ASTM F1049-00
硅片上浅蚀坑检测的标准实施规程
Standard Practice for Shallow Etch Pit Detection on Silicon Wafers
- 标准号
- ASTM F1049-00
- 发布
- 2000年
- 发布单位
- 美国材料与试验协会
- 替代标准
- ASTM F1049-02
- 当前最新
- ASTM F1049-02
- 引用标准
- ASTM D5127 ASTM F154 ASTM F1725 ASTM F1727 ASTM F1809 ASTM F1810
- 适用范围
- 1.1 这种做法用于检测浅蚀刻坑，这可能与硅外延或抛光晶圆表面附近的金属杂质水平有关。
1.2 这种做法不建议用于缺陷密度评估，而是作为估计抛光或外延晶圆表面缺陷密度和分布的主观方法。
1.3 可以评估掺杂 p 型或 n 型且电阻率低至 0.005 Ωcm 的硅晶体。这种做法适用于以（111）或（100）晶体取向生长的硅片。
1.4 这种做法利用热氧化工艺，然后使用化学优先蚀刻剂来创建并描绘浅蚀刻坑。
1.5 以可接受的公制单位表示的值应被视为标准。括号中的值仅供参考。
1.6 本标准并不旨在解决与其使用相关的所有安全问题（如果有）。本标准的使用者有责任在使用前建立适当的安全和健康实践并确定监管限制的适用性。具体危险说明见第 9 节。