ZH
EN
ES

Тест полупроводниковых чипов

Тест полупроводниковых чипов, Всего: 498 предметов.

В международной стандартной классификации классификациями, относящимися к Тест полупроводниковых чипов, являются: Полупроводниковые материалы, Оптоэлектроника. Лазерное оборудование, Полупроводниковые приборы, Применение информационных технологий, Интегральные схемы. Микроэлектроника, Оптоволоконная связь, Режущие инструменты, Изоляционные материалы, Словари, Испытание металлов, Неорганические химикаты, Электромеханические компоненты электронного и телекоммуникационного оборудования, Выпрямители. Конвертеры. Стабилизированный источник питания, Электронные компоненты в целом, Обработка поверхности и покрытие, Наборы символов и кодирование информации, Электричество. Магнетизм. Электрические и магнитные измерения, Линейные и угловые измерения, Измерения радиации, Атомная энергетика, Пьезоэлектрические и диэлектрические устройства, Механические конструкции электронного оборудования, Технические рисунки, Электрические провода и кабели, Экологические испытания, Электрические и электронные испытания, Электрические аксессуары, Системы промышленной автоматизации, Пластмассы, Защита от огня, Резиновые и пластмассовые изделия, Электротехника в целом, Графические символы, Акустика и акустические измерения.

German Institute for Standardization, Тест полупроводниковых чипов

DIN 50441-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 2. Испытание краевого профиля.
DIN EN 62258-2:2011-12 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными (IEC 62258-2:2011); Английская версия EN 62258-2:2011 / Примечание: DIN EN 62258-2 (2005-12) остается действительным наряду с данным стандартом до 29 июня 2014 г.
DIN EN 60749-19:2011-01 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность штампа на сдвиг (IEC 60749-19:2003 + A1:2010); Немецкая версия EN 60749-19:2003 + A1:2010 / Примечание: DIN EN 60749-19 (2003-10) остается действительным наряду с этим стандартом до 01 сентября 2013 г.
DIN 50441-1:1996 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 1. Толщина и изменение толщины.
DIN EN 62258-6:2007-02 Полупроводниковые кристаллы. Часть 6. Требования к информации, касающейся теплового моделирования (IEC 62258-6:2006); Немецкая версия EN 62258-6:2006 / Примечание: Применяется в сочетании с DIN EN 62258-1 (2011-04), DIN EN 62258-2 (2011-12).
DIN 50441-5:2001 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 5. Условия отклонения формы и плоскостности.
DIN 50448:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники - Бесконтактное определение удельного электросопротивления полуизолирующих полупроводниковых пластинок с помощью емкостного зонда
DIN EN 62258-5:2007-02 Полупроводниковые кристаллы. Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического моделирования (IEC 62258-5:2006); Немецкая версия EN 62258-5:2006 / Примечание. Применяется в сочетании с DIN EN 62258-1 (2011-04), DIN EN 62258-2 (2011-12).
DIN 50441-4:1999 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение геометрических размеров полупроводниковых пластин. Часть 4. Диаметр среза, изменение диаметра, диаметр плоских пластин, длина плоских пластин, глубина плоских пластин.
DIN 50445:1992 Испытание материалов для полупроводниковой техники; бесконтактное определение удельного электросопротивления полупроводниковых пластинок вихретоковым методом; однородно легированные полупроводниковые пластины
DIN EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
DIN 50442-1:1981 Испытание полупроводниковых неорганических материалов; определение структуры поверхности круглых монокристаллических полупроводниковых пластинок; нарезанные и притертые ломтики
DIN 50435:1988 Испытание полупроводниковых материалов; определение изменения радиального удельного сопротивления пластинок кремния или германия четырехзондовым методом постоянного тока
DIN EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие ошибки для полупроводниковых приборов с памятью (IEC 60749-38:2008); Немецкая версия EN 60749-38:2008.
DIN EN 62258-2:2011 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными (IEC 62258-2:2011); Английская версия EN 62258-2:2011
DIN 50441-3:1985 Испытание материалов для полупроводниковой техники; измерение геометрических размеров полупроводниковых пластинок; определение отклонения от плоскостности полированных срезов методом многолучевой интерференции
DIN EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания подвижных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62417:2010); Немецкая версия EN 62417:2010.
DIN EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA (IEC 60191-6-16:2007); Немецкая версия EN 60191-6-16:2007.
DIN EN 60747-16-10:2005 Полупроводниковые приборы. Часть 16-10: График одобрения технологий (TAS) для монолитных интегральных микросхем СВЧ (IEC 60747-16-10:2004); Немецкая версия EN 60747-16-10:2004.
DIN 50449-2:1998 Испытание материалов для полупроводниковой техники. Определение содержания примесей в полупроводниках методом инфракрасного поглощения. Часть 2. Бор в арсениде галлия.
DIN EN 60749-3:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр (IEC 60749-3:2002); Немецкая версия EN 60749-3:2002.
DIN EN 60749-8:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация (IEC 60749-8:2002 + Исправление 1:2003 + Исправление 2:2003); Немецкая версия EN 60749-8:2003
DIN EN 60749-1:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения (IEC 60749-1:2002 + Исправ. 1:2003); Немецкая версия EN 60749-1:2003
DIN EN 60749-13:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера (IEC 60749-13:2002); Немецкая версия EN 60749-13:2002.
DIN EN 62373:2007 Испытание на температурную стабильность металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET) (IEC 62373:2006); Немецкая версия EN 62373:2006.
DIN EN 60749-2:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха (IEC 60749-2:2002); Немецкая версия EN 60749-2:2002.
DIN EN 60749-44:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод однособытийного испытания (SEE) нейтронным лучом для полупроводниковых приборов (IEC 60749-44:2016); Немецкая версия EN 60749-44:2016
DIN EN 62047-9:2012 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС (IEC 62047-9:2011); Немецкая версия EN 62047-9:2011.
DIN EN 60749-22:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения (IEC 60749-22:200 + Исправление 1:2003); Немецкая версия EN 60749-22:2003
DIN EN 60749-17:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение (IEC 60749-17:2003); Немецкая версия EN 60749-17:2003.
DIN EN 60749-36:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии (IEC 60749-36:2003); Немецкая версия EN 60749-36:2003.
DIN EN 60749-25:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Циклическое изменение температуры (IEC 60749-25:2003); Немецкая версия EN 60749-25:2003.
DIN EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре (IEC 60749-6:2002); Немецкая версия EN 60749-6:2003
DIN EN 60749-12:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты (IEC 60749-12:2002); Немецкая версия EN 60749-12:2002.
DIN EN 60749-10:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар (IEC 60749-10:2002); Немецкая версия EN 60749-10:2002.
DIN EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов (IEC 62416:2010); Немецкая версия EN 62416:2010.
DIN EN 60749-26:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM) (IEC 60749-26:2006); Немецкая версия EN 60749-26:2006.
DIN EN 62047-3:2007-02 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение (IEC 62047-3:2006); Немецкая версия EN 62047-3:2006.
DIN 50439:1982 Испытание материалов для полупроводниковой техники; Определение профиля концентрации легирующей примеси монокристаллического полупроводникового материала вольт-емкостным методом и ртутным контактом
DIN EN 60749-39:2007 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов (IEC 60749-39:2006); Немецкая версия EN 60749-39:2006.
DIN EN 60749-4:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST) (IEC 60749-4:2002); Немецкая версия EN 60749-4:2002.
DIN EN 60749-4:2017-11 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST) (IEC 60749-4:2017); Немецкая версия EN 60749-4:2017 / Примечание: DIN EN 60749-4 (2003-04) остается действительным наряду с этим стендом...
DIN 41881-1:1976 Полупроводниковые приборы; металлические шкафы со стеклянной изоляцией, требования и испытания
DIN 41881-2:1978 Полупроводниковые приборы; металлические корпуса с керамической изоляцией, требования и испытания
DIN EN 60749-9:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 9. Устойчивость маркировки (IEC 60749-9:2002); Немецкая версия EN 60749-9:2002.

Fujian Provincial Standard of the People's Republic of China, Тест полупроводниковых чипов

DB35/T 1193-2011 Полупроводниковый светодиодный чип

Professional Standard - Electron, Тест полупроводниковых чипов

SJ/T 11399-2009 Методы измерения микросхем светодиодов
SJ/T 10416-1993 Общая спецификация микросхем для полупроводниковых дискретных устройств
SJ/T 11856.3-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 3. Полупроводниковые лазерные чипы с модуляцией электрического поглощения для источников света
SJ/T 11398-2009 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
SJ/T 11856.2-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 2. Полупроводниковые лазерные чипы с вертикальным резонатором для источников света.
SJ/T 11402-2009 Технические характеристики полупроводникового лазерного чипа, используемого в оптоволоконной связи
SJ/T 11818.2-2022 Полупроводниковые УФ-излучающие диоды. Часть 2. Технические характеристики чипа
SJ/T 11856.1-2022 Технические характеристики полупроводниковых лазерных чипов для оптоволоконной связи. Часть 1. Источник света Фабри-Перо и полупроводниковые лазерные чипы с распределенной обратной связью.
SJ/Z 9016-1987 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
SJ 20079-1992 Методы испытаний газовых сенсоров металлооксидных полупроводников
SJ/T 10745-1996 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых интегральных схем
SJ/T 10801-1996 Полупроводниковые интегральные схемы, используемые в качестве интерфейсных схем. Общие принципы методов измерения драйверов магнитной памяти.
SJ/T 11874-2022 Процедуры стресс-тестирования полупроводниковых дискретных устройств, используемых в электромобилях
SJ/T 11875-2022 Процедуры стресс-тестирования полупроводниковых интегральных схем для электромобилей

Group Standards of the People's Republic of China, Тест полупроводниковых чипов

T/QGCML 2041-2023 Мощный полупроводниковый лазерный чип с длиной волны 878 нм
T/CIE 144-2022 Метод испытаний повышения надежности полупроводниковых приборов
T/ZAQ 10113-2022 Оборудование для испытания полупроводниковых приборов на срок прерывистой работы
T/IAWBS 009-2019 Испытание установившейся температуры и влажности с высоким напряжением смещения для силовых полупроводниковых приборов
T/ZSA 47-2020 Методы испытаний на надежность силовых полупроводниковых приборов в электромобилях
T/IAWBS 004-2021 Общие требования и методы испытаний на надежность силовых полупроводниковых модулей, используемых в электромобилях
T/CIE 119-2021 Методы и процедуры испытаний полупроводниковых приборов с помощью однократного воздействия атмосферных нейтронов
T/CASAS 015-2022 Метод испытания циклического включения питания карбидокремниевого металлооксидного полупроводникового полевого транзистора (SiC MOSFET)

British Standards Institution (BSI), Тест полупроводниковых чипов

BS PD CLC/TR 62258-4:2013 Полупроводниковые штамповые изделия. Анкета для пользователей и поставщиков штампов
PD ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Особые требования и рекомендации. Тест и качество
PD IEC/TR 62258-7:2007 Полупроводниковые штамповые изделия. XML-схема для обмена данными
PD ES 59008-5-3:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Особые требования и рекомендации к типам штампов. Минимально упакованная матрица
PD IEC/TR 62258-8:2008 Полупроводниковые штамповые изделия. Схема модели EXPRESS для обмена данными
PD ES 59008-5-2:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Особые требования и рекомендации к типам штампов. Голый кристалл с дополнительными соединительными структурами
PD CLC/TR 62258-3:2007 Полупроводниковые штамповые изделия. Рекомендации по надлежащей практике обращения, упаковки и хранения.
BS EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
PD ES 59008-6-2:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Форматы данных обмена и словарь данных. Словарь данных
BS EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
BS EN 60749-29:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание на защелкивание.
BS EN 60749-29:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание.
BS EN 60749:1999 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
BS EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
BS EN 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустотность металлизации
BS EN 60749-44:2016 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Метод испытания на однособытийный эффект (SEE) при облучении нейтронным лучом для полупроводниковых приборов
BS EN 60747-16-10:2004 Полупроводниковые приборы. График одобрения технологий (TAS) для монолитных интегральных микросхем СВЧ.
BS EN 60749-3:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Внешний визуальный осмотр.
BS EN 60749-1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Общие сведения
BS EN 60749-8:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Уплотнение
BS EN 60749-2:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Низкое давление воздуха.
BS EN 60749-10:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Механический удар.
BS EN 60749-13:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Соляная атмосфера.
BS EN 60749-22:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность соединения.
BS EN 60749-36:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Ускорение, установившееся состояние.
BS EN 60749-17:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Нейтронное облучение.
BS EN 60749-34:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Циклирование питания.
BS EN 60749-21:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Паяемость.
BS EN IEC 60749-13:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Соляная атмосфера
BS EN 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Температурное циклирование.
BS EN 60749-12:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Вибрация переменной частоты.
BS EN 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение при высокой температуре.
BS EN 60749-9:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Устойчивость маркировки.
BS EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Прочность матрицы на сдвиг.
BS EN 60749-19:2003+A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Умереть прочность на сдвиг
BS EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости воды в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
BS IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Метод испытаний для измерения мощности, генерируемой гибкими термоэлектрическими устройствами
BS EN 60749-23:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Срок службы при высоких температурах.
BS EN 60749-21:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Паяемость
BS 9300:1969 Спецификация полупроводниковых приборов оцененного качества: общие данные и методы испытаний
IEC TR 63357:2022 Полупроводниковые приборы. Дорожная карта стандартизации метода проверки неисправностей автомобильных транспортных средств
BS EN IEC 60749-12:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Вибрация, переменная частота
BS EN 60749-14:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Надежность выводов (целостность выводов).
BS EN 60749-23:2004+A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Срок службы при высоких температурах
BS EN 60749-5:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание на долговечность при установившейся температуре и влажности.
BS EN 60749-11:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Быстрое изменение температуры. Метод двухжидкостной ванны.
BS EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
BS EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
BS EN 60749-29:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тест на защелкивание
BS EN 60749-18:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Ионизирующее излучение (суммарная доза)
BS EN 60749-42:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Хранение температуры и влажности
BS IEC 60747-5-13:2021 Полупроводниковые приборы. Оптоэлектронные устройства. Испытание сероводородной коррозии для корпусов светодиодов
BS EN 60749-4:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST).
BS CECC 00013:1985 Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов: базовая спецификация: проверка полупроводниковых кристаллов сканирующим электронным микроскопом.
BS EN 62374-1:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на временной диэлектрический пробой (TDDB) для межметаллических слоев
BS EN 62047-2:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 2. Метод испытания тонкопленочных материалов на растяжение.
BS EN 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
BS EN 60749-26:2014 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Тестирование чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM)
BS EN 62047-22:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод электромеханического испытания на растяжение тонких проводящих пленок на гибких подложках
BS IEC 62047-29:2017 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод испытания на электромеханическую релаксацию отдельно стоящих проводящих тонких пленок при комнатной температуре.
BS EN 60749-16:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Обнаружение шума от удара частиц (PIND)
BS EN 62047-10:2011 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Испытание микростолбов на сжатие материалов MEMS
BS EN 62047-21:2014 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Метод определения коэффициента Пуассона тонкопленочных МЭМС-материалов
BS EN 60749-24:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Ускоренная влагостойкость. Непредвзятое HAST.
BS EN 62047-6:2010 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Методы испытаний тонкопленочных материалов на осевую усталость.

IPC - Association Connecting Electronics Industries, Тест полупроводниковых чипов

IPC/EIA J-STD-026 CD-1999 Стандарт проектирования полупроводников для приложений с перевернутым кристаллом
IPC/EIA J-STD-026-1999 Стандарт проектирования полупроводников для приложений с перевернутым кристаллом

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会, Тест полупроводниковых чипов

GB/T 35010.4-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 4. Требования к пользователям и поставщикам кристаллов.
GB/T 35010.6-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 6. Требования к термическому моделированию.
GB/T 35010.2-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными.
GB/T 35010.5-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 5: Требования к электрическому моделированию.
GB/T 35010.1-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 1: Требования к приобретению и использованию.
GB/T 35010.7-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 7. Схема XML для обмена данными.
GB/T 35010.8-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 8. Схема модели EXPRESS для обмена данными.
GB/T 35010.3-2018 Полупроводниковые кристаллы. Часть 3. Руководство по обращению, упаковке и хранению.

European Committee for Electrotechnical Standardization（CENELEC）, Тест полупроводниковых чипов

CLC/TR 62258-4-2013 Полупроводниковые кристаллы. Часть 4. Анкета для пользователей и поставщиков кристаллов.
CLC/TR 62258-4:2013 Полупроводниковые кристаллы. Часть 4. Анкета для пользователей и поставщиков кристаллов.
CLC/TR 62258-7:2007 Полупроводниковые кристаллы. Часть 7. XML-схема для обмена данными
CLC/TR 62258-8:2008 Полупроводниковые кристаллы. Часть 8: Схема модели EXPRESS для обмена данными
EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
CLC/TR 62258-3:2007 Полупроводниковые кристаллы. Часть 3. Рекомендации по надлежащей практике обращения, упаковки и хранения.
EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
EN 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
EN 62047-9:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.
EN 60749-21:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость
EN IEC 60749-13:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 60749-3:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр.
EN IEC 60749-12:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация при переменной частоте.
EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
HD 396-1979 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета
EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)

Danish Standards Foundation, Тест полупроводниковых чипов

DS/CLC/TR 62258-4:2013 Полупроводниковые кристаллы. Часть 4. Анкета для пользователей и поставщиков кристаллов.
DS/ES 59008-5-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 5-1. Частные требования и рекомендации для типов кристаллов. Голый кристалл
DS/EN 62258-1:2010 Полупроводниковые штампы. Часть 1. Приобретение и использование.
DS/EN 62258-2:2011 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными
DS/EN 60749-19/A1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
DS/EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
DS/ES 59008-4-1:2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 4-1. Особые требования и рекомендации. Испытания и качество.
DS/CLC/TR 62258-7:2008 Полупроводниковые кристаллы. Часть 7. XML-схема для обмена данными
DS/CLC/TR 62258-8:2008 Полупроводниковые кристаллы. Часть 8: Схема модели EXPRESS для обмена данными
DS/CLC/TR 62258-3:2007 Полупроводниковые кристаллы. Часть 3. Рекомендации по надлежащей практике обращения, упаковки и хранения.
DS/EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
DS/IEC 749:1986 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
DS/EN 60749-1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
DS/EN 60749-8+Corr.2:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
DS/EN 60749-2/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
DS/EN 60749-13/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
DS/EN 60749-13:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
DS/EN 60749-17:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение
DS/EN 60749-22+Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность сцепления.
DS/EN 60749-3:2003 Полупроводниковые приборы. Механический и климатический метод испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр.
DS/EN 60749-6/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DS/EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
DS/EN 60749-12/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
DS/EN 60749-12:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
DS/EN 60749-10/Corr.1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
DS/EN 60749-10:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
DS/EN 62047-3:2007 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
DS/EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов
DS/EN 60749-36:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии.

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会, Тест полупроводниковых чипов

GB/T 4937.19-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
GB/T 4937.13-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
GB/T 4937.21-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость.
GB/T 4937.12-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
GB/T 4937.22-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность сцепления.
GB/T 4937.17-2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение.

AENOR, Тест полупроводниковых чипов

UNE-EN 60749-19:2003/A1:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
UNE-EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
UNE-EN 60749-8:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация.
UNE-EN 60749-1:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
UNE-EN 60749-13:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
UNE-EN 60749-17:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение.
UNE-EN 60749-22:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения.
UNE-EN 60749-34:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
UNE-EN 60749-25:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.
UNE-EN 60749-6:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
UNE-EN 60749-36:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии.

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization, Тест полупроводниковых чипов

ES 59008-5-1-2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 5-1: Особые требования и рекомендации для типов кристаллов — голый кристалл
EN 62258-2:2005 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными.
EN 62258-2:2011 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными
ES 59008-5-3-2001 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 5-3. Частные требования и рекомендации для типов кристаллов. Минимально упакованный кристалл.
ES 59008-4-3-1999 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 4-3: Особые требования и рекомендации — тепловые
ES 59008-4-2-2000 2001 г. Требования к данным для полупроводниковых кристаллов. Часть 4-2. Особые требования и рекомендации. Обращение и хранение.
ES 59008-4-4-1999 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 4-4: Особые требования и рекомендации. Электрическое моделирование.
EN 60749-21:2005 Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний Часть 21. Паяемость
ES 59008-4-1-2000 Требования к данным для полупроводникового кристалла. Часть 4-1. Особые требования и рекомендации. Испытания и качество.
EN IEC 60749-17:2019 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение

General Administration of Quality Supervision, Inspection and Quarantine of the People‘s Republic of China, Тест полупроводниковых чипов

GB/T 36356-2018 Техническая спецификация на силовые светодиодные чипы
GB/T 36357-2018 Техническая спецификация на светодиодные чипы средней мощности
GB/T 43136-2023 Суперабразивные изделия: шлифовальные круги для прецизионного скрайбирования полупроводниковых чипов
GB/T 42706.5-2023 Долговременное хранение электронных компонентов и полупроводниковых приборов. Часть 5. Чипы и пластины.
GB/T 6616-2023 Бесконтактный вихретоковый метод измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин и листов полупроводниковых пленок.
GB/T 13422-2013 Полупроводниковые преобразователи. Методы электрических испытаний.
GB/T 4937-1995 Механические и климатические методы испытаний полупроводниковых приборов
GB/T 13422-1992 Силовые полупроводниковые преобразователи. Методы электрических испытаний.
GB/T 26070-2010 Характеристика подповерхностных повреждений в полированных составных полупроводниковых пластинах методом разностной спектроскопии отражения
GB/T 3048.3-1994 Методы испытаний определения электрических свойств электрических кабелей и проводов. Измерение объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.
GB/T 4937.1-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1: Общие сведения
GB/T 6616-2009 Методы испытаний измерения удельного сопротивления полупроводниковых пластин или поверхностного сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
GB/T 4937.2-2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2: Низкое давление воздуха
GB/T 4937.4-2012v Методы механических и климатических испытаний полупроводниковых устройств. Часть 4. Высокоускоренное стационарное испытание на влажное тепло (HAST)
GB/T 4937.4-2012 Полупроводниковые приборы.Механические и климатические методы испытаний.Часть 4.Влажное тепло,стационарное,высокоускоренное стресс-тест (HAST).
GB/T 4937.3-2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр.
GB/T 3048.3-2007 Методы испытаний электрических свойств электрических кабелей и проводов. Часть 3. Испытание объемного сопротивления полупроводниковых резин и пластмасс.
GB/T 4937.42-2023 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 42. Хранение при температуре и влажности.

(U.S.) Joint Electron Device Engineering Council Soild State Technology Association, Тест полупроводниковых чипов

JEDEC JESD22-B118-2011 Внешний визуальный осмотр полупроводниковых пластин и кристаллов
JEDEC JESD49A.01-2013 Стандарт закупок полупроводниковых кристаллов, включая заведомо исправные кристаллы (KGD) (незначительная редакция JESD49, СЕНТЯБРЬ 2005 г., подтвержден в январе 2009 г.)

ES-UNE, Тест полупроводниковых чипов

UNE-EN 62258-1:2010 Полупроводниковые кристаллы. Часть 1. Приобретение и использование (Одобрено AENOR в феврале 2011 г.)
UNE-EN 62258-2:2011 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы обмена данными (одобрено AENOR в октябре 2011 г.)
UNE-EN 62258-6:2006 Полупроводниковые кристаллы. Часть 6. Требования к информации, касающейся теплового моделирования (IEC 62258-6:2006) (Одобрено AENOR в январе 2007 г.)
UNE-EN 62258-5:2006 Полупроводниковые кристаллы. Часть 5. Требования к информации, касающейся электрического моделирования (IEC 62258-5:2006) (одобрен AENOR в январе 2007 г.)
UNE-EN 62435-5:2017 Электронные компоненты. Долговременное хранение электронных полупроводниковых приборов. Часть 5. Устройства на кристаллах и пластинах (одобрено Испанской ассоциацией нормализации в мае 2017 г.)

Association Francaise de Normalisation, Тест полупроводниковых чипов

NF EN 62258-1:2011 Полупроводниковые чипы. Часть 1: Поставка и использование
NF EN 62258-2:2011 Полупроводниковые чипы. Часть 2. Форматы обмена данными
NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
NF C80-203*NF EN 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET).
NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 Электронные компоненты. Длительное хранение электронных полупроводниковых приборов. Часть 5. Устройства на кристаллах и пластинах.
NF EN 62435-5:2017 Электронные компоненты. Длительное хранение полупроводниковых электронных устройств. Часть 5. Чиповые и пластинные устройства.
NF C96-022-38*NF EN 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
NF C80-202*NF EN 62416:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание горячих носителей МОП-транзисторов
NF C80-201*NF EN 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянного тока.
NF C80-204*NF EN 62418:2011 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
NF C96-022-29*NF EN 60749-29:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание.
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: глоссарий по тестированию полупроводников и розеткам для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
NF C96-009:1989 Электронные компоненты Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний
NF C96-022-13:2002 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
NF C96-022-19*NF EN 60749-19:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность на сдвиг матрицы.
NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.
NF C96-016-10*NF EN 60747-16-10:2005 Полупроводниковые приборы. Часть 16-10. График утверждения технологии (TAS) для монолитных интегральных микросхем СВЧ.
NF C96-022-1*NF EN 60749-1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие сведения.
NF C96-022-8*NF EN 60749-8:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
NF C96-051*NF EN 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
NF C96-022-21:2005 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость.
NF C96-022-21*NF EN 60749-21:2012 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость.
NF C96-022-2*NF EN 60749-2:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
NF C96-022-13*NF EN IEC 60749-13:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
NF C96-022-34:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Циклическое выключение питания.
NF C96-022-17*NF EN 60749-17:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение.
NF C96-022-22*NF EN 60749-22:2003 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения.
NF C96-022-25*NF EN 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.
NF C96-022-10*NF EN 60749-10:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
NF C96-022-34*NF EN 60749-34:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
NF C96-022-36*NF EN 60749-36:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение установившегося состояния.
NF C96-022-12*NF EN IEC 60749-12:2018 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
NF C96-022-6*NF EN 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
NF C96-022-39*NF EN 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF C96-022-39*NF EN IEC 60749-39:2022 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
NF C96-022-4:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST).
NF C96-022-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
NF EN 60749-36:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Постоянное ускорение.

(U.S.) Telecommunications Industries Association , Тест полупроводниковых чипов

TIA J-STD-026-1999 Стандарт проектирования полупроводников для приложений с перевернутым кристаллом IPC/EIA J-STD-026

Hebei Provincial Standard of the People's Republic of China, Тест полупроводниковых чипов

DB13/T 5120-2019 Спецификации для испытаний на постоянном токе полупроводниковых лазерных чипов FP и DFB для оптической связи

SE-SIS, Тест полупроводниковых чипов

SIS SS CECC 00013-1985 Базовая спецификация: проверка полупроводниковых кубиков с помощью сканирующего электронного микроскопа.

Institute of Interconnecting and Packaging Electronic Circuits (IPC), Тест полупроводниковых чипов

IPC J-STD-026-1999 Стандарт проектирования полупроводников для приложений с перевернутым кристаллом IPC/EIA J-STD-026

TIA - Telecommunications Industry Association, Тест полупроводниковых чипов

J-STD-026-1999 Стандарт проектирования полупроводников для приложений с перевернутым кристаллом (IPC/EIA J-STD-026)

Association of German Mechanical Engineers, Тест полупроводниковых чипов

VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 Техническая спецификация на закупку - Эпоксидные герметики для полупроводниковых чипов

PT-IPQ, Тест полупроводниковых чипов

NP 3081-1985 Электронный компонент. Проверка полупроводниковых чипов при сканировании микроэлектроники, основные характеристики

Lithuanian Standards Office , Тест полупроводниковых чипов

LST EN 62258-2-2011 Полупроводниковые кристаллы. Часть 2. Форматы данных обмена (IEC 62258-2:2011)
LST EN 60749-19+AC-2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг (IEC 60749-19:2002)
LST EN 60749-19+AC-2003/A1-2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг (IEC 60749-19:2003/A1:2010)

HU-MSZT, Тест полупроводниковых чипов

MSZ 700/36.lap-1961 Испытание полупроводников в угольной шахте
MNOSZ 700-3.lap-1955 Подготовка проб в испытательной лаборатории для анализа моделей полупроводников

International Electrotechnical Commission (IEC), Тест полупроводниковых чипов

IEC 62951-6:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 6. Метод испытания поверхностного сопротивления гибких проводящих пленок.
IEC 62047-3:2006 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 3. Стандартный тонкопленочный образец для испытаний на растяжение.
IEC 62417:2010 Полупроводниковые приборы. Испытания мобильных ионов для металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов (MOSFET)
IEC 60749:1984 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
IEC 62415:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание электромиграции постоянным током
IEC 60749:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
IEC 62418:2010 Полупроводниковые приборы. Испытание на пустоту при металлизации
IEC 60749-38:2008 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 38. Метод испытания на мягкие погрешности полупроводниковых приборов с памятью.
IEC 62373-1:2020 Полупроводниковые приборы. Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.
IEC 60700:1981 Испытание полупроводниковых ламп для передачи энергии постоянного тока высокого напряжения
IEC 60759:1983 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
IEC 63364-1:2022 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для системы Интернета вещей. Часть 1. Метод испытания обнаружения изменения звука.
IEC 62951-1:2017 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
IEC 62951-5:2019 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 5. Метод испытания тепловых характеристик гибких материалов.
IEC 60749/AMD1:2000 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 1
IEC 60749/AMD2:2001 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний; Поправка 2
IEC 60333:1993 Ядерное приборостроение; полупроводниковые детекторы заряженных частиц; процедуры испытаний
IEC 62047-34:2019 Полупроводниковые приборы. Микроэлектромеханические устройства. Часть 34. Методы испытаний пьезорезистивного устройства MEMS, чувствительного к давлению на пластине.
IEC 60749-29:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 29. Испытание на защелкивание
IEC 63275-1:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения.
IEC 60191-6-16:2007 Механическая стандартизация полупроводниковых устройств. Часть 6-16: Глоссарий испытаний полупроводников и розеток для обжига для BGA, LGA, FBGA и FLGA.
IEC 60759:1983/AMD1:1991 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров; поправка 1
IEC 60749-3:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр.
IEC 60749-3:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр.
IEC 62047-9:2011 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.
IEC 62047-9:2011/COR1:2012 Полупроводниковые устройства. Микроэлектромеханические устройства. Часть 9. Измерение прочности соединения между пластинами для МЭМС.
IEC 60749-1:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
IEC 60749-1:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
IEC 60749-8:2002/COR2:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
IEC 60749-8:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
IEC 60749-8:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация
IEC 63275-2:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 2. Метод испытания на биполярное ухудшение вследствие работы внутреннего диода.
IEC 60747-16-10:2004 Полупроводниковые приборы. Часть 16-10. График утверждения технологии (TAS) для монолитных интегральных микросхем СВЧ.
IEC 62830-5:2021 Полупроводниковые приборы. Полупроводниковые приборы для сбора и генерации энергии. Часть 5. Метод испытаний для измерения мощности, вырабатываемой гибкими термоэлектрическими устройствами.
IEC 60749-26:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD); Модель человеческого тела (HBM)
IEC 60749-21:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость
IEC 60749-21:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость
IEC 60749-21:2011 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость
IEC 62526:2007 Стандарт для расширений стандартного языка тестового интерфейса (STIL) для сред проектирования полупроводников.
IEC 60749-2:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
IEC 60749-2:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
IEC 60749-39:2021 RLV Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60749-39:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
IEC 60747-18-1:2019 Полупроводниковые устройства. Часть 18-1. Полупроводниковые биосенсоры. Метод испытаний и анализ данных для калибровки безлинзовых КМОП-датчиков с фотонной матрицей
IEC 60749-19:2003/AMD1:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Испытание на прочность на сдвиг.
IEC 60749-10:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
IEC 60749-13:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
IEC 60749-17:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение
IEC 60749-34:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
IEC 60749-13:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
IEC 60749-10:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
IEC 60596:1978 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета
IEC 60749-25:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 25. Температурное циклирование.
IEC 60749-34:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания
IEC 60749-36:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 36. Ускорение в установившемся состоянии.
IEC 60749-12:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
IEC 60749-22:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения.
IEC 60749-22:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность соединения.
IEC 63284:2022 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности коммутацией индуктивной нагрузки транзисторов на основе нитрида галлия
IEC 60749-26:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 26. Испытание чувствительности к электростатическому разряду (ESD). Модель человеческого тела (HBM).
IEC 62830-6:2019 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 6. Методы испытаний и оценки трибоэлектрических устройств сбора энергии с вертикальным контактом.
IEC 62951-8:2023 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 8. Метод испытания на растяжимость, гибкость и стабильность гибкой резистивной памяти.
IEC 60749-4:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST).
IEC 60749-4:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное испытание под нагрузкой (HAST).
IEC 60749-6:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60749-6:2002/COR1:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
IEC 60749-19:2010 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Испытание на прочность на сдвиг.
IEC 62373:2006 Испытание температурной стабильности смещения для металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET)
IEC 60749-6:2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.

Korean Agency for Technology and Standards (KATS), Тест полупроводниковых чипов

KS M 1804-2008 Метод испытания плавиковой кислоты для полупроводников
KS C 6565-2022 Методы испытаний полупроводниковых датчиков ускорения
KS C IEC 60749:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
KS C IEC 60749-2004(2020) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний.
KS C 6049-1980 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность полупроводниковых интегральных схем
KS C IEC 60759:2009 Стандартные процедуры испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
KS C 6049-1980(2020) Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность полупроводниковых интегральных схем
KS C IEC 62951-1:2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
KS C 6046-1978(2001) МЕТОДЫ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ И МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ НА ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
KS C 6046-1986 МЕТОДЫ ЭКОЛОГИЧЕСКИХ ИСПЫТАНИЙ И МЕТОДЫ ИСПЫТАНИЙ НА ИЗНОСОСТОЙКОСТЬ ДИСКРЕТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
KS C IEC 60749-3:2002 Дискретные полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 3. Внешний визуальный осмотр.
KS C IEC 60749-19:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 19. Прочность матрицы на сдвиг.
KS C IEC 60749-1:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
KS C IEC 60749-8:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация.
KS C IEC 60749-8-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация.
KS C IEC 60749-1-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
KS C IEC 60749-1-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 1. Общие положения.
KS C IEC 60749-8-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 8. Герметизация.
KS C IEC 60749-24-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 24. Ускоренная влагостойкость. Беспристрастное HAST.
KS C IEC 60749-24-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 24. Ускоренная влагостойкость. Беспристрастное HAST.
KS C IEC 60749-2:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 2. Низкое давление воздуха.
KS C IEC 60749-21:2005 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 21. Паяемость.
KS C IEC 60749-39-2006(2021) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-39-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-13:2002 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 13. Соляная атмосфера.
KS C IEC 60749-22:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 22. Прочность связи.
KS C IEC 60749-10:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
KS C IEC 60749-17:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение.
KS C IEC 60749-10:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
KS C IEC 60749-17:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение
KS C IEC 60749-17-2006(2016) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение.
KS C IEC 60749-12:2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
KS C IEC 60749-34-2017(2022) Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания.
KS C IEC 60749-39:2006 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 39. Измерение коэффициента диффузии влаги и растворимости в воде в органических материалах, используемых для полупроводниковых компонентов.
KS C IEC 60749-4:2003 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 4. Влажное тепло, стационарное состояние, высокоускоренное стресс-тест (HAST).
KS C IEC 60749-6:2004 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 6. Хранение при высокой температуре.
KS C IEC 60749-9:2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 9. Устойчивость маркировки.

YU-JUS, Тест полупроводниковых чипов

JUS N.R1.500-1980 Полупроводниковые устройства. Принятие. Электрические испытания

Military Standard of the People's Republic of China-General Armament Department, Тест полупроводниковых чипов

GJB 128-1986 Спецификация аэрофотосъемки для военного топографического картографирования
GJB 128B-2021 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
GJB 762.1-1989 Метод испытания на радиационную стойкость полупроводниковых приборов Испытание нейтронным облучением
GJB 762.3-1989 Метод испытания на радиационную закалку полупроводниковых устройств γ, испытание на мгновенное облучение
GJB 762.2-1989 Метод испытания на радиационную стойкость полупроводниковых устройств, испытание на облучение полной дозой гамма-излучения
GJB 7678-2012 Метод испытаний рентгеновского облучения 10 кэВ на упрочнение полупроводниковых приборов
GJB 762.1A-2018 Методы испытаний радиационной упрочнения полупроводниковых приборов Часть 1. Испытание нейтронным облучением
GJB 762.3A-2018 Методы испытаний радиационной стойкости полупроводниковых приборов. Часть 3. Испытание мгновенным гамма-облучением
GJB 762.2-1989(XG1-2015) Метод испытаний на радиационную стойкость полупроводниковых устройств γ, модификация испытания на общую дозу облучения 1-2015

KR-KS, Тест полупроводниковых чипов

KS M 1804-2008(2023) Метод испытания плавиковой кислоты для полупроводников
KS C IEC 62951-1-2022 Полупроводниковые приборы. Гибкие и растяжимые полупроводниковые приборы. Часть 1. Метод испытания на изгиб проводящих тонких пленок на гибких подложках.
KS C IEC 60749-17-2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение
KS C IEC 60749-10-2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 10. Механический удар.
KS C IEC 60749-34-2017 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 34. Выключение и выключение питания.
KS C IEC 60749-12-2020 Приборы полупроводниковые. Механические и климатические методы испытаний. Часть 12. Вибрация переменной частоты.
KS C IEC 60749-9-2020 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 9. Устойчивость маркировки.

未注明发布机构, Тест полупроводниковых чипов

GJB 128A-1997 Методы испытаний полупроводниковых дискретных устройств
BS CECC 13:1985(1999) Гармонизированная система оценки качества электронных компонентов: Базовая спецификация: Проверка полупроводниковых кристаллов сканирующим электронным микроскопом.

RU-GOST R, Тест полупроводниковых чипов

GOST 28578-1990 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний
GOST 26567-1985 Полупроводниковые преобразователи энергии. Методы испытаний
GOST 24461-1980 Силовые полупроводниковые приборы. Методы испытаний и измерений

Defense Logistics Agency, Тест полупроводниковых чипов

DLA MIL-STD-750 E-2006 СТАНДАРТ МЕТОДА ИСПЫТАНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ, ТРАНЗИСТОРНЫЕ МАТЕРИАЛЫ, N И P-КАНАЛЬНЫЕ, КРЕМНИЕВЫЕ РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ JANHC И JANKC
DLA SMD-5962-87685-1987 МИКРОСХЕМЫ, 8-БИТНЫЙ МИКРОПРОЦЕССОРНЫЙ ЦП, NMOS, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-90976-1992 МИКРОсхема, CHMOS ОДНОЧИСТИТЕЛЬНЫЙ, 8-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР С 256 БАЙТАМИ ВСТРОЕННОЙ ОЗУ ДАННЫХ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, ОДНОЧИСЛИТЕЛЬНЫЙ CMOS, 8-БИТНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, КМОП, КОНТРОЛЛЕР ТЕСТОВОЙ ШИНЫ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ УСТРОЙСТВА, ПОЛЕВЫЕ, РАДИАЦИОННО УСТОЙЧИВЫЕ (ОБЩАЯ ДОЗА И ОДИНОЧНЫЕ ЭФФЕКТЫ) ТРАНЗИСТОРНЫЙ МИКР, N-КАНАЛЬНЫЙ И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИевый, РАЗЛИЧНЫЕ ТИПЫ, JANHC И JANKC
DLA SMD-5962-92201 REV A-2003 МИКРОСХЕМА, ЦИФРОВАЯ, УСОВЕРШЕНСТВОВАННАЯ КМОП, ДЕВЯТИБИТНЫЙ ГЕНЕРАТОР/ПРОВЕРКА ЧЕТНОСТИ, МОНОЛИТНЫЙ КРЕМНИЙ
DLA SMD-5962-04227 REV B-2005 МИКРОСХЕМА, ПАМЯТЬ, ЦИФРОВАЯ, КМОП, 512К Х 32-БИТ (16 МБ), РАДИАЦИОННО-ЗАЩИТНАЯ, SRAM ДВОЙНОГО НАПРЯЖЕНИЯ, МНОГОЧИПНЫЙ МОДУЛЬ

Japanese Industrial Standards Committee (JISC), Тест полупроводниковых чипов

JIS C 7033:1975 Методы испытаний полупроводниковых выпрямительных диодов
JIS C 7021:1977 Методы климатических испытаний и методы ресурсных испытаний дискретных полупроводниковых приборов
JIS C 7022:1979 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность полупроводниковых интегральных схем

PH-BPS, Тест полупроводниковых чипов

PNS IEC 62435-5:2021 Электронные компоненты. Долговременное хранение электронных полупроводниковых приборов. Часть 5. Устройства на кристаллах и пластинах.
PNS IEC 62373-1:2021 Полупроводниковые приборы. Испытание на температурную стабильность смещения металлооксидных, полупроводниковых и полевых транзисторов (MOSFET). Часть 1. Быстрое испытание BTI для MOSFET.
PNS IEC 60749-44:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 44. Метод испытания на эффект одиночного события (SEE), облученный нейтронным пучком, для полупроводниковых приборов
PNS IEC 62830-4:2021 Полупроводниковые устройства. Полупроводниковые устройства для сбора и генерации энергии. Часть 4. Методы испытаний и оценки гибких пьезоэлектрических устройств для сбора энергии.
PNS IEC 60749-17:2021 Полупроводниковые приборы. Механические и климатические методы испытаний. Часть 17. Нейтронное облучение

American Society for Testing and Materials (ASTM), Тест полупроводниковых чипов

ASTM F673-90(1996)e1 Стандартные методы измерения удельного сопротивления срезов полупроводников или листового сопротивления полупроводниковых пленок бесконтактным вихретоковым датчиком
ASTM E1161-03 Стандартный метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
ASTM F1892-12(2018) Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM D6095-99 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-05 Стандартный метод испытаний объемного удельного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM F1892-06 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-04 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-98 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F1892-12 Стандартное руководство по испытанию воздействия ионизирующего излучения (общая доза) полупроводниковых приборов
ASTM F978-90(1996)e1 Стандартный метод испытаний для определения характеристик глубоких уровней полупроводников с помощью методов измерения переходной емкости
ASTM D6095-12(2023) Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-06 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов
ASTM D6095-12 Стандартный метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

CZ-CSN, Тест полупроводниковых чипов

CSN 35 1609-1983 Силовые полупроводниковые приборы. Теплоотводы. Методика тестирования

American National Standards Institute （ANSI), Тест полупроводниковых чипов

ANSI/IEEE 300:1988 Методики испытаний полупроводниковых детекторов заряженных частиц
ANSI/ASTM E1161:1996 Метод испытаний радиологического исследования полупроводников и электронных компонентов
ANSI/ASTM D4325:2013 Методы испытаний неметаллических полупроводниковых и электроизоляционных резиновых лент
ANSI/IEEE C62.35:2010 Стандартные методы испытаний компонентов полупроводниковых устройств защиты от перенапряжений с лавинным переходом
ANSI/UL 2360-2004 Методы испытаний для определения характеристик горючести пластмасс, используемых в полупроводниковом приборостроении
ANSI/ASTM D6095:2012 Метод испытаний для продольного измерения объемного сопротивления экструдированных сшитых и термопластичных полупроводниковых проводников и изоляционных экранирующих материалов

Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE), Тест полупроводниковых чипов

IEEE 759-1984 Методики испытаний полупроводниковых рентгеновских энергетических спектрометров
IEEE 857-1990 Руководство по процедурам испытаний тиристорных клапанов постоянного тока высокого напряжения
IEEE Std C62.35-1987(R1993) Стандартные спецификации испытаний IEEE для полупроводниковых устройств защиты от перенапряжения с лавинным переходом
IEEE Std C62.37/COR-2009 Ошибки в стандартных спецификациях испытаний IEEE для устройств защиты от перенапряжения на тиристорных диодах

Professional Standard - Aerospace, Тест полупроводниковых чипов

QJ 10004-2008 Метод радиационного испытания полупроводниковых приборов космического назначения в полной дозе
QJ 10005-2008 Методические указания по испытаниям единичных эффектов, индуцированных тяжелыми ионами полупроводниковых приборов космического назначения

JP-JEITA, Тест полупроводниковых чипов

JEITA EDR-4704A-2007 Руководство по применению ускоренного испытания полупроводниковых приборов на срок службы

PL-PKN, Тест полупроводниковых чипов

PN E06171-1985 Предохранители для защиты полупроводниковых приборов. Общие требования и испытания.
PN T01101-1987 Полупроводниковые приборы Механические и климатические методы испытаний [Перевод публикации IEC 749 (1984)]

Shaanxi Provincial Standard of the People's Republic of China, Тест полупроводниковых чипов

DB61/T 1448-2021 Процедуры периодических испытаний на срок службы мощных полупроводниковых дискретных устройств

Taiwan Provincial Standard of the People's Republic of China, Тест полупроводниковых чипов

CNS 5076-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание на вибрацию)
CNS 5073-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание на удар)
CNS 5541-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания транзисторов в непрерывном режиме)
CNS 5543-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание транзистора в прерывистом режиме)
CNS 5072-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание на герметичность)
CNS 6117-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание влажным нагревом)
CNS 5069-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание на термический удар)
CNS 6122-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание тиристоров постоянным напряжением)
CNS 6120-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания тиристоров в непрерывном режиме)
CNS 6124-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание тиристоров прерывистым напряжением)
CNS 6126-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (высокая температура для испытания тиристоров напряжением)
CNS 5070-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (циклическое испытание на температуру)
CNS 5077-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание прочности выводов)
CNS 5547-1988 1
CNS 5074-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание на свободное падение)
CNS 5075-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание постоянного ускорения)
CNS 6118-1988 1
CNS 5078-1988 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания в соляном тумане)
CNS 5545-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых устройств, испытание транзистора на обратное смещение при высокой температуре)
CNS 5542-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытания полевых транзисторов в непрерывном режиме работы)
CNS 5544-1988 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание полевого транзистора в периодическом режиме работы)
CNS 5071-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (циклическое испытание на температуру и влажность)
CNS 5067-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание мягких припоев на теплостойкость)
CNS 5068-1988 Методы экологических испытаний и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание паяемости на адгезию)
CNS 5546-1988 Методы испытаний на воздействие окружающей среды и методы испытаний на долговечность дискретных полупроводниковых приборов (испытание обратного смещения полевого транзистора при высокой температуре)

工业和信息化部, Тест полупроводниковых чипов

SJ/T 11586-2016 Метод испытания общей дозы рентгеновского излучения низкой энергии 10 кэВ для полупроводниковых приборов

GOSTR, Тест полупроводниковых чипов

GOST R 57394-2017 Интегральные схемы и полупроводниковые приборы. Методы ускоренных испытаний на безотказность

European Committee for Standardization (CEN), Тест полупроводниковых чипов

HD 396 S1-1979 Определения терминов методов испытаний полупроводниковых детекторов излучения и сцинтилляционного счета

Underwriters Laboratories (UL), Тест полупроводниковых чипов

UL 2360-2000 Методы испытаний для определения характеристик горючести пластмасс, используемых в полупроводниковом приборостроении

AT-OVE/ON, Тест полупроводниковых чипов

OVE EN IEC 63275-1:2021 Полупроводниковые приборы. Метод испытания надежности дискретных металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов из карбида кремния. Часть 1. Метод испытания на нестабильность температуры смещения (IEC 47/2679/CDV) (английская версия)