ZH
EN
ES

Полупроводниковый легкий агент

Полупроводниковый легкий агент, Всего: 499 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Полупроводниковый легкий агент, являются: Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Медицинское оборудование, Полупроводниковые приборы, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Оптика и оптические измерения, Оптоволоконная связь, Применение информационных технологий, Электронные компоненты в целом, Уплотнения, сальники, Полупроводниковые материалы, Электрические аксессуары, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Словари, Аналитическая химия, Экологические испытания, Керамика, Самолеты и космические аппараты в целом, Изоляционные жидкости, Кухонная утварь, Продукция химической промышленности, Неорганические химикаты, Материалы для аэрокосмического строительства, Измерение силы, веса и давления, Терминология (принципы и координация), Изоляционные материалы, Измерения радиации, Лампы и сопутствующее оборудование, Графические символы, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Условия и процедуры испытаний в целом, Атомная энергетика, Изделия цветных металлов.

British Standards Institution (BSI), Полупроводниковый легкий агент

BS IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы - Оптоэлектронные приборы. Полупроводниковые лазеры
BS IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы - Дискретные приборы - Оптоэлектронные приборы - Полупроводниковые лазеры
19/30404095 DC БС ЕН МЭК 60747-5-4. Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
23/30473272 DC BS IEC 60747-5-4 AMD 1. Приборы полупроводниковые. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры
BS EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Фотопары
BS IEC 60747-14-5:2010 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики - Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом
BS EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
BS EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Методы измерения
PD IEC TR 61292-9:2023 Отслеживаемые изменения. Оптические усилители. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
BS IEC 60747-14-4:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Полупроводниковые акселерометры
BS IEC 60747-14-2:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Элементы Холла.
BS IEC 60747-14-2:2000 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Элементы Холла.
BS IEC 60747-14-3:2009 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые датчики - Датчики давления
BS ISO 17915:2018 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования
BS EN 62779-1:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Общие требования
BS EN 60747-5-5:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Оптоэлектронные устройства. Фотопары
BS EN 60747-15:2004 Дискретные полупроводниковые приборы. Изолированные силовые полупроводниковые приборы
BS IEC 60747-14-1:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Общие сведения и классификация. Общие сведения о датчиках и классификация полупроводниковых датчиков.
BS IEC 60747-6:2000 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы - Тиристоры
BS IEC 60747-6:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы - Тиристоры
BS EN 62007-1:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Основные номиналы и характеристики
BS IEC 60747-18-4:2023 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые биосенсоры. Методика оценки шумовых характеристик безлинзовых КМОП-матриц фотонных датчиков
BS IEC 60747-14-1:2010 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые датчики. Общая спецификация датчиков.
BS EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Изолированные силовые полупроводниковые приборы
BS IEC 62779-4:2020 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека — капсульный эндоскоп
BS IEC 60747-18-2:2020 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Процесс оценки безлинзовых модулей фотонного матричного датчика КМОП
BS IEC 60747-18-5:2023 Полупроводниковые приборы - Полупроводниковые биосенсоры. Метод оценки характеристик светочувствительности безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП по углу падения света
BS IEC 62951-4:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Оценка усталости гибкой проводящей тонкой пленки на подложке гибких полупроводниковых устройств.
BS EN 61207-7:2014 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
BS EN 61207-7:2013 Выражение производительности газоанализаторов. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
BS EN 62779-2:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Характеристика сопряженных характеристик
BS IEC 60747-1:2006+A1:2010 Полупроводниковые приборы – Общие сведения
PD IEC TR 60747-5-12:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания эффективности светодиодов
PD IEC/TR 63133:2017 Полупроводниковые приборы. Оценка уровня старения полупроводниковых приборов на основе сканирования
BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
BS EN IEC 63287-1:2021 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников — Рекомендации по квалификации надежности ИС
BS IEC 60747-5-1:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Общий
BS EN 60747-5-1:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Общий
BS EN 60747-5-1:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Общие сведения.
BS EN 62779-3:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Функциональный тип и условия его эксплуатации
18/30363340 DC БС МЭК 62779-4. Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 4. Полупроводниковый интерфейс для капсульной эндоскопии с использованием связи с телом человека
BS IEC 60747-18-3:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Характеристики потока жидкости безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП с жидкостной системой
BS IEC 60747-18-1:2019 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые биосенсоры. Метод испытаний и анализ данных для калибровки безлинзовых фотонных матриц КМОП
BS IEC 62951-7:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растягивающиеся полупроводниковые устройства. Метод испытаний для определения барьерных характеристик тонкопленочной герметизации гибких органических полупроводников.
BS IEC 60747-5-8:2019 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды. Метод испытания оптоэлектронной эффективности светодиодов
13/30264596 DC БС ЕН 60747-14-7. Полупроводниковые приборы. Часть 14-7. Полупроводниковый датчик. Расходомер
18/30350443 DC БС ЕН 60747-5-5. Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары
19/30392174 DC БС ЕН 60747-5-6. Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светодиоды
BS IEC 60747-8-4:2004 Дискретные полупроводниковые устройства. Металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы (МОП-транзисторы) для переключения мощности.
BS EN IEC 62969-1:2018 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для автомобильной техники. Общие требования к интерфейсу питания автомобильных датчиков
PD IEC TR 63378-1:2021 Термическая стандартизация полупроводниковых корпусов. Термическое сопротивление и термические параметры полупроводниковых корпусов типа BGA, QFP
BS IEC 60747-5-3:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Методы измерения
BS EN 60747-5-3:1998 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные устройства. Методы измерения
BS EN 60747-5-3:2001 Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные схемы. Оптоэлектронные приборы. Методы измерений.
BS EN 60749-18:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
BS EN 62007-1:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации с указанием основных номиналов и характеристик.
BS EN 62007-1:2015 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Шаблон спецификации для основных номиналов и характеристик
BS IEC 60748-11:2000 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Спецификация разделов полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.
BS IEC 60748-11:1991 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Спецификация по секциям полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем
BS 3934-1:1992 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Рекомендации по составлению чертежей полупроводниковых приборов.
BS IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
13/30264591 DC БС ЕН 60747-14-6. Полупроводниковые приборы. Часть 14-6. Полупроводниковый датчик. Датчик влажности
BS IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Полупроводниковый легкий агент

GJB 33/16-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация на полупроводниковый фототранзистор типа 3ДУ32.
GJB 33/17-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводниковой фотопары типа ГО11
GJB/Z 41.3-1993 Военные полупроводниковые дискретные устройства, спектральные полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 33/18-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Подробная спецификация двунаправленного аналогового переключателя полупроводниковой фотопары типа GO417.
GJB 8121-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
GJB 8120-2013 Общие технические условия на полупроводниковый оптоэлектронный модуль
GJB 3519-1999 Общие характеристики полупроводниковых лазерных диодов
GJB 33/15-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация полупроводникового инфракрасного диода типа ВТ401.
GJB 8119-2013 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные устройства
GJB 2146A-2011 Общие технические условия на полупроводниковые светодиодные приборы
GJB 8190-2015 Общие технические условия на полупроводниковые твердотельные источники света для наружного освещения самолетов
GJB 33/20-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302.
GJB 33/22-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа ГО103
GJB 33/21-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация копировального аппарата серии GD310A
GJB 33/23-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH3201Z-4
GJB 33/19-2011 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор. Детальная спецификация фотопары типа GH302-4
GJB 5018-2001 Общие требования к проверке и приемке полупроводниковых оптоэлектронных приборов
GJB 762.2-1989 Метод испытания на радиационную стойкость полупроводниковых устройств, испытание на облучение полной дозой гамма-излучения

International Electrotechnical Commission (IEC), Полупроводниковый легкий агент

IEC 60747-5-4:2022 Полупроводниковые приборы. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC 60747-5-4:2006 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
IEC TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 RLV Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC TR 61292-9:2023 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA)
IEC 60747-14-5:2010 Полупроводниковые приборы. Часть 14-5. Полупроводниковые датчики. Полупроводниковый датчик температуры с PN-переходом.
IEC 60747-5-7:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-7. Оптоэлектронные приборы. Фотодиоды и фототранзисторы.
IEC 60747-5-6:2016 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-6:2021 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-14-2:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 14-2. Полупроводниковые датчики; Элементы зала
IEC 62007-2:1997 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 60747-5-6:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные приборы. Светодиоды.
IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
IEC 60747-14-1:2000 Полупроводниковые приборы. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики; Общие сведения и классификация
IEC 60747-14-4:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 14-4. Полупроводниковые акселерометры.
IEC 60747-14-3:2001 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3. Полупроводниковые датчики; Датчики давления
IEC 60747-15:2003 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
IEC 60747-14-3:2009 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3. Полупроводниковые датчики. Датчики давления.
IEC 62779-4:2020 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 4. Капсульный эндоскоп.
IEC 62951-4:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 4. Оценка усталости гибкой проводящей тонкой пленки на подложке для гибких полупроводниковых приборов.
IEC 62007-2:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 60747-18-2:2020 Полупроводниковые устройства. Часть 18-2. Полупроводниковые биосенсоры. Процесс оценки безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП-датчиков
IEC 60747-14-1:2010 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
IEC 60747-15:2010 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
IEC 60747-5-5:2007/AMD1:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
IEC 60747-5-5:2013 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства.Часть 5-5: Оптоэлектронные устройства.Фотопары.
IEC 60191-1:1966 Механическая стандартизация полупроводниковых приборов. Часть 1: Подготовка чертежей полупроводниковых приборов.
IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
IEC 60747-18-4:2023 Полупроводниковые приборы. Часть 18-4. Полупроводниковые биосенсоры. Метод оценки шумовых характеристик безлинзовых КМОП-датчиков с фотонной матрицей
IEC 60747-18-5:2023 Полупроводниковые устройства. Часть 18-5. Полупроводниковые биосенсоры. Метод оценки характеристик светочувствительности безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП по углу падения света
IEC 62007-2/AMD1:1998 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения; Поправка 1
IEC 62007-1:1999 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 1. Основные номинальные характеристики и характеристики.
IEC 60747-5-5:2007 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
IEC 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
IEC 61207-7:2013 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы
IEC 62779-3:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 3. Функциональный тип и условия его эксплуатации.
IEC 60747-18-1:2019 Полупроводниковые устройства. Часть 18-1. Полупроводниковые биосенсоры. Метод испытаний и анализ данных для калибровки безлинзовых КМОП-датчиков с фотонной матрицей
IEC 60747-5-5:2007+AMD1:2013 CSV Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
IEC 63287-1:2021 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников. Часть 1. Рекомендации по квалификации надежности ИС.
IEC 60747-18-3:2019 Полупроводниковые устройства. Часть 18-3. Полупроводниковые биосенсоры. Характеристики потока жидкости безлинзовых модулей фотонных матриц КМОП с жидкостной системой

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

GB/T 15167-1994 Общие характеристики источника света полупроводниковых лазеров
GB/T 31358-2015 Общие характеристики полупроводниковых лазеров
GB 15651.4-2017 Полупроводниковые приборы Дискретные устройства Часть 5-4: Оптоэлектронные устройства Полупроводниковые лазеры
GB/T 31359-2015 Методы испытаний полупроводниковых лазеров
GB 12565-1990 Секционные спецификации для полупроводниковых приборов и оптоэлектронных устройств
GB/T 15529-1995 Пустая подробная спецификация для светодиодных цифровых дисплеев
GB/T 15649-1995 Бланк подробной спецификации полупроводниковых лазерных диодов
GB/T 29299-2012 Общие характеристики полупроводникового лазерного дальномера
GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
GB/T 15651.6-2023 Полупроводниковые приборы. Часть 5-6. Оптоэлектронные устройства. Светоизлучающие диоды.
GB/T 3859.2-1993 Полупроводниковые преобразователи.Руководство по применению
GB/T 14264-1993 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 14264-2009 Полупроводниковые материалы. Термины и определения
GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности
GB/T 21548-2008 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи
GB/T 20522-2006 Полупроводниковые приборы. Часть 14-3: Полупроводниковые датчики. Датчики давления
GB/T 20521-2006 Полупроводниковые приборы. Часть 14-1: Полупроводниковые датчики. Общие сведения и классификация
GB/T 29856-2013 Характеристика полупроводниковых одностенных углеродных нанотрубок с использованием ближней инфракрасной фотолюминесцентной спектроскопии
GB/T 36359-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
GB/T 36360-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на светодиоды средней мощности.
GB/T 12565-1990 Полупроводниковые приборы. Технические характеристики оптоэлектронных устройств.
GB/T 31469-2015 Смазочно-охлаждающая жидкость для полупроводниковых материалов
GB/T 8750-1997 Золотая проволока для свинцового соединения полупроводниковых приборов
GB/T 15872-1995 Интерфейс питания полупроводникового оборудования
GB/T 7678-1987 Полупроводниковые самокоммутирующие преобразователи
GB/T 15872-2013 Интерфейс питания полупроводникового оборудования
GB/T 3859.4-2004 Полупроводниковый преобразователь. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.
GB/T 11685-2003 Процедуры измерений для полупроводниковой системы детектора рентгеновского излучения и полупроводниковых энергетических спектрометров рентгеновского излучения
GB/T 8750-2014 Золотая проволока для полупроводниковых корпусов
GB 10292-1988 Полупроводниковое выпрямительное оборудование для телекоммуникаций

Group Standards of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

T/CASME 698-2023 Аппарат полупроводниковой лазерной терапии
T/JGXH 008-2020 Твердотельный лазер с диодной накачкой
T/QGCML 2041-2023
T/QGCML 1407-2023 Уплотнительное устройство с двойным рукавом для производства полупроводниковых фотоэлектрических систем
T/CZSBDTHYXH 001-2023 Дефекты пластин Автоматическое оборудование для оптического контроля
T/JSXH 0002-2020 Решение для регенерации полупроводников
T/CASAS 002-2021 Терминология для широкозонных полупроводников.
T/CEMIA 030-2022 Проявитель позитивного резиста для полупроводников

Jilin Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

DB22/T 2725-2017 Полупроводниковый лазер с волоконной решеткой 980 нм

RU-GOST R, Полупроводниковый легкий агент

GOST 24458-1980 Полупроводниковые оптоэлектронные развязки. Основные параметры
GOST R 50471-1993 Полупроводниковые фотоэмиттеры. Метод измерения угла половинной интенсивности
GOST 27299-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Термины, определения и буквенные обозначения параметров
GOST R 59605-2021 Оптика и фотоника. Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы. Фотоэлектрические и фотоприемные устройства. Понятия и определения
GOST 17704-1972 Полупроводниковые приборы. Фотоэлектрические приёмники лучистой энергии. Классификация и обозначения систем
GOST 21934-1983 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Понятия и определения
GOST 20766-1975 Полупроводниковые спектрометрические детекторы ионизирующего излучения. Типы и основные параметры
GOST R 57439-2017 Полупроводниковые приборы. Основные размеры
GOST 11630-1984 Полупроводниковые приборы. Общая спецификация
GOST 18472-1988 Полупроводниковые приборы. Основные размеры
GOST R IEC 61674-2006 Медицинское электрооборудование. Дозиметры с ионизационными камерами и/или полупроводниковыми детекторами, используемые в рентгеновской диагностике.
GOST 17772-1988 Полупроводниковые фотоэлектрические детекторы и приемные фотоэлектрические устройства. Методы измерения фотоэлектрических параметров и определения характеристик

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Полупроводниковый легкий агент

GB/T 15651.4-2017 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-4. Оптоэлектронные устройства. Полупроводниковые лазеры.
GB/T 34971-2017 Руководство по обращению с газообразными выбросами в полупроводниковой промышленности
GB/T 36005-2018 Методы измерения оптической радиационной безопасности полупроводниковых осветительных приборов и систем

Professional Standard - Electron, Полупроводниковый легкий агент

SJ 50033/109-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация полупроводниковых лазерных диодов типов GJ9031T и GJ9032T и GJ9034T.
SJ/T 11397-2009 Люминофоры для светодиодов
SJ 20642-1997 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Общие технические условия
SJ 20786-2000 Общие технические условия на полупроводниковые оптоэлектронные сборки
SJ 2218-1982 Полупроводниковые фотопары в диодном режиме
SJ 2219-1982 Полупроводниковые фотопары в транзисторном режиме
SJ 20072-1992 Подробная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH24, GH25 и GH26.
SJ 2220-1982 Полупроводниковые фотопары в режиме транзистора Дарлингтона
SJ 2558-1984 Подробная спецификация полупроводниковых светоизлучающих цифровых дисплеев типа SM1~18.
SJ 2684-1986 Физические размеры светоизлучающего устройства из полупроводника
SJ/T 2215-2015 Методы измерения полупроводниковых фотопар
SJ 2247-1982 Контурные размеры полупроводниковых оптоэлектронных приборов
SJ 2749-1987 Метод измерения полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2750-1987 Габаритные размеры полупроводниковых лазерных диодов
SJ 2214.1-1982 Общие методики измерений полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 11394-2009 Методы измерения полупроводниковых светодиодов
SJ/T 2214-2015 Методы измерения полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ/T 11856.3-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 3. Полупроводниковые лазерные чипы с модуляцией электрического поглощения для источников света
SJ 2355.1-1983 Общие методики измерений светоизлучающих устройств
SJ 2215.1-1982 Общие процедуры измерения полупроводниковых фотопар
SJ/T 11856.2-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 2. Полупроводниковые лазерные чипы с вертикальным резонатором для источников света.
SJ 50033.40-1994 Подробная спецификация полупроводникового кремниевого NPN фототранзистора типа GT11
SJ 50033/4-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые красные светодиоды типа ГФ 111 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/6-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые светло-зеленые типа ГФ 411 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/5-1994 Прибор полупроводниковый дискретный. Детальная спецификация на диоды полупроводниковые желтые светодиоды типа ГФ 311 классов ГП и ГТ.
SJ 50033/3-1994 Полупроводниковые дискретные устройства. Детальная спецификация полупроводниковых оптопар типа GH21, GH22 и GH23 классов GP, GT и GCT.
SJ 2214.10-1982 Метод измерения светового тока полупроводниковых фотодиодов и фототранзисторов
SJ 20642.5-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH82
SJ 20642.4-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Подробная спецификация оптопар типа GH81
SJ 20642.6-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптопар типа GH83
SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи
SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 11401-2009 Серийная программа для полупроводниковых светодиодов
SJ 50033/111-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Спецификация Delail для фототранзистора Si типа GT16.NPN
SJ 2355.5-1983 Метод измерения силы света и угла половинной силы света светоизлучающих устройств
SJ/Z 3206.13-1989 Общие правила анализа спектра излучения полупроводниковых материалов
SJ 50033/101-1995 Подробная спецификация полупроводниковых лазерных диодных модулей типа GJ1325
SJ 50033/35-1994 Подробная спецификация полупроводниковой высокоскоростной оптопары типа GH30
SJ 2355.7-1983 Метод измерения пиковой длины волны излучения и спектральной полосы пропускания излучения светоизлучающих устройств
SJ/T 11856.1-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 1. Источник света Фабри-Перо и полупроводниковые лазерные чипы с распределенной обратной связью.
SJ 50033/112-1996 Оптоэлектронные устройства Scmiconductor. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3251Y
SJ 2355.6-1983 Метод измерения светового потока светоизлучающих устройств
SJ 50033/113-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация фотодиодов типа GD3252Y
SJ 2433-1984 Клеевой лист для полупроводниковых трубок
SJ 2214.3-1982 Метод измерения темнового тока полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.5-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.8-1982 Метод измерения напряжения темнового тока полупроводниковых фототранзисторов
SJ 2658.1-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Общие правила
SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
SJ 20642.3-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD83
SJ 20644.1-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD3550Y
SJ 20644.2-2001 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация PIN-фотодиода типа GD101
SJ 20642.2-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD82
SJ 20744-1999 Общие правила спектрального анализа инфракрасного поглощения на концентрацию примесей в полупроводниковых материалах
SJ/T 11395-2009 Терминология полупроводникового освещения
SJ 2214.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотодиодов
SJ 2214.7-1982 Метод измерения напряжения насыщения полупроводниковых фототранзисторов
SJ 20957-2006 Общие спецификации для массива полупроводниковых лазерных диодов большой мощности
SJ 20786.1-2002 Полупроводниковая фотоэлектрическая сборка Детальная спецификация миниатюрного дуплексного фотоэлектрического прицела типа CBGS 2301
SJ 50033/136-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на красный светодиод типа ГФ116
SJ 50033/143-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация красного диода типа GF1120.
SJ 50033/137-1997 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на светодиод оранжево-красный светодиод типа ГФ216
SJ 20642.1-1998 Полупроводниковый оптоэлектронный модуль Детальная спецификация оптоприемного модуля PIN-FET типа GD81
SJ/T 11405-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
SJ 50033/139-1998 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация на зеленый светодиод типа ГФ4111
SJ 50033/138-1998 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Детальная спецификация на светодиод желтый типа ГФ318
SJ 50033/58-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация зеленого светодиода типа GF413
SJ/T 11393-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
SJ 50033/142-1999 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация зеленого диода типа GF4112.
SJ 50033/57-1995 Полупроводниковый оптоэлектронный прибор Детальная спецификация красного светодиода типа GF115
SJ/T 11866-2022 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Подробные характеристики кремниевых подложек мощных светодиодов белого света.
SJ/T 11400-2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Бланк спецификации на светодиоды малой мощности.
SJ 2215.6-1982 Метод измерения емкости перехода полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.8-1982 Метод измерения выходного напряжения насыщения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ/T 10414-2015 Припой для полупроводниковых приборов
SJ/T 10414-1993 Припой для полупроводниковых приборов
SJ/T 10535-1994 Вольфрамовая лодочка для полупроводниковых приборов
SJ 50033/99-1995 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Подробная спецификация двухцветного светодиода o/G для типа GF511.
SJ 20642.7-2000 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы Детальная спецификация светодиодного модуля типа GR1325J
SJ/T 11817-2022 Бланк рабочей спецификации на светодиоды для полупроводниковых оптоэлектронных приборов, ламп накаливания
SJ 2658.12-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения пиковой длины волны излучения и полуширины спектра
SJ 2215.14-1982 Метод измерения напряжения изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 2215.3-1982 Метод измерения прямого тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2214.4-1982 Метод измерения напряжения обратного пробоя полупроводниковых фотодиодов
SJ 2215.4-1982 Метод измерения обратного тока полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.10-1982 Метод измерения коэффициента передачи постоянного тока полупроводниковых фотопар
SJ 2215.12-1982 Метод измерения входной-выходной емкости полупроводниковых фотопар
SJ 50033/114-1996 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Детальная спецификация позиционно-чувствительного детектора типа GD3283Y
SJ 2215.2-1982 Метод измерения прямого напряжения полупроводниковых фотопар (диодов)
SJ 2215.13-1982 Метод измерения сопротивления изоляции вход-выход полупроводниковых фотопар
SJ 2355.4-1983 Методы измерения емкости перехода светоизлучающих устройств
SJ/Z 9021.1-1987 Механическая стандартизация полупроводниковых компонентов. Часть 1. Подготовка чертежей полупроводниковых компонентов.
SJ 2658.6-1986 Методы измерения полупроводниковых инфракрасных диодов Методы измерения выходной оптической мощности
SJ 2355.3-1983 Метод измерения обратного тока светоизлучающих устройств
SJ 2355.2-1983 Метод измерения прямого падения напряжения светоизлучающих устройств
SJ 50033/140-1999 Полупроводниковые дискретные устройства Подробная спецификация кремниевого импульсного силового СВЧ-транзистора типа 3DA502

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

CNS 13805-1997 Метод измерения фотолюминесценции полупроводниковых пластин оптоэлектроники
CNS 7011-1981 Нумерация электродов в многоэлектродных полупроводниковых приборах и обозначение блоков в многоблочных полупроводниковых приборах

HU-MSZT, Полупроводниковый легкий агент

MSZ 700/27.lap-1962 Определение тестовой вспышки STMicroelectronics
MSZ 9200/18-1980 Электронные сигналы. полупроводник
MNOSZ 700-16.lap-1955 Обнаружение содержания никеля в полупроводниках
MNOSZ 700-19.lap-1955 Содержание поля ST
MNOSZ 700-18.lap-1956 Обнаружение содержания хлора в полупроводниках
MSZ 700/23.lap-1965 STMicroelectronics тестирует кокс
MSZ 700/24.lap-1965 STMicroelectronics: испытание кокса
MSZ 700/36.lap-1961 Испытание полупроводников в угольной шахте
MSZ 771/5-1979 Механические свойства полупроводниковых материалов

IET - Institution of Engineering and Technology, Полупроводниковый легкий агент

DISTRB FEEDB SEMI LAS-1998 Полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью
HIST WLD SEMI IND-1990 История мировой полупроводниковой промышленности

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Полупроводниковый легкий агент

KS C 6942-1999 Общие правила использования лазерных диодных модулей для оптоволоконной передачи
KS C 6943-1999 Методы испытаний лазерных модулей волоконно-оптической передачи данных
KS C IEC 62007-2:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения.
KS C IEC 60747-5:2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5. Оптоэлектронные устройства.
KS C IEC 60747-14-1:2003 Полупроводниковые приборы. Часть 14. 1. Полупроводниковые датчики. Общие сведения и классификация.
KS C IEC 60747-14-1:2021 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
KS C IEC 62007-2-2003(2018) Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения
KS C IEC 60747-14-1:2019 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
KS C 7013-1971(2000) СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЯ ТИПА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
KS C 7013-1985 СИСТЕМА ОБОЗНАЧЕНИЯ ТИПА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
KS C IEC 62007-1:2003 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах? Часть 1: Основные параметры и характеристики

Professional Standard - Medicine, Полупроводниковый легкий агент

YY 1289-2016 Оборудование для лазерной терапии Аппарат для офтальмологической диодной лазерной фотокоагуляции
YY 0845-2011 Лазерное терапевтическое оборудование.Диодное лазерное оборудование для фотодинамической терапии
YY/T 0998-2015 Полупроводниковое нагревательное и/или охлаждающее терапевтическое оборудование

CZ-CSN, Полупроводниковый легкий агент

CSN 35 8701-1975 Терминология полупроводников и полупроводниковых приборов
CSN 35 8761-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы фотодиоды. Измерение фотоэлектрического тока
CSN 35 8762-1973 Полупроводниковые приборы. Фототранзисторы, фотодиоды. Измерение темнового тока
CSN 35 8701 Z1-1997 Именование полупроводников
CSN 35 8720 Cast.1-1987 Полупроводниковые приборы. Размеры
CSN 35 1531-1973 Кремниевые полупроводниковые выпрямители
CSN 35 1530-1979 Силовые полупроводниковые преобразователи
CSN 35 8754-1973 Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Измерение допуска короткого замыкания на выходе
CSN 01 3347-1989 Графические символы полупроводниковых приборов
CSN 34 5910-1986 Золотая проволока для полупроводниковых приборов
CSN 01 3368-1990 Графические символы полупроводниковых приборов
CSN 35 8851-1987 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства. Номенклатура, определения и буквенные обозначения параметров
CSN 35 8804-1985 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для широко используемой техники. Основные Характеристики
CSN 35 1540-1979 Испытания силовых полупроводниковых преобразователей
CSN 35 8710-1975 Буквенные обозначения полупроводниковых приборов
CSN 35 1560-1969 Силовые полупроводниковые выпрямители

Defense Logistics Agency, Полупроводниковый легкий агент

DLA MIL-PRF-19500/210 B NOTICE 1-1999 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР, ТРАНЗИСТОР, NPN, КРЕМНИЙ, ФОТО ТИПА 2N986
DLA MIL-PRF-19500/467 A-2008 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ, ТИП 1N5765 ЯНВАРЬ И TX
DLA MIL-DTL-19491 H-2002 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, УПАКОВКА
DLA DESC-DWG-84002-1984 РАДИАТОРЫ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
DLA MIL-PRF-19500 N-2005 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ОБЩАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ
DLA MIL-S-19500/529 VALID NOTICE 4-2011 Полупроводниковый прибор, транзистор, кремниевый тип 2N3904
DLA QML-19500-31-2007 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ОБЩАЯ СПЕЦИФИКАЦИЯ
DLA QML-19500-QPD-2010 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA QML-19500-QPD-2011 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA QML-19500-2011 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA QML-19500-QPD-2012 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA QML-19500-2012 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA QML-19500-2013 Полупроводниковые приборы. Общие технические характеристики
DLA MIL-S-19500/216 A VALID NOTICE 3-2004 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР ТРАНЗИСТОР NPN КРЕМНИЕВОГО ТИПА 2N1051
DLA MIL-S-19500/273 A VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковый прибор транзисторного типа 2N744
DLA MIL-S-19500/303 VALID NOTICE 3-2011 Полупроводниковые приборы, транзисторы типов 2N2631 и 2N2876
DLA DSCC-DWG-91011 REV B-2003 ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО, ДИОД, УЛЬТРА БЫСТРЫЙ

工业和信息化部, Полупроводниковый легкий агент

SJ/T 2749-2016 Методы испытаний полупроводниковых лазерных диодов
QB/T 5369-2019 полупроводниковый холодильный прибор
SJ/T 11586-2016 Метод испытания общей дозы рентгеновского излучения низкой энергии 10 кэВ для полупроводниковых приборов
SJ/T 11577-2016 Руководство по применению SJ/T 11394-2009 «Методы испытаний полупроводниковых светодиодов»

RO-ASRO, Полупроводниковый легкий агент

STAS 12258/3-1985 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ФОТОТРАНЗИСТОРЫ Терминология и существенные характеристики.
STAS 12258/7-1987 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУКОНДИКАТОРНЫЕ УСТРОЙСТВА ФОТОЭЛЕМЕНТЫ Терминология и необходимая ясность! эристика
STAS 12258/2-1984 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ПИОТОДИОДЫ Терминология и суть] Характеристики
STAS 12258/4-1986 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы СВЕТОДИОДЫ Терминология и основные характеристики
STAS 12258/5-1986 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ДИСПЛЕИ Терминология и существенные характеристики
STAS 12258/1-1984 ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Общая терминология и номенклатура общих основных параметров
STAS 1590/10-1974 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ Графические обозначения
STAS 6360-1974 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ И ПРИБОРЫ Терминология

International Organization for Standardization (ISO), Полупроводниковый легкий агент

ISO/TS 17915:2013 Оптика и фотоника. Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования.
ISO 17915:2018 Оптика и фотоника - Метод измерения полупроводниковых лазеров для зондирования

Association Francaise de Normalisation, Полупроводниковый легкий агент

NF C86-503:1986 Полупроводниковые приборы. Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов. Фототранзисторы, фототранзисторы фотодарлингтона и фототранзисторы. Спецификация пустой детали CECC 20 003.
NF C96-005-5*NF EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5: Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF C93-801-2*NF EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.
NF C96-015:2005 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
NF C96-779-1*NF EN 62779-1:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 1. Общие требования.
NF ISO 10677:2011 Техническая керамика - источники УФ-излучения для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов
NF EN 60747-15:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные полупроводниковые силовые устройства.
NF C53-221:1980 Полупроводниковые самокоммутирующиеся преобразователи.
NF C96-015*NF EN 60747-15:2013 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
NF C96-005-5/A1*NF EN 60747-5-5/A1:2015 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF C96-005-5*NF EN 60747-5-5:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
NF EN 62007-2:2009 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения
XP CEN/TS 16599:2014 Фотокатализ - определение условий облучения для проверки фотокаталитических свойств полупроводниковых материалов.
NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания движущихся ионов металлооксидно-полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
NF EN 62779-1:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи через тело человека. Часть 1. Общие требования.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
NF C96-779-2*NF EN 62779-2:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 2. Характеристика характеристик интерфейса.
NF C46-251-7*NF EN 61207-7:2014 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7: перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы.
NF C96-779-3*NF EN 62779-3:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 3. Функциональный тип и условия его эксплуатации.
NF EN 62779-2:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи через тело человека. Часть 2. Характеристика характеристик интерфейса.
NF ISO 14605:2013 Техническая керамика. Источники света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов в условиях внутреннего освещения.
NF C96-287-1*NF EN IEC 63287-1:2021 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников. Часть 1. Рекомендации по квалификации надежности ИС.
NF EN 61207-7:2014 Выражение характеристик газоанализатора. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы

Professional Standard - Post and Telecommunication, Полупроводниковый легкий агент

YD/T 701-1993 Метод испытаний сборки полупроводникового лазерного диода
YD/T 1687.1-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 1:2,5 Гбит/с, охлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
YD/T 1687.2-2007 Технические требования к высокоскоростному полупроводниковому лазеру для оптоволоконной связи, часть 2: 2,5 Гбит/с, неохлаждаемый полупроводниковый лазер с прямой модуляцией
YD/T 2001.2-2011 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: методы измерения.

NEMA - National Electrical Manufacturers Association, Полупроводниковый легкий агент

NEMA CB-4:1989 Полупроводниковый графит

National Fire Protection Association (NFPA), Полупроводниковый легкий агент

NFPA FPH SECTION 6-30-2003 Производство полупроводников

IEC - International Electrotechnical Commission, Полупроводниковый легкий агент

IEC TR 61292-9:2017 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (издание 2.0)
IEC 60146-2:1974 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Полупроводниковые самокоммутирующие преобразователи (издание 1.0)
IEC TR 63133:2017 Полупроводниковые устройства — оценка уровня старения полупроводниковых устройств на основе сканирования (Редакция 1.0)

YU-JUS, Полупроводниковый легкий агент

JUS N.R1.322-1979 Термины и определения полупроводниковых приборов. Тиристоры
JUS N.R1.520-1988 Сэмл?оудукторные устройства. Подготовка дренировок
JUS N.A3.500-1980 Полупроводниковые приборы. Графические символы
JUS A.A4.302-1990 Табличные схемы характеристик изделий для полупроводниковых диодов

German Institute for Standardization, Полупроводниковый легкий агент

DIN IEC 60747-11:1992 Полупроводниковые приборы; спецификация по сечениям полупроводниковых приборов; идентичен IEC 60747-11:1985
DIN 50455-2:1999 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Методы характеристики фоторезистов - Часть 2. Определение фоточувствительности позитивных фоторезистов
DIN 50455-1:2009 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Методы характеристики фоторезистов. Часть 1. Определение толщины покрытия оптическими методами.
DIN IEC/TR 61292-9:2013 Оптические усилители. Часть 9. Полупроводниковые оптические усилители (SOA) (IEC 86C/1109/CD:2013)
DIN EN 60747-15:2012-08 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы (IEC 60747-15:2010); Немецкая версия EN 60747-15:2012 / Примечание: DIN EN 60747-15 (2004-08) остается действительным наряду с этим стандартом до 20 января 2014 г.
DIN 5032-9:2015-01 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN 5032-9:2015 Фотометрия. Часть 9. Измерение фотометрических величин некогерентно излучающих полупроводниковых источников света
DIN EN 62417:2010-12 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 62007-2:2009-09 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (IEC 62007-2:2009); Немецкая версия EN 62007-2:2009 / Примечание: DIN EN 62007-2 (2001-06) остается действительным наряду с этим стандартом до 01 февраля 2012 г.
DIN EN 61207-7:2015-07 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы (IEC 61207-7:2013); Немецкая версия EN 61207-7:2013 / Примечание: Применяется в сочетании с DIN EN 61207-1 (2011-04).
DIN EN IEC 63287-1:2020-06 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников. Часть 1. Рекомендации по квалификации надежности БИС (IEC 47/2614/CDV:2020); Версия на немецком и английском языках согласно prEN IEC 63287-1:2020 / Примечание: Дата выпуска: 08.05.2020*Предназначено в качестве замены...

JP-JEITA, Полупроводниковый легкий агент

JEITA ED7500A-2-2006 Стандарт размеров полупроводниковых приборов (Дискретные полупроводниковые приборы)

American National Standards Institute （ANSI), Полупроводниковый легкий агент

ANSI/TIA/EIA 455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров
ANSI/EIA 370-B:1992 Полупроводниковые приборы, система обозначений

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Полупроводниковый легкий агент

EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
EN 62779-1:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 1. Общие требования
EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
EN 62779-2:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 2. Характеристика характеристик интерфейса.
EN 62779-3:2016 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 3. Функциональный тип и условия его эксплуатации.
EN IEC 63287-1:2021 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников. Часть 1. Рекомендации по квалификации надежности ИС.
EN 61207-7:2013 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы

ES-UNE, Полупроводниковый легкий агент

UNE-EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5–5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в октябре 2020 г.)
UNE-EN 60747-15:2012 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые устройства (одобрено AENOR в июне 2012 г.).
UNE-EN 62779-1:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 1. Общие требования (Одобрено AENOR в июле 2016 г.).
UNE-EN 60747-5-5:2011/A1:2015 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (одобрено AENOR в мае 2015 г.)
UNE-EN 60747-5-5:2011 Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (одобрено AENOR в мае 2011 г.)
UNE-EN 62417:2010 Полупроводниковые устройства. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (одобрено AENOR в сентябре 2010 г.).
UNE-EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения (одобрено AENOR в июне 2009 г.)
UNE-EN 62779-2:2016 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковый интерфейс для связи с телом человека. Часть 2. Характеристика характеристик интерфейса (одобрено AENOR в июле 2016 г.).
UNE-EN 61207-7:2013 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы (одобрено AENOR в январе 2014 г.)
UNE-EN 61207-7:2013/AC:2015 Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы (одобрено AENOR в сентябре 2015 г.)
UNE-EN IEC 63287-1:2021 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников. Часть 1. Рекомендации по квалификации надежности ИС (утверждены Испанской ассоциацией нормализации в ноябре 2021 г.).

国家药监局, Полупроводниковый легкий агент

YY/T 1751-2020 Оборудование для лазерной терапии, полупроводниковый лазер, инструмент для интраназальной лучевой терапии

IEEE - The Institute of Electrical and Electronics Engineers@ Inc., Полупроводниковый легкий агент

IEEE 256-1963 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
IEEE 59-1962 КОМПОНЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ВЫПРЯМИТЕЛЯ

SE-SIS, Полупроводниковый легкий агент

SIS SS CECC 20000-1983 Общая спецификация: Полупроводниковые оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства.
SIS SEN 01 03 51-1966 Полупроводниковые приборы Терминология
SIS SEN 01 03 51-1976 Полупроводниковые приборы Терминология
SIS SS-IEC 747:1991 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства.
SIS SS-IEC 748:1991 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы.
SIS SEN 01 26 51-1969 Символы электрических схем Полупроводники

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Полупроводниковый легкий агент

EN 62007-2:2000 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2: Методы измерения
EN 60747-15:2004 Дискретные полупроводниковые приборы. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.

American Society for Testing and Materials (ASTM), Полупроводниковый легкий агент

ASTM F1893-98(2003) Руководство по измерению мощности ионизирующей дозы выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1893-98 Руководство по измерению мощности ионизирующей дозы выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1893-18 Руководство по измерению живучести ионизирующей дозы и выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1892-12(2018) Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-06 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-04 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-98 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1893-11 Руководство по измерению живучести ионизирующей дозы и выгорания полупроводниковых приборов
ASTM F1892-12 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов

Professional Standard - Aerospace, Полупроводниковый легкий агент

QJ 10004-2008 Метод радиационного испытания полупроводниковых приборов космического назначения в полной дозе
QJ 2225-1992 Правила использования полупроводниковых приборов

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Полупроводниковый легкий агент

JIS R 1750:2012 Тонкая керамика. Источник света для тестирования полупроводниковых фотокаталитических материалов, используемых при внутреннем освещении.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Полупроводниковый легкий агент

GB/T 37031-2018 Терминология полупроводникового освещения
GB/T 36358-2018 Полупроводниковые оптоэлектронные приборы. Бланк спецификации на силовые светодиоды.
GB/T 39771.2-2021 Оптическая радиационная безопасность светодиодов. Часть 2. Методы измерения.
GB/T 21548-2021 Методы измерения быстродействующих полупроводниковых лазеров с прямой модуляцией для волоконно-оптических систем связи

BE-NBN, Полупроводниковый легкий агент

NBN C 95-001-1977 Полупроводниковое оборудование. термин
NBN C 95-001-1973 Полупроводниковые приборы. специализированная лексика

US-Unspecified Preparing Activity, Полупроводниковый легкий агент

DI-QCIC-80924 A-2006 СПЕЦИФИКАЦИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРОЦЕССА

Guangdong Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

DB44/T 1873-2016 полупроводниковый холодильный винный шкаф
DB44/T 1639.1-2015 Общие правила для полупроводникового освещения. Стандартные оптические компоненты. Часть 1. Иерархическое деление.

Danish Standards Foundation, Полупроводниковый легкий агент

DS/IEC 747-12:1993 Полупроводниковые приборы. Часть 12: Технические характеристики оптоэлектронных устройств.
DS/EN 60747-15:2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы.
DS/IEC 747-5:1986 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства и интегральные схемы. Часть 5: Оптоэлектронные устройства
DS/EN 60747-5-5:2011 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары.
DS/EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
DS/EN 62007-2:2009 Полупроводниковые оптоэлектронные устройства для применения в волоконно-оптических системах. Часть 2. Методы измерения.
DS/EN IEC 63287-1:2021 Полупроводниковые приборы. Общие рекомендации по квалификации полупроводников. Часть 1. Рекомендации по квалификации надежности ИС.

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Полупроводниковый легкий агент

TIA-455-128-1996 Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров
TIA-455-128-1996(2014) Методика определения порогового тока полупроводниковых лазеров

KR-KS, Полупроводниковый легкий агент

KS C IEC 60747-5-2020 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 5. Оптоэлектронные устройства.
KS C IEC 60747-14-1-2021 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.
KS C IEC 60747-14-1-2019 Полупроводниковые устройства. Часть 14-1. Полупроводниковые датчики. Общие спецификации датчиков.

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

DB13/T 5120-2019 Спецификации для испытаний на постоянном токе полупроводниковых лазерных чипов FP и DFB для оптической связи

IN-BIS, Полупроводниковый легкий агент

IS 12737-1988 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
IS 5001 Pt.1-1969 Руководство по рисованию полупроводниковых устройств
IS 4411-1967 Код названия полупроводникового устройства
IS 5001-1969 Руководство по рисованию полупроводниковых устройств
IS 1885 Pt.7/Sec.6-1984 Электрический словарь. Часть 7. Полупроводниковые устройства. Раздел 6. Оптоэлектронные устройства.

Underwriters Laboratories (UL), Полупроводниковый легкий агент

UL 1557-1993 Электрически изолированные полупроводниковые приборы
UL 1557-1997 Электрически изолированные полупроводниковые приборы
UL 1557-2006 Стандарт UL по безопасности электрически изолированных полупроводниковых устройств, четвертое издание; Перепечатка с изменениями до 26 июня 2006 г. включительно.
UL 1557-2011 Электрически изолированные полупроводниковые приборы

Professional Standard - Machinery, Полупроводниковый легкий агент

JB/T 5537-2006 Полупроводниковые датчики давления
JB/T 4277-1996 Упаковка силовых полупроводниковых деталей
JB/T 7059-1993 Руководство по подготовке стандарта на силовые полупроводниковые модули
JB/T 10096-2000 Рекомендации по выбору корпуса силового полупроводникового прибора
JB/T 10097-2000 Корпус для силового полупроводникового прибора

ESD - ESD ASSOCIATION, Полупроводниковый легкий агент

EP118-2007 Физика полупроводниковых приборов

Guizhou Provincial Standard of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

DB52/T 796-2013 Промышленный полупроводниковый электродетонатор
DB52/T 844-2013 Полупроводниковый регулятор тока

Association of German Mechanical Engineers, Полупроводниковый легкий агент

VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 Техническая спецификация на закупку - Эпоксидные герметики для полупроводниковых чипов

Standard Association of Australia （SAA）, Полупроводниковый легкий агент

AS 60146.2:2001/Amdt 1:2001 Полупроводниковые преобразователи. К самокоммутирующимся полупроводниковым преобразователям относятся преобразователи прямого тока в постоянный ток.
AS 60146.2:2001(R2013)

TH-TISI, Полупроводниковый легкий агент

TIS 1863-2009 Полупроводниковые приборы.Дискретные устройства

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Полупроводниковый легкий агент

JEDEC JESD14-1986 Полупроводниковые модули управления питанием
JEDEC JEP140-2002 Измерение температуры полупроводниковых корпусов бисерной термопарой
JEDEC JESD77C-2009 Термины, определения и буквенные обозначения дискретных полупроводниковых и оптоэлектронных устройств.
JEDEC JESD77D-2012 Термины, определения и буквенные обозначения дискретных полупроводниковых и оптоэлектронных устройств.

PL-PKN, Полупроводниковый легкий агент

PN T01503 ArkusZ50-1973 Полупроводниковые приборыРазмеры Корпус C9
PN-EN IEC 60747-5-5-2021-04 E Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (IEC 60747-5-5:2020)
PN T01305-1992 Полупроводниковые приборы. Интегральные схемы. Технические характеристики полупроводниковых интегральных схем, за исключением гибридных схем.

JP-JEC, Полупроводниковый легкий агент

JEC 2440-2005 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ САМКОММУТАТИВНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

Lithuanian Standards Office , Полупроводниковый легкий агент

LST EN IEC 60747-5-5:2020 Полупроводниковые приборы. Часть 5-5. Оптоэлектронные устройства. Фотопары (IEC 60747-5-5:2020)
LST EN 60747-15-2012 Полупроводниковые приборы. Дискретные устройства. Часть 15. Изолированные силовые полупроводниковые приборы (IEC 60747-15:2010)

Indonesia Standards, Полупроводниковый легкий агент

SNI 19-0429-1989 Руководство по отбору проб жидких и полутвердых материалов

未注明发布机构, Полупроводниковый легкий агент

BS EN 61207-7:2013(2015) Выражение характеристик газоанализаторов. Часть 7. Перестраиваемые полупроводниковые лазерные газоанализаторы.

ZA-SANS, Полупроводниковый легкий агент

SANS 60146-2:1999 Полупроводниковые преобразователи. Часть 2. Самокоммутирующиеся полупроводниковые преобразователи, включая преобразователи прямого постоянного тока.

IECQ - IEC: Quality Assessment System for Electronic Components, Полупроводниковый легкий агент

PQC 82-1989 Полупроводники для использования в электронном оборудовании: спецификация по разделу: полупроводниковые интегральные схемы, за исключением гибридных схем

Professional Standard - Non-ferrous Metal, Полупроводниковый легкий агент

YS/T 678-2008 Медная проволока для соединения полупроводниковых выводов

National Metrological Verification Regulations of the People's Republic of China, Полупроводниковый легкий агент

JJG 363-1984 Регламент поверки полупроводникового темисторного термометра