ZH
EN
ES

полупроводниковый свет

полупроводниковый свет, Всего: 255 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к полупроводниковый свет, являются: Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Полупроводниковые приборы, Оптоволоконная связь, Уплотнения, сальники, Медицинское оборудование, Керамика, Измерения радиации, Словари, Оптика и оптические измерения, Лампы и сопутствующее оборудование, Электронные устройства отображения, Электронные компоненты в целом, Применение информационных технологий, Экологические испытания, Аналитическая химия.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, полупроводниковый свет

GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.
GJB 33/17-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводниковой фотопары типа ГО11
GJB 33/18-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Подробная спецификация двунаправленного аналогового переключателя полупроводниковой фотопары типа GO417.
GJB 8121-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
GJB 8120-2013 Общие технические условия на полупроводниковый оптоэлектронный модуль
GJB 8119-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 5018-2001 Общие требования к проверке и приемке полупроводниковых оптоэлектронных приборов
GJB/Z 41.3-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, спектральные полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 33/20-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302.
GJB 33/22-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа ГО103
GJB 33/21-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация копировального аппарата серии GD310A
GJB 33/23-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302-4
GJB 3519-1999 Общие характеристики полупроводниковых лазерных диодов
GJB 2146A-2011 Общие технические условия на полупроводниковые светодиодные приборы

RU-GOST R, полупроводниковый свет

GOST 24458-1980 Полупроводниковые оптоэлектронные развязки. Основные параметры
GOST R 50471-1993 Полупроводниковые фотоэмиттеры. Метод измерения угла половинной интенсивности
GOST 20766-1975 Полупроводниковые спектрометрические детекторы ионизирующего излучения. Типы и основные параметры
GOST 27299-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
GOST R 59605-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Понятия и определения
GOST 21934-1983 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Понятия и определения
GOST 17772-1988 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик
GOST R 59607-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик

British Standards Institution (BSI), полупроводниковый свет

BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
PD IEC TR 61292-9:2023 Отслеживаемые изменения. Оптические усилители. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
BS EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Основные номиналы и характеристики
BS IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы - Оптоэлектронные приборы - Полупроводниковые лазеры
BS EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
BS EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации для основных номиналов и характеристик
BS CECC 20000:1983 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов: типовая спецификация: полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства.
19/30404095 DC БС ЕН МЭК 60747-5-4. Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
BS EN IEC 62007-1:2015+A1:2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
BS EN 62149-8:2014 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Затравленные отражательные полупроводниковые оптические усилители
BS ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Приборы полупроводниковые. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
BS EN 62149-9:2014 Оптоволоконные активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Приемопередатчики оптических усилителей с засеянными отражательными полупроводниковыми усилителями
BS EN 61207-7:2013 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
BS ISO 17915:2018 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
BS EN 61207-7:2014 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
BS ISO 13125:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 27447:2019 Отслеживаемые изменения. Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов
BS ISO 14605:2013 Тонкая керамика (современная керамика, современная техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.

Professional Standard - Electron, полупроводниковый свет

SJ 20642-1997 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Общие технические условия
SJ 20786-2000 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ 2214.1-1982 Общие методики измерений полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2218-1982 Полупроводниковые фотопары в диодном режиме
SJ 2219-1982 Полупроводниковые фотопары в транзисторном режиме
SJ 2215.1-1982 Общие процедуры измерения полупроводниковых фотопар
SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.8-1982 Метод измерения напряжения темнового тока полупроводниковых фототранзисторов
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 20642.5-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH82
SJ 20642.4-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Подробная спецификация оптопар типа GH81
SJ 20642.6-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH83
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 2214.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.7-1982 Метод измерения напряжения насыщения полупроводниковых фототранзисторов
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.8-1982 Метод измерения выходного напряжения насыщения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2215.14-1982 Метод измерения напряжения изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.10-1982 Метод измерения коэффициента передачи постоянного тока полупроводниковых фотопар
SJ 2215.12-1982 Метод измерения входной-выходной емкости полупроводниковых фотопар
SJ 50033/114-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация позиционно-чувствительного детектора типа GD3283Y
SJ 2215.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.13-1982 Метод измерения сопротивления изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 20642.3-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD83
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 20642.2-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD82
SJ 50033/111-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Спецификация Delail для фототранзистора Si типа GT16.NPN
SJ 20072-1992 Подробная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH24, GH25 и GH26.
SJ 20786.1-2002 Полупроводниковая фотоэлектрическая сборка Детальная спецификация миниатюрного дуплексного фотоэлектрического прицела типа CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 20642.1-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD81
SJ/T 11405-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ 50033/110-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на инфракрасный светодиод типа GR9413.
SJ 2215.5-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.9-1982 Метод измерения обратного тока отсечки полупроводниковых фотопар-транзисторов
SJ 53930/1-2002 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация инфракрасного диода типа GR8813
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ 2214.9-1982 Метод измерения времени нарастания и спада импульсов полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ 50033/140-1999 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA502
SJ 2558-1984 Подробная спецификация полупроводниковых светоизлучающих цифровых дисплеев типа SM1~18.
SJ/T 11397-2009 Люминофоры для светодиодов
SJ 50033/3-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH21, GH22 и GH23 классов GP, GT и GCT.
SJ 50923/2-1995 Детальная спецификация на металлический корпус типа Г2-01Б-М1,Г2-01Б-З1 для полупроводниковых светочувствительных приборов
SJ 2215.7-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя коллектор-эмиттер полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.11-1982 Метод измерения задержки нарастания и спада импульса и времени хранения полупроводниковых фотопар
SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
SJ 2214.6-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя коллектор-эмиттер полупроводниковых фототранзисторов
SJ 50923/1-1995 Подробная спецификация для типов A6-02A-M2(Z2) и A6-01B-M1(Z1) металлический корпус для полупроводниковых фотопар
SJ/T 11067-1996 Обычно используемая терминология для полупроводниковых фотоэлектрических материалов и пироэлектрических материалов в материалах для обнаружения инфракрасного излучения.
SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи
SJ 2355.1-1983 Общие методики измерений светоизлучающих устройств
SJ 2684-1986 Физические размеры светоизлучающего устройства из полупроводника
SJ/T 11856.3-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 3. Полупроводниковые лазерные чипы с модуляцией электрического поглощения для источников света
SJ/T 11856.2-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 2. Полупроводниковые лазерные чипы с вертикальным резонатором для источников света.
SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 11401-2009 Серийная программа для полупроводниковых светодиодов
SJ 50033/101-1995 Подробная спецификация полупроводниковых лазерных диодных модулей типа GJ1325
SJ/T 11856.1-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 1. Источник света Фабри-Перо и полупроводниковые лазерные чипы с распределенной обратной связью.
SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
SJ 20957-2006 Общие спецификации для массива полупроводниковых лазерных диодов большой мощности
SJ 2355.6-1983 Метод измерения светового потока светоизлучающих устройств

International Electrotechnical Commission (IEC), полупроводниковый свет

IEC TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 RLV Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC 62007-2:1997 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-2:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 62007-2/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения; Поправка 1
IEC 62007-1:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номинальные характеристики и характеристики.
IEC 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 62007-1/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номиналы и характеристики; Поправка 1
IEC 62007-1:2015+AMD1:2022 CSV Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
IEC 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
IEC 62007-1:2008 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 62149-8:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарт производительности. Часть 8. Затравленные отражающие полупроводниковые оптические усилители.
IEC 62149-9:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 9. Приемопередатчики оптических усилителей на основе затравленных отражающих полупроводниковых усилителей.
IEC 62007-1:2015/AMD1:2022 Поправка 1. Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Образец спецификации для основных номиналов и характеристик.
IEC 61207-7:2013 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы

Group Standards of the People's Republic of China, полупроводниковый свет

T/QGCML 1407-2023 Уплотнительное устройство с двойным рукавом для производства полупроводниковых фотоэлектрических систем
T/CASME 698-2023 Аппарат полупроводниковой лазерной терапии
T/JGXH 008-2020 Твердотельный лазер с диодной накачкой
T/QGCML 2041-2023

SE-SIS, полупроводниковый свет

SIS SS CECC 20000-1983 Общая спецификация: Полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства.

IEC - International Electrotechnical Commission, полупроводниковый свет

IEC TR 61292-9:2017 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (издание 2.0)

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, полупроводниковый свет

DB22/T 2725-2017 Полупроводниковый лазер с волоконной решеткой 980 нм

German Institute for Standardization, полупроводниковый свет

DIN 5032-9:2015-01 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN 5032-9:2015 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN IEC/TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (IEC 86C/1109/CD:2013)
DIN EN 62007-2:2009-09 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009); Немецкая версия EN 62007-2:2009 / Примечание: DIN EN 62007-2 (2001-06) остается действительным наряду с этим стандартом до 01 февраля 2012 г.
DIN EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009); Немецкая версия EN 62007-2:2009
DIN EN 61207-7:2015-07 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы (IEC 61207-7:2013); Немецкая версия EN 61207-7:2013 / Примечание: Применяется в сочетании с DIN EN 61207-1 (2011-04).

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), полупроводниковый свет

JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.
JIS R 1712:2022 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
JIS R 1708:2016 Тонкая керамика (усовершенствованная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод испытаний для определения фотокаталитической активности полупроводниковых фотокаталитических материалов по потреблению растворенного кислорода.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, полупроводниковый свет

EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
EN 120000:1996 Общая спецификация: полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства (остаются в силе)
EN 62149-8:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 8. Затравленные отражательные полупроводниковые оптические усилители.
EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
EN 62149-9:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 9. Приемопередатчики оптических усилителей на основе затравленных отражающих полупроводниковых усилителей.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, полупроводниковый свет

EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения
EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номиналы и характеристики.
EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

Association Francaise de Normalisation, полупроводниковый свет

NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF EN 62007-2:2009 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения
NF ISO 14605:2013 Техническая керамика. Источники света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
NF C93-801-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1: шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
NF B44-103*NF ISO 10677:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
NF C93-801-1*NF EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1: шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
NF C93-884-8*NF EN 62149-8:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарт производительности. Часть 8. Затравленные отражающие полупроводниковые оптические усилители.
NF C93-884-9*NF EN 62149-9:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 9. Приемопередатчики оптических усилителей на отражающих полупроводниковых усилителях.
NF EN 62149-8:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарт производительности. Часть 8. Полупроводниковые оптические усилители с распределенным отражением.
NF ISO 22197-4:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 4. Удаление формальдегида.
NF EN 62149-9:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 9. Приемопередатчики с полупроводниковыми оптическими усилителями с распределенным отражением
NF ISO 22197-5:2021 Техническая керамика. Методы испытаний полупроводниковых фотокаталитических материалов для очистки воздуха. Часть 5. Удаление метилмеркаптана.
NF B44-105*NF ISO 14605:2013 Fine Ceramics (современная керамика, передовая техническая керамика) — источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), полупроводниковый свет

KS C IEC 62007-2:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения
KS C 6942-1999 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи
KS C IEC 62007-1:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах? Часть 1: Основные параметры и характеристики
KS C IEC 62007-1-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номиналы и характеристики.
KS C 6943-1999 Методы испытаний лазерных модулей волоконно-оптической передачи данных
KS L ISO 27447-2011(2016) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2011(2021) Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447:2011 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) – метод испытания антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, полупроводниковый свет

GB/T 31358-2015 Общие характеристики полупроводниковых лазеров
GB/T 15167-1994 Общие характеристики источника света полупроводниковых лазеров
GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров
GB/T 15529-1995 Пустая подробная спецификация для светодиодных цифровых дисплеев
GB/T 15649-1995 Бланк подробной спецификации полупроводниковых лазерных диодов
GB/T 29299-2012 Общие характеристики полупроводникового лазерного дальномера
GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
GB 15651.4-2017 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства Полупроводниковые лазеры
GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности

CZ-CSN, полупроводниковый свет

CSN 35 8851-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Номенклатура, определения и буквенные обозначения параметров
CSN 35 8804-1985 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для широко используемой техники. Основные Характеристики
CSN 35 8804 Za-1989 ревизия а. 8/1989 Чешский национальный стандарт 35 8804*/СТ СЭВ 3992-83 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные для аппаратуры. Общие технические условия

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, полупроводниковый свет

GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, полупроводниковый свет

DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип

Professional Standard - Post and Telecommunication, полупроводниковый свет

YD/T 2001.2-2011 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
YD/T 2001.1-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1: Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода
YD/T 1687.1-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 1:2,5 Гбит/с, охлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
YD/T 1687.2-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 2: 2,5 Гбит/с, неохлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией

Danish Standards Foundation, полупроводниковый свет

DS/EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
DS/EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.

ES-UNE, полупроводниковый свет

UNE-EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (одобрено AENOR в июне 2009 г.)
UNE-EN 62149-8:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 8. Устройства оптических усилителей на отражающих полупроводниках (одобрено AENOR в августе 2014 г.)
UNE-EN 62149-9:2014 Волоконно-оптические активные компоненты и устройства. Стандарты производительности. Часть 9. Приемопередатчики оптических усилителей на основе отражающих полупроводниковых усилителей (одобрено AENOR в октябре 2014 г.)
UNE-EN 62007-1:2015/A1:2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для волоконно-оптических систем. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик (одобрен Испанской ассоциацией нормализации в декабре 2022 г.).
UNE-EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик (одобрен AENOR в августе 2015 г.).
UNE-EN 61207-7:2013 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы (одобрено AENOR в январе 2014 г.)
UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы (одобрено AENOR в сентябре 2015 г.)

IET - Institution of Engineering and Technology, полупроводниковый свет

DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998 Полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью

工业和信息化部, полупроводниковый свет

SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов

Professional Standard - Medicine, полупроводниковый свет

YY 1289-2016 Оборудование для лазерной терапии Аппарат для офтальмологической диодной лазерной фотокоагуляции
YY 0845-2011 Лазерное терапевтическое оборудование.Диодное лазерное оборудование для фотодинамической терапии

Lithuanian Standards Office , полупроводниковый свет

LST EN 62007-2-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009).
LST EN 62007-1-2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик (IEC 62007-1:2015).

International Organization for Standardization (ISO), полупроводниковый свет

ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования.
ISO 17915:2018 Оптика и фотоника - Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
ISO 14605:2013 Тонкая керамика (современная керамика, передовая техническая керамика). Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.
ISO 13125:2013 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противогрибковой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 19635:2016 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод испытания противоводорослевой активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 27447:2019 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
ISO 27447:2009 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика) - Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.

KR-KS, полупроводниковый свет

KS L ISO 10677-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник ультрафиолетового света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 27447-2023 Тонкая керамика (высокотехнологичная керамика, усовершенствованная техническая керамика). Метод определения антибактериальной активности полупроводниковых фотокаталитических материалов.
KS L ISO 14605-2023 Тонкая керамика (современная керамика, усовершенствованная техническая керамика) — источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых в условиях внутреннего освещения.

国家药监局, полупроводниковый свет

YY/T 1751-2020 Оборудование для лазерной терапии, полупроводниковый лазер, инструмент для интраназальной лучевой терапии

American National Standards Institute （ANSI), полупроводниковый свет

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров

Defense Logistics Agency, полупроводниковый свет

DLA SMD-5962-96895-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИКМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ОПТИЧЕСКИЙ/МЕДНЫЙ ИНТЕРФЕЙС ПЕРЕДАЧИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-96896-1997 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, БИКМОП, ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ОПТИЧЕСКИЙ/МЕДНЫЙ ИНТЕРФЕЙС ПРИЕМНИКА, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ

RO-ASRO, полупроводниковый свет

STAS 12258/7-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУКОНДИКАТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА ФОТОЭЛЕМЕНТЫ Терминология и необходимая ясность! эристика
STAS 12258/3-1985 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ФОТОТРАНЗИСТОРЫ Терминология и существенные характеристики.
STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, полупроводниковый свет

GB/T 15651.4-2017 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, полупроводниковый свет

CNS 13805-1997 Метод измерения фотолюминесценции полупроводниковых пластин оптоэлектроники

(U.S.) Telecommunications Industries Association , полупроводниковый свет

TIA-455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров
TIA-455-128-1996(2014) Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, полупроводниковый свет

DB13/T 5120-2019 Спецификации для испытаний на постоянном токе полупроводниковых лазерных чипов FP и DFB для оптической связи

未注明发布机构, полупроводниковый свет

BS EN 61207-7:2013(2015) Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы.