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반도체 테스트 장비 모델

모두 178항목의 반도체 테스트 장비 모델와 관련된 표준이 있다.

국제 분류에서 반도체 테스트 장비 모델와 관련된 분류는 다음과 같습니다: 전기 장비 부품, 길이 및 각도 측정, 반도체 개별 장치, 전기, 자기, 전기 및 자기 측정, 금속 재료 테스트, 반도체 소재, 광전자공학, 레이저 장비, 전자 및 통신 장비용 전자 기계 부품, 집적 회로, 마이크로 전자공학, 전송 및 배전망, 조선 및 해양 구조물 통합, 산업자동화 시스템, 진공 기술, 정보 기술을 위한 언어, 공기질, 기술 도면, 전자 장비용 기계 부품, 인터페이스 및 상호 연결 장비.


Professional Standard - Machinery, 반도체 테스트 장비 모델

  • JB/T 4219-1999 전력반도체 소자 시험장비, 모델명칭방법
  • JB/T 6307.4-1992 전력 반도체 모듈 테스트 방법 바이폴라 트랜지스터 암 및 암 쌍
  • JB/T 6307.5-1994 전력 반도체 모듈 테스트 방법 바이폴라 트랜지스터 단상 브리지 및 3상 브리지

Group Standards of the People's Republic of China, 반도체 테스트 장비 모델

YU-JUS, 반도체 테스트 장비 모델

RO-ASRO, 반도체 테스트 장비 모델

  • STAS 7128/2-1986 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 바이폴라 트랜지스터 기호
  • STAS 6693/2-1975 반도체 장비. 트랜지스터. 전자 성능 테스트 방법
  • STAS 7128/6-1986 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 사이리스터 기호
  • STAS 7128/9-1980 반도체 장비 및 집적 회로. 단일접합 트랜지스터 매개변수 기호
  • STAS 7128/8-1986 반도체 장치 및 집적 회로에 대한 알파벳 기호입니다. 전계 효과 트랜지스터 기호
  • STAS 7128/5-1985 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 정류기 다이오드 기호
  • STAS 7128/1-1985 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 일반 규칙
  • STAS 7128/11-1985 반도체 장치 및 집적 회로에 대한 텍스트 기호입니다. 디지털 집적 회로 기호
  • STAS 7128/4-1971 반도체 장비 및 집적 회로. 터널 다이오드의 텍스트 기호
  • STAS 7128/3-1985 텍스트 기호. 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 저전력 신호 다이오드 기호
  • STAS 7128/10-1984 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 아날로그 집적 회로 매개변수 기호
  • STAS 7128/7-1986 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 버랙터 및 믹서 다이오드 기호
  • STAS 12124/1-1982 반도체 장비. 바이폴라 트랜지스터. 전기적 정적 매개변수를 측정하는 방법
  • STAS 7128/12-1985 반도체 장비 및 집적 회로 매개변수 기호. 저전압 기준 및 제너 다이오드 기호
  • STAS 12124/3-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법
  • STAS 12124/4-1983 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터, 전기적 정적 매개변수 측정 방법
  • STAS 12123/2-1983 스위칭 다이오드를 포함한 반도체 소자용 저전력 신호 다이오드의 전기적 특성 측정 방법
  • STAS 12123/4-1984 반도체소자용 가변용량 다이오드의 전기적 특성 측정방법

Defense Logistics Agency, 반도체 테스트 장비 모델

  • DLA MIL-S-19500/173 A VALID NOTICE 3-2011 반도체 장비, 트랜지스터, 유형 2N389 및 2N424(해군)
  • DLA MIL-PRF-19500/597 D VALID NOTICE 1-2008 N 채널과 4개의 트랜지스터를 갖춘 모델 번호 2N7334, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, JANKCA2N7334 및 JANHCA2N7334의 실리콘 크리스탈 전계 효과 반도체 장치
  • DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 실리콘 모놀리식, 테스트 버스 트랜시버, 산화물 반도체 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-86864-1988 프로그래밍 가능 논리 장치 보완형 금속 산화물 반도체 지울 수 있는 디지털 마이크로회로
  • DLA SMD-5962-87640 REV B-2002 실리콘 모놀리식 바이폴라 금속 산화물 반도체 기술 인터럽트 인터페이스 래치 장치, 선형 마이크로 회로
  • DLA MIL-PRF-19500/534 F-2008 모델은 2N5002 및 2N5004, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANSM, JANSD, JANSP, JANSL, JANSR, JANSF, JANSG, JANSH, JANHCB, JANKCB, JANKCBM, JANKCBD, JANKCBP, JANKCBL, JANKCBR, JANKCBF, JANKCBG 및 JANKCB입니다. H. 실리콘 트랜지스터 반도체 장치
  • DLA MIL-PRF-19500/420 L-2008 모델 번호 1N5550 ~ 1N5554, 1N5550US ~ 1N5554US, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHCA, JANHCB, JANHCC, JANHCD, JANHCE, JANKCA, JANKCD 및 JANKCE의 실리콘 다이오드 반도체 장치(전력 정류기 포함)
  • DLA SMD-5962-87641-1988 실리콘 모놀리식 래칭 장치, 입력 밀봉, 양극 금속 산화물 반도체 기술 8비트, 선형 미세 회로

SE-SIS, 반도체 테스트 장비 모델

  • SIS SS-IEC 749:1991 반도체 장비. 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • SIS SS 499 07 07-1990 저에너지 비전자 신호 도체 폭발 시스템. 일반 요구 사항 및 테스트
  • SIS SEN 47 10 03-1973 무선 간섭. 규제 대상 통합 반도체 장치에 사용되는 간섭 전압 측정 규정 및 방법

CZ-CSN, 반도체 테스트 장비 모델

  • CSN IEC 749:1994 반도체 장비. 기계적 및 기후적 테스트 방법
  • CSN 35 8754-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 단락 출력 어드미턴스 측정
  • CSN 35 8756-1973 반도체 장비. 트랜지스터 Y 매개변수 측정
  • CSN 35 8742-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 차단 전류 측정
  • CSN 35 8759-1977 반도체 장비. 트랜지스터. 스위칭 시간을 측정하는 방법
  • CSN 35 8737-1975 반도체 장비. 다이오드. 미분저항 측정
  • CSN IEC 747-3-2:1991 반도체 장비. 개별 장비. 3부: 신호(스위치 포함) 및 제너 다이오드
  • CSN 35 8749-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 단락 순방향 전달 어드미턴스의 절대값 측정
  • CSN 35 8797 Cast.3 IEC 747-3 ZA1+A2:1996 반도체 장비. 개별 장비. 3부: 신호(스위치 포함) 및 조정기 다이오드
  • CSN 35 8731-1975 반도체 장비. 다이오드. DC 순방향 전압 측정
  • CSN 35 8763-1973 반도체 장비. 다이오드. 역항복전압 측정
  • CSN 35 8761-1973 반도체 장비. 포토트랜지스터 포토다이오드. 광전류 측정
  • CSN 35 8762-1973 반도체 장비. 포토트랜지스터 포토다이오드. 암전류 측정
  • CSN 35 8752-1976 반도체 장비. 트랜지스터. 공통 베이스 출력 커패시턴스를 측정하는 방법
  • CSN 35 8785-1975 반도체 장비. 버랙터 다이오드. 열용량 계수 측정
  • CSN 35 8733-1975 반도체 장비. 다이오드. 역전압 측정(작동전압)
  • CSN 35 8764-1976 반도체 장비. 스위칭 다이오드. 역회복 시간 측정.
  • CSN 35 8765-1976 반도체 장비. 스위칭 다이오드. 역회복 전하 측정
  • CSN 35 8746-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 순방향 전류 전달 비율 및 주파수 fT, fh21b, fh21e의 절대값 측정
  • CSN 35 8745-1973 반도체 장비. 트랜지스터. 고주파수에서의 개방회로 역전압 전달율 및 시간계수 측정

PL-PKN, 반도체 테스트 장비 모델

  • PN T01208-01-1992 반도체 장비. 바이폴라 트랜지스터. 용어 및 알파벳 기호
  • PN T01501 ArkusZ4-1973 반도체 장비. 전계 효과 트랜지스터 매개변수의 알파벳 기호

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, 반도체 테스트 장비 모델

  • JEDEC JEP104C.01-2003 반도체 장비의 알파벳 기호에 대한 참조 가이드
  • JEDEC JESD57-1996 중이온 방사선에 노출된 반도체 장치의 단일 이벤트 효과 측정을 위한 테스트 절차
  • JEDEC JESD66-1999 사이리스터 서지 보호 장비의 등급 인증 및 특성화 테스트를 위한 과도 전압 어레스터 표준
  • JEDEC JESD89A-2006 알파입자 및 지구 우주광의 측정 및 전송으로 인해 반도체 장치에 사소한 오류가 발생함

Electronic Components, Assemblies and Materials Association, 반도체 테스트 장비 모델

  • ECA CB 5-1969 반도체 방열 장비에 권장되는 테스트 절차
  • ECA CB 5-1-1971 CB5 부록 반도체 방열 장비에 대한 권장 테스트 절차

Lithuanian Standards Office , 반도체 테스트 장비 모델

  • LST EN 62417-2010 반도체 장치 금속 산화물 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)의 이동 이온 테스트(IEC 62417:2010)
  • LST EN IEC 60749-15:2020 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 15부: 스루홀 장착 장치의 납땜 온도 저항(IEC 60749-15:2020)
  • LST EN IEC 60749-30:2020 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 30: 신뢰성 테스트 전 비밀폐형 표면 실장 장치의 사전 조정(IEC 60749-30:2020)
  • LST EN 60749-5-2004 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 5부: 정상 상태 온도 습도 바이어스 수명 테스트(IEC 60749-5:2003)
  • LST EN 60749-37-2008 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 37부: 가속도계를 사용한 보드 수준 낙하 테스트 방법(IEC 60749-37:2008)
  • LST EN 60749-26-2006 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 26부: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 HBM(인체 모델)(IEC 60749-26:2006)

HU-MSZT, 반도체 테스트 장비 모델

British Standards Institution (BSI), 반도체 테스트 장비 모델

  • BS EN IEC 60749-28:2022 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 CDM(충전 장치 모델) 장치 레벨
  • BS EN 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 인장 테스트용 필름 표준 시편
  • BS EN 62047-13:2012 반도체 장비, 미세 전자 기계 장치, MEMS 구조의 결합 강도를 측정하기 위한 굽힘 및 전단 유형 테스트 방법.
  • BS EN 60749-44:2016 반도체 장치 기계적 및 기후 테스트 방법 반도체 장치의 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE) 테스트 방법
  • BS EN IEC 60749-10:2022 반도체 장치 기계적 충격 장비 및 어셈블리에 대한 기계적 및 기후 테스트 방법
  • 20/30419235 DC BS EN 60749-28 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 28: 정전기 방전(ESD) 민감도 테스트 CDM(충전 장치 모델) 장치 수준
  • BS IEC 62047-40:2021 반도체 장치 미세 전자기계 장비 미세 전자기계 관성 충격 스위칭 임계값 테스트 방법
  • BS IEC 60747-5-13:2021 반도체 소자 광전자 장비 LED 패키징 황화수소 부식 시험
  • BS EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • BS EN 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • BS EN 60749-26:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • BS EN 60749-26:2014 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • BS IEC 62526:2007 반도체 설계 환경을 위한 STIL(Standard Test Interface Language)에 대한 확장 표준
  • BS IEC 62047-27:2017 반도체 장치 마이크로 전자 기계 장비 Micro-V 테스트(MCT)를 사용한 유리 프릿 결합 구조의 결합 강도 테스트
  • PD 6574-1994 기체 연료의 유형 테스트 중 연소 장비에서 방출되는 물질 측정
  • BS IEC 62047-38:2021 반도체소자의 미세전자기계적 상호접속부에서의 금속분말슬러리의 결합강도 시험방법
  • 21/30435579 DC BS EN 60749-10 반도체 장치의 기계적 및 기후 테스트 방법 파트 10: 기계적 충격 장비 및 구성 요소
  • BS EN 60749-15:2011 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 - 스루홀 실장 장비의 납땜 온도에 대한 저항성
  • BS EN 60749-15:2003 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 스루홀 장착 장비의 납땜 온도에 대한 저항성
  • BS EN 60749-15:2010 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 관통 장착 장비의 납땜 온도 저항
  • BS EN 60749-27:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 기계 모델(MM)
  • BS EN 60749-27:2006+A1:2012 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 기계 모델(MM)

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 테스트 장비 모델

  • GB/T 1550-2018 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, 반도체 테스트 장비 모델

  • GB/T 1550-1997 외부 반도체 재료의 전도성 유형 테스트 방법
  • GB 35007-2018 반도체 집적 회로 저전압 차동 신호 회로 테스트 방법
  • GB/T 24468-2009 반도체 장비의 신뢰성, 가용성, 유지보수성(RAM)에 대한 정의 및 측정 사양
  • GB/T 4937.26-2023 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 인체 모델(HBM)

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., 반도체 테스트 장비 모델

  • IEEE 425-1957 Wright 표기법에 대한 트랜지스터 반도체 정의 및 테스트 코드

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, 반도체 테스트 장비 모델

  • GB/T 36005-2018 반도체 조명 장비 및 시스템의 광방사선 안전 시험 방법
  • GB/T 35007-2018 반도체 집적 회로 저전압 차동 신호 회로 테스트 방법

National Metrological Technical Specifications of the People's Republic of China, 반도체 테스트 장비 모델

  • JJF 1895-2021 반도체 소자용 DC 및 저주파 파라미터 테스트 장비의 교정 사양

AIA/NAS - Aerospace Industries Association of America Inc., 반도체 테스트 장비 모델

  • NAS4118-1996 방열판 전기전자 부품 반도체 장비 고정용 클립형

Association Francaise de Normalisation, 반도체 테스트 장비 모델

  • NF EN 62779-3:2016 반도체 장치 - 인체를 통한 통신을 위한 반도체 인터페이스 - 3부: 기능적 유형 및 사용 조건
  • NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 반도체 장치 및 미세 전자기계 장비 제3부: 인장 시험용 필름 표준 시험편
  • NF C96-022-26*NF EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 인체 모델(HBM)
  • NF EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 - 인체 모델(HBM)
  • NF C96-013-6-1*NF EN 60191-6-1:2002 반도체 장치의 기계적 표준화 6-1부: 반도체 장치 패키징을 위한 표면 실장 스케치 준비에 대한 일반 규칙 갈매기 날개형 리드 단자 설계 지침
  • NF C96-022-26:2006 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 26부: 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)
  • NF C96-022-15*NF EN 60749-15:2011 반도체 장치 기계 및 환경 테스트 방법 파트 15: 리드인 패키지 장치의 납땜 온도에 대한 저항성

Aerospace Industries Association, 반도체 테스트 장비 모델

European Committee for Electrotechnical Standardization(CENELEC), 반도체 테스트 장비 모델

  • EN IEC 60749-10:2022 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 10부: 기계적 충격 장비 및 부품
  • EN 60749-34:2010 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 34부: 전원 사이클링
  • EN IEC 60749-30:2020 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 30부: 신뢰성 테스트 전 비밀폐형 표면 실장 장비의 전처리
  • EN IEC 60749-37:2022 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 37부: 가속도계를 사용한 보드 레벨 낙하 테스트 방법
  • EN 60749-26:2014 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 인체 모델(HBM)
  • EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 인체 모델(HBM)

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, 반도체 테스트 장비 모델

Danish Standards Foundation, 반도체 테스트 장비 모델

  • DS/EN 60749-34:2011 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 34부: 전원 사이클링
  • DS/EN 62047-9:2011 반도체 소자용 미세 전자기계 소자 9부: MEMS의 웨이퍼 간 결합 강도 측정
  • DS/EN 60749-30/A1:2011 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 30부: 신뢰성 테스트 전 비밀폐형 표면 실장 장비의 전처리
  • DS/EN 60749-30:2005 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 30부: 신뢰성 테스트 전 비밀폐형 표면 실장 장비의 전처리
  • DS/EN 60749-37:2008 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 37부: 가속도계를 사용한 보드 레벨 낙하 테스트 방법
  • DS/EN 60749-14:2004 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 14부: 종단 견고성(리드 무결성)
  • DS/EN 60749-26:2006 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 인체 모델(HBM)

Professional Standard - Electron, 반도체 테스트 장비 모델

  • SJ/T 11820-2022 반도체 개별 장치 DC 매개 변수 테스트 장비 기술 요구 사항 및 측정 방법
  • SJ 20233-1993 IMPACT-Type II 반도체 이산 장치 테스트 시스템 검증 규정
  • SJ/T 11007-1996 반도체 텔레비전 집적 회로 비디오 신호 및 컬러 신호 처리 회로 테스트 방법의 기본 원리
  • SJ/T 10740-1996 반도체 집적 회로 바이폴라 랜덤 액세스 메모리 테스트 방법의 기본 원리

工业和信息化部, 반도체 테스트 장비 모델

  • SJ/T 11702-2018 반도체 집적회로 직렬 주변기기 인터페이스 테스트 방법

United States Navy, 반도체 테스트 장비 모델

国家质量监督检验检疫总局, 반도체 테스트 장비 모델

  • SN/T 3480.4-2016 수입 전자 및 전기 산업을 위한 전체 장비 세트 검사에 대한 기술 요구 사항 4부: 반도체 포장 및 테스트 장비

German Institute for Standardization, 반도체 테스트 장비 모델

  • DIN 41772:1979 정적 전력 변환기반도체 정류기 장비특성 곡선 모양 및 문자 기호
  • DIN 41772:1979-02 정전력 변환기, 반도체 정류 장비, 특성 곡선 형상 및 문자 기호
  • DIN EN 62047-3:2007 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 3부: 인장 시험용 필름 표준 시험편
  • DIN EN 62047-8:2011 반도체 장비 마이크로 전자기계 장비 8부: 필름의 인장 특성 측정을 위한 스트립 굽힘 테스트 방법(IEC 62047-8-2011) 독일어 버전 EN 62047-8-2011
  • DIN EN IEC 60749-37:2023 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 37부: 가속도계를 사용한 보드 수준 낙하 테스트 방법(IEC 47/2651/CDV:2020)
  • DIN EN 60749-44:2017 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 44: 반도체 장치의 중성자 빔 조사의 단일 이벤트 효과(SEE)에 대한 테스트 방법(IEC 60749-44-2016), 독일어 버전 EN 60749-44-2016

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), 반도체 테스트 장비 모델

  • KS C IEC 62526-2015(2020) 반도체 설계 환경에서 사용하기 위한 표준 테스트 인터페이스 언어(stil)
  • KS C IEC 62526:2015 반도체 설계 환경을 위한 STIL(Standard Test Interface Language) 확장

AENOR, 반도체 테스트 장비 모델

  • UNE-EN 60749-30:2005/A1:2011 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 30부: 신뢰성 테스트 전 비밀폐형 표면 실장 장비의 전처리
  • UNE 73350-1:2003 환경 방사능 측정 절차 측정 장비 파트 1: 반도체 센서의 감마 분광법
  • UNE 73350-2:2003 환경 방사능 측정 절차 측정 장비 2부: 반도체 센서의 알파 분광학

未注明发布机构, 반도체 테스트 장비 모델

  • DIN EN 60749-44 E:2014-08 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 44: 반도체 장치에 대한 중성자 빔 조사 단일 이벤트 효과(SEE) 테스트 방법
  • BS IEC 62526:2007(2010) 반도체 설계 환경 표준 STIL(테스트 인터페이스 언어) 확장 표준

RU-GOST R, 반도체 테스트 장비 모델

  • GOST 14343-1969 널리 사용되는 장비에 적합한 D 223, D 223a, D 223B 유형의 반도체 다이오드

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), 반도체 테스트 장비 모델

  • IEEE Std C62.37/COR-2009 반도체 사이리스터 다이오드 충격 보호 장비의 테스트 사양, 정오표
  • IEEE 1450.1-2005 반도체 설계 환경을 위한 STIL(표준 테스트 인터페이스 언어) 확장(IEEE Std 1450-1999)

AT-OVE/ON, 반도체 테스트 장비 모델

  • OVE EN IEC 60749-10:2021 반도체 장비의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 10: 기계적 충격 장비 및 부품(IEC 47/2692/CDV)(영어 버전)

Canadian Standards Association (CSA), 반도체 테스트 장비 모델

International Electrotechnical Commission (IEC), 반도체 테스트 장비 모델

  • IEC 60749-37:2022 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 37부: 가속도계를 사용한 보드 레벨 낙하 테스트 방법
  • IEC 60749-27:2006+AMD1:2012 CSV 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 1부 27 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 - 기계 모델(mm)
  • IEC 62047-3:2006 반도체 장치, 미세 전자 기계 장비, 3부: 인장 시험용 박막 표준 시험편
  • IEC 62047-28:2017 반도체 장치, 마이크로 전자기계 장치, 파트 28: 진동 구동 MEMS 일렉트릿 에너지 하베스팅 장치의 성능 테스트 방법
  • IEC 62047-16:2015 반도체 장치 미세 전자 기계 장치 16부: MEMS 필름의 잔류 응력을 결정하기 위한 테스트 방법 웨이퍼 곡률 및 캔틸레버 편향 방법
  • IEC 62830-8:2021 반도체 장치 에너지 수확 및 발전을 위한 반도체 장치 8부: 저전력 전자 장치에 사용하기 위한 유연하고 신축 가능한 슈퍼커패시터의 테스트 및 평가 방법
  • IEC 62047-18:2013 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 18부: 박막 재료의 굽힘 시험 방법
  • IEC 60749-26:2013 반도체 장치 기계 및 기후 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전 민감도(ESD) 테스트 인체 모델(HBM)
  • IEC 60749-26:2018 반도체 장치 - 기계 및 기후 테스트 방법 - 파트 26: 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 - 인체 모델(HBM)
  • IEC 60749-30:2011 반도체 장치의 기계적 및 환경적 테스트 30부: 비밀폐형 표면 실장 장비의 신뢰성 테스트 전 사전 조정

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, 반도체 테스트 장비 모델

  • GJB 4295-2001 미사일 및 우주선 시험장의 측정 및 제어 장비에 대한 코드 명명 방법
  • GJB 4295A-2017 미사일 및 우주선 시험장 측정 및 제어 장비의 코드네이밍 방법

ECIA - Electronic Components Industry Association, 반도체 테스트 장비 모델

  • EIA CB-5-1:1971 반도체 방열 장치에 대한 권장 테스트 절차(고시 제5호 부록, (안정화))

Professional Standard - Aerospace, 반도체 테스트 장비 모델

  • QJ 3156-2002 미사일 지상장비의 대규모 구조물에 대한 응력시험 방법

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, 반도체 테스트 장비 모델

  • QC 750101/SU 0001-1990 전자 장비 유형 KD5I0A의 펄스 및 디지털 회로에 사용하기 위한 전자 부품 신호 반도체 에피택셜 평면 환경 정격 다이오드에 대한 상세 사양
  • QC 750101/SU 0003-1990 전자 장비 유형 KD522B의 펄스 및 디지털 회로에 사용하기 위한 전자 부품 신호 반도체 에피택셜 평면 환경 정격 다이오드에 대한 세부 사양
  • QC 750101/SU 0002-1990 KD52IA 유형 KD52IB 전자 부품에 대한 상세 사양 신호 반도체 전자 장비의 펄스 및 디지털 회로에 사용하기 위한 에피택셜 평면 환경 정격 다이오드

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), 반도체 테스트 장비 모델

  • JIS C 5630-3:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 3부: 인장 시험용 필름 표준 시편
  • JIS C 5630-2:2009 반도체 장치, 미세 전자 기계 장치, 2부: 박막 재료의 인장 시험 방법

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, 반도체 테스트 장비 모델

  • EN 60749-26:2006 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 민감성 테스트 인체 모델(HBM)

ES-UNE, 반도체 테스트 장비 모델

  • UNE-EN IEC 60749-26:2018 반도체 장치의 기계적 및 기후적 테스트 방법 파트 26: 정전기 방전(ESD) 감도 테스트 인체 모델(HBM)

American National Standards Institute (ANSI), 반도체 테스트 장비 모델

  • ANSI/IEEE 1450.1:2005 반도체 설계 환경을 위한 STIL(Standard Test Interface Language)(IEEE Std. 1450-1999) 확장에 대한 표준




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