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Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method
本标准帘定了利用拉受光谱调斌N 型侯化儿衬底片载流子浓度的方法, 本标准适用于在蓝宝石.雄化奸、秆、氨化稼材料上生长的N 型氨化皖桂底片载流子波度的测试 测试范围:1X10" cm一1X102 cm-:。
Test method for carrier concentration of gallium nitride substrates—Raman spectrum method
Test method for determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
Practice for evaluation of granular polysilicon by melter-zoner and spectroscopies
Measurement method for X-ray double crystal diffraction rocking curve of sapphire crystals
Measurement method for surface metal contamination on sapphire polished substrate wafer
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
Test method for determining the orientation of sapphire single crystal
Test method for dislocation density of sapphire single crystal
本标准规定了半绝缘砷化久单晶深施主EL2 浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10”0,cm 的非挫杂和碳挫杂半绝缘砷化儿单品深施主EL2 浓度的测定。 本标准不适用于挫铬半绝缘砷化饼单晶深施主EL2 浓度的测定。
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
GB/T32280—2015 硅片翘曲度测试自动非接触扫描法本标准规定了硅片翘曲度的丰破坏性、自动非接触扫揽测试方法。 本标准适用于直径不小于50 mm,厚度不小于100 “m 的洁净、干燥的切割、研磨、腐蚀、抛光、刻蚀、外延或其他表面翘曲,也可用于砷化
Test method for warp of silicon wafers.Automated non-contact scanning method
本标准规定了利用双晶X射线衍射仪测试氮化镓单晶衬底片摇摆曲线半高宽的方法。 本标准适用于化学气相沉积及其他方法生长制备的氮化镓单晶衬底片。
Test method for full width at half maximum of double crystal X-ray rocking curve of GaN single crystal substrate
本标准规定了使用全反射X光荧光光谱,定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法。本标准适用于硅单晶抛光片、外延片(以下称硅片),尤其适用于硅片清洗后自然氧化层,或经化学方法生长的氧化层中沾污元素面密度的测定,测定范围为10 atoms/cm~10 atoms/cm 。本标准同样适用于其他半导体材料,如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面拋光晶片表面金属沾污的测定。 对良好的镜面抛光表面,可探测深度约5nm,分析深度随表面粗糙度的改善而增大。 本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素,尤其适用于测定以下元素:钾、钙、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅。 本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白值。对恒定的设备参数,无干扰检测限是元素原子序数的函数,其变化超过两个数量级。重复性和检测限的关系见附录A。 本方法是非破坏性的,是对其他测试方法的补充,与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的标定参见附录B。
Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。 本标准适用于电阻率大于10Ω ? cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量范围:室温下从1.0 × 10 atoms/cm到代位碳原子的最大溶解度,77 K时检测下限为4.0×10 atoms/cm。
Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)厚度及总厚度变化的分立式和扫描式测量方法。本标准适用于符合GB/T 26071、GB/T 29055规定尺寸的硅片的厚度及总厚度变化的测量,分立式测量方法适用于接触式及非接触式测量,扫描式测量方法只适用于非接触式测量。在测量仪器准许的情况下,本标准也可用于其他规格硅片的厚度及总厚度变化的测量。
Test method for thickness and total thickness variation of silicon wafers for solar cell
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮廓测试方法。本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片。如果需要适用于其他产品,则需相关各方协商同意。
Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells
本标准规定了太阳能电池用硅片(以下简称硅片)翘曲度和波纹度的测试方法。 本标准适用于硅片考曲度和波纹度的
Test method for warp and waviness of silicon wafers for solar cells
本标准规定「制备氮化稼薄膜外延片及其他用途的蓝宝石单晶切割片、研磨片、抛光片〈简称衬底片)厚度和厚度变化是否满足标准限度要求的测试方法。 本标准适用于蓝宝石衬底片厚度及厚度变化的测试。
Standard test method for thickness and thickness variation on sapphire substrates
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