサンプリングに関するガイドライン
  • DIN 50452-1:1995 半導体プロセスで使用される材料の検査 液体中の粒子分析の試験方法 第 1 部: 粒子の顕微鏡測定
  • DIN 50452-3:1995 半導体プロセス材料の検査 液体中の粒子分析の試験方法 パート 3: 光学式粒子計数器の校正
  • DIN EN IEC 60749-39:2021 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV:2020); 英語版 prEN IEC 60749-39:2020
  • DIN EN IEC 60749-39:2023-10 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2021); ドイツ語版 EN IEC 60749-39:2022 / 注: DIN ...
  • DIN 50452-3:1995-10 半導体技術材料の試験 - 液体中の粒子分析の試験方法 - パート 3: 光学式粒子計数器の校正
  • DIN 50434:1986 半導体プロセス材料の検査 (111) および (100) 面のエッチング技術を使用した単結晶シリコンの結晶構造欠陥の特定
  • DIN EN 62047-21:2015 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法 (IEC 62047-21:2014)、ドイツ語版 EN 62047-21:2014
  • DIN EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験 (IEC 62047-10-2011)、ドイツ語版 EN 62047-10-2011
  • DIN 51908:2022-10 炭素質材料の試験 比較法による固体材料の室温熱伝導率の測定
  • DIN EN 62047-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法 (IEC 62047-18-2013)、ドイツ語版 EN 62047-18-2013

KR-KS, 半導体材料 半導体材料

  • KS C IEC 62899-203-2023 プリンテッド エレクトロニクス パート 203: 材料、半導体インク
  • KS C IEC 62047-18-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-22-2016 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 18 部: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS L ISO 10677-2023 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス)半導体光触媒材料検査用紫外線光源
  • KS L ISO 27447-2023 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス)半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS C IEC 62899-202-2020 プリンテッド エレクトロニクス - パート 202: 材料 - 導電性インク
  • KS L ISO 14605-2023 屋内照明環境下での半導体光触媒材料の検査用ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス)光源

RU-GOST R, 半導体材料 半導体材料

  • GOST 22622-1977 半導体材料 基本的な電気的および物理的パラメータ 用語と定義
  • GOST 22265-1976 導電性材料の用語と定義
  • GOST 32183-2013 半固体のアスファルト材料。 比重計を使用して密度を測定します。

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体材料 半導体材料

  • DB61/T 1250-2019 Sic (炭化ケイ素) 材料の半導体ディスクリートデバイスの一般仕様

American National Standards Institute (ANSI), 半導体材料 半導体材料

  • ANSI/ASTM D3004:2008 圧縮成形された架橋結合および熱可塑性半導体導管および絶縁保護材料の仕様
  • ANSI/ASTM D6095:2012 圧縮成形された交差接続された熱可塑性半導体、導体および絶縁シールド材料の体積抵抗を縦方向に測定するための試験方法
  • ANSI/UL 779-2011 導電性床材の安全基準
  • BS IEC 62899-202:2023 プリンテッドエレクトロニクス材料用導電性インク
  • ANSI/ASTM D4496:2013 中程度の導電性材料の直流抵抗または導電率の試験方法
  • ANSI/UL 2360-2004 半導体デバイスの製造に使用されるプラスチックの可燃性特性を測定するための試験方法

American Society for Testing and Materials (ASTM), 半導体材料 半導体材料

  • ASTM D3004-02 押出架橋および熱可塑性半導体、導体および絶縁シールド材料の標準仕様
  • ASTM D3004-97 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の標準仕様
  • ASTM D3004-08(2020) 架橋および熱可塑性押出半導体導体および絶縁シールド材料の標準仕様
  • ASTM D6095-99 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の標準試験方法
  • ASTM D6095-05 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率の標準試験方法
  • ASTM D6095-06 押出された架橋結合および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の経度測定のための標準試験方法
  • ASTM D6095-12 押出された架橋結合および熱可塑性半導体導体および絶縁保護材料の体積抵抗率の経度測定のための標準試験方法
  • ASTM D6095-12(2023) 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率を縦方向に測定するための標準試験方法
  • ASTM D6095-12(2018) 押出架橋および熱可塑性半導体導体および絶縁シールド材料の体積抵抗率を縦方向に測定するための標準試験方法
  • ASTM B193-02 導電性材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-00 導電性材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-01 導電性材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-87(1992) 導電体材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-19 導電体材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-87 導電体材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-20 導電体材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-02(2008) 導電性材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-02(2014) 導電性材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM B193-16 導電体材料の抵抗率の標準試験方法
  • ASTM E977-84(1999) 導電性材料の熱電選別の標準手法
  • ASTM E977-05(2019) 導電性材料の熱電選別の標準手法
  • ASTM A1093/A1093M-15(2020)e1 導電性材料の電解プラズマ処理の標準仕様
  • ASTM A1093/A1093M-15 導電性材料の電解プラズマ処理の標準仕様
  • ASTM B896-99 導電体材料の接合特性を評価するための標準的な試験方法
  • ASTM B896-10 導電体材料の接合特性を評価するための標準的な試験方法
  • ASTM B896-10e1 導電体材料の接合特性を評価するための標準試験方法
  • ASTM B896-10(2015) 導電体材料の接合特性を評価するための標準的な試験方法
  • ASTM B896-99(2005) 導電体材料の接合特性を評価するための標準的な試験方法
  • ASTM D4496-87(1998)e1 中程度の導電性材料の DC 抵抗または導電性の試験方法
  • ASTM D4496-21 中程度の導電性材料の DC 抵抗または導電率の標準試験方法
  • ASTM D6343-99(2004) 電気絶縁および誘電目的の薄い熱伝導性固体材料の試験方法
  • ASTM D6343-99 電気絶縁および誘電目的の薄い熱伝導性固体材料の試験方法
  • ASTM D4496-04 中程度の導電性材料の DC 抵抗または導電率の標準試験方法
  • ASTM D4496-04e1 中程度の導電性材料の DC 抵抗または導電率の標準試験方法
  • ASTM D4496-13 中程度の導電性材料の DC 抵抗または導電率の標準試験方法
  • ASTM D4496-21e1 中程度の導電性材料の DC 抵抗または導電率の標準試験方法
  • ASTM E977-05 導電性材料の熱電分類の標準的な手法
  • ASTM E977-05(2014) 導電性材料の熱電分類の標準的な手法

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 半導体材料 半導体材料

  • KS C 6520-2021 半導体プロセス用部品・材料 プラズマによる摩耗特性測定
  • KS C IEC 62047-18:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回:薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-22:2016 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第18回:薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-18-2016(2021) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 62047-22-2016(2021) 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
  • KS C IEC 60749-39-2006(2016) 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体デバイス用有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • KS C 6520-2019 半導体プロセス部品および材料 - プラズマによる摩耗特性の測定
  • KS C IEC 60749-39:2006 半導体デバイス. 機械的および気候試験方法. パート 39: 半導体デバイスに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定。
  • KS M 6773-2014(2019) 試験方法 導電性ゴムおよびプラスチック材料の体積抵抗率
  • KS M 6773-2014 導電性ゴム・プラスチック材料の体積抵抗率の試験方法
  • KS C 6521-2019 半導体およびLCD用プロセスコーティング部品の評価方法
  • KS L ISO 27447-2011(2016) ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス)半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS L ISO 27447-2011(2021) ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス) - 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS C 2603-1980 金属抵抗材料の導体抵抗と比抵抗の試験方法
  • KS C 2603-1980(2020) 導体抵抗と金属抵抗材料の抵抗率の試験方法
  • KS L ISO 27447:2011 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス) 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • KS C 2129-1996(2001) 絶縁材料の直流抵抗および導電率試験
  • KS C IEC 62899-202:2020 プリンテッド エレクトロニクス - パート 202: 材料 - 導電性インク
  • KS C IEC 61479:2005 ライブワーク 絶縁材のフレキシブル導体被覆(回路管)
  • KS C 2129-2004 絶縁材料の直流抵抗または導電率の試験方法

Professional Standard - Machinery, 半導体材料 半導体材料

  • JB/T 8175-1999 パワー半導体デバイス用のプロファイルヒートシンク 外形寸法
  • JB/T 5781-1991 パワー半導体用プロファイルラジエーターの技術条件
  • JB/T 6819.3-1993 計測器材料の用語 抵抗材料、導電材料、電気接点材料
  • JB/T 10738-2007 定格電圧35kV以下の押出絶縁ケーブル用半導電性シールド材

Association Francaise de Normalisation, 半導体材料 半導体材料

  • NF ISO 10677:2011 テクニカルセラミックス半導体光触媒材料試験用UV光源
  • NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • NF C96-050-10*NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: MEMES 材料の微小極圧縮試験
  • NF C96-050-18*NF EN 62047-18:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • NF C96-050-2*NF EN 62047-2:2006 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • NF EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部:薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • XP CEN/TS 16599:2014 光触媒は、半導体材料の光触媒性能をテストするための照射条件を決定します。
  • NF C96-050-21*NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 21: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
  • NF C96-050-6*NF EN 62047-6:2010 半導体デバイス用微小電気機械デバイス 第6回 薄膜材料の軸疲労試験方法
  • NF EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第21回:薄膜MEMS材料のポアソン比の試験方法
  • NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
  • NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14部 金属層材料の形成限界の測定方法
  • NF ISO 14605:2013 屋内照明環境で半導体光触媒材料をテストするためのテクニカル セラミックス光源
  • NF EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイス - 機械的および気候的試験方法 - パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率と水溶解度の測定
  • NF C96-050-14*NF EN 62047-14:2012 半導体デバイス・微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • NF EN 62047-10:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: マイクロピラー技術を使用した MEMS 材料の圧縮試験
  • NF B44-103*NF ISO 10677:2011 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス)を用いた半導体光触媒材料の検査用紫外線光源
  • NF EN 62047-11:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 11 部: 微小電気機械システムの内蔵材料の線熱膨張係数の試験方法
  • XP B44-014*XP CEN/TS 16599:2014 光触媒 半導体材料の光触媒性能を試験するための照射条件とその測定
  • NF ISO 22197-4:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法 パート 4: ホルムアルデヒド除去
  • NF T51-223:1985 プラスチック製品 半結晶材料 熱分析による従来の融点の測定。
  • NF C96-050-12*NF EN 62047-12:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法。
  • UTE C30-301:2001 ケーブル、裸導体および接続材料の道路輸送に関する技術規則
  • NF ISO 22197-5:2021 テクニカルセラミック空気浄化用半導体光触媒材料の性能試験方法 第5部:メチルメルカプタンの除去
  • NF C96-050-11*NF EN 62047-11:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 11: 微小電気機械デバイスのサポートなしでの材料の線熱膨張係数の試験方法

Danish Standards Foundation, 半導体材料 半導体材料

  • DS/EN 62047-10:2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
  • DS/EN 62047-2:2007 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第2部:薄膜材料の引張試験方法
  • DS/EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • DS/EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部:薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • DS/EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • DS/EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • DS/EN 62047-12:2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
  • DS/EN 62047-11:2013 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システムで使用される独立した材料の線熱膨張係数の試験方法

ES-UNE, 半導体材料 半導体材料

  • UNE-EN 62047-10:2011 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験
  • UNE-EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • UNE-EN 62047-6:2010 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第6部:薄膜材料の軸疲労試験方法
  • UNE-EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 21 部: 薄膜 MEMS 材料のポアソン比の試験方法
  • UNE-EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • UNE-EN 62047-14:2012 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • UNE-EN 301908-11 V3.2.1:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
  • UNE-EN 62047-2:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
  • UNE-EN 300417-5-1 V1.1.3:2006 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)。
  • UNE-EN 60749-39:2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
  • UNE-EN 62047-12:2011 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第12回 MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
  • UNE-EN 62047-11:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第 11 部:微小電気機械システム用自立材料の線熱膨張係数の試験方法

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 半導体材料 半導体材料

  • EN 62047-18:2013 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第18回 薄膜材料の曲げ試験方法
  • EN 62047-21:2014 半導体デバイス 微小電気機械デバイス 第21回 薄膜MEMS材料のポアソン比試験方法
  • EN 62047-6:2010 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第6部:薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • EN IEC 60749-39:2022 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 第 39 部: 半導体部品に使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定
  • EN 62047-14:2012 半導体デバイスおよび微小電気機械デバイス 第14回 金属薄膜材料の形成限界の測定方法
  • EN 60749-39:2006 半導体デバイス 機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネント用有機材料の水分拡散率および水溶解度の試験 IEC 60749-39-2006
  • EN 62047-2:2006 半導体デバイス マイクロ電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 IEC 62047-2:2006
  • EN 62047-10:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 10: 微小電気機械システム (MEMS) 材料のマイクロピラー圧縮試験
  • EN 62047-11:2013 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 11: 微小電気機械システムで使用される独立した材料の線熱膨張係数の試験方法

机械电子工业部, 半導体材料 半導体材料

  • JB 5781-1991 パワー半導体用プロファイルラジエーターの技術条件

ICEA - Insulated Cable Engineers Association Inc., 半導体材料 半導体材料

  • T-32-645-2012 押出成形半導体シールド材を使用した防水コンポーネントの体積抵抗互換性を確立するための試験方法
  • T-32-645-1993 封止用導体フィラーコンパウンドと導電性応力制御材料との適合性を確立する

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 半導体材料 半導体材料

  • JIS C 5630-2:2009 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 2: 薄膜材料の引張試験方法
  • JIS C 5630-18:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 18: 薄膜材料の曲げ試験方法
  • JIS R 1750:2012 ファインセラミックスの室内光環境における半導体光触媒材料の検査用光源
  • JIS C 5630-6:2011 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、パート 6: 薄膜材料の軸方向疲労試験方法
  • JIS R 1712:2022 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストテクニカルセラミックス) 半導体光触媒材料の防藻活性試験方法
  • JIS C 5630-12:2014 半導体デバイス、微小電気機械デバイス、第12回:MEMS構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法
  • JIS C 2525:1994 金属抵抗体の導体抵抗と体積抵抗率の試験方法
  • JIS C 2525:1999 導体抵抗および金属抵抗材料の比抵抗の試験方法

Underwriters Laboratories (UL), 半導体材料 半導体材料

VE-FONDONORMA, 半導体材料 半導体材料

Insulated Cable Engineers Association (ICEA), 半導体材料 半導体材料

  • ICEA T-32-645-2012 防水コンポーネントと押出成形半導体シールド材料の体積抵抗適合性を決定するための試験方法
  • ICEA T-32-645-1993 導電性応力制御材料を使用した封止導体充填コンパウンドの互換性設定

CH-SNV, 半導体材料 半導体材料

Lithuanian Standards Office , 半導体材料 半導体材料

  • LST EN 62047-10-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 10: MEMS 材料のマイクロピラー圧縮試験 (IEC 62047-10:2011)
  • LST EN 62047-2-2007 半導体デバイス 微小電気機械デバイス パート 2: 薄膜材料の引張試験方法 (IEC 62047-2:2006)
  • LST EN 62047-6-2010 半導体デバイス微小電気機械デバイスパート 6: 薄膜材料の軸疲労試験方法 (IEC 62047-6:2009)
  • LST EN 60749-39-2006 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 60749-39:2006)
  • LST EN 62047-14-2012 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - パート 14: 金属薄膜材料の成形限界の測定方法 (IEC 62047-14:2012)
  • LST EN 62047-12-2011 半導体デバイス - 微小電気機械デバイス - 第 12 部: MEMS 構造共振を利用した薄膜材料の曲げ疲労試験方法 (IEC 62047-12:2011)

Standard Association of Australia (SAA), 半導体材料 半導体材料

  • AS/NZS 1660.2.3:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法 絶縁体、押出成形半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法 PVC およびハロゲン熱可塑性プラスチック材料
  • AS/NZS 1660.2.2:1998 ケーブル、シース、および導体の試験方法 絶縁体、押出半導体シールドおよび非金属エンクロージャの特定の方法 エラストマー、XLPE および XLPVC 材料
  • AS/NZS 1660.2.1:1998 ケーブル、ワイヤおよび導体の試験方法 パート 2.1: 絶縁体、押出半導電性シールド材および非金属パイプスリーブ 一般的な方法
  • AS/NZS 1660.2.1/AMD 1:2001 ケーブル、ワイヤおよび導体の試験方法 パート 2.1: 絶縁体、押出半導電性シールド材料および非金属パイプスリーブ 一般的な方法 修正 1

CZ-CSN, 半導体材料 半導体材料

European Committee for Standardization (CEN), 半導体材料 半導体材料

  • PD CEN/TS 16599:2014 光触媒:半導体材料の光触媒特性の照射条件とその条件の決定
  • CEN/TS 16599:2014 光触媒試験 半導体材料の光触媒性能の照射条件とその測定

Building Officials and Code Administrators International(U.S.), 半導体材料 半導体材料

Defense Logistics Agency, 半導体材料 半導体材料

  • DLA MIL-DTL-83528/13 F-2013 ガスケット材料、導電性、シールドガスケット、エレクトロニクス、エラストマー、電気、EMI/RFI、導波管
  • DLA MIL-PRF-19500/672-2001 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、NPN、シリコン、スイッチ、2N2222AUE1タイプ JAN、JANTX、JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/672 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、NPN、シリコン、スイッチ、タイプ 2N2222AUE1 JAN、JANTX、JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/686 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N2907AUE1 JAN、JANTX、JANJ
  • DLA MIL-PRF-19500/695 VALID NOTICE 2-2011 半導体デバイス、トランジスタ、プラスチック、PNP、シリコン、スイッチ、タイプ 2N4033UE1 JAN、JANTX、JANJ
  • DLA MIL-DTL-83528/10 D-2013 ガスケット材料、導電性、エラストマー、電気、EMI/RFI、チャンネルストリップ
  • DLA MIL-PRF-19500/696 A-2009 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、Nチャネル、シリコン、タイプ2N7537、2N7537A、JANおよびJANTX
  • DLA MIL-PRF-19500/696 A VALID NOTICE 1-2013 半導体デバイス、電界効果トランジスタ、プラスチック、N チャネル、シリコン、タイプ 2N7537、2N7537A、JAN および JANTX
  • DLA MIL-DTL-23806 B-2007 発泡絶縁体を備えたセミリジッド同軸高周波ケーブルの一般仕様

ES-AENOR, 半導体材料 半導体材料

  • UNE 20 349 低電圧電気材料パッケージ内の導体入力プラスチックグランド
  • UNE 53-615-1989 医療用エラストマー帯電防止・導電性素材の特性と抵抗率

Society of Automotive Engineers (SAE), 半導体材料 半導体材料

AR-IRAM, 半導体材料 半導体材料

International Organization for Standardization (ISO), 半導体材料 半導体材料

  • ISO 14605:2013 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス)屋内照明環境における半導体光電子材料光源の試験
  • ISO 13125:2013 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、アドバンストクラフトセラミックス) 半導体光触媒材料の防カビ効果試験方法
  • ISO 19635:2016 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス) 半導体光触媒材料の藻類抑制活性試験方法
  • ISO 27447:2019 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端工業用セラミックス) 半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • ISO 27447:2009 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス)半導体光触媒材料の抗菌活性試験方法
  • ISO 10677:2011 ファインセラミックス(アドバンストセラミックス、先端産業用セラミックス)、半導体光触媒材料検出用紫外線源

AT-OVE/ON, 半導体材料 半導体材料

  • OVE EN IEC 60749-39:2020 半導体デバイスの機械的および気候的試験方法 パート 39: 半導体コンポーネントに使用される有機材料の水分拡散率および水溶解度の測定 (IEC 47/2652/CDV) (英語版)

SAE - SAE International, 半導体材料 半導体材料

  • SAE AS6294/4-2019 軍事および航空電子機器用途におけるプラスチックパッケージのディスクリート半導体の要件
  • SAE AMS3682E-1995 コーティング材 導電性銀有機樹脂
  • SAE SSB1-1999 プラスチックパッケージのマイクロ回路および半導体の認定および監視ガイド (旧 TechAmerica SSB-1)

ZA-SANS, 半導体材料 半導体材料

  • SANS 1411-1:2008 絶縁ケーブル、可とう電線用材料。 パート 1: 指揮者

IEC - International Electrotechnical Commission, 半導体材料 半導体材料

  • IEC 62047-31:2017 半導体デバイス「微小電気機械デバイス」第31部:積層型MEMS材料の界面付着エネルギーの四点曲げ試験方法(バージョン1.0)

国家药监局, 半導体材料 半導体材料

  • YY/T 1680-2020 同種移植補綴材料の脱灰骨材料の in vivo 骨形成誘導特性の評価

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 半導体材料 半導体材料

  • CNS 8659-1982 導体抵抗および金属抵抗材料の比抵抗の試験方法
  • CNS 5129-1988 非鉄金属材料の体積抵抗率及び導電率の求め方
  • CNS 7367-1981 絶縁材料の直流抵抗または導電率の試験方法

Professional Standard - Textile, 半導体材料 半導体材料

  • FZ/T 01042-1996 繊維材料の静電気特性 静電気電圧半減期の測定

IPC - Association Connecting Electronics Industries, 半導体材料 半導体材料

PT-IPQ, 半導体材料 半導体材料

  • NP 159-1963 低圧電気機器の原料。 導体保護用の硬質プラスチックチューブ

工业和信息化部, 半導体材料 半導体材料

  • JC/T 2617-2021 壁材業界向けグリーンファクトリー評価ガイドライン

U.S. Air Force, 半導体材料 半導体材料

Professional Standard - Electricity, 半導体材料 半導体材料

  • DL/T 715-2000 火力発電所における金属材料の選定ガイドライン
  • DL/T 715-2015 火力発電所における金属材料の選定ガイドライン

Government Electronic & Information Technology Association, 半導体材料 半導体材料

  • GEIA SSB-1-C-2000 軍事、航空宇宙などのマイクロ回路と半導体をプラスチックでカプセル化するためのガイド

SE-SIS, 半導体材料 半導体材料

  • SIS SS 16 22 27-1986 ゴムおよび熱可塑性エラストマー。 導電性と帯電防止性のある素材。 抵抗を測定する

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 半導体材料 半導体材料

United States Navy, 半導体材料 半導体材料

  • NAVY A-A-59827-2009 上部コンジット (フレキシブル コンジット) およびコンジット付属品、電気: 複合ベース (非金属)




©2007-2024 著作権所有