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반도체 산소 함량

모두 500항목의 반도체 산소 함량와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 산소 함량와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 반도체 소재, 반도체 개별 장치, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 비금속 광물, 광전자공학, 레이저 장비, 종합 전자 부품, 원자력공학, 화학 제품, 정보 기술 응용, 전기 및 전자 테스트, 판막, 단열재, 정류기, 변환기, 조정된 전원 공급 장치, 석탄, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 도체 재료, 금속 재료 테스트, 광학 및 광학 측정, 공기질, 분석 화학, 연료, 광업 및 발굴, 통신 단말 장비, 방사선 측정, 광섬유 통신, 합금철, 무기화학, 절연유체, 항공우주 제조용 재료, 방폭형, 전자 장비용 기계 부품, 섬유제품, 구조 및 구조 요소.


HU-MSZT, 반도체 산소 함량

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, 반도체 산소 함량

  • EN 62417:2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • EN 60749-7:2011 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 기타 잔류 가스 분석 및 내부 수분 함량 측정
  • EN 61788-9:2005 초전도성 9부: 고온 초전도체 배치 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 노치 자속 밀도.
  • EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트 IEC 62373:2006
  • EN 60747-5-3:2001 개별 반도체 장치 및 집적 회로 파트 5-3: 광전자 장비 측정 방법, 수정 A1-2002 포함

RU-GOST R, 반도체 산소 함량

Defense Logistics Agency, 반도체 산소 함량

  • DLA SMD-5962-96665 REV D-2005 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체 트랜지스터 대 상보성 금속 산화물 반도체 또는 상보성 금속 산화물 반도체 대 상보성 금속 산화물 반도체 전압 변환 메커니즘, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-77037 REV G-2005 실리콘 모놀리식 비교기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94532-1994 64비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77044 REV F-2005 실리콘 모놀리식 게이트리스 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96736-1996 상보형 금속 산화물 반도체, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로 8비트 양방향 상보형 금속 산화물 반도체 또는 트랜지스터 인터페이스 변환기
  • DLA SMD-5962-77027 REV C-1982 실리콘 모놀리식 6개 인버터 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77053 REV M-2005 실리콘 모놀리식 4중 가상 스위치, 산화물 반도체 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84043 REV E-2005 실리콘 모놀리식 XOR 게이트 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84069 REV F-2005 실리콘 모놀리식 버스 컨트롤러, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77034 REV X-2006 실리콘 모놀리식 가변 전압 조정기, 산화물 반도체 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-93007 REV D-1996 실리콘 모놀리식, 2차원 컨볼루션, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96674 REV C-2000 내방사선성 상보성 금속 산화물 반도체, 유사체 4BIT 수량 비교기, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77023 REV F-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 업 카운터 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-81019 REV B-1984 실리콘 모놀리식 4중 D 래치, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-78029 REV H-2005 실리콘 모놀리식 디코더-디코더, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94533-1994 실리콘 모놀리식, 32비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87686 REV D-1999 실리콘 모놀리식 16X16 곱셈기 보완적 금속 산화물 반도체, 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-86013 REV D-2002 실리콘 모놀리식 4비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86818 REV D-2005 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86857 REV A-2003 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90916 REV A-1998 실리콘 모놀리식 8비트 크기 비교기, 고급 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-06208-2006 실리콘 모놀리식 디지털 신호 프로세서 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84052 REV D-1990 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84068 REV E-2005 실리콘 모놀리식 클록 생성기 드라이버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77024 REV F-2005 실리콘 모놀리식 쿼드 2입력 및 게이트, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77036 REV D-2005 실리콘 모놀리식 쿼드 2입력 및 게이트, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77051 REV F-2005 실리콘 모놀리식 3겹 3입력 및 게이트, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77059 REV E-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 4입력 및 게이트, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77060 REV E-2005 실리콘 모놀리식 듀얼 4입력 또는 게이트, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-79012 REV A-1986 실리콘 모놀리식 정적 시프트 레지스터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-79013 REV F-2005 실리콘 모놀리식 삼중 NAND 게이트 버퍼, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-79014 REV B-1987 실리콘 모놀리식 6비트 반전 버퍼, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89638-1989 실리콘 모놀리식, 산화물 반도체 전류 모드 컨트롤러, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-89711 REV B-2006 실리콘 모놀리식, 64비트 출력 상관기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94642-1994 실리콘 모놀리식, 확장된 다기능 주변기기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89725 REV A-1995 실리콘 모놀리식, 동기식 직렬 컨트롤러, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89877 REV C-2004 실리콘 모놀리식, RS232형 듀얼 트랜시버, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89982 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로컨트롤러, 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90526 REV M-2004 실리콘 모놀리식, 디지털 신호 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92331-1993 실리콘 모놀리식, 16X16비트 좌표 변환기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90657 REV A-2006 실리콘 모놀리식, 범용 시리즈 컨트롤러, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90678 REV A-2005 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93006 REV B-1999 실리콘 모놀리식, 디지털 신호 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93183 REV C-2002 실리콘 모놀리식, 차동 버스 트랜시버, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 실리콘 모놀리식, 테스트 버스 트랜시버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88503 REV J-2003 실리콘 모놀리식 바이메탈 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96709 REV C-2000 방사선 하드 상보성 금속 산화물 반도체, 8비트 수량 비교기 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90741 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 8진 버퍼 및 행 드라이브 라인 또는 금속 산화물 반도체 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90744 REV B-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터-트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 3상태 입력 10비트 버스 또는 금속 산화물 반도체 주 메모리 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-79018 REV C-2006 실리콘 모놀리식 128 X 8비트 랜덤 액세스 메모리, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87660 REV A-2001 이중 전력 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-84062 REV G-2002 실리콘 모놀리식 3-8 라인 디코더, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-84065 REV E-2005 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 간격 타이머, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84066 REV G-2006 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 주변 인터페이스, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85149 REV A-1988 실리콘 모놀리식 버스는 N채널 금속 산화물 반도체인 마이크로 회로를 제어합니다.
  • DLA SMD-5962-78008 REV H-2005 실리콘 모놀리식 금속 산화물 반도체 클록 펄스 드라이버, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-79017-1979 실리콘 모놀리식 범용 비동기식 수신기/송신기, 산화물 반도체 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84040 REV F-2005 실리콘 모놀리식, 8입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-03245 REV A-2004 실리콘 모놀리식 고정 소수점 이중 정보 프로세서 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94513 REV C-2006 실리콘 모놀리식, 저전력 펄스 폭 변조기, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94514 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 마이크로프로세서 감시 회로, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94537-1994 실리콘 모놀리식, 8비트 메모리 처리 장치, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91641 REV A-2005 실리콘 모놀리식 실제 시계, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89959 REV C-1996 실리콘 모놀리식, 16비트 계단식 연산 장치, 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89990 REV A-2005 실리콘 모놀리식, 위상 고정 루프 파일, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94745-1995 실리콘 모놀리식 회로 선형 미세 회로 디지털 상보성 금속 산화물 반도체
  • DLA SMD-5962-88572 REV B-1991 실리콘 모놀리식 채널 금속 산화물 반도체 인터럽트 발생기 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90544 REV A-2003 실리콘 모놀리식, 고성능 마이크로컨트롤러, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90640 REV C-2003 실리콘 모놀리식, 4중 양방향 스위치, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90708 REV A-1996 실리콘 모놀리식 8X8 곱셈기, 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93260 REV B-1996 실리콘 모놀리식, 12 X 10비트 매트릭스 곱셈기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95826 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88595 REV A-1989 실리콘 모놀리식 256 x 4 정적 메모리 재설정 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88770 REV H-2003 실리콘 모놀리식 단일 공급 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 드라이버 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84044 REV F-2005 실리콘 모놀리식, 듀얼 4입력 게이트리스, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84045 REV H-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 OR 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84048 REV F-2006 실리콘 모놀리식, 삼중 3입력 AND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84064 REV E-2005 실리콘 모놀리식 10-4 우선순위 인코더, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84067 REV D-2005 실리콘 모놀리식 8비트 래치 버스 드라이버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77026 REV B-1984 실리콘 모놀리식 4중 3상태 R/S 래치 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77035-1977 4-16행 디코더, 4비트 래치, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-77056-1977 6비트 N채널 오픈 드레인 버퍼, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85003 REV D-2005 실리콘 모놀리식 14레벨 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-85004 REV E-2002 실리콘 모놀리식 12레벨 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85015 REV E-2005 실리콘 모놀리식 시리즈 컨트롤러 인터페이스, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85016 REV D-2007 실리콘 모놀리식 14레벨 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-85063 REV C-2005 실리콘 모놀리식 14레벨 바이너리 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-77058 REV G-2005 실리콘 모놀리식 12비트 바이너리 카운터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-03251-2004 실리콘 모놀리식 솔버-디지털 변환기 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90997-1991 실리콘 모놀리식 보완형 고성능 금속 산화물 반도체 구조, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94517 REV C-2004 실리콘 모놀리식, 광대역 이득 가변 스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89616 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 8비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87609 REV E-2007 실리콘 모놀리식 8진 고급 상보성 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89652-1990 실리콘 모놀리식, 4행정 듀얼 포트 레지스터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89674 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 14비트 아날로그-디지털 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89676 REV C-2001 실리콘 모놀리식, 16비트 아날로그-디지털 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89679 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 아날로그-디지털 변환기, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89695-1990 실리콘 모놀리식, 듀얼 JK 플립플롭, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92026-1992 실리콘 모놀리식 고정점 프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94709-1994 총격 제어 보완 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-87744-1987 실리콘 모놀리식 1M (64K X 16) BIT, 채널 금속 산화물 반도체, UVEPROM 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-92103-1992 실리콘 모놀리식 부동 소수점 프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89954 REV A-2007 실리콘 모놀리식, 이중 동기 카운터, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90525 REV B-2003 실리콘 모놀리식, 범용 비동기식 수신기 및 송신기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90543 REV D-2006 실리콘 모놀리식, 메모리 티켓 액세스 컨트롤러, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88619 REV E-2005 실리콘 모놀리식 신호 프로세서 상보성 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85528-1986 실리콘 모놀리식 버스 중재자, 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93008-1994 실리콘 모놀리식, 16K X 9 FIFO, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93109-1993 실리콘 모놀리식, 고집적 임베디드 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88739 REV G-2005 실리콘 모놀리식 8 x 8 승수 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93150 REV A-1994 실리콘 모놀리식, 96비트 부동 소수점 듀얼 포트 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93152 REV B-2006 실리콘 모놀리식, 32K X 9 FIFO, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93179 REV B-2002 실리콘 모놀리식, 12비트 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86880 REV C-2003 실리콘 모놀리식 보완적인 금속 산화물 반도체 버스 인터페이스 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89503 REV H-2004 실리콘 모놀리식 정밀 타이머 상보형 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-90985 REV B-2004 실리콘 모놀리식 8비트 허용 크기 비교기, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90939 REV C-2006 실리콘 모놀리식 트랜지스터 - 트랜지스터 논리 회로 호환 입력, 반전된 3상태 출력 및 행 구동 라인을 갖춘 8진 버퍼 또는 금속 산화물 반도체 드라이버, 양극 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84041 REV G-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 4입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84042 REV G-2002 실리콘 모놀리식, 삼중 3입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84046 REV F-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 XOR 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84047 REV F-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 포지티브 AND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-85030 REV H-2007 실리콘 모놀리식 프로그래밍 가능 인터럽트 컨트롤러, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-79016 REV B-1992 실리콘 모놀리식 1~64비트 시프트 레지스터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84037 REV H-2002 실리콘 모놀리식, 4중 2입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84038 REV F-2002 실리콘 모놀리식, 삼중 3입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84039 REV G-2006 실리콘 모놀리식, 듀얼 2입력 NAND 게이트, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89567 REV B-2007 실리콘 모놀리식, 2K X 9 FIFO 산화물 반도체, 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89568 REV K-2003 실리콘 모놀리식, 4K X 9 선입선출 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94512 REV C-2004 실리콘 모놀리식, 비디오 멀티플렉서/스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94542-1994 실리콘 모놀리식, 32비트 LAN 보조 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94567-1996 실리콘 모놀리식, X 9 시간 제어 선입선출, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87577 REV B-2005 실리콘 모놀리식 옥탈 버스 수신기, 상보성 금속 산화물 반도체, 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87597 REV B-2005 실리콘 모놀리식 N채널 금속 산화물 반도체, 범용 인터럽트 컨트롤러 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89665-1989 실리콘 모놀리식, 9비트 와이드 버퍼 레지스터, 산화물 반도체 고속 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94604 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 듀얼 저전력 작동 스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89715 REV B-1998 실리콘 모놀리식, 이미지 리샘플링 시퀀서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87667 REV C-1993 실리콘 모놀리식 고성능 상보성 금속 산화물 반도체 버스 버퍼, 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89726 REV D-2006 실리콘 모놀리식, I/O 확장 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92042 REV F-2005 실리콘 모놀리식 멀티플렉서, 상보성 금속 산화물 반도체, 선형 미세 회로
  • DLA SMD-5962-89840 REV D-2007 실리콘 모놀리식, EE 프로그래밍 가능 논리 어레이, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92106-1993 실리콘 모놀리식 주소 프로세서 2, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88501 REV G-2007 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88547 REV B-2005 실리콘 모놀리식 디지털 데이터 프로세서 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90518 REV A-1992 실리콘 모놀리식, 프로그래밍 가능 비트 전송률 생성기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88599-1988 실리콘 모놀리식 타이밍 제어 구성 요소 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88612 REV A-1990 실리콘 모놀리식 16비트 마이크로프로세서 보완형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93105 REV C-1996 실리콘 모놀리식, 32비트 고집적 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88750 REV A-2002 실리콘 모놀리식 사변형 아날로그 스위치 상보적인 금속 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93170 REV A-1996 실리콘 모놀리식, 8-16비트 병렬 인터페이스/타이머, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-93180 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 4중 단극 쌍투형 아날로그 스위치, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93182 REV D-2004 실리콘 모놀리식, 레일 투 레일 4중 작동 스피커, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-93255 REV A-2002 실리콘 모놀리식, 4중 단극 단투 아날로그 스위치, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-96621 REV E-2005 방사선 경화 상보형 금속 산화물 반도체 및 비실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96654 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 및 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96655 REV C-2003 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 및 문 실리콘 모놀리식 회로 디지털 초소형 회로
  • DLA SMD-5962-96803-1996 상보형 금속산화물 반도체, 육각형 인버터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96804 REV B-1997 상보형 금속산화물 반도체, 육각형 인버터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-96805 REV A-2005 상보형 금속산화물 반도체, 육각형 인버터, 실리콘 모놀리식 회로 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95794 REV B-2004 고속 방사선 단단한 보완적인 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-95652 REV C-2000 비실리콘 모놀리식 선형 마이크로 회로를 사용하여 출력을 3배로 늘린 디지털 반사형 고급 상보형 금속 산화물 반도체
  • DLA SMD-5962-84090 REV D-2005 실리콘 모놀리식 이중 삼상 양방향 트랜시버, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-84092 REV D-2002 실리콘 모놀리식 듀얼 2-4 라인 디코더, 고속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-77055 REV B-1981 재트리거 가능 재조정 가능 단안정 멀티바이브레이터 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-82022 REV A-2001 실리콘 모놀리식 6비트 D형 쌍안정 멀티바이브레이터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89596 REV D-2004 실리콘 모놀리식, 16비트 마이크로컨트롤러, 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-91513-1993 실리콘 모놀리식 OR 반전 게이트, 고속 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94511 REV A-1996 실리콘 모놀리식, 4K X 9 병렬 동기화 FIFO, 산화물 반도체 메모리 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-94523 REV A-1996 실리콘 모놀리식, 16 X 16비트 병렬 멀티플렉서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94524 REV A-2007 실리콘 모놀리식, 일회성 프로그래밍 가능 로직 어레이, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94564-1994 실리콘 모놀리식, 24비트 범용 디지털 신호 프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89653 REV A-1991 실리콘 모놀리식, 8비트 비디오 DC/AC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89655 REV B-2004 실리콘 모놀리식, 12비트 고속 AC/DC 컨버터, 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-89657 REV B-2001 실리콘 모놀리식, 12비트 DC/AC 컨버터, 이중 산화물 반도체 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-91623 REV F-2005 실리콘 모놀리식 이미지 시스템 프로세서, 상보형 금속 산화물 반도체, 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-94608-1994 실리콘 모놀리식, 12비트 계단식 곱셈기 가산기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89716 REV B-1996 실리콘 모놀리식, 4 X 16-BIT 다중 레벨 저가형 라인 레지스터, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-89755 REV D-2007 실리콘 모놀리식, 프로그래밍 가능 논리 어레이, 고속 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92094 REV C-2004 실리콘 모놀리식 연산 증폭기, 상보성 금속 산화물 반도체, 이중 선형 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88543 REV C-2006 실리콘 모놀리식 8비트 TTL 호환 고속 상보형 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-90504 REV C-1997 실리콘 모놀리식, 바이너리 필터 및 템플릿 일치기, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88568-1988 실리콘 모놀리식 8비트 마이크로컴퓨터 단일 조립 채널 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92252 REV D-2002 실리콘 모놀리식, 5000-게이트 프로그래밍 가능 논리 어레이, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-95599 REV B-1999 프로그래밍 가능 어레이 4000GATES 상보형 금속 산화물 반도체 실리콘 모놀리식 회로 선형 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-88642 REV A-2005 실리콘 모놀리식 프로세서 인터페이스 회로 상보적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92284-1993 실리콘 모놀리식, 축소 명령어 세트 컴퓨터 마이크로프로세서, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92305 REV E-2002 실리콘 모놀리식, 10,000개 게이트 프로그래밍 가능 논리 어레이, 산화물 반도체 디지털 메모리 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-92317 REV E-2000 실리콘 모놀리식, 8비트 병렬 상호 연결 버스 트랜시버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86021 REV D-1992 실리콘 모놀리식 부동 소수점 보조 프로세서, 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로
  • DLA SMD-5962-88645 REV D-2007 실리콘 모놀리식 원격 터미널 다중 프로토콜 보완적인 금속 산화물 반도체 디지털 마이크로 회로

German Institute for Standardization, 반도체 산소 함량

  • DIN 50438-1:1995 반도체 공정 재료 검사 적외선 흡수법에 의한 실리콘의 불순물 함량 측정 1부: 산소
  • DIN EN 62417:2010-12 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • DIN 50449-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 적외선 흡수를 통한 반도체의 불순물 함량 측정 2부: 갈륨비소 내 붕소
  • DIN EN 62417:2010 반도체 장치 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 이동 이온 테스트(IEC 62417-2010), 독일 버전 EN 62417-2010
  • DIN 50447:1995 반도체 공정 재료 검사, 와전류법에 의한 반도체층의 표면저항 비접촉 측정
  • DIN 50449-1:1997 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 적외선 흡수를 통한 III-V 연결 반도체 불순물 함량 측정 1부: 갈륨비소 내 탄소
  • DIN 50441-1:1996 반도체 공정 재료 테스트 반도체 웨이퍼 기하학적 치수 측정 1부: 두께 및 두께 변화
  • DIN EN 62373:2007 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
  • DIN EN 60749-7:2012 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • DIN EN 62373:2007-01 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • DIN 50441-2:1998 반도체 공정 재료 테스트 반도체 칩의 기하학적 치수 측정 2부: 각도 단면 테스트
  • DIN 43653:1976 반도체 인버터용 고용량 퓨즈
  • DIN EN 60749-7:2012-02 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 7부: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • DIN 50450-9:2003 반도체 공정 재료 테스트 운반 가스 및 도핑 가스의 불순물 측정 파트 9: 가스 크로마토그래피를 통한 기체 염화수소의 산소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 수소 및 CC-탄화수소 측정.
  • DIN 51722-1:1990-07 고체 연료 테스트, 질소 함량 측정, 세미 마이크로 킬달 방법
  • DIN EN 14756:2007 연소 가스 및 증기의 제한 산소 함량(LOC) 결정
  • DIN 50443-1:1988 반도체 공정에 사용되는 재료 검사 1부: X선 프로파일로법을 통한 반도체 단결정 실리콘의 결정 결함 및 불균일 검출
  • DIN 51726:2004 고체 연료 검사 탄산염 이산화탄소 함량 측정

British Standards Institution (BSI), 반도체 산소 함량

  • BS EN 62416:2010 반도체 장치 MOS(금속 산화물 반도체) 트랜지스터의 핫 캐리어 테스트
  • BS IEC 60747-8-4:2004 반도체 개별 장치, 전력 스위칭 장비용 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터
  • 13/30264596 DC BS EN 60747-14-7 반도체 장치 파트 14-7 반도체 센서 유량계
  • BS EN 62830-3:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 진동 기반 전자기 에너지 수확을 위한 반도체 소자
  • BS IEC 62830-1:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 소자 진동 기반 압전 에너지 수확
  • BS IEC 62830-7:2021 반도체 장치. 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치. 선형 슬라이딩 모드 마찰 전기 에너지 수확
  • BS IEC 62373-1:2020 반도체 장치 금속 산화물, 반도체, 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 바이어스 온도 안정성 테스트 MOSFET의 빠른 BTI 테스트
  • BS IEC 62830-3:2017 반도체 장치 에너지를 수집하고 생성하는 반도체 장치 3부: 진동 기반 전자기 에너지 하베스팅
  • BS EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • BS EN 60749-7:2002 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 기타 잔류 가스의 내부 수분 함량 측정 및 분석
  • BS IEC 62830-2:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 소자 2부: 열전 기반 열전 에너지 수확
  • BS EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
  • BS EN 62417:2010 반도체 장치 금속 산화물 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에 대한 마이그레이션 이온 테스트
  • BS EN 62007-2:2000 광섬유 시스템용 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • BS IEC 62830-5:2021 에너지 하베스팅 및 발전용 반도체 소자 플렉서블 열전소자에서 발생하는 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
  • BS IEC 62830-4:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 유연한 압전 에너지 수확 장치의 테스트 및 평가 방법
  • BS IEC 63275-1:2022 반도체 소자 탄화 규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 신뢰성 테스트 방법 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
  • 18/30381548 DC BS EN 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
  • 17/30366375 DC BS IEC 62373-1 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부. 신속한 BTI 테스트 방법
  • BS EN 62007-2:2009 광섬유 시스템에 사용되는 반도체 광전자 장치.측정 방법
  • 14/30296894 DC BS EN 62830-1 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 1부: 진동 기반 압전 에너지 수확
  • 18/30380675 DC BS EN IEC 62830-7 반도체 장치 에너지 수확 및 발전용 반도체 장치 7부: 선형 슬라이딩 모드 마찰전기 에너지 수확
  • BS EN 61788-9:2005 초전도성 9부: 고온 초전도체 배치 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 자속 밀도 차단.
  • 18/30355426 DC BS EN 62830-5 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 5부 유연한 열전 장치의 발전 측정을 위한 테스트 방법
  • BS IEC 62830-6:2019 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 반도체 장치 수직 접촉 모드 마찰 전기 에너지 수확 장치 테스트 및 평가 방법
  • BS EN 60749-39:2006 반도체 소자, 기계적 및 기후적 시험 방법, 반도체 소자에 사용되는 유기재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • BS IEC 60747-14-11:2021 반도체 장치 반도체 센서 표면 탄성파를 기반으로 한 자외선, 조도 및 온도 측정용 통합 센서 테스트 방법
  • BS ISO 17299-5:2014 섬유 탈취제 성능 측정을 위한 금속 산화물 반도체 센서 방법
  • PD ES 59008-4-1:2001 반도체 칩에 대한 데이터 요구 사항 특정 요구 사항 및 권장 사항 테스트 및 품질
  • BS EN IEC 60749-39:2022 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도를 측정하기 위한 반도체 장치 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • BS EN 14756:2006 연소 가스 및 증기에 대한 제한 산소 함량(LOC) 결정
  • BS EN 14756:2007 연소 가스 및 증기에 대한 제한 산소 함량(LOC) 결정
  • 20/30406230 DC BS IEC 63275-1 반도체 장치 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 대한 신뢰성 테스트 방법 1부. 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법

Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 산소 함량

  • T/CECA 35-2019 금속 산화물 반도체 가스 센서
  • T/QGCML 743-2023 반도체 장비 부품의 아노다이징 공정 규격
  • T/CASAS 006-2020 탄화규소 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 일반 기술 사양
  • T/CASAS 015-2022 탄화규소 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(SiC MOSFET) 전력 사이클 테스트 방법
  • T/CNIA 0143-2022 반도체 재료의 미량 불순물 분석을 위한 초순수 수지 용기

Association Francaise de Normalisation, 반도체 산소 함량

  • NF C80-203*NF EN 62417:2010 반도체 장치MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 이동 이온 테스트
  • NF EN 62417:2010 반도체 장치 - 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트
  • NF C86-010:1986 반도체 장치 전자 장치의 품질 평가를 위한 조정 시스템 전자 부품 반도체 개별 장치 일반 사양
  • NF EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 - 자동차 반도체 인터페이스 - 3부: 자동차 센서에서 압전 충격 에너지 수확
  • NF C96-051*NF EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
  • NF M03-051:2002 고체 화석 연료 산소 함량의 차이 계산
  • NF EN 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • NF C96-022-7*NF EN 60749-7:2012 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • NF EN 60749-7:2012 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 7부: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • NF C31-888-9*NF EN 61788-9:2005 초전도성 9부: 고온 초전도체 배치 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 자속 밀도를 트랩합니다.
  • NF EN 61788-9:2005 초전도성 - 9부: 벌크 고온 초전도체 측정 - 거친 입자 산화물 초전도체의 잔류 자속 밀도
  • NF C96-069-3*NF EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차용 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • NF C86-503:1986 반도체 장치 전자 부품에 대한 통일된 품질 평가 시스템 광트랜지스터, 광전지 복합 트랜지스터 및 광전자 반도체 회로 빈 세부 사양 CESS 20 003

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 산소 함량

  • IEC 62417:2010 반도체 장치MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터) 이동 이온 테스트
  • IEC 60747-8-4:2004 반도체 개별 장치 8-4부: 전력 스위칭 장치용 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • IEC 62830-2:2017 반도체 소자 에너지를 수집하고 생성하는 반도체 소자 2부: 열에너지를 기반으로 한 열전 에너지 하베스팅
  • IEC 62830-3:2017 반도체 장치 에너지를 수집하고 생성하는 반도체 장치 3부: 진동 기반 전자기 에너지 하베스팅
  • IEC 62373-1:2020 반도체 장치 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부: MOSFET의 신속한 BTI 테스트
  • IEC 62830-1:2017 반도체 소자 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 소자 1부: 진동 기반 압전 에너지 수확
  • IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • IEC 60749-7/COR1:2003 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 기타 잔류 가스 분석 및 내부 수분 함량 측정
  • IEC 62830-7:2021 반도체 장치 에너지 수집 및 생성을 위한 반도체 장치 7부: 선형 슬라이딩 모드 마찰 전기 에너지 수확
  • IEC 62830-5:2021 반도체 장치 에너지 수집 및 생성을 위한 반도체 장치 5부: 유연한 열전 장치에서 생성된 전력을 측정하기 위한 테스트 방법
  • IEC 60749-7:2002 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 기타 잔류 가스 분석 및 내부 수분 함량 측정
  • IEC 60749-7:2011 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 기타 잔류 가스 분석 및 내부 수분 함량 측정
  • IEC 63275-1:2022 반도체 소자 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터 신뢰성 테스트 방법 1부: 바이어스 온도 불안정성 테스트 방법
  • IEC 61788-9:2005 초전도성 9부: 고온 초전도체 배치 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 노치 자속 밀도.
  • IEC 62373:2006 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 기본 온도 안정성 테스트
  • IEC 63275-2:2022 반도체 장치 탄화규소 이산 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터의 신뢰성 테스트 방법 2부: 바디 다이오드 작동으로 인한 양극성 저하 테스트 방법
  • IEC 60749-39:2021 RLV 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.
  • IEC 60749-39:2021 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정.

Professional Standard - Electron, 반도체 산소 함량

  • SJ 20744-1999 반도체 재료의 불순물 함량에 대한 적외선 흡수 분광 분석에 대한 일반 지침
  • SJ 20025-1992 금속 산화물 반도체 가스 센서의 일반 사양
  • SJ 20026-1992 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
  • SJ 20079-1992 금속 산화물 반도체 가스 센서 테스트 방법
  • SJ/T 9533-1993 반도체 개별 장치 품질 등급 표준
  • SJ/T 9534-1993 반도체 집적회로 품질 등급 기준
  • SJ/T 11487-2015 반절연 반도체 웨이퍼의 비저항 측정 방법
  • SJ/T 10705-1996 반도체 소자 본딩 와이어 표면 품질 검사 방법
  • SJ/T 11824-2022 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 등가 정전 용량 및 전압 변화율 테스트 방법
  • SJ/T 2658.7-2015 반도체 적외선 방출 다이오드의 측정 방법 제7부: 복사속
  • SJ 2355.6-1983 반도체 발광소자 시험방법, 광속 시험방법

Danish Standards Foundation, 반도체 산소 함량

  • DS/EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • DS/EN 62373:2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • DS/EN 60749-7:2011 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 7부: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석

ES-UNE, 반도체 산소 함량

  • UNE-EN 62417:2010 반도체 장치의 이동 이온 테스트 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)
  • UNE-EN IEC 62969-3:2018 반도체 장치 자동차 반도체 인터페이스 3부: 자동차 센서를 위한 충격 구동 압전 에너지 수확
  • UNE-EN 62373:2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트
  • UNE-EN 60749-7:2011 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 7부: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • UNE-EN 61788-9:2005 초전도성 9부: 큰 입자 산화물 초전도체의 자속 밀도를 포착하는 벌크 고온 초전도체 측정

Lithuanian Standards Office , 반도체 산소 함량

  • LST EN 62417-2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트(IEC 62417:2010)
  • LST EN 62373-2006 금속 산화물, 반도체 및 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 바이어스 온도 안정성 테스트(IEC 62373:2006)
  • LST EN 60749-7-2011 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 7: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석(IEC 60749-7:2011)

CZ-CSN, 반도체 산소 함량

American Society for Testing and Materials (ASTM), 반도체 산소 함량

  • ASTM UOP649-10 열분해 방법을 통해 고체, 반고체 및 고비점 액체 탄화수소의 총 산소 함량 측정
  • ASTM F1893-98(2003) 반도체 소자의 이온화 선량률 제거 측정 가이드
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  • ASTM F616M-96 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 누설 전류를 측정하기 위한 표준 테스트 방법(미터법 단위)
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  • ASTM F1893-18 이온화 선량 생존 및 반도체 장치 번아웃 측정 가이드
  • ASTM F1893-11 반도체 소자의 전리선량률 생존성 및 소진 측정 가이드

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 산소 함량

  • GB/T 15652-1995 금속 산화물 반도체 가스 센서의 일반 사양
  • GB/T 15653-1995 금속산화물 반도체 가스 센서의 테스트 방법
  • GB/T 11685-2003 반도체 X선 검출기 시스템 및 반도체 X선 에너지 분광계의 측정 방법
  • GB/T 21115-2007(英文版) 벌크 산화물 초전도체의 부상력 측정
  • GB/T 5201-2012 하전입자 반도체 검출기의 측정 방법
  • GB/T 42676-2023 반도체 단결정 품질검사 X선 회절법
  • GB/T 21115-2007 벌크 산화물 초전도체의 자기 부력 측정
  • GB/T 14144-1993 실리콘 결정의 격자간 산소 함량의 자오선 변화를 측정하는 방법
  • GB/T 14144-2009 실리콘 결정의 격자간 산소 함량의 방사상 변화를 측정하는 방법
  • GB/T 1557-2006 실리콘 결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법
  • GB/T 41853-2022 반도체 소자의 웨이퍼와 MEMS 소자의 결합강도 측정

YU-JUS, 반도체 산소 함량

PH-BPS, 반도체 산소 함량

  • PNS IEC 62830-2:2021 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 2부: 열전 에너지 수확
  • PNS IEC 62373-1:2021 반도체 장치 MOSFET(금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터)의 바이어스 온도 안정성 테스트 1부: MOSFET의 신속한 BTI 테스트
  • PNS IEC 62830-4:2021 반도체 장치 에너지 수확 및 생성을 위한 반도체 장치 4부: 유연한 압전 에너지 수확 장치의 테스트 및 평가 방법

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 산소 함량

  • KS C 2607-1974(2000) 반도체의 저항률을 측정하는 방법
  • KS C 2607-1980 반도체의 저항률을 측정하는 방법
  • KS C IEC 60749-7:2004 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 기타 잔류 가스 분석 및 내부 수분 함량 측정
  • KS C IEC 60749-7:2020 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 7: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석
  • KS C 6563-1996(2016) 반도체 압력 센서 소자의 주요 측정 방법
  • KS C 6563-1996(2021) 반도체 압력 센서 소자의 주요 측정 방법
  • KS C 6520-2021 반도체 공정용 부품 및 재료 플라즈마를 이용한 마모 특성 측정
  • KS C IEC 60748-2-5:2002 반도체 장치 집적 회로 2부: 디지털 집적 회로 섹션 4: 보완 금속 산화물 반도체 디지털 집적 회로 클래스 사양 4000B 및 4000UB 시리즈
  • KS C IEC 60748-2-4:2002 반도체 장치 집적 회로 2부: 디지털 집적 회로 섹션 4: 보완 금속 산화물 반도체 디지털 집적 회로 클래스 사양 4000B 및 4000UB 시리즈
  • KS C IEC 60749-39-2006(2021) 반도체 소자의 기계적 및 기후적 테스트 방법 - 파트 39: 반도체 부품에 사용되는 유기 재료의 수분 확산도 및 수용해도 측정

PL-PKN, 반도체 산소 함량

  • PN T01208-03-1992 반도체 장치. 바이폴라 트랜지스터. 측정 방법
  • PN T01303-03-1991 반도체 장치. 집적 회로. 아날로그 집적 회로. 측정 방법

U.S. Military Regulations and Norms, 반도체 산소 함량

工业和信息化部, 반도체 산소 함량

  • SJ/T 9014.8.2-2018 반도체 장치 개별 장치 8-2부: 초접합 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터에 대한 공백 상세 사양
  • YB/T 4908.6-2021 불활성 가스 융합 적외선 흡수법 및 열전도도법을 이용한 바나듐-알루미늄 합금의 산소 및 질소 함량 측정

Society of Automotive Engineers (SAE), 반도체 산소 함량

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 산소 함량

  • GB/T 40789-2021 가스 분석 일산화탄소 함량, 이산화탄소 함량, 산소 함량 온라인 자동 측정 시스템의 성능 특성 결정
  • GB/T 1557-2018 실리콘 결정의 격자간 산소 함량에 대한 적외선 흡수 측정 방법
  • GB/T 41040-2021 항공우주 응용 분야용 COTS(상업 기성품) 반도체 장치에 대한 품질 보증 요구 사항

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 산소 함량

ESDU - Engineering Sciences Data Unit, 반도체 산소 함량

IN-BIS, 반도체 산소 함량

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 산소 함량

  • JIS K 0315:2022 반도체 미량가스 측정장치를 이용한 환원미량가스 측정방법
  • JIS H 7313:2007 초전도성 고온 초전도체 배치 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 노치 자속 밀도
  • JIS K 0301:1998 연도 가스의 산소 함량 측정 방법
  • JIS K 0301:2016 연도 가스의 산소 함량 측정 방법
  • JIS B 7983:1994 연도가스의 산소 함량에 대한 연속 분석기
  • JIS K 0098:1998 연도가스 내 일산화탄소 함량 측정 방법
  • JIS K 0098:2016 연도가스 내 일산화탄소 함량 측정 방법

IPC - Association Connecting Electronics Industries, 반도체 산소 함량

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 산소 함량

  • CNS 8104-1981 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터의 선형 임계전압 테스트 방법
  • CNS 8106-1981 금속산화물 반도체 전계효과 트랜지스터 포화임계전압 시험방법
  • CNS 13805-1997 광전자 반도체 웨이퍼의 광학 레이저 스펙트럼 측정 방법

Association of German Mechanical Engineers, 반도체 산소 함량

CU-NC, 반도체 산소 함량

  • NC 66-13-1984 전자 회로. 반도체 라디에이터. 품질 사양
  • NC 24-22-1984 무기화학제품. 액체 수산화나트륨. 수산화나트륨 함량 측정

RO-ASRO, 반도체 산소 함량

  • STAS 10954-1977 반도체 정류기. 일반 품질 기술 요구 사항
  • STAS 12124/1-1982 반도체 장비. 바이폴라 트랜지스터. 전기적 정적 매개변수를 측정하는 방법
  • STAS 12124/3-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법
  • STAS 12124/4-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 반도체 산소 함량

  • IEEE 641-1987 금속 질화물 산화물 반도체 어레이의 표준 정의 및 특성화

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 산소 함량

  • EN 60749-7:2002 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 7: 기타 잔류 가스 분석 및 내부 수분 함량 측정
  • EN 60749:1999 반도체 장치에 대한 기계적 및 기후 테스트 방법(개정 A1:2000 및 A2:2001 포함)

Indonesia Standards, 반도체 산소 함량

Professional Standard - Post and Telecommunication, 반도체 산소 함량

  • YD/T 682-1994 통신용 반도체 정류장비의 품질등급기준

KR-KS, 반도체 산소 함량

  • KS C IEC 60749-7-2020 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 7: 내부 수분 함량 측정 및 기타 잔류 가스 분석

未注明发布机构, 반도체 산소 함량

  • DIN 50450-9 E:2020-11 반도체 기술용 재료 테스트 - 운반 가스 및 도펀트 가스의 불순물 측정 - 파트 9: 기체 수화물에서 산소, 질소, 일산화탄소, 이산화탄소, 수소 및 CC-탄화수소 측정

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 산소 함량

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 산소 함량

  • GB/T 4702.17-2016 불활성 가스 융합 적외선 흡수법 및 열전도도법을 이용한 금속 크롬의 산소, 질소 및 수소 함량 측정
  • GB/T 30537-2014 초전도 벌크 고온 초전도체 측정 큰 입자 산화물 초전도체의 자속 밀도 트래핑

Sichuan Provincial Standard of the People's Republic of China, 반도체 산소 함량

  • DB51/T 2043-2015 바나듐-알루미늄 합금 불활성 기체 용융-적외선 흡수법 및 열전도율법의 산소 및 질소 함량 측정

Professional Standard - Petrochemical Industry, 반도체 산소 함량

SE-SIS, 반도체 산소 함량

Professional Standard - Aerospace, 반도체 산소 함량

  • QJ 10004-2008 항공우주 반도체 소자의 총선량 방사선 시험 방법

GM North America, 반도체 산소 함량

  • GM GM6078M-1989 수지 결합 금속 산화물 반도체 및 폴리테트라플루오로에틸렌용 고체 필름 윤활 코팅

VN-TCVN, 반도체 산소 함량

  • TCVN 4920-2007 고체 화석 연료 이산화탄소 함량 측정 중량 측정법

SAE - SAE International, 반도체 산소 함량

  • SAE AIR1921-1985 제어된 에너지 레벨을 사용한 스파크 점화 반도체 저항 측정

International Organization for Standardization (ISO), 반도체 산소 함량

  • ISO/TS 17915:2013 광학 및 광전자공학 - 감지용 반도체 레이저 측정 방법
  • ISO 991:1976 산업용 수산화칼륨 탄산염 함량 측정 가스 체적법
  • ISO 980:1976 산업용 수산화나트륨 탄산염 함량 측정 가스 체적법
  • ISO 17915:2018 광학 및 포토닉스 - 감지용 반도체 레이저 측정 방법
  • ISO 925:1980 고체 화석 연료 이산화탄소 함량 측정 중량 측정법

Professional Standard - Building Materials, 반도체 산소 함량

  • JC/T 2133-2012 반도체 연마액용 실리카졸의 불순물 원소 함량 측정 - 유도 결합 플라즈마 원자 방출 분광법

European Committee for Standardization (CEN), 반도체 산소 함량

  • EN 14756:2006 연소 가스 및 증기에 대한 제한 산소 함량(LOC) 결정

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