半导体芯片试验

本专题涉及半导体芯片试验的标准有372条。

国际标准分类中，半导体芯片试验涉及到半导体材料、工业自动化系统、光电子学、激光设备、半导体分立器件、信息技术应用、集成电路、微电子学、光纤通信、切削工具、绝缘材料、词汇、金属材料试验、无机化学、建筑材料、电子电信设备用机电元件、整流器、转换器、稳压电源、软件开发和系统文件、电子元器件综合、表面处理和镀涂、字符集和信息编码、电学、磁学、电和磁的测量、长度和角度测量、辐射测量、频率控制和选择用压电器件与介质器件、核能工程、电子设备用机械构件、技术制图、电线和电缆、环境试验、电工和电子试验。

在中国标准分类中，半导体芯片试验涉及到元素半导体材料、、半导体发光器件、半导体二极管、微波、毫米波二、三极管、半导体分立器件综合、微电路综合、标准化、质量管理、光通信设备、磨料与磨具、电工仪器、仪表综合、半金属与半导体材料综合、金属物理性能试验方法、半导体三极管、化学试剂综合、电子设备机械结构件、半导体集成电路、电力半导体器件、部件、半导体分立器件、技术管理、交直流电源装置、可靠性和可维护性、电子测量与仪器综合、敏感元器件及传感器、半导体整流器件、通用核仪器、基础标准和通用方法、电工绝缘材料及其制品、辐射防护仪器、质谱仪、液谱仪、能谱仪及其联用装置、半金属及半导体材料分析方法、电缆及其附件、合成树脂、塑料基础标准与通用方法。

德国标准化学会，关于半导体芯片试验的标准

DIN 50441-2:1998 半导体工艺材料的试验.半导体芯片几何尺寸的测量.第2部分:棱角剖面的试验
DIN EN 62258-2:2011-12 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
DIN EN 60749-19:2011-01 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度
DIN 50441-1:1996 半导体工艺材料试验.半导体片几何尺寸测量.第1部分:厚度和厚度变化
DIN EN 62258-6:2007-02 半导体芯片产品第6部分：有关热模拟的信息要求
DIN 50441-5:2001 半导体技术试验.半导体片几何尺寸测定.第5部分:形状和平整度偏差术语
DIN 50448:1998 半导体工艺材料试验.使用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定
DIN EN 62258-5:2007-02 半导体芯片产品第5部分：有关电气模拟的信息要求
DIN 50441-4:1999 半导体工艺用材料的试验.半导体圆片几何尺寸的测定.第4部分:圆片直径,直径变化量,扁片直径,扁片长度和扁片厚度
DIN EN 62047-3:2007 半导体器件.微电机设备.第3部分:拉伸试验用薄膜标准试验片
DIN 50435:1988 半导体材料试验:采用四探针/直流法测量硅片和锗片电阻率的径向变化
DIN EN 60749-38:2008 半导体器件.机械和气候试验方法.第38部分:带存储器的半导体器件用软错误试验法
DIN EN 62258-2:2011 半导体芯片级产品.第2部分:交换数据格式(IEC 62258-2-2011).英文版 EN 62258-2-2011
DIN 50441-3:1985 半导体工艺材料的检验.第3部分:半导体切片几何尺寸的测量.第3部分:用多射线干涉法测定抛光切片的平面偏差
DIN EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的移动离子试验(IEC 62417-2010);德文版本EN 62417-2010
DIN EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA、LGA、FBGA和FLGA型老化座孔
DIN EN 60747-16-10:2005 半导体器件.第16-10部分:单片微波集成电路的技术验收计划
DIN 50449-2:1998 半导体工艺材料试验.通过红外线吸收测定半导体中杂质含量.第2部分:砷化镓中的硼
DIN EN 60749-3:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分:外观检验
DIN EN 60749-1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分:总则
DIN EN 60749-13:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第13部分: 盐雾
DIN EN 60749-8:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第8部分:密封
DIN EN 62373:2007 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验

中国团体标准，关于半导体芯片试验的标准

T/QGCML 4122-2024 半导体芯片分选机
T/QGCML 2041-2023 878 nm高功率半导体激光器芯片
T/QGCML 3956-2024 半导体实验室恒湿温试验管理平台
T/CIE 144-2022 半导体器件可靠性强化试验方法
T/ZAQ 10113-2022 半导体器件间歇工作寿命试验设备
T/ZZB Q063-2022 半导体器件间歇工作寿命试验设备
T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
T/ZSA 47-2020 电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法
T/IAWBS 004-2021 电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法

福建省地方标准，关于半导体芯片试验的标准

DB35/T 1193-2011 半导体发光二极管芯片

行业标准-电子，关于半导体芯片试验的标准

SJ/T 11399-2009 半导体发光二极管芯片测试方法
SJ/T 10416-1993 半导体分立器件芯片总规范
SJ/T 11856.3-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第3部分：光源用电吸收调制型半导体激光器芯片
SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范
SJ/T 11856.2-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第2部分：光源用垂直腔面发射型半导体激光器芯片
SJ/T 11402-2009 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范
SJ/T 11818.2-2022 半导体紫外发射二极管第2部分：芯片规范
SJ/T 11856.1-2022 光纤通信用半导体激光器芯片技术规范第1部分：光源用法布里-泊罗型及分布式反馈型半导体激光器芯片
SJ/Z 9016-1987 半导体器件机械和气候试验方法
SJ 20079-1992 金属氧化物半导体气敏元件.试验方法
SJ/T 10745-1996 半导体集成电路机械和气候试验方法
SJ/T 10801-1996 半导体集成接口电路磁芯存储器驱动器测试方法的基本原理
SJ/T 11874-2022 电动汽车用半导体分立器件应力试验程序
SJ/T 11875-2022 电动汽车用半导体集成电路应力试验程序

SCC，关于半导体芯片试验的标准

BS PD ES 59008-2:1999 半导体芯片数据要求词汇
BS PD IEC/TR 62258-4:2007 半导体芯片产品芯片用户和供应商调查问卷
CEI EN 62258-1:2011 半导体器件半导体芯片产品第1部分：采购和使用
BS PD ES 59008-1:2000 半导体芯片的数据要求一般要求
BS PD ES 59008-5-3:2001 半导体芯片的数据要求芯片类型的特殊要求和建议最小封装芯片
CEI CLC/TR 62258-4:2013 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
DANSK DS/CLC/TR 62258-4:2013 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
BS PD ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求具体要求和建议测试和质量
BS PD ES 59008-4-3:2000 半导体芯片的数据要求具体要求和建议热
DANSK DS/EN 62258-1:2010 半导体芯片产品第1部分：采购和使用
DANSK DS/EN 62258-2:2011 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
BS PD IEC/TR 62258-7:2007 半导体芯片产品用于数据交换的 XML 模式
CEI EN 62258-2:2012 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
BS PD IEC/TR 62258-8:2008 半导体芯片产品数据交换的 EXPRESS 模型架构
BS PD ES 59008-4-4:2000 半导体芯片的数据要求具体要求和建议电气仿真
BS PD ES 59008-3:1999 半导体芯片的数据要求机械、材料和连接要求
CEI EN 60749-19/A1:2011 半导体器件机械和气候测试方法第 19 部分：芯片剪切强度
DANSK DS/EN 60749-19:2003 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度
DANSK DS/EN 60749-19/A1:2003 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度
BS PD ES 59008-4-2:2001 半导体芯片的数据要求具体要求和建议处理和储存
DANSK DS/EN 59008-5-2:2001 半导体芯片的数据要求第5-2部分：芯片类型的特殊要求和建议带有附加连接结构的裸芯片
DANSK DS/EN 62258-6:2007 半导体芯片产品第6部分：有关热模拟的信息要求
CEI CLC/TR 62258-7:2009 半导体芯片产品第7部分：用于数据交换的 XML 模式
CEI EN 62258-6:2007 半导体芯片产品第6部分：有关热模拟的信息要求
DANSK DS/EN 62258-5:2007 半导体芯片产品第5部分：有关电气仿真的信息要求
CEI EN 62258-5:2007 半导体芯片产品第5部分：有关电气仿真的信息要求
BS PD IEC/TR 62258-3:2005 半导体芯片产品关于搬运、包装和储存良好实践的建议
DANSK DS/CLC/TR 62258-8:2008 半导体芯片产品第8部分：用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
CEI CLC/TR 62258-8:2009 半导体芯片产品第8部分：用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
BS PD ES 59008-6-2:2001 半导体芯片数据要求交换数据格式及数据字典数据字典
DIN EN 62258-2 E:2009 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式 (IEC 47/2023/CDV:2009) 草案
BS PD ES 59008-5-1:2001 半导体芯片的数据要求模具类型的特殊要求和建议裸模
DIN IEC 62258-1 E:2007 半导体芯片产品第1部分：采购和使用要求 (IEC 47/1913/CD:2007) 草案
CEI CLC/TR 62258-3:2007 半导体芯片产品第3部分：搬运、包装和储存良好实践的建议
DANSK DS/CLC/TR 62258-3:2007 半导体芯片产品第3部分：搬运、包装和储存良好实践的建议
DIN EN 60749-19/A1 E:2009 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度 (IEC 47/2016/CDV:2009) 草案
CEI EN 62435-5:2017 电子元件电子半导体器件的长期储存第5部分：芯片和晶圆器件
DANSK DS/EN 62435-5:2017 电子元件电子半导体器件的长期存储第5部分：芯片和晶圆器件
BS PD ES 59008-6-1:1999 半导体芯片的数据要求交换数据格式和数据字典数据交换 DDX 文件格式
DIN EN 62435-5:2017 电子元件电子半导体器件的长期储存第5部分：芯片和晶圆器件（IEC 62435-5:2017）
DIN IEC 62258-3 E:2008 半导体芯片产品第3部分：处理、包装和储存良好实践的建议 (IEC 47/1950/CD:2008) 草案
UNE-EN 60749-29:2004 半导体器件机械和气候试验方法第29部分:闩锁试验
BS PD ES 59008-5-2:2001 半导体芯片的数据要求模具类型的特殊要求和建议带有附加连接结构的裸模具
DANSK DS/EN 60749-1:2003 半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则

未注明发布机构，关于半导体芯片试验的标准

JEDEC JESD49B.01-2023 半导体芯片产品采购标准，包括已知良好芯片（KGD）
GJB 128A-1997 半导体分立器件试验方法
DIN EN 60749-44 E:2014-08 半导体器件机械和气候试验方法第44部分：半导体设备的中子束照射单粒子效应 (SEE) 试验方法（草案）

英国标准学会，关于半导体芯片试验的标准

BS PD CLC/TR 62258-4:2013 半导体芯片产品. 对芯片用户和供应商的问卷调查
PD ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求具体要求和建议测试和质量
PD IEC/TR 62258-7:2007 半导体芯片产品用于数据交换的 XML 模式
PD ES 59008-5-3:2001 半导体芯片的数据要求模具类型的特殊要求和建议最小封装芯片
PD IEC/TR 62258-8:2008 半导体芯片产品用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
PD ES 59008-5-2:2001 半导体芯片的数据要求模具类型的特殊要求和建议添加连接结构的裸芯片
PD CLC/TR 62258-3:2007 半导体芯片产品关于搬运、包装和储存良好实践的建议
BS EN 62416:2010 半导体器件.金属氧化物半导体(MOS)晶体管的热载流子试验
PD ES 59008-6-2:2001 半导体芯片的数据要求交换数据格式和数据字典数据字典
BS EN 60749-38:2008 半导体器件.机械和气候试验方法.带存储器的半导体器件用软错误试验法
BS EN 60749-29:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.闭锁试验
BS EN 60749-29:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.闭锁试验
BS EN 60749:1999 半导体装置.机械和气候试验方法
BS EN 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
BS EN 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
BS EN 60749-44:2016 半导体器件. 机械和气候试验方法. 半导体设备的中子束照射单粒子效应(SEE)试验方法
BS EN 60747-16-10:2004 半导体器件.单片微波集成电路的技术验收程序(TAS)
BS EN 60749-3:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.目视检验
BS EN 60749-1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.总则
BS EN 60749-8:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.密封
BS CECC 13:1985(1999) 电子元件质量评估协调制度：基本规范：半导体芯片的扫描电子显微镜检查
BS EN 60749-2:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.低气压
BS EN 60749-10:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.机械振动
BS EN 60749-13:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.盐雾气氛
BS EN 60749-22:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.粘接强度
BS EN 60749-36:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.稳态加速
BS EN 60749-17:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.中子辐照
BS EN 60749-34:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.动力循环
BS EN 60749-21:2005 半导体器件.机械和气候试验方法.软钎焊性
BS EN IEC 60749-13:2018 半导体装置.机械和气候试验方法.盐雾气氛
BS EN 60749-25:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.温度循环
BS EN 60749-12:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.变频率振动
BS EN 60749-6:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.高温下储存
BS EN 60749-9:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.永久性标记
BS EN 60749-19:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.模剪切强度
BS EN 60749-19:2003+A1:2010 半导体器件.机械和气候试验方法.模剪切强度
BS EN 60749-39:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.半导体器件用有机材料湿气扩散性和水溶解性的测量
BS IEC 62830-5:2021 半导体器件用于能量收集和发电的半导体器件测量柔性热电装置发电功率的试验方法
BS EN 60749-23:2004 半导体器件.机械和气候试验方法.高温操作寿命
BS EN 60749-21:2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.可焊性
IEC TR 63357:2022 半导体器件汽车故障测试方法标准化路线图
BS EN IEC 60749-12:2018 半导体器件.机械和气候试验方法.振动,可变频率
BS EN 60749-14:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.端子的耐久性
BS EN 60749-23:2004+A1:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.高温使用寿命
BS EN 60749-5:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.稳态温度湿度偏差寿命试验
BS EN IEC 60749-5:2024 半导体器件机械和气候试验方法稳态温度湿度偏置寿命试验
BS EN 60749-11:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.温度速变.双流体浸泡法
BS EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管(MOSFET)的基本温度稳定性试验
BS EN 62417:2010 半导体器件金属氧化物场效应晶体管(MOSFETs)用迁移离子试验
BS EN 60749-29:2011 半导体装置.机械和气候耐受性试验方法.闩锁效应测试

IPC - Association Connecting Electronics Industries，关于半导体芯片试验的标准

IPC/EIA J-STD-026 CD-1999 倒装芯片应用的半导体设计标准
IPC/EIA J-STD-026-1999 倒装芯片应用的半导体设计标准

中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体芯片试验的标准

GB/T 35010.4-2018 半导体芯片产品第4部分：芯片使用者和供应商要求
GB/T 35010.6-2018 半导体芯片产品第6部分：热仿真要求
GB/T 35010.2-2018 半导体芯片产品第2部分：数据交换格式
GB/T 35010.5-2018 半导体芯片产品第5部分：电学仿真要求
GB/T 35010.1-2018 半导体芯片产品第1部分：采购和使用要求
GB/T 35010.7-2018 半导体芯片产品第7部分：数据交换的XML格式
GB/T 35010.8-2018 半导体芯片产品第8部分：数据交换的EXPRESS格式
GB/T 35010.3-2018 半导体芯片产品第3部分：操作、包装和贮存指南

欧洲电工标准化委员会，关于半导体芯片试验的标准

CLC/TR 62258-4-2013 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
CLC/TR 62258-4:2013 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
CLC/TR 62258-7:2007 半导体芯片产品第7部分：用于数据交换的 XML 模式
CLC/TR 62258-8:2008 半导体芯片产品第8部分：用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
EN 62047-3:2006 半导体器件.微电机器件.第3部分:拉伸试验用薄膜标准试验片
CLC/TR 62258-3:2007 半导体芯片产品第3部分：搬运、包装和储存良好实践的建议
EN 62416:2010 半导体器件.MOS晶体管的热载子试验
EN 60749-38:2008 半导体器件.机械和气候试验方法.第38部分:带存储器的半导体器件用软错误试验法
EN 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA,LGA,FBGA和FLGA用老化插座
EN 62047-9:2011 半导体器件.微型电机装置.第9部分:微型电机系统(MEMS)硅片的硅片键合强度测试

丹麦标准化协会，关于半导体芯片试验的标准

DS/CLC/TR 62258-4:2013 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
DS/ES 59008-5-1:2001 半导体芯片的数据要求第 5-1 部分：芯片类型的特殊要求和建议裸芯片
DS/EN 62258-1:2010 半导体芯片产品第1部分：采购和使用
DS/EN 62258-2:2011 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
DS/EN 60749-19/A1:2010 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度
DS/EN 60749-19:2003 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度
DS/ES 59008-4-1:2001 半导体芯片的数据要求第 4-1 部分：具体要求和建议测试和质量
DS/CLC/TR 62258-7:2008 半导体芯片产品第7部分：用于数据交换的 XML 模式
DS/CLC/TR 62258-8:2008 半导体芯片产品第8部分：用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
DS/CLC/TR 62258-3:2007 半导体芯片产品第3部分：处理、包装和存储方面的良好实践建议
DS/EN 60749-38:2008 半导体器件机械和气候试验方法第38部分：带存储器的半导体器件的软错误测试方法
DS/IEC 749:1986 半导体装置.机械和气候试验方法.修改件1
DS/EN 60749-1:2003 半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则
DS/EN 60749-8+Corr.2:2004 半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封

GSO，关于半导体芯片试验的标准

BH GSO IEC/TR 62258-4:2016 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
OS GSO IEC/TR 62258-4:2014 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷
BH GSO IEC 62258-1:2016 半导体芯片产品第1部分：采购和使用
GSO IEC 62258-1:2014 半导体芯片产品第1部分：采购和使用
OS GSO IEC 62258-1:2014 半导体芯片产品第1部分：采购和使用
GSO IEC 60749-19:2014 半导体工具机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切韧性
BH GSO IEC/TR 62258-7:2016 半导体芯片产品第7部分：用于数据交换的 XML 模式
GSO IEC/TR 62258-7:2014 半导体芯片产品第7部分：用于数据交换的 XML 模式
OS GSO IEC/TR 62258-7:2014 半导体芯片产品第7部分：用于数据交换的 XML 模式
OS GSO IEC 62258-6:2014 半导体芯片产品第6部分：有关热模拟的信息要求
BH GSO IEC 62258-5:2016 半导体芯片产品第5部分：有关电气仿真的信息要求
GSO IEC 62258-5:2014 半导体芯片产品第5部分：有关电气仿真的信息要求
OS GSO IEC 62258-5:2014 半导体芯片产品第5部分：有关电气仿真的信息要求
BH GSO IEC/TR 62258-8:2016 半导体芯片产品第8部分：用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
OS GSO IEC/TR 62258-8:2014 半导体芯片产品第8部分：用于数据交换的 EXPRESS 模型架构
BH GSO IEC/TR 62258-3:2016 半导体芯片产品第3部分：搬运、包装和储存良好实践的建议
OS GSO IEC/TR 62258-3:2014 半导体芯片产品第3部分：搬运、包装和储存良好实践的建议
GSO IEC 62435-5:2021 电子元件电子半导体器件的长期储存第5部分：芯片和晶圆器件
BH GSO IEC 62435-5:2022 电子元件电子半导体器件的长期储存第5部分：芯片和晶圆器件
GSO IEC 60748-23-1:2015 半导体器件集成电路第23-1部分：混合集成电路和芯片结构生产线认证通用规范

国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会，关于半导体芯片试验的标准

GB/T 4937.19-2018 半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度
GB/T 4937.13-2018 半导体器件机械和气候试验方法第13部分：盐雾

AENOR，关于半导体芯片试验的标准

UNE-EN 60749-19:2003/A1:2011 半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度
UNE-EN 60749-19:2003 半导体器件机械和气候试验方法第19部分：芯片剪切强度
UNE-EN 60749-8:2004 半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封
UNE-EN 60749-1:2004 半导体器件机械和气候试验方法第1部分：总则

CENELEC - European Committee for Electrotechnical Standardization，关于半导体芯片试验的标准

ES 59008-5-1-2001 半导体芯片的数据要求第 5-1 部分：芯片类型的特殊要求和建议裸芯片
EN 62258-2:2005 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
EN 62258-2:2011 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
ES 59008-5-3-2001 半导体芯片的数据要求第 5-3 部分：芯片类型的特殊要求和建议最小封装芯片
ES 59008-4-3-1999 半导体芯片的数据要求第 4-3 部分：具体要求和建议热
ES 59008-4-2-2000 2001 年半导体芯片数据要求第 4-2 部分：处理和存储的具体要求和建议
ES 59008-4-4-1999 半导体芯片的数据要求第 4-4 部分：特定要求和建议电气仿真

国家质检总局，关于半导体芯片试验的标准

GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范
GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范
GB/T 43136-2023 超硬磨料制品半导体芯片精密划切用砂轮
GB/T 42706.5-2023 电子元器件半导体器件长期贮存第5部分：芯片和晶圆
GB/T 6616-2023 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试非接触涡流法
GB/T 13422-2013 半导体变流器电气试验方法
GB/T 4937-1995 半导体器件机械和气候试验方法
GB/T 13422-1992 半导体电力变流器电气试验方法
GB/T 26070-2010 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法
GB/T 3048.3-1994 电线电缆电性能试验方法半导电橡塑材料体积电阻率试验
GB/T 4937.1-2006 半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则
GB/T 6616-2009 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法

(美国)固态技术协会,隶属EIA，关于半导体芯片试验的标准

JEDEC JESD22-B118-2011 半导体晶圆和芯片背面外部外观检查
JEDEC JESD49A.01-2013 半导体芯片产品采购标准，包括已知良好芯片（KGD）（JESD49 的小修订，2005年9月，2009年1月重申）

ES-UNE，关于半导体芯片试验的标准

UNE-EN 62258-1:2010 半导体芯片产品第1部分：采购和使用
UNE-EN 62258-2:2011 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式
UNE-EN 62258-6:2006 半导体芯片产品第6部分：有关热模拟的信息要求
UNE-EN 62258-5:2006 半导体芯片产品第5部分：有关电气模拟的信息要求
UNE-EN 62435-5:2017 电子元件电子半导体器件的长期存储第5部分：芯片和晶圆器件

法国标准化协会，关于半导体芯片试验的标准

NF EN 62258-1:2011 半导体芯片产品 - 第 1 部分：供应和使用
NF EN 62258-2:2011 半导体芯片产品 - 第 2 部分：数据交换格式
NF C96-050-3*NF EN 62047-3:2006 半导体器件微电机设备第3部分：拉伸试验用薄膜标准试验片
NF C80-203*NF EN 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
NF C96-435-5*NF EN 62435-5:2017 电子元件电子半导体器件的长期储存第5部分芯片和晶圆器件
NF EN 62435-5:2017 电子元件半导体电子器件的长期储存第 5 部分芯片器件和晶圆
NF C96-022-38*NF EN 60749-38:2008 半导体装置.机械和气候试验方法.第38部分:带存储的半导体装置用软错误试验
NF C80-202*NF EN 62416:2010 半导体器件 MOS晶体管热载流子的试验
NF C80-201*NF EN 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验.
NF C80-204*NF EN 62418:2011 半导体器件金属化应力空隙试验
NF C96-022-29*NF EN 60749-29:2012 半导体器件机械和气候试验方法第29部分：闭锁试验
NF C96-013-6-16*NF EN 60191-6-16:2013 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验与BGA、LGA、FBGA和FLGA用高温加速老化插座试验用术语表
NF C96-009:1989 电子元件半导体装置机械和气候试验方法
NF C96-022-13:2002 半导体装置.机械和气候试验方法.第13部分: 盐雾环境试验
NF C96-022-19*NF EN 60749-19:2003 半导体装置机械和气候试验方法第19部分：抗剪强度试验
NF C96-050-9*NF EN 62047-9:2012 半导体器件 - 微型机电装置 - 第9部分: 微机电系统硅片的硅片键合强度测试.
NF C96-016-10*NF EN 60747-16-10:2005 半导体器件第16-10部分：单片微波集成电路的技术验收方案（TAS）
NF C96-022-1*NF EN 60749-1:2003 半导体装置机械和气候试验方法第1部分：总则
NF C96-022-8*NF EN 60749-8:2003 半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封
NF C96-051*NF EN 62373:2006 金属氧化半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本温度稳定性试验

IEC - International Electrotechnical Commission，关于半导体芯片试验的标准

IEC TR 62258-4:2012 半导体芯片产品第4部分：芯片用户和供应商调查问卷（2.0 版）
IEC 60749-19:2003 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度（1.0版）

美国电信工业协会，关于半导体芯片试验的标准

TIA J-STD-026-1999 IPC/EIA J-STD-026倒装芯片用半导体设计标准

河北省标准，关于半导体芯片试验的标准

DB13/T 5120-2019 光通信用 FP、 DFB 半导体激光器芯片直流性能测试规范

PT-IPQ，关于半导体芯片试验的标准

NP 3081-1985 电子元件．微电子扫描中的半导体芯片检验，基础规格说明

SE-SIS，关于半导体芯片试验的标准

SIS SS CECC 00013-1985 基本规范．半导体芯片的扫描电子显微镜观察

美国电子电路和电子互连行业协会，关于半导体芯片试验的标准

IPC J-STD-026-1999 倒装芯片应用的半导体设计标准IPC/EIA J-STD-026

TIA - Telecommunications Industry Association，关于半导体芯片试验的标准

J-STD-026-1999 倒装芯片应用的半导体设计标准（IPC/EIA J-STD-026）

德国机械工程师协会，关于半导体芯片试验的标准

VDI/VDE 3713 Blatt 8-1995 技术采购规范半导体芯片用环氧树脂密封剂

立陶宛标准局，关于半导体芯片试验的标准

LST EN 62258-2-2011 半导体芯片产品第2部分：交换数据格式（IEC 62258-2:2011）
LST EN 60749-19+AC-2003 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度（IEC 60749-19:2002）
LST EN 60749-19+AC-2003/A1-2011 半导体器件机械和气候测试方法第19部分：芯片剪切强度（IEC 60749-19:2003/A1:2010）

HU-MSZT，关于半导体芯片试验的标准

MSZ 700/36.lap-1961 煤矿中半导体测试试验
MNOSZ 700-3.lap-1955 半导体的模型分析测试实验室的样品制备

国际电工委员会，关于半导体芯片试验的标准

IEC 62951-6:2019 半导体器件.柔性和可拉伸的半导体器件.第6部分:柔性导电薄膜片电阻的试验方法
IEC 62047-3:2006 半导体器件.微机电设备.第3部分:拉伸试验的薄膜标准试验片
IEC 62417:2010 半导体器件.金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)移动离子试验
IEC 62415:2010 半导体器件.恒定电流电迁移试验
IEC 60749:2002 半导体器件机械和气候试验方法
IEC 62418:2010 半导体器件.金属化应力空隙试验
IEC 60749:1984 半导体器件.机械和气候试验方法
IEC 60749:1996 半导体器件机械和气候试验方法
IEC 60749-38:2008 半导体器件.机械和气候试验方法.第38部分:带存储器的半导体器件用软错误试验法
IEC 62373-1:2020 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分:MOSFET的快速BTI试验
IEC 60759:1983 半导体X射线能谱仪的标准试验程序
IEC 60700:1981 高压直流输电用半导体电子管的试验
IEC 63364-1:2022 半导体器件物联网系统用半导体器件第1部分：声音变化检测的试验方法
IEC 62951-1:2017 半导体器件. 柔性和可伸缩半导体器件. 第1部分: 柔性基板上导电薄膜的拉伸试验方法
IEC 62951-5:2019 半导体器件.柔性和可伸展半导体器件.第5部分:柔性材料热特性的试验方法
IEC 62047-34:2019 半导体器件微机电器件第34部分:硅片上MEMS压阻压敏器件的试验方法
IEC 60749/AMD1:2000 半导体器件机械和气候试验方法修改1
IEC 60749/AMD2:2001 半导体器件机械和气候试验方法修改2
IEC 60333:1993 核仪器半导体带电粒子探测器试验程序
IEC 60749-29:2011 半导体器件.机械和气候试验方法.第29部分:闭锁试验
IEC 63275-1:2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分:偏置温度不稳定性试验方法
IEC 60191-6-16:2007 半导体器件的机械标准化.第6-16部分:半导体试验术语表和BGA、LGA、FBGA和FLGA用老化插座
IEC 60759:1983/AMD1:1991 半导体X射线能谱仪的标准试验程序修改1
IEC 60749-3:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分:外观检验
IEC 60749-3:2002/COR1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分:外观检验
IEC 62047-9:2011 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试
IEC 62047-9:2011/COR1:2012 半导体器件.微型机电器件.第9部分:微机电系统硅片的硅片键合强度测试
IEC 60749-1:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分:总则
IEC 60749-1:2002/COR1:2003 半导体器件.机械和环境试验方法.第1部分:总则
IEC 60749-8:2002/COR2:2003 半导体器件.机械和环境试验方法.第8部分:密封
IEC 60749-8:2002/COR1:2003 半导体器件.机械和气候试验方法.第8部分:密封
IEC 60749-8:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第8部分:密封
IEC 60747-16-10:2004 半导体器件.第16-10部分:单片型微波集成电路的技术验收程序(TAS)
IEC 63275-2:2022 半导体器件.碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性试验方法.第2部分:由体二极管操作引起的双极退化的试验方法
IEC 62830-5:2021 半导体器件.能量收集和产生用半导体器件.第5部分:测量柔性热电器件产生功率的试验方法

韩国科技标准局，关于半导体芯片试验的标准

KS M 1804-2008 半导体用氢氟酸试验方法
KS M 1804-2023 半导体用氢氟酸试验方法
KS C 6565-2022 半导体加速度传感器试验方法
KS C IEC 60749:2004 半导体器件.机械和气候试验方法
KS C IEC 60749-2004(2020) 半导体器件机械和气候试验方法
KS C 6049-1980 半导体集成电路试验法和耐久性能试验方法
KS C IEC 60759:2009 半导体X射线能谱仪的标准试验程序
KS C 6049-1980(2020) 环境试验方法和耐久性试验方法半导体集成电路
KS C IEC 62951-1:2022 半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第1部分:柔性衬底上导电薄膜的弯曲试验方法
KS C 6046-1978(2001) 环境试验方法和单独的半导体器件的方法的耐久性试验
KS C 6046-1986 环境试验方法和单独的半导体器件的方法的耐久性试验
KS C IEC 60749-3:2002 半导体器件.机械和气候试验方法.第3部分:外观检验
KS C IEC 60749-19:2005 半导体器件.机械和气候试验方法.第19部分:模剪切强度试验
KS C IEC 60749-1:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第1部分:总则
KS C IEC 60749-8:2006 半导体器件.机械和气候试验方法.第8部分:密封
KS C IEC 60749-8-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封
KS C IEC 60749-1-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则
KS C IEC 60749-1-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第1部分:总则
KS C IEC 60749-8-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第8部分:密封
KS C IEC 60749-8-2021 半导体器件机械和气候试验方法第8部分：密封
KS C IEC 60749-24-2006(2016) 半导体器件机械和气候试验方法第24部分:加速防潮无偏试验
KS C IEC 60749-24-2006(2021) 半导体器件机械和气候试验方法第24部分:加速防潮无偏试验

YU-JUS，关于半导体芯片试验的标准

JUS N.R1.500-1980 半导体装置．验收．电气测试

国家军用标准-总装备部，关于半导体芯片试验的标准

GJB 128-1986 半导体分立器件试验方法
GJB 128B-2021 半导体分立器件试验方法
GJB 762.1-1989 半导体器件辐射加固试验方法中子辐照试验
GJB 762.3-1989 半导体器件辐射加固试验方法 γ瞬时辐照试验
GJB 762.2-1989 半导体器件辐射加固试验方法 γ总剂量辐照试验
GJB 7678-2012 半导体器件 10KeV X 射线辐照加固试验方法
GJB 762.1A-2018 半导体器件辐射加固试验方法第1部分：中子辐照试验
GJB 762.3A-2018 半导体器件辐射加固试验方法第3部分：γ瞬时辐照试验
GJB 762.2-1989(XG1-2015) 半导体器件辐射加固试验方法 γ 总剂量辐照试验修改单1-2015

KR-KS，关于半导体芯片试验的标准

KS M 1804-2008(2023) 半导体用氢氟酸试验方法
KS C IEC 62951-1-2022 半导体器件.柔性和可拉伸半导体器件.第1部分:柔性衬底上导电薄膜的弯曲试验方法

RU-GOST R，关于半导体芯片试验的标准

GOST 28578-1990 半导体器件.机械及气候试验
GOST 26567-1985 半导体电能变换器.电试验方法
GOST 24461-1980 电力半导体器件.测量和试验方法

美国国防后勤局，关于半导体芯片试验的标准

DLA MIL-STD-750 E-2006 半导体器件的试验方法标准
DLA MIL-PRF-19500/657 B-2011 半导体器件、场效应、抗辐射、晶体管芯片、N 和 P 沟道、硅各种类型 JANHC 和 JANKC
DLA SMD-5962-87685-1987 硅单块 N沟道金属氧化物半导体,8比特微处理器芯片,微型电路
DLA SMD-5962-90976-1992 硅单块带随机存取存储器芯片数据的8比特微控制器,互补高性能金属氧化物半导体结构单芯片,微型电路
DLA SMD-5962-91566 REV C-1996 硅单块互补金属氧化物半导体单一芯片8比特微型控制器,数字微型电路
DLA SMD-5962-93228 REV B-2005 硅单片,测试总线收发器,氧化物半导体数字微型电路
DLA MIL-PRF-19500/741 A-2009 半导体器件、场效应、抗辐射（总剂量和单事件效应）晶体管芯片、N 沟道和 P 沟道、硅、各种类型、JANHC 和 JANKC

PH-BPS，关于半导体芯片试验的标准

PNS IEC 62435-5:2021 电子元件.电子半导体器件的长期存储.第5部分：芯片和晶圆器件
PNS IEC 62373-1:2021 半导体器件.金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的偏压温度稳定性试验.第1部分：MOSFET的快速BTI试验
PNS IEC 60749-44:2021 半导体器件.机械和气候试验方法.第44部分：半导体器件的中子束辐照单粒子效应（见）试验方法

美国材料与试验协会，关于半导体芯片试验的标准

ASTM F673-90(1996)e1 用非接触涡流仪测定半导体膜片的电阻率的标准试验方法
ASTM E1161-03 半导体和电子元件放射性检验的标准试验方法
ASTM F1892-12(2018) 半导体器件电离辐射（总剂量）效应试验标准指南
ASTM D6095-99 挤制交联和热塑半导性导体和绝缘防护材料体电阻率的标准试验方法
ASTM D6095-05 挤压交联和热塑性半导体导体和绝缘屏蔽材料的体积电阻率的标准试验方法

CZ-CSN，关于半导体芯片试验的标准

CSN 35 1609-1983 电力半导体器件．散热器．试验方法

美国国家标准学会，关于半导体芯片试验的标准

ANSI/IEEE 300:1988 半导体带电粒子检测器的试验程序
ANSI/ASTM E1161:1996 半导体和电子元件放射性检查试验方法
ANSI/ASTM D4325:2013 非金属半导体和电绝缘胶带用试验方法

美国电气电子工程师学会，关于半导体芯片试验的标准

IEEE 759-1984 半导体X射线能谱分析器的试验程序
IEEE 857-1990 高压直流半导体闸流管阀的试验指南
IEEE 857-1996 高压直流半导体闸流管阀试验程序推荐规程
IEEE Std C62.35-1987(R1993) 雪崩结半导体电涌保护器件用IEEE标准试验规范

行业标准-航天，关于半导体芯片试验的标准

QJ 10004-2008 宇航用半导体器件总剂量辐射试验方法
QJ 10005-2008 宇航用半导体器件重离子单粒子效应试验指南

JP-JEITA，关于半导体芯片试验的标准

JEITA EDR-4704A-2007 半导体器件用加速寿命试验的应用指南

PL-PKN，关于半导体芯片试验的标准

PN E06171-1985 保护半导体装置的保险丝一般要求和试验

陕西省标准，关于半导体芯片试验的标准

DB61/T 1448-2021 大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程

台湾地方标准，关于半导体芯片试验的标准

CNS 5076-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–振动试验
CNS 5073-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–冲击试验
CNS 5541-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–晶体管连续动作试验
CNS 5543-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–晶体管断续动作试验
CNS 5072-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–气密性试验
CNS 6117-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–耐湿性试验
CNS 5069-1988 单件半导体装置之环境检验法及耐久性检验法–热冲击试验

工业和信息化部，关于半导体芯片试验的标准

SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法