ASTM F3166-16由美国材料与试验协会 US-ASTM 发布于 2016。
1.1 本规范详细说明了先进封装中用作硅通孔(TSV)金属化薄膜材料的高纯钛溅射靶材的通用标准要求。
1.2 本规范中包含溅射靶纯度、晶粒尺寸、内部质量、结合、尺寸和外观规格以及鉴定测试方法的参考。可靠性、认证、可追溯性和包装要求也包括在内。
1.2.1 纯度要求: 1.2.1.1 金属元素杂质,和1.2.1.2 非金属元素杂质。
1.2.2“粒度要求”粒度。
1.2.3“内在质量要求”内部缺陷。
1.2.4 粘接要求: 1.2.4.1 背板,和1.2.4.2 粘合比。
1.2.5 配置要求: 1.2.5.1 尺寸、1.2.5.2 公差和 1.2.5.3 表面粗糙度。
1.2.6 外观要求—表面清洁度。
1.3 以 SI 单位表示的值被视为标准值。本标准不包含其他计量单位。
1.4 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题(如果有)。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。
半导体行业发展的重点逐渐转移到小型化、多功能的微系统上,即所谓的超越摩尔路线。同时,随着 4G 通信的广泛应用,5G 通信的产业化布局,应用于移动通信领域的低成本高集成度的射频模块需求呈现爆发式增长。集成无源器件(IPD)和硅通孔(TSV)技术是实现微系统小型化的关键。相比于低温共烧陶瓷(LTCC)等传统的厚、薄膜工艺,硅基 IPD 成本更低,体积更小,微波性能也更胜一筹。...
△Element GD Plus在高纯硅检测中可实现的杂质元素检出限(点击查看大图)溅射靶材是半导体制程中非常关键的材料,无论是前段制程中的二极管结构构建还是中后段制程中的线路互联,溅射靶材都是必备材料。溅射靶材中痕量杂质的低检出限分析无疑是非常必要的。Element GD Plus由于其自身的优势,可轻松胜任各种高纯溅射靶材的高效检测。如常见的铜,钛,钽,钼,铝等高纯溅射靶材。...
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